JPH0318834A - プログラマブル光学論理装置 - Google Patents
プログラマブル光学論理装置Info
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- JPH0318834A JPH0318834A JP2138674A JP13867490A JPH0318834A JP H0318834 A JPH0318834 A JP H0318834A JP 2138674 A JP2138674 A JP 2138674A JP 13867490 A JP13867490 A JP 13867490A JP H0318834 A JPH0318834 A JP H0318834A
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- photodiode
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- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/028—Optical bistable devices based on self electro-optic effect devices [SEED]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/14—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光波デバイスおよび、特に、自己電気光学デ
バイスを含む光半導体デバイスに関する。
バイスを含む光半導体デバイスに関する。
[従来の技術]
コンピュータ、通信、スイッチおよび相互接続は、光学
および光学デバイスの利用可能性および必要性をともに
示してきた技術分野である。これらの技術分野で、必要
とされているデバイス(装置、素子)の種類の1つは、
光学論理デバイスである。光学論理デバイスに対しては
、デバイスに入射するデータあるいは情報が運ばれる信
号は、組合せ(ブール)および/またはメモリ(ラッチ
)機能に対し、入射信号が実行するようなしかたでデバ
イスの状態を制御する。非線形ファプリーペロー・エタ
ロンは、光学論理機能を可能にする完全光学デバイスと
して提案されている。(S、 D。
および光学デバイスの利用可能性および必要性をともに
示してきた技術分野である。これらの技術分野で、必要
とされているデバイス(装置、素子)の種類の1つは、
光学論理デバイスである。光学論理デバイスに対しては
、デバイスに入射するデータあるいは情報が運ばれる信
号は、組合せ(ブール)および/またはメモリ(ラッチ
)機能に対し、入射信号が実行するようなしかたでデバ
イスの状態を制御する。非線形ファプリーペロー・エタ
ロンは、光学論理機能を可能にする完全光学デバイスと
して提案されている。(S、 D。
スミス(S、 D、 Sm1th) 、rアプライド・
オブティクス(Applied 0ptlcs)J 、
第25巻、第10号、1150〜64ページ(1986
年)およびHlS、ヒントン(H,S、 Hlnton
)、rlEEE−ジャーナル会オン・セレクティド・エ
リアズ・イン・コミュニケーションズ(IEEE Jo
urnal on 5elected Areas i
n Communications)J 、第6巻、第
7号、1209〜26ページ(1988年)参照。)高
速動作で非線形ファプリーペロー・エタロンを使用する
際の障害の1つは、1つの波長がエタロンの非線形材料
の吸収ピークに対応するように、入射するクロックのよ
うな制御信号とデータ信号の波長とを分離しなければな
らないことである。このような制限は、非線形ファプリ
ーペロー・エタロンで透過状態と反射状態の間で切替え
および同調を行うために必要である。この動作方法の結
果として、入力波長は出力波長と異なり、このためこう
したデバイスを次々とカスケード接続する可能性が排除
される。要求される波長の差が重大な制限を課している
一方、他の制限が生じることも避けられない。それは、
温度変化によって、空洞の共鳴ピークの位置の変化を受
けるからである。
オブティクス(Applied 0ptlcs)J 、
第25巻、第10号、1150〜64ページ(1986
年)およびHlS、ヒントン(H,S、 Hlnton
)、rlEEE−ジャーナル会オン・セレクティド・エ
リアズ・イン・コミュニケーションズ(IEEE Jo
urnal on 5elected Areas i
n Communications)J 、第6巻、第
7号、1209〜26ページ(1988年)参照。)高
速動作で非線形ファプリーペロー・エタロンを使用する
際の障害の1つは、1つの波長がエタロンの非線形材料
の吸収ピークに対応するように、入射するクロックのよ
うな制御信号とデータ信号の波長とを分離しなければな
らないことである。このような制限は、非線形ファプリ
ーペロー・エタロンで透過状態と反射状態の間で切替え
および同調を行うために必要である。この動作方法の結
果として、入力波長は出力波長と異なり、このためこう
したデバイスを次々とカスケード接続する可能性が排除
される。要求される波長の差が重大な制限を課している
一方、他の制限が生じることも避けられない。それは、
温度変化によって、空洞の共鳴ピークの位置の変化を受
けるからである。
さらに、エタロンは入力光信号に反応することもしない
こともある。そのうえ、入力信号の強度の変化が、偶発
的にファプリーペロー・エタロンの状態を変化させるこ
ともあるし、何も引き起こさないこともある。
こともある。そのうえ、入力信号の強度の変化が、偶発
的にファプリーペロー・エタロンの状態を変化させるこ
ともあるし、何も引き起こさないこともある。
自己電気光学効果デバイスもまた、S−Rフリップフロ
ップとして実現される順次記憶素子としての動作に適す
るということが示されている。米国特許第475413
2号および4751378号参照。これらの双安定記憶
素子は、現在の入力とともに過去の入力にも影響される
。これらの記憶素子の論理的相互接続によって、光リン
グカウンタのようなシフトレジスタ回路を実現すること
ができる。(「プロシーディングズ・オヴ・ザ争コンフ
ァレンス・オン串し−ザーズφアンドφエレクトロオブ
ティクス(Proceedings or the C
onrerence on La5ers and E
lectrooptlcs) J 、論文TUE4 (
1988年)参照。)しかし、コンピュータ、通信、お
よびスイッチへの応用においては、このような光記憶デ
バイスの利用は、AND。
ップとして実現される順次記憶素子としての動作に適す
るということが示されている。米国特許第475413
2号および4751378号参照。これらの双安定記憶
素子は、現在の入力とともに過去の入力にも影響される
。これらの記憶素子の論理的相互接続によって、光リン
グカウンタのようなシフトレジスタ回路を実現すること
ができる。(「プロシーディングズ・オヴ・ザ争コンフ
ァレンス・オン串し−ザーズφアンドφエレクトロオブ
ティクス(Proceedings or the C
onrerence on La5ers and E
lectrooptlcs) J 、論文TUE4 (
1988年)参照。)しかし、コンピュータ、通信、お
よびスイッチへの応用においては、このような光記憶デ
バイスの利用は、AND。
OR,排他的ORその他のゲートのような組合せ光論理
素子の存在なしには制限されたものとなる。
素子の存在なしには制限されたものとなる。
最近、対称自己電気光学デバイスが、NOR関数を作成
するための組合せ論理ゲートに利用された。(「プロシ
ーディングズ・オヴ・ザ・コンファレンス・オン・レー
ザーズ・アンド・エレクトロオブテイクス(Proce
edlngs or the Conferenceo
n La5ers and Electrooptlc
s) J 、論文TUE4 (1988年)参照。)こ
の論文では、OR。
するための組合せ論理ゲートに利用された。(「プロシ
ーディングズ・オヴ・ザ・コンファレンス・オン・レー
ザーズ・アンド・エレクトロオブテイクス(Proce
edlngs or the Conferenceo
n La5ers and Electrooptlc
s) J 、論文TUE4 (1988年)参照。)こ
の論文では、OR。
NANDおよびAND関数が実現されたと述べている。
記述されているデバイスの適切な動作には、各光学デー
タ信号およびその論理的補数が論理ゲートに供給される
必要がある。結果として、各光学データ信号に対し、補
数のデータ信号を得るために、ビーム分割器や光学イン
バータのような付加的なハードウェアが、ただちに補数
のデータ信号が利用可能でない場合にり必要となる。上
で引用した参考文献にはANDおよびOR論理ゲートが
記述されてはいるが、そのツ考文献では排他的ORゲー
トの実現法はどこにも提示されていないことに注意すべ
きである。光エンコーダやスクランブラやそれらの逆を
実現するためには、フィードバック経路および光シフト
レジスタの他の相互接続点における排他的ORゲートな
しには不可能であるので、排他的ORゲートは重要であ
る。
タ信号およびその論理的補数が論理ゲートに供給される
必要がある。結果として、各光学データ信号に対し、補
数のデータ信号を得るために、ビーム分割器や光学イン
バータのような付加的なハードウェアが、ただちに補数
のデータ信号が利用可能でない場合にり必要となる。上
で引用した参考文献にはANDおよびOR論理ゲートが
記述されてはいるが、そのツ考文献では排他的ORゲー
トの実現法はどこにも提示されていないことに注意すべ
きである。光エンコーダやスクランブラやそれらの逆を
実現するためには、フィードバック経路および光シフト
レジスタの他の相互接続点における排他的ORゲートな
しには不可能であるので、排他的ORゲートは重要であ
る。
〔発明の概要]
対称自己電気光学効果デバイス(S−SEED)と、所
定のモードで論理演算を開始するために光学的にS−3
EEDをプログラムするための論理制御素子とを結合す
ることによって、プログラマブル光学論理デバイスにお
いて組合せ(ブール)論理関数を実現している。要求さ
れる組合せ論理演算が光学論理デバイスによって光学デ
ータ信号に対して実行されるように、所定のしきい値光
信号がS−8EEDの1つの入力に加えられ、一方、第
1および第2の光学データ信号は同時にS−8EEDの
もう1つの入力に加えられる。このように、プログラマ
ブル光学論理デバイスは、しきい値論理演算を実行する
といわれている。光学論理デバイスにプログラムされる
論理演算には、AND、ORおよびNOT関数が含まれ
る。単一の光信号が各光学論理デバイスからの出力とし
て与えられる。
定のモードで論理演算を開始するために光学的にS−3
EEDをプログラムするための論理制御素子とを結合す
ることによって、プログラマブル光学論理デバイスにお
いて組合せ(ブール)論理関数を実現している。要求さ
れる組合せ論理演算が光学論理デバイスによって光学デ
ータ信号に対して実行されるように、所定のしきい値光
信号がS−8EEDの1つの入力に加えられ、一方、第
1および第2の光学データ信号は同時にS−8EEDの
もう1つの入力に加えられる。このように、プログラマ
ブル光学論理デバイスは、しきい値論理演算を実行する
といわれている。光学論理デバイスにプログラムされる
論理演算には、AND、ORおよびNOT関数が含まれ
る。単一の光信号が各光学論理デバイスからの出力とし
て与えられる。
本発明の1つの実施例では、第1しきい値光信号がAN
D論理演算を実行するために利用され、第2しきい値光
信号がOR論理演算を実行するために使用されている。
D論理演算を実行するために利用され、第2しきい値光
信号がOR論理演算を実行するために使用されている。
排他的OR演算は、ANDおよびOR論理演算の両方を
並行して同一のデータに対し別々のS−3EEDデバイ
スで実行した後、S−5EEDのS−Rフリップフロッ
プを使用して各論理ゲートからの出力光信号を処理(例
えば、AND出力をR入力へ、および、OR出力をS入
力に)して排他的ORの出力を生成することによって実
現される。
並行して同一のデータに対し別々のS−3EEDデバイ
スで実行した後、S−5EEDのS−Rフリップフロッ
プを使用して各論理ゲートからの出力光信号を処理(例
えば、AND出力をR入力へ、および、OR出力をS入
力に)して排他的ORの出力を生成することによって実
現される。
本発明の原理に従って、S−5EEDに基づいたプログ
ラマブル光学論理デバイスはすべての光信号が同一の波
長であることを可能にする。従って、プログラマブル光
学論理デバイスはただちにカスケード接続にすることが
できる。
ラマブル光学論理デバイスはすべての光信号が同一の波
長であることを可能にする。従って、プログラマブル光
学論理デバイスはただちにカスケード接続にすることが
できる。
本発明のもう1つの目的によれば、プログラマブル光学
論理デバイスは、標準的な通常の製造技術を使用して、
他の光学論理デバイスを含む他のデバイスとともに、1
00xlOOのオーダーの大規模のアレイに集積するこ
とが可能である。
論理デバイスは、標準的な通常の製造技術を使用して、
他の光学論理デバイスを含む他のデバイスとともに、1
00xlOOのオーダーの大規模のアレイに集積するこ
とが可能である。
本発明のさらにもう1つの目的によれば、非線形ファプ
リーペロー・エタロンデバイスがほんの数オングストロ
ームという非常に狭い範囲でしか動作可能でないのに対
し、プログラマブル光学論理デバイスは数ナノメートル
にわたる広範囲の波長で動作することができる。
リーペロー・エタロンデバイスがほんの数オングストロ
ームという非常に狭い範囲でしか動作可能でないのに対
し、プログラマブル光学論理デバイスは数ナノメートル
にわたる広範囲の波長で動作することができる。
[実施例]
自己電気光学効果デバイス(SEED)、対称自己電気
光学効果デバイス(S−SEED)、およびこれらに適
用できる製造技術は、米国特許Re、32893;45
46244;4751378;および4754132に
十分に開示されており、また、以下の技術参考文献があ
る:D、A。
光学効果デバイス(S−SEED)、およびこれらに適
用できる製造技術は、米国特許Re、32893;45
46244;4751378;および4754132に
十分に開示されており、また、以下の技術参考文献があ
る:D、A。
B、ミラー(D、^、 B、 Miller)他、Ap
pl、 Phys。
pl、 Phys。
Lett、 、第45(1)巻、13〜15ページ(1
984年)およびA、L、 レンテイーン(A、 L
、 Lentlne)他、Appl、 Phys、 L
ett、 、第52(17)巻、1419〜21ページ
(1988年)。上に引用した参考文献およびそれらの
教示は特にここに参考のために取り入れられたものであ
る。
984年)およびA、L、 レンテイーン(A、 L
、 Lentlne)他、Appl、 Phys、 L
ett、 、第52(17)巻、1419〜21ページ
(1988年)。上に引用した参考文献およびそれらの
教示は特にここに参考のために取り入れられたものであ
る。
S−5EEDは、少なくとも2つの光学入力と2つの光
学出力を持つ4ボートデバイスである。
学出力を持つ4ボートデバイスである。
S−8EEDデバイスは、第1図に示されているように
、多重量子井戸p−L−nダイオード101を、リード
線104を介して多重量子井戸pi−nミーnダイオー
ドと直列に電気的に相互接続することによって形成され
る。ダイオード101.102には逆バイアス電圧Vが
かけられている。ダイオード101,102がこのよう
に接続される場合、出力線112上に信号Qとして示さ
れている単一の光学出力は、後続のデバイスによって使
用可能である。ダイオード102からの出力光信号は、
たとえ1つのダイオードがオンでそのとき他のダイオー
ドがオフである場合でも、続いて使用することは望まし
くない。それは、以下で示されるように、入力信号レベ
ルおよび、従って、このダイオードからの出力信号レベ
ルはよく制御されていないからである。
、多重量子井戸p−L−nダイオード101を、リード
線104を介して多重量子井戸pi−nミーnダイオー
ドと直列に電気的に相互接続することによって形成され
る。ダイオード101.102には逆バイアス電圧Vが
かけられている。ダイオード101,102がこのよう
に接続される場合、出力線112上に信号Qとして示さ
れている単一の光学出力は、後続のデバイスによって使
用可能である。ダイオード102からの出力光信号は、
たとえ1つのダイオードがオンでそのとき他のダイオー
ドがオフである場合でも、続いて使用することは望まし
くない。それは、以下で示されるように、入力信号レベ
ルおよび、従って、このダイオードからの出力信号レベ
ルはよく制御されていないからである。
S−3EEDの動作中は、ダイオードのうちの1つが吸
収状態にあり、そのとき他のダイオードは透過状態にあ
るということがわかっている。S−5EEDの状態変化
は、入力信号の絶対強度の関数としてではなく、入力信
号のパワーの比の関数として生起することが知られてい
る。状態変化は、Qが0から1あるいは1から0に変化
するようなレベルの変化する出力から観測される。
収状態にあり、そのとき他のダイオードは透過状態にあ
るということがわかっている。S−5EEDの状態変化
は、入力信号の絶対強度の関数としてではなく、入力信
号のパワーの比の関数として生起することが知られてい
る。状態変化は、Qが0から1あるいは1から0に変化
するようなレベルの変化する出力から観測される。
特に、ダイオード101および102からなるS−5E
EDは、ダイオード102に入射する光信号強度をダイ
オード101に入射する光信号強度で割った値がしきい
値Tを超えるときに、第1の状態から第2の状態へと切
り替わる。一方、S−8EEDは、ダイオード101に
入射する光信号強度をダイオード102に入射する光信
号強度で割った値がしきい値Tを超えるときに、第2の
状態から第1の状態へと切り替わる。
EDは、ダイオード102に入射する光信号強度をダイ
オード101に入射する光信号強度で割った値がしきい
値Tを超えるときに、第1の状態から第2の状態へと切
り替わる。一方、S−8EEDは、ダイオード101に
入射する光信号強度をダイオード102に入射する光信
号強度で割った値がしきい値Tを超えるときに、第2の
状態から第1の状態へと切り替わる。
条る実際の実験例では、G a A s / A I
G a AS半導体材料システムに基づいたS−5EE
Dデバイスのしきい値は約1.1であることが知られて
いる。この例から、ダイオード101からの光学出力パ
ワーが、同じダイオードに入射する光学パワーの19%
におよそ等しいときに、S−3EEDは第1の状態(Q
−0)にあると決定されている。また、この例では、ダ
イオード101からの光学出力パワーが、同じダイオー
ドに入射する光学パワーの32%におよそ等しいときに
、S−3EEDは第2の状態(Q−1)にあると決定さ
れている。
G a AS半導体材料システムに基づいたS−5EE
Dデバイスのしきい値は約1.1であることが知られて
いる。この例から、ダイオード101からの光学出力パ
ワーが、同じダイオードに入射する光学パワーの19%
におよそ等しいときに、S−3EEDは第1の状態(Q
−0)にあると決定されている。また、この例では、ダ
イオード101からの光学出力パワーが、同じダイオー
ドに入射する光学パワーの32%におよそ等しいときに
、S−3EEDは第2の状態(Q−1)にあると決定さ
れている。
動作中は、光学入力信号ビーム105および109が、
ダイオード101および102からなるS−5EEDに
入射している。光信号ビームは、特定のダイオードに入
射するように、以下のようにまとめられている:論理制
御装置103からの光学しきい値参照信号REFを表現
する光信号ビーム105はダイオード101に入射し、
データ信号AおよびBのパワー和であるデータ信号Cを
表現する光信号ビーム109はダイオード102に入射
する。光信号ビーム105および109は、S−8EE
Dの出力状態を変化させることができる。これらの光信
号ビームの振幅は、出力レベルが不明瞭になる双安定領
域にS−3EEDが入らないことを保証するように、論
理的0と論理的1との間で十分なコントラストを持つよ
うに選択される。例えば2:1のコントラストが上記の
基準を満たすということがわか・)ている。
ダイオード101および102からなるS−5EEDに
入射している。光信号ビームは、特定のダイオードに入
射するように、以下のようにまとめられている:論理制
御装置103からの光学しきい値参照信号REFを表現
する光信号ビーム105はダイオード101に入射し、
データ信号AおよびBのパワー和であるデータ信号Cを
表現する光信号ビーム109はダイオード102に入射
する。光信号ビーム105および109は、S−8EE
Dの出力状態を変化させることができる。これらの光信
号ビームの振幅は、出力レベルが不明瞭になる双安定領
域にS−3EEDが入らないことを保証するように、論
理的0と論理的1との間で十分なコントラストを持つよ
うに選択される。例えば2:1のコントラストが上記の
基準を満たすということがわか・)ている。
データ信号AとBの和を以下のようにして得ることが可
能である。入力データ信号ビーム106(信号A)が、
図示されているように、ビーム結合器107に向けられ
る。入力データ信号ビーム108(信号B)が鏡113
によってビーム結合器107のもう1つの入力ボートに
向けられる。
能である。入力データ信号ビーム106(信号A)が、
図示されているように、ビーム結合器107に向けられ
る。入力データ信号ビーム108(信号B)が鏡113
によってビーム結合器107のもう1つの入力ボートに
向けられる。
ビーム結合器107は、信号AとBのパワーレベルの和
にほぼ等しいパワーレベルを持つデータ信号Cとして出
力ビーム109を生成する。
にほぼ等しいパワーレベルを持つデータ信号Cとして出
力ビーム109を生成する。
クロック110は、クロック信号に対応する出力光信号
を持つように破線で示されているが、これは、クロック
110は光学素子であり、本発明の実行には必要でない
ということを示している。
を持つように破線で示されているが、これは、クロック
110は光学素子であり、本発明の実行には必要でない
ということを示している。
光信号ビーム111は、一般的に、S−5EEDの各ダ
イオードに供給される。クロック信号に対応する光信号
ビーム111は、それぞれCLKとして示されているが
、これらはほぼ等しい強度を持ち、最初は、データおよ
び参照しきい値の信号ビーム強度と比較して低いという
ことがわかっている。出力信号ビームQのレベルがクロ
ック信号ビームのレベルと関係づけられるように論理ゲ
ートの状態を読み出すために、クロック信号ビーム11
1がS−5EEDに印加されることがある。
イオードに供給される。クロック信号に対応する光信号
ビーム111は、それぞれCLKとして示されているが
、これらはほぼ等しい強度を持ち、最初は、データおよ
び参照しきい値の信号ビーム強度と比較して低いという
ことがわかっている。出力信号ビームQのレベルがクロ
ック信号ビームのレベルと関係づけられるように論理ゲ
ートの状態を読み出すために、クロック信号ビーム11
1がS−5EEDに印加されることがある。
クロック信号ビームのS−3EEDへの印加は、二重レ
ール出力、すなわち、Q出力がダイオード101から放
射され、Q−出力がダイオード102から放射されるよ
うな相補的な出力を得る方法を与える。
ール出力、すなわち、Q出力がダイオード101から放
射され、Q−出力がダイオード102から放射されるよ
うな相補的な出力を得る方法を与える。
クロック信号ビームに関しては、データ信号および参照
しきい値信号が休止中の期間にクロック信号ビームを印
加することが望ましいことがわかっている。S−8EE
Dの出力状態はダイオードに入射する信号パワーの比に
よって決定されるので、データおよび参照しきい値信号
と同時にクロック信号が存在することは、入力ビームの
コントラスト比を低下させる傾向があり、S−3EED
の状態切替えの失敗を引き起こす可能性がある。
しきい値信号が休止中の期間にクロック信号ビームを印
加することが望ましいことがわかっている。S−8EE
Dの出力状態はダイオードに入射する信号パワーの比に
よって決定されるので、データおよび参照しきい値信号
と同時にクロック信号が存在することは、入力ビームの
コントラスト比を低下させる傾向があり、S−3EED
の状態切替えの失敗を引き起こす可能性がある。
クロック信号は、一般的に、相補的な出力信号ビームQ
およびQ (図示せず)を介してS−8EEDの状態を
読み出すために印加されることがわかっているが、S−
8EEDの状態が干渉および変更なしに読み出されるた
めに、光信号ビーム111は、十分な強度とともに、そ
の強度間には相対的に小さい差を維持することが望まれ
る。多くのS−8EEDに対し、データ信号Aに対する
データ信号Bのパワーの比が1.1を超えるが、または
、0.9よりも小さい場合にS−8EEDの切替えが起
こると決定されている。ここでは、光学ヒステリシスル
ープが、参照しきい値およびデータの信号の強度がほぼ
等しい点のあたりに中心を持つということがわかってい
る。
およびQ (図示せず)を介してS−8EEDの状態を
読み出すために印加されることがわかっているが、S−
8EEDの状態が干渉および変更なしに読み出されるた
めに、光信号ビーム111は、十分な強度とともに、そ
の強度間には相対的に小さい差を維持することが望まれ
る。多くのS−8EEDに対し、データ信号Aに対する
データ信号Bのパワーの比が1.1を超えるが、または
、0.9よりも小さい場合にS−8EEDの切替えが起
こると決定されている。ここでは、光学ヒステリシスル
ープが、参照しきい値およびデータの信号の強度がほぼ
等しい点のあたりに中心を持つということがわかってい
る。
第1図のプログラマブル光学論理デバイスは、論理制御
装置103、直列接続ダイオード101および102、
および、必要ならば、光学データ信号ビーム106(A
)および108(B)が両方ともS−3EEDの同一の
ダイオードに入射するように結合させるビーム結合素子
(素子113および107)からなる。光信号ビーム1
06および108は、それに対して組合せ論理演算が実
行されるデータ信号である。例えば、第2、第3および
第5図を参照。図示されているように、光信号ビーム1
09(C)は、個々のデータ信号AおよびBの組合せを
含む。組合せ論理(ブール)演算を実行する場合、プロ
グラマブル光学論理デバイスはその演算を個々のデータ
信号AおよびBに対して実行する。すなわち、プログラ
マブル光学論理デバイスは、AND関数をf (A、
B) −A−Bのように、OR関数をf (A、B)
−A+Bのように実行する。
装置103、直列接続ダイオード101および102、
および、必要ならば、光学データ信号ビーム106(A
)および108(B)が両方ともS−3EEDの同一の
ダイオードに入射するように結合させるビーム結合素子
(素子113および107)からなる。光信号ビーム1
06および108は、それに対して組合せ論理演算が実
行されるデータ信号である。例えば、第2、第3および
第5図を参照。図示されているように、光信号ビーム1
09(C)は、個々のデータ信号AおよびBの組合せを
含む。組合せ論理(ブール)演算を実行する場合、プロ
グラマブル光学論理デバイスはその演算を個々のデータ
信号AおよびBに対して実行する。すなわち、プログラ
マブル光学論理デバイスは、AND関数をf (A、
B) −A−Bのように、OR関数をf (A、B)
−A+Bのように実行する。
第1図に示されているように、本発明の実施例はS−5
EEDにおけるダイオードの組合せの例を含む。ここで
は、ダイオードは、AlGaAs/ G a A s半
導体ダイオードのような多重量子井戸p−1−nダイオ
ードが直列接続されている。
EEDにおけるダイオードの組合せの例を含む。ここで
は、ダイオードは、AlGaAs/ G a A s半
導体ダイオードのような多重量子井戸p−1−nダイオ
ードが直列接続されている。
ここでは、これとは異なるダイオード対の実施例も考え
られているということにも注意すべきである。例えば、
ダイオード101またはダイオード102のいずれかは
、量子井戸の真性領域を使用していない標準的なp−1
−nダイオードで置き換えることができる。このような
場合、このダイオードの組合せが、p−1−nダイオー
ドを負荷として持つ自己電気光学効果デバイスになるよ
うに、残りのダイオードは量子井戸p−1−nダイオー
ドであることが要求される。このような組合せでは、活
動出力および、実際には、唯一の出力は、量子井戸p−
1−nダイオードの出力から引き出される。
られているということにも注意すべきである。例えば、
ダイオード101またはダイオード102のいずれかは
、量子井戸の真性領域を使用していない標準的なp−1
−nダイオードで置き換えることができる。このような
場合、このダイオードの組合せが、p−1−nダイオー
ドを負荷として持つ自己電気光学効果デバイスになるよ
うに、残りのダイオードは量子井戸p−1−nダイオー
ドであることが要求される。このような組合せでは、活
動出力および、実際には、唯一の出力は、量子井戸p−
1−nダイオードの出力から引き出される。
従来技術では、S−5EEDに基づいたメモリ論理素子
(S−Rフリップフロップ)は、あるデータ信号が一方
のダイオードに印加されると他のデータ信号はもう一方
のダイオードに印加される必要があった。最近の従来技
術では、S−5EEDに基づいたプログラマブル光学組
合せ論理ゲートは、両方のデータ信号が結合されてS−
5EEDの同一のダイオードに入射され、両方のデータ
信号の補数が結合されてもう一方のダイオードに入射さ
れる必要があった。これらの方法とは対照的に、本発明
のプログラマブル光学組合せ論理ゲートは、S−3EE
Dの一方のダイオードに入射する参照しきい値信号ビー
ムで特定のブール関数(AND、OR)をプログラムし
、結合したデータ信号ビームをもう一方のダイオードに
入射する。
(S−Rフリップフロップ)は、あるデータ信号が一方
のダイオードに印加されると他のデータ信号はもう一方
のダイオードに印加される必要があった。最近の従来技
術では、S−5EEDに基づいたプログラマブル光学組
合せ論理ゲートは、両方のデータ信号が結合されてS−
5EEDの同一のダイオードに入射され、両方のデータ
信号の補数が結合されてもう一方のダイオードに入射さ
れる必要があった。これらの方法とは対照的に、本発明
のプログラマブル光学組合せ論理ゲートは、S−3EE
Dの一方のダイオードに入射する参照しきい値信号ビー
ムで特定のブール関数(AND、OR)をプログラムし
、結合したデータ信号ビームをもう一方のダイオードに
入射する。
上で述べたように、S−3EEDおよび論理制御装置1
03の組合せ全体が、要求されるブール関数規則に従う
プログラマブル光学論理デバイスとして動作するように
、論理制御装置103は特定のブール関数が実行される
ようにプログラムをする。論理制御装置103はREF
で示されているほぼ一定の光学パワービーム105を生
成する。
03の組合せ全体が、要求されるブール関数規則に従う
プログラマブル光学論理デバイスとして動作するように
、論理制御装置103は特定のブール関数が実行される
ようにプログラムをする。論理制御装置103はREF
で示されているほぼ一定の光学パワービーム105を生
成する。
実際、この光ビームは参照しきい値として動作し、これ
に対してデータ信号AおよびBを結合したパワー(pc
= PA + pB )が比例してn1定される。
に対してデータ信号AおよびBを結合したパワー(pc
= PA + pB )が比例してn1定される。
すなわち、pREPを信号REFのパワーとして、pC
/ pREP >T’= 1. 1の場合、ダイオード
101は実質的透過状態に変化し、出力信号Qを生成す
る。この信号のパワーは入力信号(REF)パワーの約
32%であり、それによってQを論理的“1”に設定す
る。PREP / PC>T”、 1. 1の場合、ダ
イオード101は実質的吸収状態に変化し、入力信号(
REF)パワーの約19%のパワーレベルの出力信号Q
を生成し、それによってQを論理的“0”に設定する。
/ pREP >T’= 1. 1の場合、ダイオード
101は実質的透過状態に変化し、出力信号Qを生成す
る。この信号のパワーは入力信号(REF)パワーの約
32%であり、それによってQを論理的“1”に設定す
る。PREP / PC>T”、 1. 1の場合、ダ
イオード101は実質的吸収状態に変化し、入力信号(
REF)パワーの約19%のパワーレベルの出力信号Q
を生成し、それによってQを論理的“0”に設定する。
このデバイスのプログラム可能な動作を理解するために
は、第2および第3図に注意を向けるべきである。非否
定論理関数ANDおよびORに対する動作の説明を以下
で行う。
は、第2および第3図に注意を向けるべきである。非否
定論理関数ANDおよびORに対する動作の説明を以下
で行う。
第2図は、与えられた光学データ信号AおよびBに関し
て、第1図のプログラマブル光学論理デバイスのORゲ
ートの動作に対する光信号パワーレベルを含む真理値表
である。参照しきい値信号に対するパワーレベルは、 (,2po (p□ +pt ))”’に設定されてお
り、THIで示されている。ただし、poは論理的“0
”レベルでの入力信号の光学パワーであり、plは論理
的“1”レベルでの入力信号の光学パワーである。論理
的“1″レベルでの入力信号のパワーは論理的′0°レ
ベルでの入力信号のパワーよりも大きいので、信号RE
Fに対する所定のパワーレベルは、データ信号Aおよび
Bが論理的に逆のレベルにあるか、または、両方とも論
理的“1“レベルにある場合に信号Qを論理的“1゜状
態に切り替えるのに十分であることは明らかである。ま
た、信号REFに対する所定のパワーレベルは、データ
信号AおよびBが両方とも論理的“00レベルにある場
合に、信号Qを論理的“0“レベルに保ち、あるいは、
そのレベルに切り替えるのに十分である。従って、第1
図のプログラマブル光学論理デバイスは、第2図に示さ
れている真理値表に従ったレベルの信号を使用して動作
する場合は、論理的ORゲートとして動作可能である。
て、第1図のプログラマブル光学論理デバイスのORゲ
ートの動作に対する光信号パワーレベルを含む真理値表
である。参照しきい値信号に対するパワーレベルは、 (,2po (p□ +pt ))”’に設定されてお
り、THIで示されている。ただし、poは論理的“0
”レベルでの入力信号の光学パワーであり、plは論理
的“1”レベルでの入力信号の光学パワーである。論理
的“1″レベルでの入力信号のパワーは論理的′0°レ
ベルでの入力信号のパワーよりも大きいので、信号RE
Fに対する所定のパワーレベルは、データ信号Aおよび
Bが論理的に逆のレベルにあるか、または、両方とも論
理的“1“レベルにある場合に信号Qを論理的“1゜状
態に切り替えるのに十分であることは明らかである。ま
た、信号REFに対する所定のパワーレベルは、データ
信号AおよびBが両方とも論理的“00レベルにある場
合に、信号Qを論理的“0“レベルに保ち、あるいは、
そのレベルに切り替えるのに十分である。従って、第1
図のプログラマブル光学論理デバイスは、第2図に示さ
れている真理値表に従ったレベルの信号を使用して動作
する場合は、論理的ORゲートとして動作可能である。
第3図は、与えられた光学データ信号AおよびBに関し
て、第1図のプログラマブル光学論理デバイスのAND
ゲートの動作に対する光信号パワーレベルを含む真理値
表である。参照しきい値信号に対するパワーレベルは、 約(2pl (po +pl ) ) 112に設定
されておリ、TH2で示されている。ただし、poは論
理的“0“レベルでの入力信号の光学パワーであり、p
lは論理的“1°レベルでの入力信号の光学パワーであ
る。論理的“1″レベルでの入力信号のパワーは論理的
“0°レベルでの入力信号のパワーよりも大きい(すな
わち、p1>p0)ので、信号REFに対する所定のパ
ワーレベルは、データ信号AおよびBが両方とも論理的
“1°レベルにある場合に信号Qを論理的“1゛状態に
切り替えるのに十分であることは明らかである。また、
信号REFに対する所定のパワーレベルは、データ信号
AおよびBが論理的に逆のレベルにあるが、または、両
方とも論理的“0“レベルにある場合に、信号Qを論理
的°0ルベルに切り替えるのに十分である。従って、第
1図のプログラマブル光学論理デバイスは、第3図に示
されている真理値表に従ったレベルの信号を使用して動
作する場合は、論理的ANDゲートとして動作可能であ
る。
て、第1図のプログラマブル光学論理デバイスのAND
ゲートの動作に対する光信号パワーレベルを含む真理値
表である。参照しきい値信号に対するパワーレベルは、 約(2pl (po +pl ) ) 112に設定
されておリ、TH2で示されている。ただし、poは論
理的“0“レベルでの入力信号の光学パワーであり、p
lは論理的“1°レベルでの入力信号の光学パワーであ
る。論理的“1″レベルでの入力信号のパワーは論理的
“0°レベルでの入力信号のパワーよりも大きい(すな
わち、p1>p0)ので、信号REFに対する所定のパ
ワーレベルは、データ信号AおよびBが両方とも論理的
“1°レベルにある場合に信号Qを論理的“1゛状態に
切り替えるのに十分であることは明らかである。また、
信号REFに対する所定のパワーレベルは、データ信号
AおよびBが論理的に逆のレベルにあるが、または、両
方とも論理的“0“レベルにある場合に、信号Qを論理
的°0ルベルに切り替えるのに十分である。従って、第
1図のプログラマブル光学論理デバイスは、第3図に示
されている真理値表に従ったレベルの信号を使用して動
作する場合は、論理的ANDゲートとして動作可能であ
る。
当業者には明らかなように、第3図のQ出力に対する論
理的レベルに現れているダッシュ記号は、第2図に示さ
れたレベルとは差があるということを示している。この
ことが起こるのは、ダイオード101に供給される参照
しきい値信号REFがANDゲートの動作とORゲート
の動作では異なるレベルを持っているからである。結果
として、ダイオード101からの出力信号Qは、AND
ゲートの動作が要求される場合には対応してわずかに高
いレベルに変化する。
理的レベルに現れているダッシュ記号は、第2図に示さ
れたレベルとは差があるということを示している。この
ことが起こるのは、ダイオード101に供給される参照
しきい値信号REFがANDゲートの動作とORゲート
の動作では異なるレベルを持っているからである。結果
として、ダイオード101からの出力信号Qは、AND
ゲートの動作が要求される場合には対応してわずかに高
いレベルに変化する。
結合したデータ信号Cに対して第2および第3図の真理
値表に示された光学パワーレベルは、個々のデータ信号
AおよびBの適当な論理状態に対する光学パワーレベル
の和をとることによって求められていることに注意すべ
きである。入力データ信号の論理状態に対する適当なレ
ベルを決定するために、論理的“0″および“1”の入
力パワーレベルが、ランダムパワー単位(p、 u、
)で規格化された先行するデバイスからの論理的“0
″および“1”の出力パワーレベルにほぼ等しく設定さ
れることが提案されている。すなわち、論理的“1°は
、規格化された光学パワーレベルで32p、u、を持っ
と仮定され、論理的“0“は、規格化された光学パワー
レベルで19p、 u、ヲ持つと仮定される。規格化
されたパワー単位を使用して、ANDゲートおよびOR
ゲートの動作に対する出力信号(Q)の論理的レベルの
差が次のようにわかる。
値表に示された光学パワーレベルは、個々のデータ信号
AおよびBの適当な論理状態に対する光学パワーレベル
の和をとることによって求められていることに注意すべ
きである。入力データ信号の論理状態に対する適当なレ
ベルを決定するために、論理的“0″および“1”の入
力パワーレベルが、ランダムパワー単位(p、 u、
)で規格化された先行するデバイスからの論理的“0
″および“1”の出力パワーレベルにほぼ等しく設定さ
れることが提案されている。すなわち、論理的“1°は
、規格化された光学パワーレベルで32p、u、を持っ
と仮定され、論理的“0“は、規格化された光学パワー
レベルで19p、 u、ヲ持つと仮定される。規格化
されたパワー単位を使用して、ANDゲートおよびOR
ゲートの動作に対する出力信号(Q)の論理的レベルの
差が次のようにわかる。
“01 “11
AND 10.86 18.28OR8,
3614,09 規格化されたパワー単位に関する以上の説明は、本発明
を理解するために、例を用いて明確化のためになされた
ものであり、本発明の制限を目的とするものでないこと
を理解すべきである。
3614,09 規格化されたパワー単位に関する以上の説明は、本発明
を理解するために、例を用いて明確化のためになされた
ものであり、本発明の制限を目的とするものでないこと
を理解すべきである。
排他的ORゲートおよびその演算真理値表がそれぞれ第
4および第5図に示されている。図示されているように
、光学排他的ORゲートは、第1および第3図に関して
上で説明したような光学ANDゲート401、第1およ
び第2図に関して説明した光学ORゲート4o2および
直列に接続されたダイオード410および411からな
る標準的なS−Rフリップフロップを含む。データ入力
信号A(ビーム405および407)ならびにB(ビー
ム406および408)が排他的ORゲートに供給され
る。即値データ信号R(ビーム403)およびS(ビー
ム404)が、論理ゲートの初期段階から出力される。
4および第5図に示されている。図示されているように
、光学排他的ORゲートは、第1および第3図に関して
上で説明したような光学ANDゲート401、第1およ
び第2図に関して説明した光学ORゲート4o2および
直列に接続されたダイオード410および411からな
る標準的なS−Rフリップフロップを含む。データ入力
信号A(ビーム405および407)ならびにB(ビー
ム406および408)が排他的ORゲートに供給され
る。即値データ信号R(ビーム403)およびS(ビー
ム404)が、論理ゲートの初期段階から出力される。
出力信号Qが排他的OR出力を表現する。また、第4図
に示されているのは排他的ORゲートからの補数出力信
号Q−であり、これによって光学排他的ORゲートから
の二重レール動作(相補的な出力信号の生成)が可能に
なる。
に示されているのは排他的ORゲートからの補数出力信
号Q−であり、これによって光学排他的ORゲートから
の二重レール動作(相補的な出力信号の生成)が可能に
なる。
第4図からは省略されているが、当業者には明らかなよ
うに、S−Rフリップフロップの各ダイオードに供給す
る光学クロック信号を生成するためのクロック源が、第
4図の装置へのオプションの組み込みとして企図されて
いる。このようなオプションの装置では、クロック信号
が印加されている期間中は即値データ信号を抑止する必
要がある場合がある。このようなりロック信号の使用法
は、A、レンティーン(A、 Lentlne)他、「
ボストデッドライン・ベーバーズ、プロシーディングズ
・オヴψコンファレンス・オンφレーザーズφアンド・
エレクトロオブティクス(Postdeadllne
Papers、 Proceedings or Co
nference on La5ers and EI
ectrooptlcs)J論文ThT12 (198
7年)および「プロシーディングズφオヴ・コンファレ
ンスeオン・レーザーズ・アンド争エレクトロオブテイ
クス(Proceedings of Confere
nce on La5ers and Electro
optlcs) J論文TUE3 (1988年)によ
る記事と、前記の特許第4754132号に開示されて
いる。クロック信号が存在しない場合、組合せ論理ゲー
トは、特定のクロック間隔の間だけではなくほぼ全時間
にわたって妥当な出力レベルを示すことができる。
うに、S−Rフリップフロップの各ダイオードに供給す
る光学クロック信号を生成するためのクロック源が、第
4図の装置へのオプションの組み込みとして企図されて
いる。このようなオプションの装置では、クロック信号
が印加されている期間中は即値データ信号を抑止する必
要がある場合がある。このようなりロック信号の使用法
は、A、レンティーン(A、 Lentlne)他、「
ボストデッドライン・ベーバーズ、プロシーディングズ
・オヴψコンファレンス・オンφレーザーズφアンド・
エレクトロオブティクス(Postdeadllne
Papers、 Proceedings or Co
nference on La5ers and EI
ectrooptlcs)J論文ThT12 (198
7年)および「プロシーディングズφオヴ・コンファレ
ンスeオン・レーザーズ・アンド争エレクトロオブテイ
クス(Proceedings of Confere
nce on La5ers and Electro
optlcs) J論文TUE3 (1988年)によ
る記事と、前記の特許第4754132号に開示されて
いる。クロック信号が存在しない場合、組合せ論理ゲー
トは、特定のクロック間隔の間だけではなくほぼ全時間
にわたって妥当な出力レベルを示すことができる。
データ信号Aに対応する光学入力ビーム405および4
07は、データ信号Aをビーム分割器(図示されていな
い)に通過させ、分割された2つのほとんど同一の光ビ
ームが適当な論理ゲートに入射するように、形成される
。同様の方法が、データ信号Bに対応し、適当な論理ゲ
ートに入射する光学入力ビーム406および408を生
成するために使用される。
07は、データ信号Aをビーム分割器(図示されていな
い)に通過させ、分割された2つのほとんど同一の光ビ
ームが適当な論理ゲートに入射するように、形成される
。同様の方法が、データ信号Bに対応し、適当な論理ゲ
ートに入射する光学入力ビーム406および408を生
成するために使用される。
ANDゲート401は、第1および第3図ならびにそれ
に関連した説明に従って実現される光学ANDゲートで
ある。ANDゲート401は、データ信号AおよびBに
作用して、A−Bに等しい即値データ信号Rに対応する
光ビーム403を生成する。
に関連した説明に従って実現される光学ANDゲートで
ある。ANDゲート401は、データ信号AおよびBに
作用して、A−Bに等しい即値データ信号Rに対応する
光ビーム403を生成する。
ORゲート402は、第1および第2図ならびにそれに
関連した説明に従って実現される光学ANDゲートであ
る。ORゲート402は、データ信号AおよびBに作用
して、A+Bに等しい即値データ信号Sに対応する光ビ
ーム404を生成する。
関連した説明に従って実現される光学ANDゲートであ
る。ORゲート402は、データ信号AおよびBに作用
して、A+Bに等しい即値データ信号Sに対応する光ビ
ーム404を生成する。
即値データ信号Rはダイオード410に入射し、即値デ
ータ信号Sはダイオード411に入射する。
ータ信号Sはダイオード411に入射する。
ダイオード410および411はリード線414によっ
て直列に接続され、逆バイアス電圧■がかかっている。
て直列に接続され、逆バイアス電圧■がかかっている。
従って、ダイオード410および411はS−3EED
−3−Rフリップフロップを形成している。S−Rフリ
ップフロップは、信号QおよびQ にそれぞれ対応する
出力信号ビーム415および416を生成する。動作中
は、出力信号Qはデータ信号AおよびBに対して実行さ
れる排他的OR関数を表す。すなわち、Q−AeBであ
る。出力信号Q は出力信号Qの補数を表す。
−3−Rフリップフロップを形成している。S−Rフリ
ップフロップは、信号QおよびQ にそれぞれ対応する
出力信号ビーム415および416を生成する。動作中
は、出力信号Qはデータ信号AおよびBに対して実行さ
れる排他的OR関数を表す。すなわち、Q−AeBであ
る。出力信号Q は出力信号Qの補数を表す。
ANDゲート401およびORゲート402で使用され
た参照しきい値の所定の値によって、S−Rフリップフ
ロップがある論理状態から他の論理状態に切り替わるの
に十分なレベルで、即値データ信号RおよびSを生成す
ることができる。第5図に示されている論理的“1”お
よび“0″状態に関連して使用されているダッシュ記号
は、上で説明したのと同じ意味を持っている。
た参照しきい値の所定の値によって、S−Rフリップフ
ロップがある論理状態から他の論理状態に切り替わるの
に十分なレベルで、即値データ信号RおよびSを生成す
ることができる。第5図に示されている論理的“1”お
よび“0″状態に関連して使用されているダッシュ記号
は、上で説明したのと同じ意味を持っている。
第6図は、インバータあるいは論理的NOTゲートを示
している。このゲートは、光ビーム605として参照し
きい値信号を生成するしきい値制御装置603を含む。
している。このゲートは、光ビーム605として参照し
きい値信号を生成するしきい値制御装置603を含む。
このビーム605は、直列接続されたダイオード601
.602からなるS−Rフリップフロップのセット(S
)入力に入射する。これらのダイオード601.602
はリード線604によって直列に接続され、逆バイアス
電圧Vがかかっている。データ信号Aの補数、すなわち
、信号A は、光ビーム607としてダイオード601
によって出力される。しきい値制御装置603からの参
照しきい値信号のパワーレベルは(p p )1/
2に選択される。
.602からなるS−Rフリップフロップのセット(S
)入力に入射する。これらのダイオード601.602
はリード線604によって直列に接続され、逆バイアス
電圧Vがかかっている。データ信号Aの補数、すなわち
、信号A は、光ビーム607としてダイオード601
によって出力される。しきい値制御装置603からの参
照しきい値信号のパワーレベルは(p p )1/
2に選択される。
f
ある実際の実験例では、しきい値参照信号ビームREF
は、標準的な、633nmの音響光学変調HeNeレー
ザによって、約6μWから約1゜OμWまでのピークパ
ワーレベルを使用して生成された。ORゲートに対する
参照しきい値信号は約6.6μWであり、ANDゲート
に対する参照しきい値信号は約8,6μWである。明ら
かに、ダイオードによってよく吸収されるいかなる波長
でも使用することができる。上に引用した特殊例では、
S−3EEDは、A I G a A s / G a
A s量子井戸真性領域(公称850nm)を持つ量
子井戸p−1−nダイオードからなる。論理ゲートに入
射するデータ信号レベルの例は、相捕的な入カビーム、
すなわち、論理的“1°および論理的′0″に対しそれ
ぞれ約4.8μWおよび2.85μWと推定されている
。
は、標準的な、633nmの音響光学変調HeNeレー
ザによって、約6μWから約1゜OμWまでのピークパ
ワーレベルを使用して生成された。ORゲートに対する
参照しきい値信号は約6.6μWであり、ANDゲート
に対する参照しきい値信号は約8,6μWである。明ら
かに、ダイオードによってよく吸収されるいかなる波長
でも使用することができる。上に引用した特殊例では、
S−3EEDは、A I G a A s / G a
A s量子井戸真性領域(公称850nm)を持つ量
子井戸p−1−nダイオードからなる。論理ゲートに入
射するデータ信号レベルの例は、相捕的な入カビーム、
すなわち、論理的“1°および論理的′0″に対しそれ
ぞれ約4.8μWおよび2.85μWと推定されている
。
以上の説明から、当業者には明らかなように、ここに記
述されたプログラマブル光学論理デバイスは、専用の論
理ゲートとして動作するか、または、実行される論理関
数が期間ごとに変化するようなプログラム可能モードで
動作するかのいずれかである。
述されたプログラマブル光学論理デバイスは、専用の論
理ゲートとして動作するか、または、実行される論理関
数が期間ごとに変化するようなプログラム可能モードで
動作するかのいずれかである。
プログラマブル光学論理デバイスは、同一光源から光信
号を引き出すことにより、光信号の強度変化を十分にま
ぬがれるように実現することができる。これは、S−8
EEDが入力光信号の絶対強度ではなく入力パワーの比
に従って切替えを行うためである。
号を引き出すことにより、光信号の強度変化を十分にま
ぬがれるように実現することができる。これは、S−8
EEDが入力光信号の絶対強度ではなく入力パワーの比
に従って切替えを行うためである。
上に述べたように、プログラマブル光学論理デバイスは
、標準的な通常の製造技術を使用して、他の光学論理デ
バイスを含む他のデバイスとともに、100x100の
オーダーの大規模のアレイに集積することが可能である
。(M、E、ブライズ(M、 E、 Pr1se)他、
EO8A・トビカル・ミーティング・オン・フォトニッ
ク・スイッチング(O8A Topical MeeL
Ing on Photonlc SvlLchlng
) J(ツルトレイクシティー)論文FDP5 (19
89年)参照。)現在知られているアレイ生成技術は、
光学パワートラッキングが、強度変化に対する影響を受
けないようにすることを可能にする。
、標準的な通常の製造技術を使用して、他の光学論理デ
バイスを含む他のデバイスとともに、100x100の
オーダーの大規模のアレイに集積することが可能である
。(M、E、ブライズ(M、 E、 Pr1se)他、
EO8A・トビカル・ミーティング・オン・フォトニッ
ク・スイッチング(O8A Topical MeeL
Ing on Photonlc SvlLchlng
) J(ツルトレイクシティー)論文FDP5 (19
89年)参照。)現在知られているアレイ生成技術は、
光学パワートラッキングが、強度変化に対する影響を受
けないようにすることを可能にする。
上で説明した利点に加えて、プログラマブル光学論理デ
バイスから導かれる他の利点は、オプションのクロック
信号を使用することによってもバイアスに限界のないこ
とを可能とする時間順序利得、高利得(低入力パワ一対
高出力パワー)、おおきいファンアウトを取ることがで
きるということである。
バイスから導かれる他の利点は、オプションのクロック
信号を使用することによってもバイアスに限界のないこ
とを可能とする時間順序利得、高利得(低入力パワ一対
高出力パワー)、おおきいファンアウトを取ることがで
きるということである。
第1図は本発明の原理に従ってプログラマブル光学論理
デバイスの実施例を示す図、 第2図および第3図は第1図に示されたデバイスの演算
の異なるモードに関する論理真理値表、第4図は本発明
の原理に従って光学排他的ORゲートの例を示す図、 第5図は第4図に図示されたゲートの演算に関する論理
真理値表、 第6図は本発明の原理に従ってインバータの実施例を示
す図である。 出 願 人:アメリカン テレフォン アンドFIG、
7 Flに、4 FIG、2 FIG、3 FIG、5 FIG、6 bl、lj
デバイスの実施例を示す図、 第2図および第3図は第1図に示されたデバイスの演算
の異なるモードに関する論理真理値表、第4図は本発明
の原理に従って光学排他的ORゲートの例を示す図、 第5図は第4図に図示されたゲートの演算に関する論理
真理値表、 第6図は本発明の原理に従ってインバータの実施例を示
す図である。 出 願 人:アメリカン テレフォン アンドFIG、
7 Flに、4 FIG、2 FIG、3 FIG、5 FIG、6 bl、lj
Claims (14)
- (1)第1および第2の光学データ信号に対してブール
論理演算を実行するプログラマブル光学論理装置におい
て、 第1および第2の光ダイオードを有し、これらのダイオ
ードは直列に接続されて所定のしきい値を持つ自己電気
光学効果デバイスを形成し、少なくとも前記第1の光ダ
イオードは半導体量子井戸領域を含み、前記第1の光ダ
イオードは第1および第2のレベルを持つ光学出力信号
を生成し;前記第1の光ダイオードに入射し実行される
ブール論理演算を制御する光学参照しきい値信号を生成
する手段を有し; 前記第2の光ダイオードに入射する前記第1および第2
の光学データ信号を含み;および全光学データ信号パワ
ーに対する光学参照しきい値信号パワーの比が所定のし
きい値を超過したときに前記第1レベルの前記光学出力
信号を生成し、かつ、光学参照しきい値信号パワーに対
する全光学データ信号パワーの比が所定のしきい値を超
過したときに前記第2レベルの前記光学出力信号を生成
することを特徴とするプログラマブル光学論理装置。 - (2)前記第1および第2の光学データ信号を結合され
たデータ信号に結合し、前記結合されたデータ信号は前
記第2の光ダイオードに入射する手段をさらに含むこと
を特徴とする請求項1記載の装置。 - (3)前記第1および第2の光学データ信号の論理的O
R演算を実行する前記装置であって、各光学データ信号
は、第1の論理状態を表す第1のパワーレベルp_0お
よび第2の論理状態を表す第2のパワーレベルP_1を
持ち、前記光学参照しきい値信号パワーが2p_0より
大きくp_0+p_1よりも小さい(ただし、p_1>
p_0)ことを特徴とする請求項1記載の装置。 - (4)前記第1および第2の光学データ信号を結合され
たデータ信号に結合し、前記結合されたデータ信号は前
記第2の光ダイオードに入射する手段をさらに含む請求
項3記載の装置。 - (5)光学参照しきい値信号パワーが(2p_0(p_
0+p_1))^1^/^2にほぼ等しいことを特徴と
する請求項4記載の装置。 - (6)前記第1および第2の光学データ信号の論理的A
ND演算を実行する前記装置であって、各光学データ信
号は、第1の論理状態を表す第1のパワーレベルp_0
および第2の論理状態を表す第2のパワーレベルp_1
を持ち、前記光学参照しきい値信号パワーがp_0+p
_1より大きく2p_1よりも小さい(ただし、p_1
>p_0)ことを特徴とする請求項1記載の装置。 - (7)前記第1および第2の光学データ信号を結合され
たデータ信号に結合し、前記結合されたデータ信号は前
記第2の光ダイオードに入射する手段を更に含むことを
特徴とする請求項6記載の装置。 - (8)光学参照しきい値信号パワーが(2p_1(p_
0+p_1))^1^/^2にほぼ等しいことを特徴と
する請求項7記載の装置。 - (9)光学データ信号に対して論理演算を実行するプロ
グラマブル光学論理装置において、第1および第2の光
ダイオードを有し、これらのダイオードは直列に接続さ
れて所定のしきい値を持つ自己電気光学効果デバイスを
形成し、少なくとも前記第1の光ダイオードは半導体量
子井戸領域を含み、前記第1の光ダイオードは第1およ
び第2のレベルを持つ光学出力信号を生成し;第2光ダ
イオードに入射し、実行される論理演算が前記光学デー
タ信号の論理的反転であるよう制御する光学参照しきい
値信号を生成する手段を有し、 前記第1の光ダイオードに、前記光学データ信号を入射
し、 全光学データ信号パワーに対する光学参照しきい値信号
パワーの比が所定のしきい値を超過したときに前記第1
のレベルの前記光学出力信号を生成し、かつ、光学参照
しきい値信号パワーに対する全光学データ信号パワーの
比が所定のしきい値を超過したときに前記第2のレベル
の前記光学出力信号を生成することを特徴とするプログ
ラマブル光学論理装置。 - (10)前記光学データ信号が第1の論理状態を表す第
1のパワーレベルp_0および第2の論理状態を表す第
2のパワーレベルP1を持ち、前記光学参照しきい値信
号パワーがp_0より大きく、p_1よりも小さいこと
を特徴とする請求項9記載の装置。 - (11)光学参照しきい値信号パワーが、 (p_0p_1)^1^/^2にほぼ等しいことを特徴
とする請求項10記載の装置。 - (12)第1および第2の論理ゲートならびに論理メモ
リ素子を有し、第1および第2の光学データ信号に対し
てブール論理演算を実行するプログラマブル光学論理装
置において、 第1および第2の論理ゲートは、それぞれ第1および第
2の光ダイオードからなり、これらのダイオードは直列
に接続されて所定のしきい値を持つ自己電気光学効果デ
バイスを形成し、少なくとも前記第1の光ダイオードは
半導体量子井戸領域を含み、前記第1の光ダイオードは
第1および第2のレベルを持つ光学出力信号を生成し; 前記第1および第2の光学データ信号は前記第2の光ダ
イオードに入射し; 光学参照しきい値信号を生成する手段を有し、前記光学
参照しきい値信号の1つが前記第1の光ダイオードに入
射して各論理ゲートによって実行されるブール論理演算
を制御し;各論理ゲートは全光学データ信号パワーに対
する光学参照しきい値信号パワーの比が所定のしきい値
を超過したときに前記第1のレベルの前記光学出力信号
を生成し、光学参照しきい値信号パワーに対する全光学
データ信号パワーの比が所定のしきい値を超えたときに
前記第2のレベルの前記光学出力信号を生成し; 前記第1の論理ゲートは前記第1および第2の光学デー
タ信号に対する論理的AND演算を実行し、そのとき各
光学データ信号は、第1の論理状態を表す第1のパワー
レベルp_0および第2の論理状態を表す第2のパワー
レベルp_1を持ち、前記第1の論理ゲートに供給され
る前記光学参照しきい値信号パワーはp_0+p_1よ
りも大きく、2p_1よりも小さく(ただし、p_1>
p_0)、前記第2の論理ゲートは前記第1および第2
の光学データ信号に対し論理的OR演算を実行し、その
とき前記第2の論理ゲートに供給される前記光学参照し
きい値信号パワーは2p_0よりも大きく、P_0+p
_1よりも小さく; 前記論理メモリ素子は、第3および第4の光ダイオード
からなり、これらのダイオードは直列に接続されて所定
のしきい値を持つ自己電気光学効果デバイスをなし、少
なくとも前記第3の光ダイオードは半導体量子井戸領域
を含み、前記第3の光ダイオードは第1および第2のレ
ベルを持つ光学出力信号を生成し、前記第1の論理ゲー
トからの前記光学出力信号は前記第3の光ダイオードに
供給され、前記第2の論理ゲートからの前記出力信号は
前記第4の光ダイオードに供給され;前記論理メモリ素
子からの前記光学出力信号を、前記第1および第2の光
学データ信号に対する排他的OR関数として生成するな
ることを特徴とするプログラマブル光学論理装置。 - (13)前記第1および第2の光学データ信号を結合さ
れたデータ信号へと結合し、そのとき、結合されたデー
タ信号は、前記第1および第2の論理ゲートのそれぞれ
の前記第2の光ダイオードに入射する手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項12記載の装置。 - (14)前記第1の論理ゲートへの前記光学参照しきい
値信号パワーが、 ほぼ(2p_1(p_0+p_1))^1^/^2に等
しく、前記第2の論理ゲートへの前記光学参照しきい値
信号パワーが、ほぼ(2p_0(p_0+p_1))^
1^/^2に等しいことを特徴とする請求項13記載の
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US359252 | 1989-05-31 | ||
| US07/359,252 US4904858A (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Programmable optical logic devices operable by measuring the ratio of optical data signal power to optical reference threshold power |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318834A true JPH0318834A (ja) | 1991-01-28 |
| JPH0625836B2 JPH0625836B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=23413009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138674A Expired - Lifetime JPH0625836B2 (ja) | 1989-05-31 | 1990-05-30 | プログラマブル光学論理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4904858A (ja) |
| JP (1) | JPH0625836B2 (ja) |
| DE (1) | DE4017401C2 (ja) |
| GB (1) | GB2233133B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4967068A (en) * | 1989-08-28 | 1990-10-30 | At&T Bell Laboratories | Single-ended optical logic arrangement |
| US4959534A (en) * | 1989-08-28 | 1990-09-25 | At&T Bell Laboratories | Differential optical logic arrangement |
| US5111034A (en) * | 1989-09-27 | 1992-05-05 | Omron Corporation | Apparatus utilizing light emitting semiconductor device |
| US5093565A (en) * | 1990-07-18 | 1992-03-03 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for sequential optical systems where an independently controllable transmission gate is interposed between successive optoelectronic gates |
| US5146078A (en) * | 1991-01-10 | 1992-09-08 | At&T Bell Laboratories | Articles and systems comprising optically communicating logic elements including an electro-optical logic element |
| US5198656A (en) * | 1991-06-06 | 1993-03-30 | At&T Bell Laboratories | Dynamic optical logic using voltage pull up |
| US6128110A (en) * | 1991-10-23 | 2000-10-03 | Bulow; Jeffrey A. | Apparatus for optical signal processing |
| DE4225511C2 (de) * | 1992-08-01 | 1999-06-10 | Bosch Gmbh Robert | Codier- und Decodierschaltung |
| US5251052A (en) * | 1992-09-02 | 1993-10-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | System for solving boolean equations using optical lookup tables |
| US5623140A (en) * | 1994-11-15 | 1997-04-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Nonbiased bistable optical device having a lower mirror having a plurality of reflective layers repeatedly formed on a substrate |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716449A (en) | 1984-03-14 | 1987-12-29 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
| US4546244A (en) * | 1984-03-14 | 1985-10-08 | At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
| DE3519252A1 (de) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Fresenius AG, 6380 Bad Homburg | Fehlersichere logikschaltung |
| US4754132A (en) * | 1987-04-24 | 1988-06-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Symmetric optical device with quantum well absorption |
| US4751378B1 (en) * | 1987-04-24 | 2000-04-25 | Bell Telephone Labor Inc | Optical device with quantum well absorption |
-
1989
- 1989-05-31 US US07/359,252 patent/US4904858A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-05-25 GB GB9011703A patent/GB2233133B/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-30 JP JP2138674A patent/JPH0625836B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-30 DE DE4017401A patent/DE4017401C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2233133A (en) | 1991-01-02 |
| DE4017401C2 (de) | 1997-10-16 |
| GB9011703D0 (en) | 1990-07-18 |
| JPH0625836B2 (ja) | 1994-04-06 |
| GB2233133B (en) | 1993-06-16 |
| DE4017401A1 (de) | 1990-12-06 |
| US4904858A (en) | 1990-02-27 |
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