JPH0319143A - 光学式ピックアップ - Google Patents

光学式ピックアップ

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JPH0319143A
JPH0319143A JP1153662A JP15366289A JPH0319143A JP H0319143 A JPH0319143 A JP H0319143A JP 1153662 A JP1153662 A JP 1153662A JP 15366289 A JP15366289 A JP 15366289A JP H0319143 A JPH0319143 A JP H0319143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
beam splitter
polarizing beam
coated
knife
Prior art date
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Pending
Application number
JP1153662A
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English (en)
Inventor
Hiromi Takei
武井 浩美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Gunma Ltd
Original Assignee
NEC Gunma Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0319143A publication Critical patent/JPH0319143A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、円板状記録媒体に対して光学的に情報を記録
し若しくは再生するための光学式ピックアップに関する
ものである. 〔従来の技術〕 第3図および第4図に従来例を示す. この第3図に示す従来例においては、半導体レーザ50
から出射した光束を平行光とするコリメートレンズ51
と、平行光を拡大するビーム整形プリズム52と、この
ビーム整形プリズム52に隣接して配設された断面直角
三角形の長辺に関して対象に接合した二つの偏光ビーム
スプリッタ53A.53Bと、この偏光ビームスプリン
タ53A,53Bのコリメートレンズ5lの光軸に平行
な二つの出射面に各々接合されたλ/4板54A.54
Bと、偏光ビームスプリッタ53Aから出射されたコリ
メートレンズ51の光軸に直角方向の光を円板状記録媒
体55上に集光する対物レンズ56とを有している.そ
して、偏光ビームスプリッタ53Bに接合したλ/4板
54Bに.凹面鏡57を装備し、偏光ビームスプリッタ
53Bに隣接してビームスプリンタ58を配設するとと
もにビームスプリッタ58から出射されたコリメートレ
ンズ5lの光軸方向の光を任意の割合で遮光するナイフ
59とを装備している.また、ナイフ59によって遮光
された残りの光を受ける第1の受光素子60とビームス
プリンタ58から出射される光を受ける第2の受光素子
61とを備えている.次に、この第3図ないし第4図に
示す従来例の動作説明をする. 光源である半導体レーザ50から出射した光束は、コリ
メートレンズ51を通過することによって平行光となる
.この平行光はビーム整形プリズム52によって、半導
体レーザ50のPN接合面と平行な方向に約2.5倍に
拡大されて円形光束となる.拡大された円形光束は、偏
光ビームスプリッタ53Aに入射する.この時、偏光ビ
ームスプリッタ53Aにはコリメートレンズ5lから出
射された光束がS偏光で入射する様に配置されているの
で、偏光ビームスプリッタ53Aに入射した光束はその
誘電体多層膜をコートした接合面により100%反射さ
れる。反射した光束は、λ/4板54Aを通過して円偏
光となり、対物レンズ56により円板状記録媒体55上
に集光される。
この記録媒体55によって反射された光束は、再び対物
レンズ56を透過してλ/4板54Aを透過して、当初
半導体レーザ50から出射された光束に対して90’方
位角がずれた直線偏光となって偏光ビームスブリッタ5
3Aに入射する.この時光束は偏光ビームスプリッタ5
3Aに対してP偏光で入射するため、偏光ビームスプリ
・ンタ53Bを100%透過し、λ/4板54Bを透過
後円偏光となり、凹面鏡57によって集光させながら、
反射して再びλ/4板54Bを透過して、S偏光となり
、偏光ビームスプリッタ53Bの誘電体多層膜をコート
した接合面により100%反射されてビームスプリッタ
58に入射する。ビームスプリッタ58に入射した光束
は、その50%がコリメートレンズ5lの光軸と平行な
方向に透過し、残り50%はそれと直角方向に反射する
。この内、コリメートレンズ51の光軸と平行な方向に
透過した光束は、ナイフ59によりさらに50%が遮光
されて第1の受光素子60によって受光され、その差動
出力によりフォーカシング制御を行う。
一方、残りのコリメートレンズ5lの光軸と直交する方
向に出射した光束は、′fJ,2の受光素子6lによっ
て受光されて、トラッキング制御およびRF信号検出を
行う. 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記従来例においては、偏光ビームスプ
リッタにビームスプリッタが隣接して接合されているた
め、ビーム整形プリズムからフォーカス検出系を構成す
るナイフまでにかなりのスペースを要し、装置全体が大
型化するという欠点があった.また、フォーカス検出系
がプリズム群の長平方向にあるため、コリメートレンズ
とプリズム群との間に光軸のずれを生し易く、またナイ
フの位置決定にばらつきが大きくなって位置決定の精度
が悪くなるという不都合が生していた。
〔発明の目的] 本発明の目的は、このような従来例に見られる不都合を
改善し、装置全体の小型軽量化をはかり、ナイフの位置
決め精度および遮光精度の向上をはかる光学式ピックア
ップを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明では、半導体レーザから出射した光束を平行光と
するコリメートレンズと、平行光を拡大するビーム整形
プリズムと、このビーム整形プリズムに隣接して配設さ
れたビーム整形プリズムからの光束を光の光軸に直交す
る方向に反射する断面直角三角形の第1の偏光ビームス
ブリツタと、この第1の偏光ビームスプリッタと同じ形
状でその長辺に関して対象に接合した第2の偏光ビーム
スプリッタと、この二つの偏光ビームスブリツタのコリ
メートレンズの光軸に平行な二つの出射面に各々接合さ
れ位相を波長の4分の1すらすλ/4板と、第1の偏光
ビームスプリッタから出射された光の内コリメートレン
ズの光軸に直角方向の光部分を円板状記録媒体上に集光
する対物レンズと、第2の偏光ビームスプリッタから出
射されたコリメートレンズの光軸方向の光を任意の割合
で遮光するナイフと、このナイフに遮光された残りの光
束を受光する第1の受光素子とを有している.そして、
第2の偏光ビームスプリッタに接合されているλ/4板
に.曲面に半透膜をコーティングしたハーフコート平凸
レンズを接合するとともに、このハーフコート平凸レン
ズを透過した光束を受光する第2の受光素子を装備する
という手法を採っている.これによって前述した目的を
達成しようとするものである. 〔作 用〕 光源である半導体レーザから出射した光束は、コリメー
トレンズを通過することによって平行光となる.この平
行光はビーム整形プリズムによって拡大されて円形光束
となる.拡大された円形光束は、第1の偏光ビームスプ
リッタに入射する.入射した光束は第1の偏光ビームス
プリッタのコーティングされた接合面により反射される
。反射した光束は、λ/4板を通過して円偏光となり、
対物レンズにより円板状記録媒体上に集光される。
この円板状記録媒体によって反射された光束は、再び対
物レンズおよびλ/4板を透過して、第2の偏光ビーム
スプリッタに入射する.入射した光束は第2の偏光ビー
ムスプリッタを透過して反対側にあるλ/4板を透過し
、ハーフコート平凸レンズに入射する.ハーフコート平
凸レンズでは、入射してきた光束の半分が透過し、この
透過した光束を第2の受光素子が受光する.一方、ハー
フコート平凸レンズに入射した残りの光束は、コーティ
ングした曲面によって反射して再びλ/4板を透過して
第2の偏光ビームスプリッタに入射し、コーティングさ
れた接合面により反射されてコリメートレンズの光軸と
平行な方向に出射する。この光束は、ナイフによりさら
に遮光されて、残りの光束が第1の受光素子によって受
光される.〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を第1図および第2図に基づい
て説明する.ここで、前述した従来例と同一の構或部材
については同一の符号を用いることとする. この第l図に示す実施例においては、半導体レーザ50
から出射した光束を平行光とするコリメートレンズ5l
と、この平行光を半導体レーザ50のPN接合面に平行
な方向に拡大して円形光束とするビーム整形プリズム5
2と、このビーム祭形プリズム52に隣接して配設され
たビーム整形プリズム52からの光束を円板状記録媒体
55の方に反射する断面直角三角形の第1の偏光ビーム
スプリッタ53Aと、この第lの偏光ビームスプリッタ
53Aと同じ形状でその長辺に関して対象に接合した第
2の偏光ビームスプリッタ53Bと、この二つの偏光ビ
ームスプリッタ53A,53Bのコリメートレンズ5l
の光軸に平行な二つの出射面に各々接合された位相を波
長の4分の1すらすλ/4板54A,54Bと、第1の
偏光ビームスブリッタ53Aから出射されたコリメート
レンズ5lの光軸に直角方向の光を円板状記録媒体55
上に集光する対物レンズ56と、第2の偏光ビームスプ
リッタ53Bから出射されたコリメートレンズ5lの光
軸方向の光を任意の割合で遮光するナイフ59と、この
ナイフ59に遮光された残りの光束を受光する第1の受
光素子60とを有している.そして、第2の偏光ビーム
スブリッタ53Bに接合されているλ/4板54Bに.
曲面に半透膜をコーティングしたハーフコート乎凸レン
ズlを接合するとともに、このハーフコート平凸レンズ
1を透過した光束を受光する第2の受光素子2を装備し
ている。
次に、動作説明をする。
光源である半導体レーザ50から出射した光束は、コリ
メートレンズ51を通過することによって平行光となる
。この平行光はビーム整形プリズム52によって半導体
レーザ50のPN接合面に平行の方向に拡大されて円形
光束となる。拡大された円形光束は、第1の偏光ビーム
スプリッタ53Aに入射する。この時、第1の偏光ビー
ムスプリッタ53Aは、コリメートレンズ5l出射後の
光束がS偏光にて入射する様に配置されているので、第
1の偏光ビームスプリッタ53Aに入射した光束は誘電
体多層膜をコーティングした第1の偏光ビームスプリッ
タ53Aの接合面により100%反射される.反射した
光束は、λ/4板54Aを通過して円偏光となり、対物
レンズ56により円板状記録媒体55上に集光される.
この集光された光束はこの円板状記録媒体55によって
反射されて、再び対物レンズ56を透過してλ/4板5
4Aを透過し、半導体レーザ50出射後の光束となす方
位角が90゜となる直線偏光となり、再び第1の偏光ビ
ームスプリッタ53Aに入射する。入射した光束は、今
度は誘電体多層膜をコーティングした接合面を透過する
ため、第2の偏光ビームスプリッタ53Bを真っ直ぐに
透過して反対側にあるλ/4板54Bを透過し、ハーフ
コート平凸レンズ1に入射する。この時、光束の50%
の光量は集光されながら透過し、この透過した光束を第
2の受光素子2が受光し、その差動出力によりトラッキ
ング制御およびRF信号検出を行う.一方、ハーフコー
ト平凸レンズ1に入射した残りの光量は、コーティング
した曲面によって集光されながら反射して再びλ/4板
54Bを透過し、再びS偏光となる為、第2の偏光ビー
ムスプリッタ53Bの誘電体多層膜をコーティングした
接合面で反射されて、コリメートレンズ5lの光軸と平
行な方向に出射する。この光束は、ナイフ59によりさ
らに遮光されて残りの光束が第1の受光素子60によっ
て受光され、その差動出力によりフォーカス制御を行う
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によると、円板状記録媒体
から反射して第1の偏光ビームスプリッタおよび第2の
偏光ビームスプリッタを透過した光束を、第2の偏光ビ
ームスプリッタに接合されたλ/4板にとりつけられて
いる,曲面をコーティングしたハーフコート乎凸レンズ
に入射し、その内の一部をこのハーフコート平凸レンズ
を透過させて第2の受光素子によって受光し、残りの一
部は反射させて第2の偏光ビームスブリツタに入射させ
るとともに、コリメートレンズの光軸と平行な方向に出
射させ、ナイフによって一部遮光されて残りの光束を第
1の受光素子によって受光するという構成を採用したの
で、従来必要とされていたビームスプリッタが不要とな
り、装置全体の小型化を図ることができ、さらに、プリ
ズム群が小型化されることによって、コリメートレンズ
とプリズム群との間の光軸のずれを減少せしめ、またナ
イフの位置決定の精度向上を図り得るという従来にない
優れた光学式ピックアップを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を表す構戒図、第2図は第1
図を上面から見た横戒図、第3図は従来例を表す構成図
、第4図は第3図を上面から見た構成図である。 1・・・・・・ハーフコート乎凸レンズ、2・・・・・
・第2の受光素子、50・・・・・・半導体レーザ、5
l・・・・・・コリメートレンズ、52・・・・・・ビ
ーム整理プリズム、53A,53B・・・・・・第1,
第2の偏光ビームスプリッタ、54A.54B・・・・
・・第1,第2のλ/4板、55・・・・・・円板状記
録媒体、56・・・・・・対物レンズ、59・・・・・
・ナイフ、60・・・・・・第1の受光素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、半導体レーザから出射した光束を平行光とする
    コリメートレンズと、前記平行光を拡大するビーム整形
    プリズムと、このビーム整形プリズムに隣接して配設さ
    れた前記ビーム整形プリズムからの光束を光の光軸に直
    交する方向に反射する断面直角三角形の第1の偏光ビー
    ムスプリッタと、この第1の偏光ビームスプリッタと同
    じ形状でその長辺に関して対象に接合した第2の偏光ビ
    ームスプリッタと、この二つの偏光ビームスプリッタの
    前記コリメートレンズの光軸に平行な二つの出射面に各
    々接合され位相を波長の4分の1ずらすλ/4板と、前
    記第1の偏光ビームスプリッタから出射された光の内の
    前記コリメートレンズの光軸に直角方向の光部分を円板
    状記録媒体上に集光する対物レンズと、前記第2の偏光
    ビームスプリッタから出射された前記コリメートレンズ
    の光軸方向の光を任意の割合で遮光するナイフと、この
    ナイフに遮光された残りの光束を受光する第1の受光素
    子とを有し、 前記第2の偏光ビームスプリッタに接合されているλ/
    4板に、曲面に半透膜をコーティングしたハーフコート
    平凸レンズを接合するとともに、このハーフコート平凸
    レンズを透過した光束を受光する第2の受光素子を装備
    したことを特徴とする光学式ピックアップ。
JP1153662A 1989-06-16 1989-06-16 光学式ピックアップ Pending JPH0319143A (ja)

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