JPH031854B2 - - Google Patents

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JPH031854B2
JPH031854B2 JP56148764A JP14876481A JPH031854B2 JP H031854 B2 JPH031854 B2 JP H031854B2 JP 56148764 A JP56148764 A JP 56148764A JP 14876481 A JP14876481 A JP 14876481A JP H031854 B2 JPH031854 B2 JP H031854B2
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JP
Japan
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light emitting
circuit
emitting diode
compensation circuit
voltage
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JP56148764A
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JPS5850836A (en
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Makoto Niino
Yotaro Shinkai
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Sony Corp
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Sony Corp
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、光フアイバ通信に利用される発光
ダイオードの駆動回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a driving circuit for a light emitting diode used in optical fiber communication.

発光ダイオードを直接変調する場合の発光出力
と発光電流の関係は線形でないため、変調信号で
そのまゝ発光素子を変調すると変調歪が生じる。
Since the relationship between the light emitting output and the light emitting current when directly modulating a light emitting diode is not linear, modulation distortion occurs when the light emitting element is directly modulated with a modulation signal.

従来、発光ダイオードの歪補償方式としては、
プリデイストーシヨン方式が簡単な回路で構成で
きるのでよく用いられている。
Conventionally, the distortion compensation method for light emitting diodes is as follows:
The predistortion method is often used because it can be configured with a simple circuit.

そこで、まず、プリデイストーシヨン方式につ
いて第1図で説明する。
First, the predistortion method will be explained with reference to FIG.

端子T1に入力された変調信号はトランジスタ
Tで増幅され、発光ダイオードLEDを電流Iで
駆動し、変調信号に応じた発光出力Pを光フアイ
バLに送出する。発光ダイオードLEDの発光出
力Pと駆動電流Iの特性は、第2図aに示すよう
に非線形特性になつているが、トランジスタTの
エミツタに接続されている補償用のダイオード
D、及び抵抗Rもエミツタ電流に対して非線形の
インピーダンスとなるので、前記発光ダイオード
LEDの非線形I−P特性をこのダイオードD,
及び抵抗Rで補償することができる。
The modulation signal input to the terminal T1 is amplified by the transistor T, the light emitting diode LED is driven by the current I, and a light emission output P corresponding to the modulation signal is sent to the optical fiber L. The characteristics of the light emitting output P and drive current I of the light emitting diode LED are nonlinear as shown in Figure 2a, but the compensation diode D and resistor R connected to the emitter of the transistor T are also nonlinear. Since the impedance is nonlinear with respect to the emitter current, the light emitting diode
This diode D,
and can be compensated by a resistor R.

しかしながら、このような従来の補償方式は、
発光ダイオードLEDのI−P特性について補償
することができても、発光ダイオードLEDの位
相特性の補償ができなかつた。
However, such conventional compensation methods
Even if it is possible to compensate for the I-P characteristics of the light emitting diode LED, it is not possible to compensate for the phase characteristics of the light emitting diode LED.

すなわち、第2図bは発光ダイオードLEDの
発光出力Pが発光電流I1及びI2によつて、その周
波数特性が変ることを示したものであるが、前記
第1図の回路はこのような位相に関する補償がで
きないため、TV信号を変調信号として発光ダイ
オードLEDを駆動したとき輝度電流の大きさに
よつて色調が変化するという欠点があつた。
In other words, while FIG. 2b shows that the frequency characteristics of the light emitting output P of the light emitting diode LED change depending on the light emitting currents I1 and I2 , the circuit shown in FIG. Since it is not possible to compensate for the phase, there was a drawback that when a light emitting diode LED was driven using a TV signal as a modulation signal, the color tone changed depending on the magnitude of the brightness current.

この発明は、かゝる点にかんがみてなされたも
ので、発光ダイオードの位相特性を補償する駆動
回路を提供するものである。
The present invention has been made in view of these points, and provides a drive circuit that compensates for the phase characteristics of a light emitting diode.

以下、この発明の発光素子駆動回路について説
明する。
The light emitting element drive circuit of the present invention will be explained below.

第3図はこの発明の一実施例を示すもので、
DPは位相補償回路、DGは振幅補償回路を示す。
位相補償回路DPは入力端子T1、出力端子T2を有
する回路網からなり、抵抗R、電圧可変容量素子
VC、可変抵抗RV、コンデンサCにより形成さ
れ、その出力はトランジスタTR1に入力される。
振幅補償回路DGは、ツエーナダイオードDZ、こ
のツエナダイオードDZの動作点を設定するトラ
ンジスタTr、及び可変抵抗RV′より形成され、
その出力は発光ダイオードLEDをドライブする
トランジスタTR2,TR3に接続されている。
FIG. 3 shows an embodiment of this invention.
DP indicates a phase compensation circuit, and DG indicates an amplitude compensation circuit.
The phase compensation circuit DP consists of a circuit network having an input terminal T 1 and an output terminal T 2 , a resistor R, and a voltage variable capacitance element.
It is formed by VC, variable resistor RV, and capacitor C, and its output is input to transistor TR1 .
The amplitude compensation circuit DG is formed of a Zener diode DZ, a transistor Tr that sets the operating point of the Zener diode DZ, and a variable resistor RV'.
Its output is connected to transistors TR 2 and TR 3 that drive light emitting diodes LED.

この回路は位相補償回路DP、及び振幅補償回
路DGによつて入力端子T1に加えられるアナログ
変調信号にプリデイストーシヨンを与え、発光ダ
イオードLEDの非直線歪を補正するものである。
振幅補償回路DGについては前述した説明のとお
り、ダイオードDに代えてツエーナダイオード
DZの非直線性を利用したもので、その詳細な説
明は省略するが、ツエーナダイオードDZの温度
特性、及びその非直線性が発光ダイオードLED
のI−P特性を補償するとき、通常のダイオード
によるものより振幅歪の補償として効果的に行わ
れる。
This circuit applies predistortion to the analog modulation signal applied to the input terminal T1 by the phase compensation circuit DP and the amplitude compensation circuit DG, thereby correcting nonlinear distortion of the light emitting diode LED.
Regarding the amplitude compensation circuit DG, as explained above, a Zener diode is used instead of the diode D.
This utilizes the nonlinearity of the DZ, and although a detailed explanation will be omitted, the temperature characteristics of the Zener diode DZ and its nonlinearity are
When compensating for the I-P characteristics of a diode, it is more effective in compensating for amplitude distortion than using a normal diode.

位相補償回路DPは、電圧可変容量素子VCの両
端に印加される電圧をνCとした場合、その容量値
をC(νC)とすると、 伝達関数 F(s)は、 F(s)=1/(1+SC(νC)R) で示される。(但し、S=jω) この伝達関数F(s)は、一次形の低域通過フ
イルタ特性を示し、第2図bと同様に高域の周波
数で出力が減衰する。
In the phase compensation circuit DP, when the voltage applied to both ends of the voltage variable capacitance element VC is ν C , and its capacitance value is C(ν C ), the transfer function F(s) is F(s)= It is expressed as 1/(1+SC(ν C )R). (However, S=jω) This transfer function F(s) exhibits linear low-pass filter characteristics, and the output is attenuated at high frequencies as in FIG. 2b.

ところで、電圧可変容量素子VCとしてダイオ
ードの接合容量を利用したバラクタを使用する
と、その容量値は印加電圧によつて非直線的に変
化することが知られている。
By the way, it is known that when a varactor using the junction capacitance of a diode is used as the voltage variable capacitance element VC, the capacitance value changes non-linearly depending on the applied voltage.

したがつて可変抵抗RVによつて与えてあるバ
イアス電圧をνBとし、入力端子T1の変調信号を
νXとすると、電圧可変容量素子VCの容量C(νB
νX)は、バイアス電圧νBによつてその変化率を第
2図bのf−P特性と逆方向に変動するf−V特
性とすることができ、発光ダイオードLEDの位
相特性が補償できる。
Therefore, if the bias voltage applied by the variable resistor RV is ν B and the modulation signal at the input terminal T 1 is ν X , then the capacitance C of the voltage variable capacitive element VC (ν B +
By changing the bias voltage νB , the rate of change of νX ) can be made into an f-V characteristic that fluctuates in the opposite direction to the f-P characteristic shown in Figure 2b, and the phase characteristics of the light emitting diode LED can be compensated. .

第4図は電圧可変容量素子として種類の異なる
2つのバラクタVC1とVC2を組合せ、その総合容
量変化率で発光ダイオードLEDの位相補償を行
うようにしたもので、その動作は第1図の位相補
償回路DPと同一である。
Figure 4 shows a combination of two different types of varactors VC 1 and VC 2 as voltage variable capacitance elements, and their total capacitance change rate is used to compensate the phase of a light emitting diode LED.The operation is similar to that shown in Figure 1. It is the same as the phase compensation circuit DP.

前記した発光ダイオードLEDの周波数特性の
変動は発光ダイオードの動作温度にも関係する。
The above-mentioned fluctuation in the frequency characteristics of the light emitting diode LED is also related to the operating temperature of the light emitting diode.

第5図は発光ダイオードLEDの温度変動に起
因する位相特性の変動も補償するようにしたもの
で、抵抗R2、コンデンサC2の時定数は発光ダイ
オードLEDの熱時定数と合わせ、この回路で駆
動電流を積分することによつて発光ダイオード
LEDの温度特性を補償している。一方、発光ダ
イオードLEDの周囲温度をサーミスタなどの温
度検出素子Thで検出しDC増幅器OPで増幅する。
Figure 5 shows a circuit that compensates for fluctuations in phase characteristics caused by temperature fluctuations in the light emitting diode LED.The time constants of the resistor R2 and capacitor C2 are combined with the thermal time constant of the light emitting diode LED. Light emitting diode by integrating the driving current
Compensates for the temperature characteristics of the LED. On the other hand, the ambient temperature of the light emitting diode LED is detected by a temperature detection element Th such as a thermistor and amplified by a DC amplifier OP.

加算回路ADで温度変化を示す前記積分値の電
圧と、周囲温度に関係する増幅器OPの出力電圧
を加え合わせ、バイアス回路Bを介してバラクタ
VC3に印加しているので、この回路は抵抗R3
電圧可変容量素子VC3と共に発光ダイオードLED
のf−P特性を温度変動を含めて補償できること
になる。
Adder circuit AD adds the voltage of the integrated value indicating the temperature change and the output voltage of amplifier OP related to the ambient temperature, and adds the voltage to the varactor via bias circuit B.
Since we are applying voltage to VC 3 , this circuit will connect the light emitting diode LED along with resistor R 3 and voltage variable capacitance element VC 3 .
This means that the f-P characteristics of , including temperature fluctuations, can be compensated for.

第6図、第7図は位相補償を大幅に設定する場
合のこの発明の他の実施例を示すものである。
FIGS. 6 and 7 show other embodiments of the present invention in which the phase compensation is set significantly.

第6図は抵抗R4、電圧可変容量素子VC4に対
して、利得が1の増幅器G1、抵抗R5電圧可変容
量素子VC5を追加し第2の位相補償回路を形成し
たものである。(なお、バイアス回路は省略して
ある)。
In Figure 6, a second phase compensation circuit is formed by adding an amplifier G 1 with a gain of 1, a resistor R 5 and a voltage variable capacitor VC 5 to the resistor R 4 and voltage variable capacitor VC 4. . (Note that the bias circuit is omitted).

この回路における伝達関数F(s)は、 F(s)=1/(1+SC4R4)(1+SC5R5) という2次形の低域通過フイルタの特性となるの
で、位相変動が大きい発光ダイオードに対して有
効に補償が行われる。
The transfer function F(s) in this circuit has the characteristics of a quadratic low-pass filter, F(s) = 1/(1+SC 4 R 4 )(1+SC 5 R 5 ), so light emission with large phase fluctuations Effective compensation is provided for the diode.

第7図は電圧可変容量素子VC6に対し、変調ア
ナログ信号を反転増幅器G2で逆相したものを加
えるようにしたもので、第6図と同様に大幅な位
相補償が行われる。 第8図は電圧可変容量素子
VC7の動作を変調アナログ信号に応じて切り替え
られるようにしたものである。この回路におい
て、Dsはスイツチングダイオード、C0はデイカ
ツプリング・コンデンサを示す。
In FIG. 7, a modulated analog signal whose phase is reversed by an inverting amplifier G2 is added to the voltage variable capacitance element VC6 , and similar to FIG. 6, a large phase compensation is performed. Figure 8 shows voltage variable capacitance element
The operation of the VC 7 can be switched according to the modulated analog signal. In this circuit, Ds is a switching diode and C0 is a decoupling capacitor.

入力端子T1の変調信号が小さい間は、スイツ
チングダイオードDsは導通せず、電圧可変容量
素子VC7は高い値の可変抵抗RV7に接続されたこ
とになるので、その接合容量は位相補償としては
殆んど寄与していない。変調信号が大きい値とな
ると、スイツチングダイオードDsが導通するた
め、デイカツプリングコンデンサC0を介して電
圧可変容量素子VC7の一端がアース電位となり、
前記したように電圧可変容量素子VC7の接合容量
が位相補償回路として機能することになる。
While the modulation signal at the input terminal T 1 is small, the switching diode Ds does not conduct, and the voltage variable capacitance element VC 7 is connected to the high value variable resistor RV 7 , so its junction capacitance is used for phase compensation. It has not contributed much. When the modulation signal becomes a large value, the switching diode Ds becomes conductive, so one end of the voltage variable capacitance element VC7 becomes the ground potential via the decoupling capacitor C0 .
As described above, the junction capacitance of the voltage variable capacitance element VC7 functions as a phase compensation circuit.

以上説明したように、本発明の発光素子駆動回
路は発光素子のI−P特性を補償する振幅特性補
償回路と、f−P特性を補償する位相補償回路を
能動素子を介して配置し、この両者の補償回路が
第1および第2の電圧調整手段によつて個別に調
整可能になされているから、他の回路に負担をか
けることなく任意の補償が行なわれるという利点
を有するものである。
As explained above, the light emitting element drive circuit of the present invention includes an amplitude characteristic compensation circuit that compensates for the I-P characteristic of the light emitting element and a phase compensation circuit that compensates for the f-P characteristic, which are arranged via active elements. Since both compensation circuits can be adjusted individually by the first and second voltage adjustment means, there is an advantage that arbitrary compensation can be performed without placing a burden on other circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の発光ダイオード補償回路を示す
図、第2図a,bは発光ダイオードのI−P、f
−P特性図、第3図はこの発明の発光ダイオード
の位相、及び振幅歪を補正する一実施例を示す回
路図、第4図〜第8図はこの発明の位相補償を行
なわせる回路の他の実施例を示す回路図である。 図中、Rは抵抗、VCは電圧可変容量素子、
LEDは発光ダイオード、RVは可変抵抗を示す。
Fig. 1 shows a conventional light emitting diode compensation circuit, and Fig. 2 a and b show the I-P and f of the light emitting diode.
-P characteristic diagram, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of correcting the phase and amplitude distortion of the light emitting diode of the present invention, and FIGS. 4 to 8 are circuit diagrams showing other circuits for performing phase compensation of the present invention. It is a circuit diagram showing an example of. In the figure, R is a resistance, VC is a voltage variable capacitance element,
LED indicates a light emitting diode, and RV indicates a variable resistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 両端子間に印加される電圧に応じて容量が変
化する可変容量素子と、該可変容量素子の両端子
間に印加される電圧を調整する第1の電圧調整手
段を備えた低域通過型の位相補償回路と、ダイオ
ードと該ダイオードの両端子間に印加される電圧
を調整する第2の電圧調整手段を備えた振幅補償
回路をそれぞれ能動素子を介して配置し、前記振
幅補償回路、および位相補償回路を介して入力変
調信号を発光素子に供給するように構成したこと
を特徴とする発光素子駆動回路。
1. A low-pass type that includes a variable capacitance element whose capacitance changes depending on the voltage applied between both terminals, and a first voltage adjustment means that adjusts the voltage applied between both terminals of the variable capacitance element. a phase compensation circuit, and an amplitude compensation circuit comprising a diode and a second voltage adjustment means for adjusting the voltage applied between both terminals of the diode, respectively, are arranged via active elements, and the amplitude compensation circuit, 1. A light-emitting element drive circuit configured to supply an input modulation signal to a light-emitting element via a phase compensation circuit.
JP56148764A 1981-09-22 1981-09-22 Driving circuit for light emitting element Granted JPS5850836A (en)

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JPS5850836A JPS5850836A (en) 1983-03-25
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JPS55111182A (en) * 1979-02-20 1980-08-27 Nec Corp Distortion compensatory circuit

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JPS5850836A (en) 1983-03-25

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