JPH03194941A - 半導体チップの樹脂封止方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体チップの樹脂封止方法に係り、特に配線
基板に取付けられた半導体チップとこれに結線されたワ
イヤとを樹脂で封止する半導体チップの樹脂封止方法に
関する。

（従来の技術） ハイブリッドＩＣは配線基板上において半導体チップが
チップ抵抗やチップコンデンサ等にリード端子と配線パ
ターンとによって接続されている。

半導体チップはリード端子にワイヤ結線された後にワイ
ヤと共に樹脂封止される。第５図及び第６図は従来の半
導体チップの樹脂封止方法を示したもので、配線基板１
の四部２に半導体チップ３が埋設され、この半導体チッ
プ３上の電極４と配線基板のリード端子５とがワイヤ６
によって結線される。この結線後に半導体チップ３とワ
イヤ６とは樹脂７によって封止される。半導体チップ３
は配線基板１上に取付けられたチップコンデンサ８やチ
ップ抵抗９などにリード端子５とワイヤ６と配線パター
ン１０とによって接続される。

第７図及び第８図は別の従来の半導体チップの樹脂封止
方法を示したもので、配線基板１に半導体チップ３を取
付け、この半導体チップ１上の電極４とリード端子５と
をワイヤ６によって結線する。この結線後に半導体チッ
プ３とワイヤ６とを取囲むように枠１１を配線基板１に
取付ける。この枠１１内に樹脂７を注入して半導体チッ
プ３とワイヤ６とを封止する。

（発明が解決しようとする課題） ところが、これらの樹脂封止方法のうちの前者の方法は
、配線基板１に凹部２を形成するため基板加工費が高く
なると共に、配線基板１に多数の半導体チップ３を取付
ける場合には多数の凹部２の形成のため配線基板１に反
りが生じ易くなり、これによって半導体チップ３に損傷
を与えるという問題がある。もちろん、このような配線
基板１の反りの発生は配線基板を厚くすることによって
防止することができる。しかしながら、これはハイブリ
ッドＩＣを大型化してしまうという別の問題を招来する
。

後者の方法では、枠１１はワイヤ結線の障害にならない
ようにワイヤ６の結線後に配線基板１に取付けられるの
で、この取付けの際にワイヤ６を潰してしまいハイブリ
ッドＩＣの歩留りを低下させるという問題がある。更に
枠１１は半導体チップ３の大きさや形状に応じて多数用
意しなければならず、これはコストの上昇を招く。

そこで、本発明の目的は配線基板に半導体チップ取付は
用の凹部を形成する必要がなく、かつ枠の取付けを不要
とすることができる半導体チップの樹脂封止方法を提供
することにある。

（課題を解決するための手段の この目的を達成するために本発明は、配線基板上に半導
体チップを取付け、上記配線基板上の複数のリード端子
と上記半導体チップ上の複数の電極とをワイヤで結線し
、この結線後に上記半導体チップと上記ワイヤとを含む
所定領域を取囲むように上記配線基板にソルダーレジス
トインキを塗布し、この塗布後に上記ソルダーレジスト
インキに取囲まれた上記所定領域内に樹脂を塗布し、こ
の樹脂を硬化させて上記半導体チップと上記ワイヤとを
樹脂封止することを特徴とするものである。

この方法にあっては、上記ソルダーレジストインキは上
記樹脂の塗布前に低温度で加熱硬化され、上記樹脂の硬
化後に上記配線基板から剥離されることが好ましい。

また、上記ソルダーレジストインキは上記樹脂の塗布前
に高温度で加熱硬化され、上記樹脂の硬化後も上記配線
基板上に残存されるようにすることもできる。

（作　用） リード端子と半導体チップの電極とをワイヤで結線した
後に、半導体チップとワイヤとを含む所定領域を取囲む
ようにソルダーレジストインキを塗布して、このソルダ
ーレジストインキに取囲まれた所定領域内に樹脂を塗布
し樹脂封止する。

ソルダーレジストインキは、半導体チップの大きさや形
状に関係なく樹脂塗布領域を容易に区画することができ
る。このソルダーレジストインキの使用によって、従来
の半導体チップの樹脂封止方法では必要であった配線基
板の四部や枠が不要になる。

（実施例） 以下、本発明による半導体チップの樹脂封止方法の実施
例を第５図乃至第８図と同一部分には同一符号を付して
示した第１図乃至第４図を参照して説明する。

第１図において、配線基板１の表面には半導体チップ３
とチップコンデンサ８とチップ抵抗９とが取付けられ、
また、配線基板１にはスルーホール１２が複数個穿孔さ
れている。半導体チップ３を取囲むように配線基板１に
形成された複数のリード端子５と半導体チップ３上の複
数の電極４とはワイヤ６によって結線されている。半導
体チップ３とチップコンデンサ８とチップ抵抗９は、ワ
イヤ６とリード端子５と配線パターン１０とによって接
続される。

半導体チップ電極４とリード端子５とのワイヤ結線後に
、ソルダーレジストインキ用の自動デイスペンサ１３が
配線基板１上にソルダーレジストインキ１４をリング状
に塗布する。このソルダーレジストインキ１４の塗布は
半導体チップ３とワイヤ６とを取囲むようにリード端子
５の周囲に行われる。この塗布後にソルダーレジストイ
ンキ１４を低温度で加熱して硬化させる。

このソルダーレジストインキ１４の硬化後に、第２図に
示されたように樹脂用の自動デイスペンサ１５が樹脂７
をソルダーレジストインキ１４によって囲まれた領域内
に塗布する。この樹脂７の塗布後に図示を省略したオー
ブン内で樹脂７を硬化させ、この硬化後に、第３図に示
されたようにピンセット１６を使用してソルダーレジス
トインキ１４を配線基板１から剥離する。ソルダーレジ
ストインキ１４は低温度硬化されたので上述の剥離は容
易に行うことができる。こうして、第４図に示したよう
に樹脂封止された配線基板が完成する。

なお、上記実施例ではソルダーレジストインキ１４はソ
ルダーレジストインキ１４の硬化後に配線基板から剥離
した。しかしながら、本発明は塗布されたソルダーレジ
ストインキ１４を高温加熱で硬化して容易には剥離不可
能とし、樹脂封止後も配線基板１に残存させるようにす
ることもできる。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように本考案によれば、配線基
板上に半導体チップを取付け、上記配線基板上の複数の
リード端子と上記半導体チップ上の複数の電極とをワイ
ヤで結線し、この結線後に上記半導体チップと上記ワイ
ヤとを含む所定領域を取囲むように上記配線基板にソル
ダーレジストインキを塗布し、この塗布後に上記ソルダ
ーレジストインキに取囲まれた上記所定領域内に樹脂を
塗布し、この樹脂を硬化させて上記半導体チップと上記
ワイヤとを封止するため、半導体チップの大きさや形状
に関係なく樹脂塗布領域をソルダーレジストインキによ
って容易に区画することができ、従来の半導体チップの
樹脂封止方法では必要であった配線基板の凹部や枠が不
要になり、作業性が良く安価に半導体チップの樹脂封止
を行うことができる。

気１　図

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は本発明による半導体チップの樹脂封
止方法の一実施例を示した斜視図、第５図は従来の半導
体チップの樹脂封止方法を示した斜視図、第６図は第５
図のＶｌ−Ｖｌ線に沿った断面図、第７図は従来の別の
半導体チップの樹脂封止方法を示した斜視図、第８図は
第７図の■−■線に沿った断面図である。 １・・・配線基板、３・・・半導体チップ、４・・・電
極、５・・・リード端子、６・・・ワイヤ、７・・・樹
脂、１４・・・ソルダーレジストインキ。 為２図 気３図 娩４図 Ｐ）５図 気７図 馬６図 馬８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、配線基板上に半導体チップを取付け、上記配線基板
   上の複数のリード端子と上記半導体チップ上の複数の電
   極とをワイヤで結線し、この結線後に上記半導体チップ
   と上記ワイヤとを含む所定領域を取囲むように上記配線
   基板にソルダーレジストインキを塗布し、この塗布後に
   上記ソルダーレジストインキに取囲まれた上記所定領域
   内に樹脂を塗布し、この樹脂を硬化させて上記半導体チ
   ップと上記ワイヤとを樹脂封止することを特徴とする半
   導体チップの樹脂封止方法。 ２、上記ソルダーレジストインキは上記樹脂の塗布前に
   低温度で加熱硬化され、上記樹脂の硬化後に上記配線基
   板から剥離されることを特徴とする請求項１記載の半導
   体チップの樹脂封止方法。 ３、上記ソルダーレジストインキは上記樹脂の塗布前に
   高温度で加熱硬化され、上記樹脂の硬化後も上記配線基
   板上に残存されることを特徴とする請求項１記載の半導
   体チップの樹脂封止方法。