JPH0319307B2 - - Google Patents
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- JPH0319307B2 JPH0319307B2 JP19555085A JP19555085A JPH0319307B2 JP H0319307 B2 JPH0319307 B2 JP H0319307B2 JP 19555085 A JP19555085 A JP 19555085A JP 19555085 A JP19555085 A JP 19555085A JP H0319307 B2 JPH0319307 B2 JP H0319307B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- nickel
- plated
- electroplating
- film
- Prior art date
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- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing of the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は不溶性陽極を用いたニツケル、コバル
ト、鉄、或いはこれらの合金の電気めつき方法に
関し、更に詳述すれば電子部品等へのめつき、特
にその高速度めつき、部分めつきに好適に採用さ
れる電気めつき方法に関する。
ト、鉄、或いはこれらの合金の電気めつき方法に
関し、更に詳述すれば電子部品等へのめつき、特
にその高速度めつき、部分めつきに好適に採用さ
れる電気めつき方法に関する。
従来の技術及び発明が解決しようとする問題点
従来、ニツケル、コバルト、鉄、或いはこれら
の合金の電気めつきにおいては、主として陽極と
して可溶性陽極が使用され、不溶性陽極が使用さ
れることは殆んどなかつた。このため、これらの
ニツケル等の電気めつき液は可溶性陽極を使用す
るのに適するように考慮されており、不溶性陽極
の使用に適したニツケル等の電気めつき液組成に
ついてはあまり考えられていないものであつた。
の合金の電気めつきにおいては、主として陽極と
して可溶性陽極が使用され、不溶性陽極が使用さ
れることは殆んどなかつた。このため、これらの
ニツケル等の電気めつき液は可溶性陽極を使用す
るのに適するように考慮されており、不溶性陽極
の使用に適したニツケル等の電気めつき液組成に
ついてはあまり考えられていないものであつた。
しかしながら、最近における電子部品等の機能
めつきにおいては、高速度でニツケル等の部分電
気めつきを行ないたいという要望が増加している
が、この場合めつき装置上の制約等から不溶性陽
極を使用することが望まれ、このため不溶性陽極
の使用に適したニツケル等の電気めつき液組成の
開発が必要とされる。
めつきにおいては、高速度でニツケル等の部分電
気めつきを行ないたいという要望が増加している
が、この場合めつき装置上の制約等から不溶性陽
極を使用することが望まれ、このため不溶性陽極
の使用に適したニツケル等の電気めつき液組成の
開発が必要とされる。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、不溶
性陽極の使用に際し、長期間連続使用しても物性
の優れためつき皮膜を与えることができるニツケ
ル、コバルト、鉄、又はこれらの合金の電気めつ
き方法を提供することを目的とする。
性陽極の使用に際し、長期間連続使用しても物性
の優れためつき皮膜を与えることができるニツケ
ル、コバルト、鉄、又はこれらの合金の電気めつ
き方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段及び作用
本発明は、上記目的を達成するため、ニツケ
ル、コバルト及び鉄から選ばれる１種以上の金属
の硫酸塩を金属イオンの供給源として含有すると
共に、ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩、クマリ
ン、アセチレンアルコール及びそれらの誘導体か
ら選ばれる添加剤と界面活性剤とを含有し、かつ
ハロゲンイオンを含有しない電気めつき液中に被
めつき物を浸漬し、不溶性陽極との間に電気を流
して前記被めつき物を電気めつきすることを特徴
とする電気めつき方法を提供するものである。
ル、コバルト及び鉄から選ばれる１種以上の金属
の硫酸塩を金属イオンの供給源として含有すると
共に、ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩、クマリ
ン、アセチレンアルコール及びそれらの誘導体か
ら選ばれる添加剤と界面活性剤とを含有し、かつ
ハロゲンイオンを含有しない電気めつき液中に被
めつき物を浸漬し、不溶性陽極との間に電気を流
して前記被めつき物を電気めつきすることを特徴
とする電気めつき方法を提供するものである。
即ち、本発明者は、不溶性陽極に適したニツケ
ル等の電気めつき液について種々検討を行なつた
結果、前記したニツケル、コバルト及び鉄から選
ばれる１種以上の金属の硫酸塩を金属イオンの供
給源として含有すると共に、ｏ−スルホ安息香酸
イミドの塩、クマリン、アセチレンアルコール及
びそれらの誘導体から選ばれる添加剤と界面活性
剤とを含有し、かつハロゲンイオンを含有しない
電気めつき液が不溶性陽極を用いた電気めつきに
有効であることを知見した。
ル等の電気めつき液について種々検討を行なつた
結果、前記したニツケル、コバルト及び鉄から選
ばれる１種以上の金属の硫酸塩を金属イオンの供
給源として含有すると共に、ｏ−スルホ安息香酸
イミドの塩、クマリン、アセチレンアルコール及
びそれらの誘導体から選ばれる添加剤と界面活性
剤とを含有し、かつハロゲンイオンを含有しない
電気めつき液が不溶性陽極を用いた電気めつきに
有効であることを知見した。
この点につき更に詳述すると、通常の可溶性陽
極を用いる装飾めつき用のニツケルめつき液、例
えばワツト型ニツケルめつき液では、塩化物が含
有されており、これをそのまま不溶性陽極を使用
する電気めつきに採用した場合には、電解過程で
陽極において塩素ガスが発生し、作業環境を悪く
すると共に、白金等の不溶性陽極が浸食されるな
どの問題を生じさせる。また、スルフアミン酸ニ
ツケルめつき液は、不溶性陽極を使用してめつき
を行なうと、スルフアミン酸が陽極酸化を受けて
分解したり、加水分解を受けてアンモニウム塩が
生成するために電解が進むにつれて応力、硬度が
増大し、更には柔軟性が低下し、遂にはめつきに
クラツクが入るなどの問題点があり、不溶性陽極
を用いて長期に連続的に使用するには問題が多
い。
極を用いる装飾めつき用のニツケルめつき液、例
えばワツト型ニツケルめつき液では、塩化物が含
有されており、これをそのまま不溶性陽極を使用
する電気めつきに採用した場合には、電解過程で
陽極において塩素ガスが発生し、作業環境を悪く
すると共に、白金等の不溶性陽極が浸食されるな
どの問題を生じさせる。また、スルフアミン酸ニ
ツケルめつき液は、不溶性陽極を使用してめつき
を行なうと、スルフアミン酸が陽極酸化を受けて
分解したり、加水分解を受けてアンモニウム塩が
生成するために電解が進むにつれて応力、硬度が
増大し、更には柔軟性が低下し、遂にはめつきに
クラツクが入るなどの問題点があり、不溶性陽極
を用いて長期に連続的に使用するには問題が多
い。
また、通常のニツケル等のめつき液には、光沢
を付与し、かつめつき皮膜物性を良好なものにす
るため、多くの場合光沢剤、界面活性剤などの添
加剤が添加されているが、これをそのまま不溶性
陽極を用いてめつきを行なうと、添加剤が不溶性
陽極において分解され、添加剤の消耗が増加した
り、光沢、皮膜物性の低下やビツト、ピンホール
の増大が生じる。本発明者の検討によると、公知
のニツケルめつき用光沢剤のうちには不溶性陽極
に適さないものが多い。しかし、光沢剤、界面活
性剤を添加しない場合には、めつき皮膜に外観む
らが生じたり、かなりの応力が生じて物性上問題
を引き起す上、かえつてビツトが発生する。
を付与し、かつめつき皮膜物性を良好なものにす
るため、多くの場合光沢剤、界面活性剤などの添
加剤が添加されているが、これをそのまま不溶性
陽極を用いてめつきを行なうと、添加剤が不溶性
陽極において分解され、添加剤の消耗が増加した
り、光沢、皮膜物性の低下やビツト、ピンホール
の増大が生じる。本発明者の検討によると、公知
のニツケルめつき用光沢剤のうちには不溶性陽極
に適さないものが多い。しかし、光沢剤、界面活
性剤を添加しない場合には、めつき皮膜に外観む
らが生じたり、かなりの応力が生じて物性上問題
を引き起す上、かえつてビツトが発生する。
本発明者はこのような検討の結果、塩素ガス等
の発生がなく、長期電解した後でもめつき皮膜の
特性を低下させたり、ピツト、ピンホールを生じ
させることのない不溶性陽極使用の電気めつき液
として、ニツケル等の金属の硫酸塩を金属イオン
の供給源として使用した場合には人体に有害なガ
スの発生もなく、不溶性陽極が浸食されることな
く、従つて長期に安定して使用でき、かつ低応力
で柔軟なめつき被膜が得られること、また添加剤
としてｏ−スルホ安息香酸イミドの塩、クマリ
ン、アセチレンアルコール又はこれらの誘導体を
用いた場合には長期電解を行なつてもめつきに悪
影響を与える分解物が蓄積しにくく、良好な物性
の皮膜を与えることができ、更にこれら添加剤と
界面活性剤とを併用するとピツト、ピンホールが
生じ難いことを知見した。特に、添加剤としてｏ
−スルホ安息香酸イミドの金属塩を使用した時、
これは酸化分解してもめつきに悪影響を与える分
解物が蓄積しにくい上、この分解物は活性炭等の
処理で容易に除去し得るため、ｏ−スルホ安息香
酸イミドの金属塩を含有する電気めつき浴を長期
に電解使用しても、めつき内部応力が−10〜10
Kg／mm2に収まる程度の低応力でしかも硬度が上つ
たり柔軟性に欠けるめつきになつたりせず、硬
度、柔軟性がほぼ一定で良好な物性を有し、かつ
白みのある半光沢様の外観で高，低電流密度部分
に亘つて、あるいは拡散層の大小にかかわらず均
一な外観を有するめつき皮膜が得られることを知
見し、本発明をなすに至つたものである。
の発生がなく、長期電解した後でもめつき皮膜の
特性を低下させたり、ピツト、ピンホールを生じ
させることのない不溶性陽極使用の電気めつき液
として、ニツケル等の金属の硫酸塩を金属イオン
の供給源として使用した場合には人体に有害なガ
スの発生もなく、不溶性陽極が浸食されることな
く、従つて長期に安定して使用でき、かつ低応力
で柔軟なめつき被膜が得られること、また添加剤
としてｏ−スルホ安息香酸イミドの塩、クマリ
ン、アセチレンアルコール又はこれらの誘導体を
用いた場合には長期電解を行なつてもめつきに悪
影響を与える分解物が蓄積しにくく、良好な物性
の皮膜を与えることができ、更にこれら添加剤と
界面活性剤とを併用するとピツト、ピンホールが
生じ難いことを知見した。特に、添加剤としてｏ
−スルホ安息香酸イミドの金属塩を使用した時、
これは酸化分解してもめつきに悪影響を与える分
解物が蓄積しにくい上、この分解物は活性炭等の
処理で容易に除去し得るため、ｏ−スルホ安息香
酸イミドの金属塩を含有する電気めつき浴を長期
に電解使用しても、めつき内部応力が−10〜10
Kg／mm2に収まる程度の低応力でしかも硬度が上つ
たり柔軟性に欠けるめつきになつたりせず、硬
度、柔軟性がほぼ一定で良好な物性を有し、かつ
白みのある半光沢様の外観で高，低電流密度部分
に亘つて、あるいは拡散層の大小にかかわらず均
一な外観を有するめつき皮膜が得られることを知
見し、本発明をなすに至つたものである。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の不溶性陽極を用いる電気めつき方法
は、電気めつき液としてニツケル、コバルト及び
鉄から選ばれる１種以上の金属の硫酸塩を金属イ
オンの供給源として含有すると共に、ｏ−スルホ
安息香酸イミドの塩、クマリン、アセチレンアル
コール及びそれらの誘導体から選ばれる添加剤と
界面活性剤とを含有し、かつハロゲンイオンを含
有しないものを使用する。
は、電気めつき液としてニツケル、コバルト及び
鉄から選ばれる１種以上の金属の硫酸塩を金属イ
オンの供給源として含有すると共に、ｏ−スルホ
安息香酸イミドの塩、クマリン、アセチレンアル
コール及びそれらの誘導体から選ばれる添加剤と
界面活性剤とを含有し、かつハロゲンイオンを含
有しないものを使用する。
ここで、上記硫酸塩としては硫酸ニツケル、硫
酸コバルト、硫酸第一鉄及びこれらの水和化合物
が挙げられ、これら硫酸塩は400〜600ｇ／、特
に450〜550ｇ／の濃度で使用することが好まし
い。なお、合金被膜を得る場合の合金組成に特に
制限はなく、ニツケル、コバルト、鉄の硫酸塩を
どんな比率で使用しても良い。
酸コバルト、硫酸第一鉄及びこれらの水和化合物
が挙げられ、これら硫酸塩は400〜600ｇ／、特
に450〜550ｇ／の濃度で使用することが好まし
い。なお、合金被膜を得る場合の合金組成に特に
制限はなく、ニツケル、コバルト、鉄の硫酸塩を
どんな比率で使用しても良い。
また、添加剤としては、ｏ−スルホ安息香酸イ
ミドの塩、クマリン、アセチレンアルコール、こ
れらの誘導体の１種又は２種以上が使用される
が、ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩としては、ｏ
−スルホ安息香酸イミドのナトリウム、カリウ
ム、ニツケル、コバルトなどの金属塩が挙げら
れ、その使用量は0.1〜３ｇ／、特に0.1〜１
ｇ／とすることが好ましく、特にめつき被膜上
に金めつきあるいは銀めつきを施す場合には、ｏ
−スルホ安息香酸イミドの金属塩の添加量は少な
い方が密着性の点から望ましい。また、クマリン
又はその誘導体を用いる場合、その使用量は 0.01〜0.5ｇ／、特に0.05〜0.2ｇ／とする
ことが好ましく、ブチンジオール等のアセチレン
アルコール又はその誘導体の使用量は0.01〜0.5
ｇ／、特に0.02〜0.2ｇ／とすることが好ま
しい。
ミドの塩、クマリン、アセチレンアルコール、こ
れらの誘導体の１種又は２種以上が使用される
が、ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩としては、ｏ
−スルホ安息香酸イミドのナトリウム、カリウ
ム、ニツケル、コバルトなどの金属塩が挙げら
れ、その使用量は0.1〜３ｇ／、特に0.1〜１
ｇ／とすることが好ましく、特にめつき被膜上
に金めつきあるいは銀めつきを施す場合には、ｏ
−スルホ安息香酸イミドの金属塩の添加量は少な
い方が密着性の点から望ましい。また、クマリン
又はその誘導体を用いる場合、その使用量は 0.01〜0.5ｇ／、特に0.05〜0.2ｇ／とする
ことが好ましく、ブチンジオール等のアセチレン
アルコール又はその誘導体の使用量は0.01〜0.5
ｇ／、特に0.02〜0.2ｇ／とすることが好ま
しい。
これらの中では、特にｏ−スルホ安息香酸イミ
ドの塩が好ましい。即ち、ｏ−スルホ安息香酸イ
ミドの塩は他の添加剤に比べて酸化分解してもめ
つきに悪影響を及ぼす分解物が蓄積しにくく、か
つその酸化分解物はドライ活性炭約10ｇ／の処
理でほぼ除去でき、新液と同様の状態に戻る。従
つて、物性の良好なめつき皮膜を与えることがで
きる。即ち、ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩を用
いた場合、長期電解後においても低応力で柔軟
性、硬度が一定し、しかも外観が均一なめつき皮
膜を得ることができる。
ドの塩が好ましい。即ち、ｏ−スルホ安息香酸イ
ミドの塩は他の添加剤に比べて酸化分解してもめ
つきに悪影響を及ぼす分解物が蓄積しにくく、か
つその酸化分解物はドライ活性炭約10ｇ／の処
理でほぼ除去でき、新液と同様の状態に戻る。従
つて、物性の良好なめつき皮膜を与えることがで
きる。即ち、ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩を用
いた場合、長期電解後においても低応力で柔軟
性、硬度が一定し、しかも外観が均一なめつき皮
膜を得ることができる。
なお、半光沢の均一な外観を必要とする場合
は、ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩と共に、又は
ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩に代えてクマリ
ン、アセチレンアルコール、これらの誘導体を使
用することができる。
は、ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩と共に、又は
ｏ−スルホ安息香酸イミドの塩に代えてクマリ
ン、アセチレンアルコール、これらの誘導体を使
用することができる。
なおまた、めつき皮膜を後処理として300〜600
℃程度の熱処理する場合は、サルフアーフリーの
めつき皮膜を得ることが好ましく、このためｏ−
スルホ安息香酸イミドを添加せずにめつきを行な
うことが望ましい。この場合、皮膜の外観や物性
を問題にしないときは、添加剤を加えずに界面活
性剤のみを添加してめつきを行なうことができ
る。
℃程度の熱処理する場合は、サルフアーフリーの
めつき皮膜を得ることが好ましく、このためｏ−
スルホ安息香酸イミドを添加せずにめつきを行な
うことが望ましい。この場合、皮膜の外観や物性
を問題にしないときは、添加剤を加えずに界面活
性剤のみを添加してめつきを行なうことができ
る。
本発明のめつき液には、更に界面活性剤を添加
するが、界面活性剤としてはラウリル硫酸ナトリ
ウム、スルホコハク酸エステル等の陰イオン系界
面活性剤が好ましく、その濃度は0.001〜0.2ｇ／
、特に0.01〜0.05ｇ／とすることが好適であ
る。
するが、界面活性剤としてはラウリル硫酸ナトリ
ウム、スルホコハク酸エステル等の陰イオン系界
面活性剤が好ましく、その濃度は0.001〜0.2ｇ／
、特に0.01〜0.05ｇ／とすることが好適であ
る。
本発明のめつき液には、更に緩衝剤を加えるこ
とが好ましい。緩衝剤としてはホウ酸が好まし
く、その使用量は25〜50ｇ／、特に30〜40ｇ／
とすることが好適である。
とが好ましい。緩衝剤としてはホウ酸が好まし
く、その使用量は25〜50ｇ／、特に30〜40ｇ／
とすることが好適である。
また、本発明に係る電気めつき液のPHは２〜
５、特に2.5〜4.8とすることが好ましい。この場
合、PHを下げるには硫酸、上げるには炭酸ニツケ
ルを用いることができる。
５、特に2.5〜4.8とすることが好ましい。この場
合、PHを下げるには硫酸、上げるには炭酸ニツケ
ルを用いることができる。
本発明の電気めつき方法は、上述した電気めつ
き液を使用し、この中に被めつき物を浸漬し、不
溶性陽極の間に電気を流してめつきを行なうもの
である。
き液を使用し、この中に被めつき物を浸漬し、不
溶性陽極の間に電気を流してめつきを行なうもの
である。
この場合、不溶性陽極に特に制限はなく、材質
として例えば鉛合金、炭素、ステンレススチー
ル、チタン、白金など、形状として棒、板、網、
線、球あるいはオーバル状などのものを選択して
使用すればよいが、とりわけ不溶性陽極の材質を
白金あるいは白金めつきを施したチタンとするこ
とが好ましい。
として例えば鉛合金、炭素、ステンレススチー
ル、チタン、白金など、形状として棒、板、網、
線、球あるいはオーバル状などのものを選択して
使用すればよいが、とりわけ不溶性陽極の材質を
白金あるいは白金めつきを施したチタンとするこ
とが好ましい。
本発明のめつき液を用いてめつきする場合のめ
つき条件は公知のNi，Co，Fe或いはこれらの合
金めつきと同様の条件を採用し得、めつき液温
は、その上限がめつき槽、めつき装置の材質によ
つても異なるが、10〜80℃、好ましくは40〜65
℃、陰極電流密度は、めつき液温、液流速、被め
つき物移動速度、めつき液中の金属イオン濃度等
によつて流せる最高電流密度は異なつてくるが、
通常７〜50A／ｄm2の条件が採用され得る。な
お、めつき液は、必要に応じ、空気撹拌、カソー
ドロツキング、ポンプ等により液循環する方法、
プロペラ撹拌、その他めつき品物の移動あるいは
振動による方法などが採用できる。
つき条件は公知のNi，Co，Fe或いはこれらの合
金めつきと同様の条件を採用し得、めつき液温
は、その上限がめつき槽、めつき装置の材質によ
つても異なるが、10〜80℃、好ましくは40〜65
℃、陰極電流密度は、めつき液温、液流速、被め
つき物移動速度、めつき液中の金属イオン濃度等
によつて流せる最高電流密度は異なつてくるが、
通常７〜50A／ｄm2の条件が採用され得る。な
お、めつき液は、必要に応じ、空気撹拌、カソー
ドロツキング、ポンプ等により液循環する方法、
プロペラ撹拌、その他めつき品物の移動あるいは
振動による方法などが採用できる。
本発明の電気めつき方法を用いてめつきする製
品の材質に特に制限はなく、電気めつき可能な材
質であればいずれのものもめつきし得、例えば金
属や導電化されたプラスチツク、セラミツク等が
めつきされる。この場合、これらは公知の前処理
を施し、所望の下地めつきを施した後、本発明の
電気めつき方法を用いてめつきすることができ、
また本発明の電気めつき方法によるめつき後、そ
の上にクロムめつき、金めつき、銀めつき、その
他所望のめつきを施したり、公知の後処理を施す
ことができる。
品の材質に特に制限はなく、電気めつき可能な材
質であればいずれのものもめつきし得、例えば金
属や導電化されたプラスチツク、セラミツク等が
めつきされる。この場合、これらは公知の前処理
を施し、所望の下地めつきを施した後、本発明の
電気めつき方法を用いてめつきすることができ、
また本発明の電気めつき方法によるめつき後、そ
の上にクロムめつき、金めつき、銀めつき、その
他所望のめつきを施したり、公知の後処理を施す
ことができる。
本発明の電気めつき方法は、特にプリント基板
端子部の高速、部分めつきに好適に使用され、金
めつきの下地として有効に利用されるほか、金、
銀、めつき下地用のフープめつきやリードフレー
ムへのめつき、更にIC，LSIパツケージのリー
ド、パターン部のめつきなどに使用される。
端子部の高速、部分めつきに好適に使用され、金
めつきの下地として有効に利用されるほか、金、
銀、めつき下地用のフープめつきやリードフレー
ムへのめつき、更にIC，LSIパツケージのリー
ド、パターン部のめつきなどに使用される。
発明の効果
本発明に係る電気めつき方法によれば、不溶性
陽極を使用して長期間に亘り優れた物性のめつき
皮膜が安定して得られ、このため電子部品等への
高速部分めつきなどに好適に採用される。
陽極を使用して長期間に亘り優れた物性のめつき
皮膜が安定して得られ、このため電子部品等への
高速部分めつきなどに好適に採用される。
次に実施例を示し、本発明を具体的に説明する
が、本発明は下記の実施例に制限されるものでは
ない。
が、本発明は下記の実施例に制限されるものでは
ない。
実施例 １，比較例
下記のめつき液、めつき装置、めつき条件で下
記の被めつき物に高速部分めつきを行なつた。
記の被めつき物に高速部分めつきを行なつた。
めつき液
NiSO4・6H2O 550ｇ／
H3BO3 35ｇ／
ｏ−スルホ安息香酸イミドナトリウム塩
２ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム 0.01ｇ／ PH 2.5 めつき装置 めつき液の噴流を被めつき物に当てる方式で貯
槽からポンプで噴流式めつきセルにめつき液を送
り、循環させる。
２ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム 0.01ｇ／ PH 2.5 めつき装置 めつき液の噴流を被めつき物に当てる方式で貯
槽からポンプで噴流式めつきセルにめつき液を送
り、循環させる。
被めつき物（陰極）
プリント基板端子：２mm幅、23mm長さの端子が
片面で25個（両面50個） めつき有効面積：0.2dm2（両面） 陽 極 10×70×１mmの白金めつき（2μm）を施したチ
タン板を端子めつき面から15mm離して両側に設
置。
片面で25個（両面50個） めつき有効面積：0.2dm2（両面） 陽 極 10×70×１mmの白金めつき（2μm）を施したチ
タン板を端子めつき面から15mm離して両側に設
置。
めつき条件
DK：25A／ｄm2
DA：約3.6A／ｄm2
液 温：55℃
液流量：770／hr
めつき時間：１分
めつき膜厚：約4μm
以上の方法で約4μmのニツケルめつき皮膜を形
成した後、このニツケルめつき皮膜上へ公知の酸
性金めつきを約2μm電析し、端子Ni−Auめつき
皮膜を得た。
成した後、このニツケルめつき皮膜上へ公知の酸
性金めつきを約2μm電析し、端子Ni−Auめつき
皮膜を得た。
比較のため、実施例１において、ｏ−スルホ安
息香酸イミドのナトリウム塩の代りに１，３，６
−ナフタレントリスルホン酸ナトリウム２ｇ／
を用いたほかは実施例１と同様にして比較例の端
子Ni−Auめつき皮膜を得た。
息香酸イミドのナトリウム塩の代りに１，３，６
−ナフタレントリスルホン酸ナトリウム２ｇ／
を用いたほかは実施例１と同様にして比較例の端
子Ni−Auめつき皮膜を得た。
比較例のニツケルめつき皮膜は、電解の進行に
伴なつて引張り応力が激しく増大し、かつ外観が
不均一になり、ピツトが多発したのみならず、硬
度が増し、柔軟性が低下したために電子部品用と
して不適であつたが、実施例１のニツケルめつき
皮膜は、硬度、応力、柔軟性、外観、耐食性、シ
ヤーリングテスト、有孔度等の要求される全性能
を満足し、ニツケルめつきを不溶性陽極を使用
し、高速で行なつたにもかかわらず、電子部品用
として充分使用できることが判明した。
伴なつて引張り応力が激しく増大し、かつ外観が
不均一になり、ピツトが多発したのみならず、硬
度が増し、柔軟性が低下したために電子部品用と
して不適であつたが、実施例１のニツケルめつき
皮膜は、硬度、応力、柔軟性、外観、耐食性、シ
ヤーリングテスト、有孔度等の要求される全性能
を満足し、ニツケルめつきを不溶性陽極を使用
し、高速で行なつたにもかかわらず、電子部品用
として充分使用できることが判明した。
実施例 ２
実施例１のニツケルめつきを繰返し長期に行な
うために、実施例１のめつき液中の電解に伴つて
減少するｏ−スルホ安息香酸イミドのナトリウム
塩、ニツケルイオンの補給を行なつた。この場
合、それぞれ電解量に応じて適宜ｏ−スルホ安息
香酸イミドのナトリウム塩及び硫酸ニツケルを添
加し、同時にめつき液のPH調整を行なうために炭
酸ニツケルを加えた。また、上記めつき液を
20AH／電解する毎にドライ活性炭10ｇ／で
処理を行ない、分解物を除去すると共に、新たに
ｏ−スルホ安息香酸イミドのナトリウム塩を２
ｇ／加え、600AH／までの長期電解を行な
い、実施例１と同様にニツケルめつき皮膜を得
た。
うために、実施例１のめつき液中の電解に伴つて
減少するｏ−スルホ安息香酸イミドのナトリウム
塩、ニツケルイオンの補給を行なつた。この場
合、それぞれ電解量に応じて適宜ｏ−スルホ安息
香酸イミドのナトリウム塩及び硫酸ニツケルを添
加し、同時にめつき液のPH調整を行なうために炭
酸ニツケルを加えた。また、上記めつき液を
20AH／電解する毎にドライ活性炭10ｇ／で
処理を行ない、分解物を除去すると共に、新たに
ｏ−スルホ安息香酸イミドのナトリウム塩を２
ｇ／加え、600AH／までの長期電解を行な
い、実施例１と同様にニツケルめつき皮膜を得
た。
上記めつき液の建浴時の新液から得られたニツ
ケルめつき皮膜の物性と、600AH／電解した
後のニツケルめつき皮膜物性とを比較すると、両
者はほぼ同一であり、端子めつき用ニツケルめつ
きとして非常に有効であることが判明した。
ケルめつき皮膜の物性と、600AH／電解した
後のニツケルめつき皮膜物性とを比較すると、両
者はほぼ同一であり、端子めつき用ニツケルめつ
きとして非常に有効であることが判明した。
具体的には、０〜600AH／の電解で下記の
通りの特性のめつき皮膜が得られた。
通りの特性のめつき皮膜が得られた。
硬度（マイクロビツカース）：Hv＝450〜580
応力：−10〜10Kg／mm2
折り曲げ：皮膜を定性的に折り曲げテストとし
た結果、皮膜は全て柔軟であつた。
た結果、皮膜は全て柔軟であつた。
シヤーリングテスト：約5μmのニツケルめつき
を施したプリント基板端子をシヤーリングに
よつて切断したが、結果は全て合格であつ
た。
を施したプリント基板端子をシヤーリングに
よつて切断したが、結果は全て合格であつ
た。
有孔度：同様に約5μmのニツケルめつき皮膜を
形成したものについて、フエロキシルテスト
に類似したテストを行なつた結果、有孔度は
２個／cm2以下で、平均0.5個／cm2程度であつ
た。
形成したものについて、フエロキシルテスト
に類似したテストを行なつた結果、有孔度は
２個／cm2以下で、平均0.5個／cm2程度であつ
た。
実施例 ３
NiSO4・6H2O 550ｇ／
H3BO3 35ｇ／
クマリン 0.5ml／
ラウリル硫酸ナトリウム 0.01ｇ／
PH 3.0
上記めつき液を使用し、液温60℃、Dk20A／
ｄm2の条件で幅3.8mm、厚さ0.5mmの銅系フープ材
にニツケルめつき（3μm）を施した。この場合、
陽極としては2μmの白金めつきを施した直径10mm
のチタン棒を使用した。
ｄm2の条件で幅3.8mm、厚さ0.5mmの銅系フープ材
にニツケルめつき（3μm）を施した。この場合、
陽極としては2μmの白金めつきを施した直径10mm
のチタン棒を使用した。
得られためつき皮膜は均一な外観を有し、その
物性も良好で、実施例２と同様に長期間電解によ
つてもめつき物性の低下はなく、０〜600AH／
の電解において、均一な半光沢の外観を有し、
Hv300〜450、応力30〜50Kg／mm2あり、更に折曲
げに対して柔軟で、シヤーリング切断に対しても
問題はなく、フエロキシルテストに類似した方法
で銅上のニツケルめつき皮膜の有孔度を測定した
ところ、有孔度は２個／cm2以下で、平均0.5個／
cm2程度であつた。
物性も良好で、実施例２と同様に長期間電解によ
つてもめつき物性の低下はなく、０〜600AH／
の電解において、均一な半光沢の外観を有し、
Hv300〜450、応力30〜50Kg／mm2あり、更に折曲
げに対して柔軟で、シヤーリング切断に対しても
問題はなく、フエロキシルテストに類似した方法
で銅上のニツケルめつき皮膜の有孔度を測定した
ところ、有孔度は２個／cm2以下で、平均0.5個／
cm2程度であつた。
更に、上記のニツケルめつきを行なつたフープ
を切断加工し、ニツケルめつき部分の半田付け性
テストを行なつたところ、半田付け時の加熱処理
を行なつたにもかかわらず、ニツケルめつきの物
性は殆んど低下せず、良好な半田付け性が得られ
た。
を切断加工し、ニツケルめつき部分の半田付け性
テストを行なつたところ、半田付け時の加熱処理
を行なつたにもかかわらず、ニツケルめつきの物
性は殆んど低下せず、良好な半田付け性が得られ
た。
Claims (1)
- １ ニツケル、コバルト及び鉄から選ばれる１種
以上の金属の硫酸塩を金属イオンの供給源として
含有すると共に、ｏ−スルホ安息香酸イミドの
塩、クマリン、アセチレンアルコール及びそれら
の誘導体から選ばれる添加剤と界面活性剤とを含
有し、かつハロゲンイオンを含有しない電気めつ
き液中に被めつき物を浸漬し、不溶性陽極との間
に電気を流して前記被めつき物を電気めつきする
ことを特徴とする電気めつき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19555085A JPS6256591A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電気めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19555085A JPS6256591A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電気めつき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256591A JPS6256591A (ja) | 1987-03-12 |
| JPH0319307B2 true JPH0319307B2 (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=16342964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19555085A Granted JPS6256591A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 電気めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256591A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116191A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-16 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めっき方法 |
| JPH05331677A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 電気鉄めっき液 |
| JPH05331676A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 電気鉄めっき液 |
| JP5013103B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2012-08-29 | 住友電気工業株式会社 | ピンホールの評価方法 |
| JP5013104B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2012-08-29 | 住友電気工業株式会社 | ピンホールの評価方法 |
| WO2017004424A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Enthone Inc. | Cobalt filling of interconnects in microelectronics |
| US20190226107A1 (en) * | 2016-07-18 | 2019-07-25 | Basf Se | Composition for cobalt plating comprising additive for void-free submicron feature filling |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19555085A patent/JPS6256591A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6256591A (ja) | 1987-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |