JPH03185905A - 水晶加工方法 - Google Patents
水晶加工方法Info
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- JPH03185905A JPH03185905A JP32388389A JP32388389A JPH03185905A JP H03185905 A JPH03185905 A JP H03185905A JP 32388389 A JP32388389 A JP 32388389A JP 32388389 A JP32388389 A JP 32388389A JP H03185905 A JPH03185905 A JP H03185905A
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- Pending
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、水晶加工方法に係り、特に、水晶振動子、水
晶フィルタのクリスタルインピーダンスの改善に関する
。
晶フィルタのクリスタルインピーダンスの改善に関する
。
（従来の技術）
従来、水晶振動子、水晶フィルタに用いられている水晶
を研磨する工程にて発生する加工層及び、その下部にお
いては、加工に起因する弾性歪（結晶歪〉により、クリ
スタルインピーダンスが大きくなり、しかも、バラツキ
も大きいものであった。
を研磨する工程にて発生する加工層及び、その下部にお
いては、加工に起因する弾性歪（結晶歪〉により、クリ
スタルインピーダンスが大きくなり、しかも、バラツキ
も大きいものであった。
そこで、この水晶片の研磨工程にて発生す・る弾性歪に
よるクリスタルインピーダンスの影響を取り除く方法と
して、以下に示す様な方法があった。
よるクリスタルインピーダンスの影響を取り除く方法と
して、以下に示す様な方法があった。
第３図（Ａ）〜（Ｅ）は従来の水晶加工方法の工程を示
す図である。
す図である。
以下同図を用いて従来の水晶加工方法の説明をする。
［工程１］まず、人口水晶の原石から切り出した水晶片
を、例えば、酸化アルミナやグリンカーボン等の微粒子
からなる研磨材を用いて目的とする水晶振動子または水
晶フィルタ厚み近くにまで研磨する。
（同図（Ａ））［工程２］上記研磨の際に使用し
た、研磨材及び、油等を洗浄する。 （同
図（Ｂ））［工程３コ洗浄を行った後、電極を蒸着した
時に、目的の周波数を発振する厚みになる様に、フッ化
アンモニウム液などのエツチング液を用いた腐蝕処理に
より水晶片の厚みの微調整を行なう。
を、例えば、酸化アルミナやグリンカーボン等の微粒子
からなる研磨材を用いて目的とする水晶振動子または水
晶フィルタ厚み近くにまで研磨する。
（同図（Ａ））［工程２］上記研磨の際に使用し
た、研磨材及び、油等を洗浄する。 （同
図（Ｂ））［工程３コ洗浄を行った後、電極を蒸着した
時に、目的の周波数を発振する厚みになる様に、フッ化
アンモニウム液などのエツチング液を用いた腐蝕処理に
より水晶片の厚みの微調整を行なう。
（同図（Ｃ））
［工程４］次に、エツチング液の洗浄をした後、再び、
電極蒸着を行ない、サポートへの接着をした後、最終的
に目的とする周波数にするために、周波数調整（または
、ｆ調整）を行なう。
電極蒸着を行ない、サポートへの接着をした後、最終的
に目的とする周波数にするために、周波数調整（または
、ｆ調整）を行なう。
（同図（Ｄ）、（Ｅ））
上記の様な、従来の水晶加工方法においては、工程１に
おいて、表面か結晶組織の破壊された層で覆われており
、その下に研磨加工に起因する結晶歪の層ができるため
、特に、 （１）超微粒研磨材で仕上げ表面の結晶組織の破壊を少
なくする。
おいて、表面か結晶組織の破壊された層で覆われており
、その下に研磨加工に起因する結晶歪の層ができるため
、特に、 （１）超微粒研磨材で仕上げ表面の結晶組織の破壊を少
なくする。
（２）結晶歪が少なくなる様に、水晶片への圧力を弱く
する。
する。
（３）前記工程３に示した様に、エツチング工程におい
て、結晶歪層まで腐蝕処理をする。
て、結晶歪層まで腐蝕処理をする。
等の方法が用いられていた。
（発明が解決しようとする課題）
上述の様な従来の水晶加工方法においては、以下の様な
問題点があった。
問題点があった。
（１）圧力を弱くし、超微粒研磨材で鏡面状の表面に仕
上げた場合にも、結晶組織の破壊された層及びその下に
、加工に起因する結晶歪が発生してしまっていた。また
、一般の研磨材を用いた研磨とは別に超微粒子研磨材を
用いて研磨するので、多くの研磨時間を必要とする。
上げた場合にも、結晶組織の破壊された層及びその下に
、加工に起因する結晶歪が発生してしまっていた。また
、一般の研磨材を用いた研磨とは別に超微粒子研磨材を
用いて研磨するので、多くの研磨時間を必要とする。
（２）エツチング工程において、過度の腐蝕により、水
晶の表面性が失われ、しかも、多くのエツチング時間を
要する。
晶の表面性が失われ、しかも、多くのエツチング時間を
要する。
（３）周波数の調整量によっては、エツチングによって
研磨加工時の結晶歪まで取れないことがある。
研磨加工時の結晶歪まで取れないことがある。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、所定の厚みにまで水晶片の表面を研磨する研磨工程と
、厚みの微調整を行なうエツチング工程と、電極蒸着工
程と、リード線サポートの接着工程、および周波数調整
工程とからなる水晶加工方法において、前記研磨工程の
後に、前記水晶片を４５０℃〜５６０°Ｃの温度にて所
定時間放置することを特徴とする水晶加工方法を提供し
ようとするものである。
、所定の厚みにまで水晶片の表面を研磨する研磨工程と
、厚みの微調整を行なうエツチング工程と、電極蒸着工
程と、リード線サポートの接着工程、および周波数調整
工程とからなる水晶加工方法において、前記研磨工程の
後に、前記水晶片を４５０℃〜５６０°Ｃの温度にて所
定時間放置することを特徴とする水晶加工方法を提供し
ようとするものである。
（実施例〉
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明になる水晶加工方法の工
程を示す図である。
程を示す図である。
同図が従来の水晶加工方法と異なる点は、高温熱処理（
または、アニール〉工程を有する点であり、従来の方法
と同様の工程についての説明は省略する。
または、アニール〉工程を有する点であり、従来の方法
と同様の工程についての説明は省略する。
［工程１コ〜［工程２］
従来同様の、研磨工程、洗浄工程を行なう。
（同図（Ａ＞、（Ｂ））
［工程３］
次に、アニールを行なう。即ち、水晶の転位温度（５７
３℃付近）より低く、結晶中において自発分極が向きを
そろえ単一分極に動き出す温度（４５０℃）までの間の
温度（４５０℃〜５６０℃）を５分間以上加える。
（同図（Ｃ））［工程４］ 次に、エツチングを行うが、上記アニールによす、結晶
歪が少なくなっているので、エツチング量は少なくてす
み、エツチング時間は従来に比べ大幅に少なくできる。
３℃付近）より低く、結晶中において自発分極が向きを
そろえ単一分極に動き出す温度（４５０℃）までの間の
温度（４５０℃〜５６０℃）を５分間以上加える。
（同図（Ｃ））［工程４］ 次に、エツチングを行うが、上記アニールによす、結晶
歪が少なくなっているので、エツチング量は少なくてす
み、エツチング時間は従来に比べ大幅に少なくできる。
（同図（Ｄ））［工程５コ
従来と同様の洗浄工程、電極蒸着工程、接着工程、ｆ調
整工程を行なう。
整工程を行なう。
（同図（Ｂ）、（Ｆ））
上述の様に、本発明になる水晶加工方法においは、研磨
工程の後にアニール工程を有しているので、結晶歪を少
なくすることができ、超微粒子研磨材を用いた研磨の研
磨時間を必要とせず、短いエツチング時間で結晶歪を除
去することができる。
工程の後にアニール工程を有しているので、結晶歪を少
なくすることができ、超微粒子研磨材を用いた研磨の研
磨時間を必要とせず、短いエツチング時間で結晶歪を除
去することができる。
なお、アニール有りの場合と無しの場合の水晶加工方法
によるクリスタルインピーダンスの影響の違いは次の通
りであった。
によるクリスタルインピーダンスの影響の違いは次の通
りであった。
第２図（ａ＞は従来の水晶加工方法により加工した水晶
のクリスタルインピーダンスの一例で、Ｎ ＝ １００
の場合の分布を示すグラフ、同図（ｂ）は本発明になる
水晶加工方法により加工した水晶のクリスタルインピー
ダンスのＮ ＝ １００の場合の分布を示すグラフ、両
図において、横軸は加工後の水晶の個数（個）、縦軸は
クリスタルインピーダンス（Ω）を示している。
のクリスタルインピーダンスの一例で、Ｎ ＝ １００
の場合の分布を示すグラフ、同図（ｂ）は本発明になる
水晶加工方法により加工した水晶のクリスタルインピー
ダンスのＮ ＝ １００の場合の分布を示すグラフ、両
図において、横軸は加工後の水晶の個数（個）、縦軸は
クリスタルインピーダンス（Ω）を示している。
両図より明らかな様に、アニール有りの場合には、クリ
スタルインピーダンスの値がバラツキが少なく、しかも
小さく抑えられていることがわかる。
スタルインピーダンスの値がバラツキが少なく、しかも
小さく抑えられていることがわかる。
また、研磨、洗浄工程のすぐ後にアニール工程を行なう
のではなく、電極蒸着後にアニール工程を行なった場合
でも、研磨時に発生した結晶格子歪を少なくすることが
できる。
のではなく、電極蒸着後にアニール工程を行なった場合
でも、研磨時に発生した結晶格子歪を少なくすることが
できる。
（発明の効果）
上述の様に、本発明になる、水晶加工方法によれば、所
定の厚みにまで水晶片の表面を研磨する研磨工程と、厚
みの微調整を行なうエツチング工程と、電極蒸着工程と
、リード線サポートの接着工程、および周波数調整工程
とからなる水晶加工方法において、前記研磨工程の後に
、前記水晶片を４５０°Ｃ〜５６０℃の温度にて所定時
間放置することを特徴としたので、水晶の加工時におけ
る結晶歪を少なくすることができ、結晶歪によるクリス
タルインピーダンスの影響を十分に取り除くことが可能
な水晶加工方法の提供を可能とする。
定の厚みにまで水晶片の表面を研磨する研磨工程と、厚
みの微調整を行なうエツチング工程と、電極蒸着工程と
、リード線サポートの接着工程、および周波数調整工程
とからなる水晶加工方法において、前記研磨工程の後に
、前記水晶片を４５０°Ｃ〜５６０℃の温度にて所定時
間放置することを特徴としたので、水晶の加工時におけ
る結晶歪を少なくすることができ、結晶歪によるクリス
タルインピーダンスの影響を十分に取り除くことが可能
な水晶加工方法の提供を可能とする。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明になる水晶加工方法の工
程を示す図、第２図（ａ）は従来の水晶加工方法により
加工した水晶のクリスタルインピーダンスの一例で、Ｎ
＝１００の場合の分布を示すグラフ、同図（ｂ）は本発
明になる水晶加工方法により加工した水晶のクリスタル
インピーダンスのＮ ＝ １００の場合の分布を示すグ
ラフ、第３図（Ａ）〜（’Ｅ ）は従来の水晶加工方法
の工程を示す図。 特 許 出願人 日本ビクター株式会社代表者 垣木
邦夫 ｌρ ２Ｑ ３゜ ダＱ （ｔｓ ６゜ イびν＆Ｃ１目〕 １２図
程を示す図、第２図（ａ）は従来の水晶加工方法により
加工した水晶のクリスタルインピーダンスの一例で、Ｎ
＝１００の場合の分布を示すグラフ、同図（ｂ）は本発
明になる水晶加工方法により加工した水晶のクリスタル
インピーダンスのＮ ＝ １００の場合の分布を示すグ
ラフ、第３図（Ａ）〜（’Ｅ ）は従来の水晶加工方法
の工程を示す図。 特 許 出願人 日本ビクター株式会社代表者 垣木
邦夫 ｌρ ２Ｑ ３゜ ダＱ （ｔｓ ６゜ イびν＆Ｃ１目〕 １２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定の厚みにまで水晶片の表面を研磨する研磨工程と
、厚みの微調整を行なうエッチング工程と、電極蒸着工
程と、リード線サポートの接着工程、および周波数調整
工程とからなる水晶加工方法において、 前記研磨工程の後に、前記水晶片を４５０℃〜５６０℃
の温度にて所定時間放置することを特徴とする水晶加工
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32388389A JPH03185905A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 水晶加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32388389A JPH03185905A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 水晶加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185905A true JPH03185905A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18159666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32388389A Pending JPH03185905A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 水晶加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185905A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030075258A (ko) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | 케이큐티 주식회사 | 고주파 기본파 수정진동자 및 그 제조방법 |
| KR100896557B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2009-05-07 | 사빅 이노베이티브 플라스틱스 아이피 비.브이. | 투명한 내화성 폴리카보네이트 조성물 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32388389A patent/JPH03185905A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100896557B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2009-05-07 | 사빅 이노베이티브 플라스틱스 아이피 비.브이. | 투명한 내화성 폴리카보네이트 조성물 |
| KR20030075258A (ko) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | 케이큐티 주식회사 | 고주파 기본파 수정진동자 및 그 제조방법 |
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