JPH03186710A - Ｘ線断層撮影方法とその装置並びにｘ線発生用ターゲット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、透過Ｘ線による断層撮影方法とその装置並び
にＸ線発生用ターゲットに係り、特に回路基板の内部構
造の計測に好適とされたＸ線断層撮影方法とその装置、
更にほこの装置にＸ線発生用として具備されるターゲッ
トに関するものである。

［従来の技術］ これまで、透過Ｘ線像を拡大して観察する装置としては
、特開昭６０−７０３０４号公報に記載のものが知られ
ている。これによる場合、試料を透過したＸ線像は光電
変換膜により光電子像に変換されたうえ、電子レンズに
よって蛍光スクリーン上に拡大投影されるようになって
いる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来技術による場合は、試料にＸ線を照
射した際に、その試料を透過した像、即ち、投影像が検
出されていることから、その試料の断層像を得るために
は、投影像から断層像を再構成する必要があるものとな
っている。この再構成処理はＣＴ（コンピュータ・トモ
グラフィ）と称されるが、断層像を得るためには莫大な
計算処理が要されるようになっている。

本発明の目的は、簡単容易に、しかも焦点面での試料の
断層像が、焦点面以外での像がぼかされた状態で検出さ
れ得るＸ線断層撮影方法を供するにある。

本発明の他の目的は、簡単容易に、しかも焦点面での試
料の断層像が、焦点面以外での像がぼかされた状態で検
出され得る構成のＸ線断層撮影装置を供するにある。

更に本発明の他の目的は、Ｘ線断層像が高分解能を以て
検出され得るＸ線発生用ターゲットを供するにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的は、基本的には、収束電子線を偏向してターゲ
ット上に照射し、ターゲットより発生されるＸ線を試料
を介し検出することによって、焦点面以外での像をぼか
した状態で、その焦点面での断層像を検出することで達
成される。

また、他の目的は、収束電子線をターゲット上に照射す
ることによってＸ線源から発生されるＸ線を試料を介し
光電変換膜で検出するが、この光電変換膜からの光電子
を電子光学系で光学像として結像させる一方、収束電子
線をターゲット上で走査するとともに、光電変換膜から
の光電子を、収束電子線の走査に同期させて走査すべく
構成することで達成される。また、収束電子線をターゲ
ット上に照射することによってＸ線源から発生されるＸ
線を試料を介し複数のＸ線検出器で検出するが、試料を
透過したＸ線は収束電子線の走査位置各々に応じた位置
のＸ線検出器で２次元的に画像信号として検出されたう
え加算されるべく構成することで達成される。更には、
収束電子線をターゲット上に照射することによってＸ線
源から発生されるＸ線を試料を介し光学像として検出す
るが、この光学像は収束電子線の走査位置各々に応じた
位置の結像手段を介し蓄積型の検出手段によって検出さ
れるべく構成することで達成される。

更に他の目的は、Ｘ線断層撮影装置で用いられるＸ線発
生用ターゲットとしては、基本的には、膜厚が薄いＸ線
発生層を含む、２種類以上の多層膜構造として構成する
ことで達成される。

［作用］ 先ず本発明によるＸ線断層撮影方法の原理は、着目層の
みについて焦点が合うように、Ｘ線源と透過像検出面と
を同期をとって動かすことにあるが、これを詳細に説明
すれば以下のようである。

即ち、第２図に示すように、Ｘ線源ｌとフィルム２とを
逆方向に同期をとって直線状に移動させるようにすれば
、焦点面３上での点Ｃはフィルム２上で同一位置に撮影
され、焦点面３上にはない他の点Ａ、Ｂはフィルム２上
の異なった位置に撮影されるというものである。このこ
とは、点Ａ、　　Ｂはぼかされた状態で、焦点面３上の
像、即ち、焦点面３での断層像が得られることを意味し
ている。

その際、Ｘ線源ｌとフィルム２の運動は必ずしも直線運
動には限定されず、円運動やアーク運動など、他のもの
であってもよいものである。

さて、次にそのような原理にもとづいた本発明によるＸ
線断層撮影装置の原理的構成について第３図により説明
すれば、収束状態にある電子線４をターゲット５上で照
射した状態で電子線４を、例えば円軌道となるべく走査
すれば、ターゲット５で発生されたＸ線は試料（図示せ
ず）を透過した後、充電変換膜６で光電子像に変換され
るようになっている。この光電子像を電子線４の走査に
同期してコイル７により円軌道に走査するようにすれば
、光電子像はスクリーン９上に結像されるようになって
いるものである。図示のように、焦点面３上の点Ｃはス
クリーン９上の同一位置に結像されるが、他の点Ａ、Ｂ
はスクリーン９上の同一位置には結像されないようにな
っている。これより非焦点面上での像はぼかされ、焦点
面３上での像のみが得られることになるものである。

第４図はまた、断層像を得る他の原理的構成例でのＸ線
断層撮影装置を示したものである。先の例と異なるとこ
ろは、本例ではターゲット５で発生されたＸ線は試料（
図示せず）を透過した後、光電変換膜ではなくＸ線検出
器１０によって検出されるようになっていることである
。Ｘ線検出器１０は複数設けられているが、図示のよう
に、電子線４が点Ｐ１位置に照射された際に、位置り、
に配されているＸ線検出器１０によって検出されたＸ線
像と、電子線４が点Ｐ２位置に照射された際に、位置Ｄ
２に配されているＸ線検出器１０によって検出されたＸ
線像とを加算回路１１で加算するようにすれば、焦点面
３以外での像はぼかされるようになっているものであり
、加算結果としての焦点面３での断層像はモニタ１２に
て観察可能とされているものである。Ｘ線検出器１０の
数は本例では２個とされているが、３個以上でもよいも
のである。

なお、Ｘ線断層撮影装置の原理的構成は他にも考えられ
るが、これにもとづく具体的構成については後述すると
ころである。また、ターゲットとしては、高分解能の断
層像を得るためには、その厚さは可能な限り薄いことが
望ましいが、これについても後述するところである。

［実施例］ 以下、本発明を第１図から第図により説明する。

先ず本発明によるＸ線断層撮影装置について説明すれば
、第１図はその一例での構成を示したものである。これ
による場合、高熱状態にあるフィラメント１３で発生さ
れた電子は加速管１４によって加速されたうえ、収束レ
ンズ１５によって収束された状態で電子線としてターゲ
ット５上に照射されるようになっている。この照射によ
りターゲット５からはＸ線が発生されるが、発生される
Ｘ線の波長は電子線の加速電圧に依存し、また、試料に
よっては適切なＸ線の波長があることからすれば、加速
電圧は可変であることが望ましくなっている。

例えばその可変範囲はｌＯ〜２００ｋＶに設定されれば
十分である。また、ターゲット５の材料としては重元素
であって、しかも高融点のものが望ましく、例えばタン
グステンがその材料として好適となっている。更に望ま
しくは、ターゲット５で発生される熱によってターゲツ
ト５自体での溶融を防止すべく、その熱を冷却棒４０を
介しタンク中の冷却媒体、例えば液体窒素に逃してやる
ことが考えられる。冷却棒４０としては、熱伝導が良好
とされた銅が適当となっている。ところで、電子照射系
は真空の雰囲気中に収容、保持される必要があることか
ら、真空容器の内部に収容されるようになっている。真
空容器はバルブ２２を介し真空ポンプ２１によって排気
可能とされ、真空の雰囲気が得られるものである。その
際、ターゲット５は真空と大気を隔てる真空容器の一部
として構成されてもよい。ターゲツト５自体に関しては
、その厚膜を薄くすれば、Ｘ線発生領域が挟まり点光源
に近づくことから、Ｘ線像の分解能は向上されることに
なる。これよりすれば、ターゲット５の膜厚は薄いのが
望ましいと云えるが、ターゲット５には大気圧がかかる
ので、機械的な強度の点からしてその薄さには限界があ
るものとなっている。この問題は、真空と大気を隔てる
Ｘ線取り出し窓をターゲット５とは別に設けたり、ある
いはまた、試料室をも真空の雰囲気中におくことで解決
されるようになっている。

さて、収束状態にある電子線はコイル１６が駆動回路２
４によって駆動されることで、ターゲット５上を円軌道
に沿って走査するが、この走査でターゲット５から発生
されたＸ線はステージ１７上に載置された試料３２を透
過したうえ、光電変換膜６に照射されるようになってい
る。その際、ステージ１７は透過型とされ、Ｘ線の光路
は妨げられることはないが、Ｘ線が光電変換膜６に照射
されれば、光電変換膜６からは光電効果によって光電子
が発生されるようになっている。光電変換膜６としては
、例えば金、銀等の金属、ＣｓＩ、ＫＣＩ、ＣｓＢｒな
どの簿膜が用いられるようになっている。

この光電変換膜６上の光電子像はレンズ８により蛍光板
１８上に結像されるが、その際、コイル１６による電子
線走査に同期させて、駆動回路２４によってコイル７を
駆動するようにすれば、光電変換膜６上の各位置での光
電子像が順次蛍光板１８上に結像されることで、試料３
２中の断層像が得られるものである。その際でのレンズ
８としては、静電型、磁界型の何れを使用してもよく、
例えばイマージョン・オブジェクティブ・エレクトロ・
スタティックレンズが用いられるようになっている。な
お、光電子結像系も真空の雰囲気中に収容、保持される
必要があることから、真空容器中に収容されるようにな
っている。真空容器内はバルブ２３を介し真空ポンプ２
１で排気されるようになっているものである。この場合
には、真空と大気を隔てる隔壁の一部として、光電変換
膜６や蛍光板１８が利用され得るものとなっている。

以上のようにして、蛍光板１８では光電子像か光学像に
変換されるが、蛍光板１８としては電子が照射されると
蛍光を発する蛍光体、例えばＰ−４６やＰ−２０、ある
いはＹ　Ａ　Ｇ　（Ｙｔｔｒｉｕｍ　Ａｌｕｍｉｎｉｕ
ｍ　Ｇａｒｎ−ｅｔ）、Ｙ　Ａ　Ｐ　（Ｙｔｔｒｉｕｍ
　Ａｌｍｉｎｉｕｍ　Ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）の単結晶
が好適となっている。蛍光板１８での光学像はレンズ１
９を介しＴＶカメラ２０で検出されたうえ、モニタ１２
で観察可能とされているが、レンズ１９としては開口数
が大きく明るいもの、例えば顕微鏡用の対物レンズが好
適であり、また、ＴＶカメラ２０には高感度が要求され
るので、これには例えばＳ　Ｉ　Ｔ　（Ｓｉｌｉｃｏｎ
　１ｎｔｅｎｓｉｆｉｅｒ　Ｔａｒｇｅｔ　Ｔｕｂｅ）
カメラが好適となっている。

以上のように、蛍光板１８での光学像、即ち、試料３２
中の断層像はモニタ１２に映し出されるが、その断層像
の焦点深度は、ターゲット５上に照射される収束電子線
のターゲット５上での軌跡（円軌道）の直径を変えるこ
とで容易に変えられるものとなっている。即ち、その直
径を小さくすれば、焦点深度は深くなり、直径を大きく
すると焦点深度は浅くなるものである。その際、コイル
７の励磁力はコイル１６の励磁力とともに変えられるこ
とは云うまでもないことである。なお、断層像の高さは
ステージ１７を上下動することによっても、また、コイ
ル７の励磁力を変え光電子像の回転半径を変えることに
よっても、変えられるようになっている。また、試料３
２が大型である場合には、ステージ１７をＸＹ平面内で
移動させることで、試料３２全面の像が得られるように
なっている。更に、以上では電子線の走査は円軌道とさ
れているが、これ以外の軌道、例えば直線軌道で電子線
が走査されてもよい。

ここで、Ｘ線を発生するターゲットの一例について説明
すれば、検出Ｘ線像の分解能を向上せしめるためには、
Ｘ線源を微小にする必要があることは既に述べたところ
である。Ｘ線発生領域はターゲット内の電子散乱領域に
依存することから、Ｘ線発生領域を小さくするためには
、ターゲットの厚さを薄くしなければならないことにな
る。Ｘ線発生領域を１μｍ以下とするためには、ターゲ
ット自体の厚さを１μｍとしたいところであるが、この
ような厚さではその機械的強度が十分であるとは云えな
い。特にターゲットを真空と大気の隔壁に使用する場合
には、大気圧が直接ターゲットに加わるため、相当な機
械的強度が必要となるからである。また、ターゲットに
照射された電子線のエネルギーの大部分が熱に変換され
ることを考慮すれば、熱伝導の観点からしてもターゲッ
トの厚さが薄いことは不利となっている。これら問題を
解決するためには、第５図に示すように、ターゲットが
構成されればよいというものである。

即ち、第５図はそのターゲットの断面を示すが、これよ
り判るように、ターゲットはその厚さが十分薄いＸ線発
生層２５と、このＸ線発生層２５の機械的強度を増強す
るための保持層２６とから構成されたものとなっている
。Ｘ線発生層２５は重元素とされ、また、保持層２６は
軽元素とされるが、Ｘ線発生量はターゲットの原子番号
に比例することから、Ｘ線発生層２５に比し保持層２６
での発生Ｘ線量は無視し得るものとなっている。したが
って、Ｘ線は狭い領域であるＸ線発生層２５で発生する
と考えられ、しかも軽元素である保持層２６ではＸ線発
生層２５からのＸ線は何等吸収されることなく、そのま
ま透過するようになっている。このようにして、Ｘ線発
生層２５自体は薄く、その強度は十分でないながらも、
保持層２６によってその機械的強度が補強され、しかも
発生する熱が保持層２６に伝導されることから、Ｘ線発
生領域は小さいながらも、機械的強度が十分にして、し
かも熱に強いターゲットが得られるものである。Ｘ線発
生層２５自体は積極的に直接間接に液体窒素で冷却され
てもよいものである。因みに、Ｘ線発生層２５の具体的
な構成元素としては、タングステンや金、モリブデンな
どの重金属が好適とされ、また、保持層２６の構成材料
としては、シリコンやアルミニウムの他に、窒化化合物
（窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ））、シ
リコンカーバイト（ＳｉＣ）、ベリリウム、有機材料（
ポリイミド等）、の単層膜、あるいは複合膜が好適とな
っている。

第６図はＸ線が高感度に検出部とされたＸ線検出部の構
成を示したものである。電子線励起によって発生される
Ｘ線は微弱であることから、一般にＸ線が検出されるに
際しては、Ｘ線は高感度にして検出される必要がある。

第１図に示す例ではＴＶカメラ２０として高感度なもの
を使用することで、感度の向上が図られていたものであ
るが、本例では蛍光板１８の前面にマイクロチャンネル
プレート２７を配置し、電子像を増倍することによって
高感度が実現されるようになっている。この場合でも、
ＴＶカメラ２０として高感度なものが使用されるに越し
たことはないわけである。

第７図は結果的にＸ線が高感度に検出器とされたＸ線検
出部の他の構成を示したものである。

図示のように、光電変換膜６上の光電子像はレンズ８を
介しマイクロチャンネルプレート２７上で結像、増倍さ
れたうえ２次元センサ２８によって検出されるようにな
っている。２次元センサとしては、ＣＣＤや撮増管等が
使用されるようになっている。

第８図は本発明によるＸ線断層撮影装置の他の例での構
成を示したものである。本例では収束電子線をターゲッ
トに照射し、ターゲットでＸ線を発生させるまでは第１
図に示すものに同様となっている。実質的に異なる点は
、試料３２を透過したＸ線は円周上に配置された複数の
Ｘ線検出器２９によって選択的に検出されるようになっ
ていることである。この場合、個々のＸ線検出器２９は
２次元のＸ線検出器とされ、例えばＸ線イメージインテ
ンシファイアとＴＶカメラとの組合せ、あるいはＸ線撮
像管が用いられるようになっている。同期回路３１では
コイル１６を駆動する駆動回路３０と、切替スイッチ３
３での切替との同期をとることによって、試料３２中の
同一点を透過されたＸ線が検出されるべく、Ｘ線発生点
に応じ、複数あるＸ線検出器２９各々の出力の中から、
何れか１つが選択的に切替スイッチ３３より得られるよ
うになっているものである。収束電子線をコイル１６に
よってターゲット５上で１周させれば、切替スイッチ３
３での切替も一周されることから、切替スイッチ３３か
らはＸ線検出器２９の個数分のＸ線検出画像が順次得ら
れるものである。これら画像は順次画像加算回路３４で
加算され、１枚の画像として得られたうえモニタ１２に
表示されるようになっているが、このようにして得られ
る画像は焦点面以外の像はぼけた断層像として得られる
ものとなっている。なお、複数あるＸ線検出器２９の全
体としての配列は収束電子線の走査軌道に応じており、
円軌道に対しては円配列、直線軌道に対しては直線配列
とすればよい。

第９図は本発明によるＸ線断層撮影装置の更に異なる他
の例での構成を示したものである。本例でも先の例と同
様、収束電子線をターゲットに照射し、ターゲットでＸ
線を発生させるまでは第１図に示すものに同様となって
いる。実質的に異なる点は、試料３２を透過したＸ線は
蛍光板３５に照射され、蛍光板３５上には光学像が形成
されるようになっているが、この光学像は円周上に配さ
れたレンズ３６群およびシャッタ３７群を介しＴＶカメ
ラ２０によって検出されるようになっていることである
。

その際、同期回路３１では駆動回路３０とドライバ３８
とを同期をとりつつ動作せしめることで、Ｘ線発生点に
応じ、複数あるシャッタ３７の中から、何れか１つが選
択的に開かれるようになっているものである。収束電子
線がターゲット５で１周されれば、それに伴い複数ある
シャッタ３７も順次−旦開かれることで、それらシャッ
タ３７も１周する方向に順次露光状態におかれるように
なっているものである。ＴＶカメラ２０では断層像を得
べく１周分の画像が蓄積、検出されたうえモニタ１２に
表示されるようになっているものである。なお、本例で
はレンズ３６の代りにイメージファイバ群を用い得、ま
た、シャッタ３７群としてはＰＬＺＴシャッタ、液晶シ
ャッタ、機械シャッタなどを複数用いてもよいが、偏心
位置に孔が穿たれた円板を回転させることによっても、
同様な効果が得られるようになっている。更にＴＶカメ
ラ２０としては高感度カメラ、例えばＳＩＴカメラが、
蛍光板３５としては例えばＹＡＧやＹＡＰの単結晶がそ
れぞれ好適となっている。その蛍光板３５の代りにＸ線
イメージ・インテンシファイヤが使用されてもよいもの
である。

［発明の効果］ 以上説明したように、請求項１〜４による場合は、収束
電子線の電気的な走査によって簡単容易に、しかも焦点
面での試料の断層像が、焦点面以外での像がぼかされた
状態で、実時間で検出され得るＸ線断層撮影方法が得ら
れ、特に請求項４による場合には、焦点深度可変として
断層像が検出されることになる。

また、請求項５〜９によれば、簡単容易に、しかも焦点
面での試料の断層像が、焦点面以外での像がぼかされた
状態で、実時間で検出され得る構成のＸ線断層撮影装置
が得られることになる。

更に請求項９．ＩＯによる場合には、Ｘ線断層像が高分
解能を以て検出され得、しかもその機械的強度が大とさ
れたＸ線発生用ターゲットが得られることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第８図、第９図は、それぞれ本発明によるＸ線
断層撮影装置の具体的な構成を示す図、第２図、第３図
、第４図は、本発明によるＸ線断層撮影方法の原理や、
Ｘ線断層撮影装置の原理的構成を説明するための図、第
５図は、本発明によるＸ線発生用ターゲットの構成例を
示す図、第６図。 第７図は、光電変換膜使用に係るＸ線断層撮影装置のよ
り望ましい一部の構成を示す図である。 ４・・・（収束）電子線、５・・・ターゲット（Ｘ線発
生用）、６・・・光電変換膜、７・・・コイル（光電子
走査用）、１２・・・モニタ、１６・・・コイル（収束
電子走査用）、１８．３５・・・蛍光板、１９・・・レ
ンズ、２０・・・ＴＶカメラ、２５・・・Ｘ線発生層、
２６・・・保持層、２７・・・マイクロチャンネルプレ
ート、２９・・・Ｘ線検出器、３２・・・試料、３３・
・・切替スイッチ、３４・・・画像加算回路、３６・・
・レンズ、３７・・・シャッタ、４０・・・冷却棒、４
１・・・液体窒素

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、収束電子線を偏向してターゲット上に照射し、該タ
   ーゲットより発生されるＸ線を試料を介し検出すること
   によって、焦点面以外での像をぼかした状態で、該焦点
   面での断層像が検出されるようにしたＸ線断層撮影方法
   。 ２、収束電子線をターゲット上に照射し、該ターゲット
   より発生されるＸ線を試料を介し検出することによって
   、該試料の断層像を得るＸ線断層撮影方法であって、収
   束電子線の偏向によって該収束電子線をターゲット上で
   走査する一方、試料からの透過Ｘ線は一旦光電変換され
   たうえ、電子光学変換されることによって、位置が可変
   とされた焦点面以外での像をぼかした状態で、該焦点面
   での断層像が検出されるようにしたＸ線断層撮影方法。 ３、収束電子線をターゲット上に照射し、該ターゲット
   より発生されるＸ線を試料を介し検出することによって
   、該試料の断層像を得るＸ線断層撮影方法であって、収
   束電子線の偏向によって該収束電子線をターゲット上で
   走査する一方、試料からの透過Ｘ線は収束電子線の走査
   位置各々に応じた位置で順次２次元的に検出されたうえ
   加算されることによって、位置が可変とされた焦点面以
   外での像をぼかした状態で、該焦点面での断層像が検出
   されるようにしたＸ線断層撮影方法。 ４、試料に対する収束電子線の入射角が可変に設定され
   ることによって、焦点深度可変として該焦点面での断層
   像が検出されるようにした、請求項１〜３の何れかに記
   載のＸ線断層撮影方法。 ５、収束電子線をターゲット上に照射することによって
   Ｘ線を発生させるＸ線源と、該Ｘ線源からの、試料を透
   過したＸ線が照射されることによって光電子を発生する
   光電変換膜と、該光電変換膜からの光電子を光学像とし
   て結像させる電子光学系と、収束電子線をターゲット上
   で走査する手段と、光電変換膜からの光電子を、上記収
   束電子線の走査に同期させて走査する手段と、からなる
   構成のＸ線断層撮影装置。 ６、収束電子線をターゲット上に照射することによって
   Ｘ線を発生させるＸ線源と、上記収束電子線をターゲッ
   ト上で走査する手段と、上記Ｘ線源からの、試料を透過
   したＸ線を収束電子線の走査位置各々に応じた位置で２
   次元的に画像信号として検出する複数のＸ線検出手段と
   、収束電子線の走査位置各々に応じて結果的に該Ｘ線検
   出手段の出力を順次選択する手段と、該手段からのＸ線
   検出出力を順次加算する手段と、からなる構成のＸ線断
   層撮影装置。 ７、収束電子線をターゲット上に照射することによって
   Ｘ線を発生させるＸ線源と、上記収束電子線をターゲッ
   ト上で走査する手段と、上記Ｘ線源からの、試料を透過
   したＸ線を光学像に変換する手段と、該手段での光学像
   を像検出面上に結像させる複数の結像手段と、収束電子
   線の走査位置各々に応じた位置で上記結像手段の光路を
   開閉する手段と、上記結像手段によって結像された像を
   検出する蓄積型の検出手段と、からからなる構成のＸ線
   断層撮影装置。 ８、光電子を光学像として結像させる電子光学系に、光
   電子を増倍させる手段が具備されてなる構成の、請求項
   ５記載のＸ線断層撮影装置。 ９、電子光学系で光学像として結像された像を検出する
   手段が具備されてなる構成の、請求項５、８の何れかに
   記載のＸ線断層撮影装置。 １０、請求項５〜９の何れかに記載のＸ線断層撮影装置
   で用いられるＸ線発生用ターゲットであって、膜厚が薄
   いＸ線発生層を含む、２種類以上の多層膜構造としてな
   る構成のＸ線発生用ターゲット。 １１、膜厚が薄いＸ線発生層と、該Ｘ線発生層の機械的
   強度を補強する保持層とからなる構成の、請求項１０記
   載のＸ線発生用ターゲット。 １２、膜厚が薄いＸ線発生層と、熱伝導が良好な保持層
   とからなる構成の、請求項１０、１１の何れかに記載の
   Ｘ線発生用ターゲット。 １３、膜厚が薄いＸ線発生層が、液体窒素で冷却可とさ
   れてなる構成の、請求項１０〜１２の何れかに記載のＸ
   線発生用ターゲット。