JPH03189585A - X線センサアレイ及びx線受像装置 - Google Patents
X線センサアレイ及びx線受像装置Info
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- JPH03189585A JPH03189585A JP1330743A JP33074389A JPH03189585A JP H03189585 A JPH03189585 A JP H03189585A JP 1330743 A JP1330743 A JP 1330743A JP 33074389 A JP33074389 A JP 33074389A JP H03189585 A JPH03189585 A JP H03189585A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明(よ 医療用放射線診断装置 工業用被破壊検査
装置等に応用可能な X線センサアレイ及びそれを用い
たX線受像装置に関するものであも従来の技術 半導体放射線検出器は従来の気体検出器に比べ放射線の
吸収係数が大きいことから微小な体積でも高感度であも
また半導体結晶に入射した放射線の光子が直接電荷に
変換され電気信号として出力されるので、シンチレーシ
ョン検出器のように光電変換系を別途設けて検出器を構
成する必要がない。そのため検出器サイズを小さく抑え
られる事から、様々な用途への応用が注目されていも中
でLX線センサアレイへの応用においては単位検出素子
のサイズが小さくでき、従来の検出器にないような高い
位置分解能が実現可能であaX線センサアレイは検出素
子を複数個−次元にアレイ状に配列した構成を有する。
装置等に応用可能な X線センサアレイ及びそれを用い
たX線受像装置に関するものであも従来の技術 半導体放射線検出器は従来の気体検出器に比べ放射線の
吸収係数が大きいことから微小な体積でも高感度であも
また半導体結晶に入射した放射線の光子が直接電荷に
変換され電気信号として出力されるので、シンチレーシ
ョン検出器のように光電変換系を別途設けて検出器を構
成する必要がない。そのため検出器サイズを小さく抑え
られる事から、様々な用途への応用が注目されていも中
でLX線センサアレイへの応用においては単位検出素子
のサイズが小さくでき、従来の検出器にないような高い
位置分解能が実現可能であaX線センサアレイは検出素
子を複数個−次元にアレイ状に配列した構成を有する。
センサアレイに高い位置分解能が要求されるに伴い検出
素子のサイズは小さくせねばならない力交 検出素子の
サイズが小さくなるに従℃\ 素子を1個1個精度よく
配列するのは困難となる。
素子のサイズは小さくせねばならない力交 検出素子の
サイズが小さくなるに従℃\ 素子を1個1個精度よく
配列するのは困難となる。
そこで、第4図(a)、 (b)、に示すように短冊状
の半導体結晶に複数個の分割電極を設けることにより実
質的に複数個の単位検出素子からなるX線検出ユニット
を形成し このX線検出ユニットを複数個−次元に並べ
任意の長さのX線センサアレイを構成する。
の半導体結晶に複数個の分割電極を設けることにより実
質的に複数個の単位検出素子からなるX線検出ユニット
を形成し このX線検出ユニットを複数個−次元に並べ
任意の長さのX線センサアレイを構成する。
第4図(a)のセンサアレイ+t X線検出ユニット
14を基板16上に並べてなるセンサアレイノー(JL
同図(b)のセンサアレイはX線検出ユニット14
aと基板16aからなるユニットを並べてなるセンサア
レイの一例であ4 X線検出ユニツトまたは基板の加工精度、それらの取り
付は精度、更に熱的な膨張等を考慮すると、センサユニ
ットのつなぎ合わせ部分にはギャップ15、15aを設
ける必要がある。
14を基板16上に並べてなるセンサアレイノー(JL
同図(b)のセンサアレイはX線検出ユニット14
aと基板16aからなるユニットを並べてなるセンサア
レイの一例であ4 X線検出ユニツトまたは基板の加工精度、それらの取り
付は精度、更に熱的な膨張等を考慮すると、センサユニ
ットのつなぎ合わせ部分にはギャップ15、15aを設
ける必要がある。
発明が解決しようとする課題
上記X線検出ユニットを構成する短冊状結晶ct半導体
結晶からの切断加工によって所定の形状に製造される力
(その際 結晶の切断面には加工による破砕層が形成さ
れる。
結晶からの切断加工によって所定の形状に製造される力
(その際 結晶の切断面には加工による破砕層が形成さ
れる。
従って、複数個の単位検出ユニットを上記短冊状の半導
体結晶に分割電極を設けて形成した場合、単位検出素子
に占める破砕層の割合は 切断面の多い両端の素子で大
きくなる。破砕層はセンサ特性を劣化させるので必然的
に両端の単位検出素子の受ける影響が大きく、他の検出
素子に比べ特性が劣化する。
体結晶に分割電極を設けて形成した場合、単位検出素子
に占める破砕層の割合は 切断面の多い両端の素子で大
きくなる。破砕層はセンサ特性を劣化させるので必然的
に両端の単位検出素子の受ける影響が大きく、他の検出
素子に比べ特性が劣化する。
第5図にX線検出ユニットを構成する単位検出素子の2
41−Amy線のパルス波高スペクトルを示す。
41−Amy線のパルス波高スペクトルを示す。
同図で横軸はパルスの波底 縦軸はパルスの個数である
。同図に一点鎖線で示すのは 両端の素子のスペクトル
で、実線で示すのはそれ以外の素子のスペクトルであも
両端の素子のスペクトルのエネルギー分解能はその他
の素子に比べて劣っていることが示される。
。同図に一点鎖線で示すのは 両端の素子のスペクトル
で、実線で示すのはそれ以外の素子のスペクトルであも
両端の素子のスペクトルのエネルギー分解能はその他
の素子に比べて劣っていることが示される。
また センサアレイの各単位検出素子の配列ピッチを一
定に保つように配列するに+t X線検出ユニットま
たは基板の加工精度、取り付は精度、更に熱的な膨張等
を考慮すると、X線検出ユニット両端部の素子幅を他の
素子幅より小さくする必要があり、結果的に両端部の素
子感度が他の素子に比べて低下する。このようにして作
られたセンサアレイの感度分布を第6図に示す。図示の
通り、っなぎ目皿 およびアレイ両端の感度が他の位置
に比べて低い感度分布となる。
定に保つように配列するに+t X線検出ユニットま
たは基板の加工精度、取り付は精度、更に熱的な膨張等
を考慮すると、X線検出ユニット両端部の素子幅を他の
素子幅より小さくする必要があり、結果的に両端部の素
子感度が他の素子に比べて低下する。このようにして作
られたセンサアレイの感度分布を第6図に示す。図示の
通り、っなぎ目皿 およびアレイ両端の感度が他の位置
に比べて低い感度分布となる。
以上のようなセンサアレイを用いてX線画像を表示する
と、画面の一方向に濃度の異なる線が生じる。またつな
ぎ′目にギャップを設けることにより、画像に欠落が生
じる。
と、画面の一方向に濃度の異なる線が生じる。またつな
ぎ′目にギャップを設けることにより、画像に欠落が生
じる。
本発明は 上記問題点に鑑へ 良好なX線画像を得るこ
とのできるX線センサアレイ及びX線受像装置を提供す
ることを目的とするものである。
とのできるX線センサアレイ及びX線受像装置を提供す
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するための手段LL、 X線検出ユニ
ットを、X線検出ユニットの端部より2番目までの単位
検出素子が互いにX線センサアレイの走査ライン上に重
なるように千鳥状に配列してX線センサアレイを構成す
ることである。この様に配列されたX線検出ユニットの
接続部において(友X線センサアレイの走査ライン上に
重なりあった単位検出素子のINX線検出ユニットの端
部でない方の素子から出力される信号をその位置におけ
るX線強度信号とする。
ットを、X線検出ユニットの端部より2番目までの単位
検出素子が互いにX線センサアレイの走査ライン上に重
なるように千鳥状に配列してX線センサアレイを構成す
ることである。この様に配列されたX線検出ユニットの
接続部において(友X線センサアレイの走査ライン上に
重なりあった単位検出素子のINX線検出ユニットの端
部でない方の素子から出力される信号をその位置におけ
るX線強度信号とする。
作用
上記構成により、X線検出ユニットの接続部での感度お
よびエネルギー分解能の低下が回避され感度及び特性の
そろったX線センサアレイによる画像の撮影が可能とな
るとともく センサユニット間のギャップによる画像の
欠落がなくなり、い良質なX線透過画像が得られも またセンサアレイは加工寸法精度、取り付は寸法精度等
を従来より低く設定することが可能となり、製造工程上
の諸条件も緩和される。
よびエネルギー分解能の低下が回避され感度及び特性の
そろったX線センサアレイによる画像の撮影が可能とな
るとともく センサユニット間のギャップによる画像の
欠落がなくなり、い良質なX線透過画像が得られも またセンサアレイは加工寸法精度、取り付は寸法精度等
を従来より低く設定することが可能となり、製造工程上
の諸条件も緩和される。
実施例
以装置 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図(a>、 (b)は本発明のX線センサアレイ
の一実施例の構成を示す斜視図である。第1図において
1は半導体結眞 2は前記半導体結晶lのX線被照射面
に設けられた分割電極 3はX線検出ユニット、 4は
単位検出素子、 5は基板矢印はセンサアレイの走査方
向を示す。
の一実施例の構成を示す斜視図である。第1図において
1は半導体結眞 2は前記半導体結晶lのX線被照射面
に設けられた分割電極 3はX線検出ユニット、 4は
単位検出素子、 5は基板矢印はセンサアレイの走査方
向を示す。
半導体結晶1のX線被照射面に複数個の分割電極2を一
次元に設けることにより、分割電極2の数に相当する単
位検出素子4を有する一次元の多チャンネル型の半導体
放射線検出器が構成されもこの多チャンネル型の放射線
検出器をX線検出ユニット3とする。
次元に設けることにより、分割電極2の数に相当する単
位検出素子4を有する一次元の多チャンネル型の半導体
放射線検出器が構成されもこの多チャンネル型の放射線
検出器をX線検出ユニット3とする。
このX線検出ユニット3を、X線検出ユニット端部の単
位検出素子が隣接するX線検出ユニットの端部より2番
目の単位検出素子と、端部より2悉目の単位検出素子が
隣接するX線検出ユニットの端部の単位検出素子とセン
サアレイの走査ライン18上に重なるように千鳥状に基
板5に固定する。また各単位検出素子4の分割電極2に
は増幅器か電気的に接続されている。上記構成(よ 単
位検出素子をセンサアレイの長手方向に等間隔て配列し
たに相当する。
位検出素子が隣接するX線検出ユニットの端部より2番
目の単位検出素子と、端部より2悉目の単位検出素子が
隣接するX線検出ユニットの端部の単位検出素子とセン
サアレイの走査ライン18上に重なるように千鳥状に基
板5に固定する。また各単位検出素子4の分割電極2に
は増幅器か電気的に接続されている。上記構成(よ 単
位検出素子をセンサアレイの長手方向に等間隔て配列し
たに相当する。
あるいCt 同図(b)に示す様に構成してもよ1、
X。
X。
X線検出ユニット3のつなぎ目において1友 センサア
レイの走査ライン18上に単位検出素子が重なり合う。
レイの走査ライン18上に単位検出素子が重なり合う。
X線画像を撮影する場合、単位検出素子が重なったつな
ぎ目の位置ではX線検出ユニット3の端部から2番目の
単位検出素子から出力される信号を、X線濃度信号とし
て採用し画像処理系に出力すも 従って、エネルギー分解能及び感度が劣るX線検出ユニ
ット3両端の単位検出素子から出力される信号を用いる
ことはなくなり、エネルギー特性及び感度の均一性に優
れたX線センサアレイが実現される。
ぎ目の位置ではX線検出ユニット3の端部から2番目の
単位検出素子から出力される信号を、X線濃度信号とし
て採用し画像処理系に出力すも 従って、エネルギー分解能及び感度が劣るX線検出ユニ
ット3両端の単位検出素子から出力される信号を用いる
ことはなくなり、エネルギー特性及び感度の均一性に優
れたX線センサアレイが実現される。
第2図に 上記構成のX線センサアレイの感度分布を示
す。同図で横軸は単位検出素子の位置縦軸は感度である
。センサユニットのつなぎ目での感度の低下は無1.%
一方センサアレイの両端の単位検出素子の感度低下
は避けられない力交 画像取り込みの際はこれからのX
線濃度信号は無視すれば問題無い。
す。同図で横軸は単位検出素子の位置縦軸は感度である
。センサユニットのつなぎ目での感度の低下は無1.%
一方センサアレイの両端の単位検出素子の感度低下
は避けられない力交 画像取り込みの際はこれからのX
線濃度信号は無視すれば問題無い。
次に 本実施例における千鳥配列ピッチの補正手段につ
いて、第3図(a)、 (b)に示した画素のマトリッ
クスを用いて説明すも 同図で縦軸にはセンサアレイの
移動方向を、横軸には単位検出素子位置をとってあり、
12は千鳥状に並んだユニットのアレイ移動方向での
ピッチ(Yo)、 13は画像のサンプリングピッチ(
Yl)、斜線塗りつぶし部はX線濃度信号が出力される
画素である。
いて、第3図(a)、 (b)に示した画素のマトリッ
クスを用いて説明すも 同図で縦軸にはセンサアレイの
移動方向を、横軸には単位検出素子位置をとってあり、
12は千鳥状に並んだユニットのアレイ移動方向での
ピッチ(Yo)、 13は画像のサンプリングピッチ(
Yl)、斜線塗りつぶし部はX線濃度信号が出力される
画素である。
センサアレイにはX線検出ユニットを千鳥状に配列した
ので、アレイ移動方向にピッチ(Yo)が生じる。従っ
てそのまま表示すると同図(a)に示すようにアレイ移
動方向にYoだけ位置ずれた画像が構成される。そこで
画像のサンプリングピッチ(Yl)をユニット間ピッチ
の17 n倍(nは整数)とLn個ずらして出画するこ
とにより、同図(b)に示すようにアレイ移動方向の位
置ずれが補正される。
ので、アレイ移動方向にピッチ(Yo)が生じる。従っ
てそのまま表示すると同図(a)に示すようにアレイ移
動方向にYoだけ位置ずれた画像が構成される。そこで
画像のサンプリングピッチ(Yl)をユニット間ピッチ
の17 n倍(nは整数)とLn個ずらして出画するこ
とにより、同図(b)に示すようにアレイ移動方向の位
置ずれが補正される。
な耘 第3図(b)についても同様であa発明の効果
以上述べたよう(ζ 本発明によれば単位素子間の感度
の均−性及びエネルギー分解能の均一性に優れたX線セ
ンサアレイが得られると共に良質なX線画像が撮影可能
なX線受像装置が提供される。
の均−性及びエネルギー分解能の均一性に優れたX線セ
ンサアレイが得られると共に良質なX線画像が撮影可能
なX線受像装置が提供される。
第1図(a)、 (b)は本発明のX線センサアレイの
一実施例を示す斜視は 第2図は実施例のX線センサア
レイの感度分布の特性図 第3図(第5図ロ===ロ=
は241−Am 7線のパルス波高スペクトル@ 第
6図11 X線センサアレイに継目がある場合の感度
特性図であも l・・・半導体結龜 2・・・分割電機 3・・・X線
検出ユニット 4・・・単位検出素子、 5・・・基板
、 12・・・ユニット間ピッチ、 13・・・サンプ
リングピッチ、14、14a−X線検出ユニット、 I
5、15a・・・つなぎlu 16・・・基楓
一実施例を示す斜視は 第2図は実施例のX線センサア
レイの感度分布の特性図 第3図(第5図ロ===ロ=
は241−Am 7線のパルス波高スペクトル@ 第
6図11 X線センサアレイに継目がある場合の感度
特性図であも l・・・半導体結龜 2・・・分割電機 3・・・X線
検出ユニット 4・・・単位検出素子、 5・・・基板
、 12・・・ユニット間ピッチ、 13・・・サンプ
リングピッチ、14、14a−X線検出ユニット、 I
5、15a・・・つなぎlu 16・・・基楓
Claims (3)
- (1)半導体結晶に分割電極を設けて、複数個の単位検
出素子が一次元配列された多チャンネル型の放射線検出
ユニットとなし、前記放射線検出ユニットを、端部より
2番目までの単位検出素子が互いに走査ライン上に重な
るように千鳥状に複数個配列して構成したことを特徴と
するX線センサアレイ。 - (2)請求項1記載のX線センサアレイを具備し、X線
検出ユニットの千鳥配列の重なり部において、X線セン
サアレイの走査ライン上に重なりあった単位検出素子の
内、端部より2番目の素子から出力される信号をその位
置におけるX線強度信号とすることを特徴とするX線受
像装置。 - (3)X線検出ユニットを千鳥状に配列したことにより
生じた位置ずれの補正手段を具備したことを特徴とする
請求項2記載のX線受像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330743A JPH03189585A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | X線センサアレイ及びx線受像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330743A JPH03189585A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | X線センサアレイ及びx線受像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03189585A true JPH03189585A (ja) | 1991-08-19 |
Family
ID=18236062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1330743A Pending JPH03189585A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | X線センサアレイ及びx線受像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03189585A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510623A (en) * | 1995-02-24 | 1996-04-23 | Loral Fairchild Corp. | Center readout intra-oral image sensor |
| US5880470A (en) * | 1995-05-17 | 1999-03-09 | Hitachi, Ltd. | Two-dimensional radiation image detector |
| WO2012147813A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置及び放射線撮影装置 |
| JP2013195128A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | ガス増幅を用いた放射線検出器 |
| JP2017015740A (ja) * | 2016-10-26 | 2017-01-19 | 大日本印刷株式会社 | ガス増幅を用いた放射線検出器 |
| JP2017092383A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 日本電気株式会社 | 固体撮像ユニット、及び、これを用いた固体撮像装置 |
| JP2018105892A (ja) * | 2018-04-09 | 2018-07-05 | 大日本印刷株式会社 | ガス増幅を用いた放射線検出器 |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP1330743A patent/JPH03189585A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510623A (en) * | 1995-02-24 | 1996-04-23 | Loral Fairchild Corp. | Center readout intra-oral image sensor |
| US5880470A (en) * | 1995-05-17 | 1999-03-09 | Hitachi, Ltd. | Two-dimensional radiation image detector |
| WO2012147813A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置及び放射線撮影装置 |
| JP2013195128A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | ガス増幅を用いた放射線検出器 |
| JP2017092383A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 日本電気株式会社 | 固体撮像ユニット、及び、これを用いた固体撮像装置 |
| JP2017015740A (ja) * | 2016-10-26 | 2017-01-19 | 大日本印刷株式会社 | ガス増幅を用いた放射線検出器 |
| JP2018105892A (ja) * | 2018-04-09 | 2018-07-05 | 大日本印刷株式会社 | ガス増幅を用いた放射線検出器 |
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