JPH03188694A - 回路基板の防錆処理方法 - Google Patents
回路基板の防錆処理方法Info
- Publication number
- JPH03188694A JPH03188694A JP1327726A JP32772689A JPH03188694A JP H03188694 A JPH03188694 A JP H03188694A JP 1327726 A JP1327726 A JP 1327726A JP 32772689 A JP32772689 A JP 32772689A JP H03188694 A JPH03188694 A JP H03188694A
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- JP
- Japan
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- plating
- metal
- plated
- electrodes
- tin
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は回路基板の防錆処理方法に関するものであり
、特にセラミック基板に設けられた金属メッキの電極の
防錆処理方法に関するものである。
、特にセラミック基板に設けられた金属メッキの電極の
防錆処理方法に関するものである。
[従来の技術1
従来の此種セラミック製の回路基板は、先ずセラミック
の白基板に無電解でニッケル又は銅をメッキし、次に電
解メッキで金属層を設けている。
の白基板に無電解でニッケル又は銅をメッキし、次に電
解メッキで金属層を設けている。
更に、ホトリソグラフィに”C所定の配線パターンを形
成し、はんだレジストで電極以外の部分を被蔽している
。そして、金属メッキされた電極の表面が酸化し易いこ
とから、防錆のためデイツプ処理にてグリコート樹脂を
被覆している。
成し、はんだレジストで電極以外の部分を被蔽している
。そして、金属メッキされた電極の表面が酸化し易いこ
とから、防錆のためデイツプ処理にてグリコート樹脂を
被覆している。
[発明が解決しようとする課題]
前述した従来の防錆処理のグリコート処理は150℃程
度で熱分解するため、基板の片面に電子部品をはんだ付
するとき、反対側の面はグリコートが蒸発してしまう。
度で熱分解するため、基板の片面に電子部品をはんだ付
するとき、反対側の面はグリコートが蒸発してしまう。
従って、セラミック基板のように両面に金属メッキの配
線パターン及び電極が設けられたものには適さない。
線パターン及び電極が設けられたものには適さない。
そこで、セラミック基板の両面に部品を実装する回路基
板の防錆処理を行うために解決せられるべき技術的課題
が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決するこ
とを目的とする。
板の防錆処理を行うために解決せられるべき技術的課題
が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決するこ
とを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明は上記目的を達成するために提案せられたもの
モあり、セラミック基板に金属メッキにて配線パターン
及び電極を設けた回路基板に於て、前記金属メッキの電
極上に錫メッキ処理を施したことを特徴とする回路基板
の防錆処理方法を提供せんとするものである。
モあり、セラミック基板に金属メッキにて配線パターン
及び電極を設けた回路基板に於て、前記金属メッキの電
極上に錫メッキ処理を施したことを特徴とする回路基板
の防錆処理方法を提供せんとするものである。
[作用1
この発明は、セラミック基板上に形成された金属メッキ
の電極に、フラッシュメッキ等の手段によって錫メッキ
処理を施す。該錫メッキの厚みは薄くともよく、メッキ
時間が短縮されると共に錫メッキ液の消費量が低mとな
り、安価でありながら確実に防錆処理を施すことができ
る。
の電極に、フラッシュメッキ等の手段によって錫メッキ
処理を施す。該錫メッキの厚みは薄くともよく、メッキ
時間が短縮されると共に錫メッキ液の消費量が低mとな
り、安価でありながら確実に防錆処理を施すことができ
る。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を別紙添付図面に従って詳述
する。第1図はセラミック製の回路基板を製造する手順
を示したものであり、先ずセラミックの白基板に無電解
で銅メッキを施し、更に電解メッキで所定の厚みの銅等
の金属層を形成する(ステップl)。次に、ホトリソグ
ラフィにて所定の配線パターンを形成しくステップ2)
、部品取付の電極以外の部分をはんだレジストにて被覆
する(ステップ3)。
する。第1図はセラミック製の回路基板を製造する手順
を示したものであり、先ずセラミックの白基板に無電解
で銅メッキを施し、更に電解メッキで所定の厚みの銅等
の金属層を形成する(ステップl)。次に、ホトリソグ
ラフィにて所定の配線パターンを形成しくステップ2)
、部品取付の電極以外の部分をはんだレジストにて被覆
する(ステップ3)。
前記はんだレジストを施した基板へ、温度70°C程度
でpill〜2の錫メッキ液をフラッシュメッキする。
でpill〜2の錫メッキ液をフラッシュメッキする。
このフラッシュメッキは10〜20秒程度行い、前記基
板に露出している金属メッキされた電極へ約1.5+m
のメッキ厚の錫層を形成する(ステップ4)斯くして、
金属メッキ部分は錫メッキによって被覆され、酸化等に
対する防錆処理が為される。
板に露出している金属メッキされた電極へ約1.5+m
のメッキ厚の錫層を形成する(ステップ4)斯くして、
金属メッキ部分は錫メッキによって被覆され、酸化等に
対する防錆処理が為される。
以下、通常の手順と同様にして、前記錫メッキを施した
電極へチップ部品をマウントし、はんだリフローにて固
定する(ステップ5)。このとき、従来のグリコート樹
脂のように裏面側が蒸発して金属メッキ部分が露出する
ようなことはなく、裏面側の電極が酸化する虞れがない
。又、基板の裏面側にも部品を取り付ける場合には、表
面側に続いて裏面側へチップ部品をはんだ付する。然る
後に、該基板へ端子をはんだ付して(ステップ6)回路
基板が完成する(ステップ7)。
電極へチップ部品をマウントし、はんだリフローにて固
定する(ステップ5)。このとき、従来のグリコート樹
脂のように裏面側が蒸発して金属メッキ部分が露出する
ようなことはなく、裏面側の電極が酸化する虞れがない
。又、基板の裏面側にも部品を取り付ける場合には、表
面側に続いて裏面側へチップ部品をはんだ付する。然る
後に、該基板へ端子をはんだ付して(ステップ6)回路
基板が完成する(ステップ7)。
上記手順はセラミック基板にモールド型のチップ部品を
取り付ける場合であるが、ベアチップ部品を取り付ける
場合は第2図に示す手順によって行う。ステップ1から
ステップ3までは第1図の手順と全く同じであり、次に
、はんだレジストを施したセラミック基板のベアチップ
部品取付部位の電極へ金メッキを施し、該金メッキの表
面へ樹脂製のAuコートを被覆する(ステップ4)。次
に前述した工程と同様にしてフラッシュメッキによって
前記基板の金属メッキされた電極の表面へ錫層を形成す
る(ステップ5)。このとき、金メッキされた電極はA
uコートで被覆されているので錫メッキは付着しない。
取り付ける場合であるが、ベアチップ部品を取り付ける
場合は第2図に示す手順によって行う。ステップ1から
ステップ3までは第1図の手順と全く同じであり、次に
、はんだレジストを施したセラミック基板のベアチップ
部品取付部位の電極へ金メッキを施し、該金メッキの表
面へ樹脂製のAuコートを被覆する(ステップ4)。次
に前述した工程と同様にしてフラッシュメッキによって
前記基板の金属メッキされた電極の表面へ錫層を形成す
る(ステップ5)。このとき、金メッキされた電極はA
uコートで被覆されているので錫メッキは付着しない。
そして、前記基板へトリクレンスプレーを噴射してAu
コートを除去し、金メッキされた電極を露出する(ステ
ップ6)。
コートを除去し、金メッキされた電極を露出する(ステ
ップ6)。
以下、通常のベアチップ部品の取付手順と同様にして、
ベアチップ部品を基板の所定位置ヘダイボンデイングし
くステップ7)、該ベアチップ部品の各端子を基板の金
電極へワイヤボンディングして(ステップ8)、該ベア
チップ部品の上部からレジンをボッティングして硬化さ
せる(ステップ9)。然る後、第1図に示した手順と同
様にして、他のモールド型チップ部品をマウントしては
んだリフローにて固定しくステップIO)、端子をはん
だ付して(ステップ11)回路基板が完成する(ステッ
プ12)。
ベアチップ部品を基板の所定位置ヘダイボンデイングし
くステップ7)、該ベアチップ部品の各端子を基板の金
電極へワイヤボンディングして(ステップ8)、該ベア
チップ部品の上部からレジンをボッティングして硬化さ
せる(ステップ9)。然る後、第1図に示した手順と同
様にして、他のモールド型チップ部品をマウントしては
んだリフローにて固定しくステップIO)、端子をはん
だ付して(ステップ11)回路基板が完成する(ステッ
プ12)。
尚、この発明は、この発明の精神を逸脱しない限り種々
の改変を為す事ができ、そして、この発明が該改変せら
れたものに及ぶことは当然である。
の改変を為す事ができ、そして、この発明が該改変せら
れたものに及ぶことは当然である。
[発明の効果]
この発明は上記一実施例に詳述したように、セラミック
基板に形成した金属メッキの電極に錫メッキ処理を施し
であるため、該電極の酸化を防止でき、確実に防錆処理
を施すことができる。又、錫メッキ処理は短時間でよく
、材料も安価であることからコストダウンにも寄与でき
る発明である。
基板に形成した金属メッキの電極に錫メッキ処理を施し
であるため、該電極の酸化を防止でき、確実に防錆処理
を施すことができる。又、錫メッキ処理は短時間でよく
、材料も安価であることからコストダウンにも寄与でき
る発明である。
図は本発明の一実施例を示したものであり、第1図はモ
ールド型のチップ部品を取り付ける場合の手順を示すブ
ロック図、第2図はベアチップ型のチップ部品を取り付
ける場合の手順を示すブロック図である。 第1図 第2図
ールド型のチップ部品を取り付ける場合の手順を示すブ
ロック図、第2図はベアチップ型のチップ部品を取り付
ける場合の手順を示すブロック図である。 第1図 第2図
Claims (1)
- セラミック基板に金属メッキにて配線パターン及び電
極を設けた回路基板に於て、前記金属メッキの電極上に
錫メッキ処理を施したことを特徴とする回路基板の防錆
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327726A JPH03188694A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 回路基板の防錆処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1327726A JPH03188694A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 回路基板の防錆処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188694A true JPH03188694A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=18202300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1327726A Pending JPH03188694A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 回路基板の防錆処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188694A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2026009581A1 (ja) * | 2024-07-05 | 2026-01-08 | 株式会社フジクラプリントサーキット | 配線板組立体の製造方法、配線板組立体、配線モジュール、及び、蓄電モジュール |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP1327726A patent/JPH03188694A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2026009581A1 (ja) * | 2024-07-05 | 2026-01-08 | 株式会社フジクラプリントサーキット | 配線板組立体の製造方法、配線板組立体、配線モジュール、及び、蓄電モジュール |
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