JPH03197575A

JPH03197575A - コロイド状シリカ研磨性スラリー

Info

Publication number: JPH03197575A
Application number: JP2129344A
Authority: JP
Inventors: Charles C Payne; チャールズ　シー．ペイン
Original assignee: Nalco Chemical Co
Current assignee: ChampionX LLC
Priority date: 1989-06-09
Filing date: 1990-05-21
Publication date: 1991-08-28
Anticipated expiration: 2014-03-31
Also published as: JP2877440B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、シリコンウェーハ又は基板の研磨に特に有用
である新規なコロイド状シリカスラリーを提供する。シ
リコンウェーハは集積回路、半導体デバイス、及びトラ
ンジスタの基本構成素子である、〔従来の技術〕粗く切断されたシリコンウェーハは、電子部品に使用す
るために受は入れられるようになる前に、（５）（６）普通研磨することが必要である。シリカ研磨は、シリコ
ンウェーへの繊細な表面研磨の従来がらの方法である。

この方法には、研磨へッドヘウェーハを配置すること、
続いて研磨ヘッドを回転研磨板の上に配置することが含
まれる。研磨板を研磨パッド（即ち、ポリマー材料を含
む複合パッド）で覆い、そこへ接着剤で保持する。研磨
の間、希釈コロイド状シリカを、ウェーハを繊細に研磨
するために研磨板とシリコンウェー八との間に連続的に
注入する。

コロイド状シリカは普通研磨系で通常−回使用されるが
、シリカとそれに混合される化学薬剤のコストのために
、商業的に受は入れられる再循環系の開発への興味が大
きくなって来た。再循環系は、高温を使用することなく
、従ってウェーハを歪ませることなく、迅速な研磨速度
を与え、そして実質的に研磨工程の間の化学薬剤コスト
を低下させる。都合の悪いことに、長時間使用した場合
に、有機促進剤を含むコロイド状シリカは、微生物及び
菌類の成長を増大させる。細菌汚染は脱色、発臭を起こ
し、コロイド状シリカをウェーハ製造に於ける研磨助剤
として受容できないようにする。

コロイド状シリカ中における微生物及び菌類の成長はよ
く知られている。コロイド状シリカ中の細菌の成長を減
少させるか又は除くために、種々の試みがなされてきた
。いくつかの例が、１９６７年８月１５日発行の米国特
許筒３，３３６，２３６号（Ｍｉｃｈａｌｓｋｉ）、１
９７４年６月１１日発行の同第３．８１６，３３０号（
Ｈａｖｅｎｓ）、１９７５年１月１４日発行の同第３，
８６０，４３１号（Ｐａｙｎｅ）、１９５８年２月１１
日発行の同第２．８２３．１８６号（Ｎｉｃｋｅｒｓｏ
ｎ）、１９５７年７月３０日発行の同第２，８０１，２
１６号（Ｙｏｄｅｒ　ｅｔａｌ、）、１９６２年７月２
４日発行の同第３，０４６，２３４号（Ｒｏｍａｎ　ｅ
ｔ　ａｌ、）、１９６８年４月９日発行の同第３．３７
７．２７５号（旧ｃｈａｌｓｋｉ　ｅｔ　ａｌ）及び１
９６４年９月８日発行の同第３．１４８．１１０号（Ｍ
ｃＧａｈｅｎ）に開示されている。

Ｍｉｃｈａｌｓｋｉの米国特許筒３，３３６，２３６号
には、細菌汚染からコロイド状シリカ水性ゾルを保護す
る方法が開示されている。この特許は、コロイド状シリ
カ水性ゾルが、細菌の成長及び再生を禁止す（７）（８）るために十分な量で亜塩素酸ナトリウムを単に添加する
ことによって細菌汚染から保護できることされる。

Ｈａｖｅｎｓの特許は、ヘキサクロロフェン約１０〜１
１０００ｐｐを含むコロイド状シリカ水性ゾルが、微生
物による汚染から保護できることを示唆している。ヘキ
サクロロフェンの添加は、脱色、悪臭及び汚泥形成を防
止し、コロイド状シリカゾルの貯蔵寿命を１年より長く
増加させることを意図している。

Ｐａｙｎｅの特許及びＮ１ｃｋｅｒｓｏｎの特許は、多
価アルコールを含むシリカ水性ゾル中の細菌成長を制御
することに関している。Ｐａｙｎｅは、殺生物剤を添加
することによって、エロバクター及びシュードモナス細
菌、アスペルギルスナイジエルかび（ａｓｐｅｒｇｉｌ
ｌｕｓ　ｎｉｇｅｒ　ｍｏｌｄ）並びに厄介なデスルホ
ビブリオ（ｄｅｓｕｌｆｏｖｉｂｒｉｏ）及びクロスト
リジウム（ｃｌｏｓｔｒｉｄｉａ）嫌気性細菌のような
有機体の成長を制御するか又は除くことを試みている。

典型的な殺生物剤は、グルタルアルデヒド、エチレンジ
アミン、過酸化水素及ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルで
ある。Ｎ１ｃｋｅｒｓｏｎは、ナトリウムペンタクロロ
フェネートを添加すると、シリカ水性ゾルが硫酸ナトリ
ウムを含有する例に於いてさえも、多価アルコールを含
むシリカ水性ゾルが黒くなるのを防止するか又は禁止す
ることを教示している。

Ｙｏｄｅｒ及びＲｏｍａｎ　ｅｔ　ａｌの特許は、細菌
を抑制するためにグルタルアルデヒドのようなジアルデ
ヒドを使用することを開示している。Ｍｉｃｈａｌｓｋ
ｉｅｔ　ａｌの米国特許筒３，３７７．２７５号及びＭ
ｃＧａｈｅｎは、コロイド状シリカゾルを細菌成長から
保護するためにホルムアルデヒドを使用することを開示
している。ＭｃＧａｈｅｎはまた、殺菌剤として３．５
−ジメチルテトラヒドロＩ　、　３　、５　、１−Ｈ−
チアジアジン−２−チオン類を使用することを開示して
いる。

前記特許のそれぞれは、コロイド状シリカ中の細菌成長
を禁止するための種々の殺生物剤を開示（９）（１０）しているが、前記水性ゾルの何れもシリコンウェーへの
研磨に使用するために満足できない。即ち、前記水性ゾ
ルは、循環研磨系で使用するためには受容できない研磨
速度を有している。

［発明が解決しようとする課題］本発明者は、従来のコロイド状シリカ中に最初は微生物
の成長は存在しないが、スラリーの再循環及び希釈の間
に増大した微生物成長が観察されることを見出した。

再循環される研磨系に於ける微生物成長の理由は明かで
かはなかったので、本発明者は、再循環研磨系を検討し
、細菌及び菌類成長を除くのみならず、この系の研磨速
度を維持し、ある場合には増加させる、新規な種類のコ
ロイド状シリカスラリーを開発することを試みた。

長い実験により、本発明者は、シリコンウェーへの研磨
速度を増大させながら、細菌の成長を禁止する新規な種
類のコロイド状シリカスラリーを開発した。

本発明のその他の利点は、下記のことから明らかになる
であろう。

本発明の第一の目的は、細菌の成長を禁止し、そしてシ
リコンウェーハ研磨速度を増大させることができる新規
なコロイド状スラリーを提供することである。

本発明の他の目的は、研磨パッドを含む研磨板とシリコ
ンウェーハとの間にコロイド状シリカスラリーを再循環
する工程を含むシリコンウェーハを研磨する方法であっ
て、コロイド状シリカ、研磨速度促進剤、殺細菌剤、及
び殺生物剤からなるコロイド状シリカスラリーを使用す
ることによってウェーハの研磨方法を改良することであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の新規なコロイド状シリカスラリーは、コロイド
状シリカ、研磨速度促進剤、殺細菌剤（ｂａｃｔｅｒｉ
ｃｉｄｅ）及び殺生物剤からなり、更に任意的に、殺菌
類剤（ｆｕｎｇｉｃｉｄｅ）を菌類の成長を禁止するた
めに該スラリーに添加することができる。

（１１）（１２）本発明はまた、以下に更に記載される多くの追加の特徴
も含む。

〔好適実施態様の記述〕

電子デバイスに使用するためのシリコンウェーハ又は基
板の研磨に於いて、細菌及び菌類の成長を避け、同時に
系の研磨速度を増大させるコロイド状シリカスラリーを
再循環することが好ましい。

シリコンウェーハ又は基板は、集積回路、半導体デバイ
ス及びトランジスタの基本的構成素子である。

本発明のコロイド状シリカスラリーは、コロイド状シリ
カ、研磨速度促進剤、殺細菌剤及び殺生物剤からなる。

菌類が存在する場合には、該スラリーに殺菌類剤を添加
することが望ましい。

コロイド状シリカは約１〜６０％、好ましくは約５０％
の量で存在することが好ましい。研磨速度促進剤は約１
〜５％の量で存在する。殺細菌剤は約０．１０〜１．２
５％、好ましくは０．２５〜０．７５％、更に好ましく
は０．５〜０．７５％の量で存在する。殺生物剤は、約
０〜５００ｐｐｍ、好ましくは６５〜１１００ｐｐの量
で存在する。殺菌類剤は約Ｏ〜２．０％、好ましくは０
〜０．８％、更に好ましくは０．８％の量でコロイド状
シリカスラリーに添加される。

ユ旦不上秋之悲左コロイド状シリカスラリーは典型的にコロイド状シリカ
と水、好ましくは脱イオン水との混合物である。コロイ
ド状シリカはどのような平均粒子サイズを有しても良く
、また種々のサイズのシリカ粒子の混合物であっても良
い。本発明者は約４〜２００ナノメーター（ｎｍ）、好
ましくは５０〜１１００ｎの範囲の最終又は極限（ｕｌ
ｔｉｍａｔｅ）的粒子サイズが満足されることを見出し
たが、好ましい粒子サイズは特定の応用に依存するであ
ろう。

この応用に使用できる一種のコロイド状シリカは、４０
％固形分、３５〜５５ｎｍの間の粒子サイズ、安定化カ
チオンとしてナトリウムを有するｐＨ８，５を有する。

他のものは、５０％固体、５０〜７０ｎｍの間の粒子サ
イズ、そして安定化カチオンとしてナトリウムを有し、
ｐＨ８，４である。更に他のものは３０％（１３）（１４）固形分、１０〜１６ｎｍの間の粒子サイズ、安定化カチ
オンとしてナトリウムを有し、ｐＨ１０，２である。ま
た、５０％固形分、１６〜２５ｎｍの間の粒子サイズ、
安定化カチオンとしてナトリウムを有し、ｐＨ９，ｏで
あるコロイド状シリカを使用することも可能である。

本発明のシリカ研磨スラリーを調製する際に、コロイド
状シリカを沈澱シリカ、熱分解シリカ（ｆｕｍｅｄ　５
Ｎｉｃａ）、又はシリカゲルの何れかで置き換えること
も可能である。

研ＩＬｔ度１」Ｅ肘研磨速度促進剤は任意のアミン／窒素化合物であっても
良い。しかしながら、研磨速度促進剤は、第一級アミン
、第二級アミン、第三級アミン及び複素環アミンからな
る群から選択された少なくとも一種の化合物であること
が好ましい。第四級アミンが使用できるが、他の種類の
アミンの一種と組み合わせた場合のみ好ましい。上記の
分類には当業者に公知であるこれらの全ての混合物が含
まれるものとする。

選択された第一級アミンはモノエタノールアミン、イソ
プロピルアミン、エチレンジアミン及びプロパンジアミ
ンである。選択された第二級アミンはジェタノールアミ
ン、ジプロピルアミン及びジブチルアミンである。選択
された第三級アミンはトリエタノールアミンである。選
択された第四級アミンはテトラメチルアンモニウムクロ
ライド又はヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムク
ロライド又はヒドロキシド及びテトラプロピルアンモニ
ウムクロライド又はヒドロキシドである。

選択された複素環アミンはへキサメチレンジアミン、ビ
ス（アミノプロピル）ピペラジン及びピペラジンである
。研磨速度促進剤は、また、ジエチレントリアミン、ト
リエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン及び
アミノエチルエタノールアミンからなる群から選択され
た一種の化合物とすることができる。

（１５）（１６）イド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラプ
ロピルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド及びテトラプロピルアンモニウムヒドロキシドから
なる群から選択される少なくとも一種の化合物である。

好ましい殺細菌剤は、二つの機能を果たすもの、即ち、
殺細菌剤及びアミンと組み合わさって研磨速度増強剤で
あるものである。

殺生吻■ 好ましい殺生物剤は亜塩素酸ナトリウムである。

ｕ皿皿遁好まし殺菌類剤はナトリウムオマジン（ｏｍａｄｉｎｅ
）（ピリチオン）である。

本発明はまた、研磨パッドを含む研磨板とシリコンウェ
ーハとの間にコロイド状シリカスラリーを再循環する工
程を含むシリコンウェーハを研磨する方法であって、コ
ロイド状シリカ、研磨速度促進剤、殺細菌剤及び殺生物
剤からなるコロイド状シリカスラリーを使用することを
特徴とする改良方法を含む。

〔実施例〕

本発明の新規なコロイド状シリカスラリーの有効性は、
下記の実施例により最も良く示すことができる。

［この例は、好気性細菌及びかびを除去する際の殺生物剤
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡ−ＯＨ
）又はテトラメチルアンモニウムクロライド（ＴＭＡ−
ＣＬ）の効果を示す。試料ｌ及び１７はシリコンウェー
ハの研磨に使用される従来のコロイド状シリカであり、
他方試料２〜１４は、選択されたシリカスラリーである
。

下記の結果を出すのに使用した微生物学的試験方法は以
下の通りである。

（１）生成物１部を水２０部で希釈する（ｐＨ調整はし
ない）；（２）生成物に、（ａ）アスペルギルスナイジエル、（
ｂ）シュードモナスエルギノーサ（ｐｓｅｕｄｏｍｏｎ
ｕｓ（１７）（１８）ａｅｒｕｇｉｎｏｓａ）及び（ｃ）エロバクターエロゲ
ン（ａｅｒ。

ｂａｃｔｅｒ　ａｅｒｏｇｅｎｅｓ）からなる細菌／か
び接種をする；（３）接種した試料を３７°Ｃに調節した部屋の中の回
転振盪器（１００ｒｐｍで連続的に回転する）の上に置
く；そして、（４）０時間、１週間、及び２週間で標本抽出し、下記
の条件下で生物を成長させる：（ａ）全数＝３７°Ｃで７２時間ＴＧＥ寒天培地（トリ
プトン−グルコース抽出）を使用して操作する、（ｂ）
アスペルギルス：３０°Ｃで９６時間じゃがいもデキス
トロースを使用して操作する、そして（ｃ）エロバクタ
ー：３７°Ｃで２４時間ＥＭＢ寒天培地（エオシンメチ
レンブルー）を使用して操作する。

下記第１〜５表は、微生物学的試験の結果を示す。９９
．０％又はそれ以上の死滅は、受容できるコロイド状シ
リカスラリーであると考えられる。

（１９）第−又一表ＴＭＡ−ＯＨ微生物学的結果第２表は、細菌及びかびへの２及び３倍大きいＴＭＡ−
ＯＨの影響を示している。ピペラジン系は、細菌及びか
びにおていＡＲＥＡより以上に著しい減少を示している
が、かびＣｔｓは些細であった。

（２１）第一１−表ＴＭＡ−ＯＨ微生物学的結果ＡＥＥ八は、アミノエチルエタノールアミンＰＩＦは、
ピペラジンを示す。

第１表は、亜塩素酸ナトリウムが有るとき及び無いとき
の細菌及びかびへのＴＭＡ−０１ルベルの影響を示して
いる。この結果は、亜塩素酸ナトリウム及びナトリウム
オマジン（ピリチオン）無しに０、２５％活性ＴＭＡ−
ＯＨが２週間後に生成物を禁止することを示している。

（２０）第一ユー表ＴＭＡ−ＯＦＩ微生物学的結果かびを制御するためのナトリウムオマジン（ピリチオン
）の添加が第３表で明示される。２週間試験の結果では
ピペラジン系では殆ど全部死滅であった。しかしながら
、かびＣｔｓはなお些細であった。

（２２）第−Ａ−表ＴＭＡ−Ｏ１ｌ微生物学的結果第−五一表研磨速度へのより高いＡＥＥＡレベルの影響を第４表に
示す。ＡＲＥＡのより高いレベルは、実際にはコロイド
状シリカスラリーの研磨速度を増大させなかった。塩素
が有るか又は無いより高いＡＲＥＡは、細菌及びかびの
両方を制御することを助けていると思われる。

第５表は、ＴＭＡ−ＯＨの代わりにテトラメチルアンモ
ニウムクロライド（耐へ−ＣＬ）がコロイド状シリカス
ラリーへ有する影響を示している。この結果は、ＴＭＡ
−ＣＬが２週間後に細菌及びかびを制御するためにＴＭ
Ａ−Ｏｌｌと大体同じように有効であることを示してい
る。ＴＭＡ−ＣＬ、ナトリウムオマジン、及び亜塩素酸
ナトリウムを有する系を使用する試験は、細菌及びかび
の両方の優れた制御を与えた。

尖隻桝Ｉ種々の試料を製造し、従来のコロイド状シリカに対して
研磨スラリーとして評価した。試料１はアミノエチルエ
タノールアミン（２３）（２４）従来のコロイド状シリカであり、試料１７はアミノエチ
ルエタノールアミン５％を含む従来のコロイド状シリカ
である。

上記第６，７及び８表に示すフィールド試験を下記の操
作パラメーターで行った。研磨機は、それぞれ７個の４
インチウェーハを保持できる、４個の１８インチヘッド
を有する３６インチ直径のプラテンを有するＳｉｌｔｅ
ｃ　３８００であった。ウェーハは、Ｔｙｇｈ　Ｓｉｌ
ｉｃｏｎから入手した、Ｐ−１００型、ホウ素ドープ、
４インチ直径×２．２±０．２ｍｉｌ　；　　ＫＯＨエ
ッチ、３０．０〜６０．０の固有抵抗のものであった。

テンプレート組体は、１２ｍｉｌのポケットを有するＰ
ＳＡ■であり、各８回操作した後に取り替えた。研磨パ
ッドは３６インチ直径のＳｕｂａ　５００で有り、操作
毎に取り替えた。

フィールド試験のための研磨条件は、研磨圧１５０ゲー
ジ（５．５５１ｂ／　ｉｎ２）、研磨速度６５〜６６Ｐ
ＰＭ、研磨温度３２〜３５°及び４２〜４５°、ｐＨ１
１．０〜１１．１、ＫＯＨアルカリ性、流速２１０ｍＬ
／分、ウオーミングアツプ操作１０分間及び研磨時間２
０分間であった。

フィールド試験の結果は下記の研磨試験方法を使用して
得た。

（１）新しい研磨パッドを機械の上に置く、（２）先ず
脱イオン水で洗浄し、次いで安全剃刀の刃でパッドを削
ってパッドを仕上げる、（３）ウェーへのセットを機械
に取り付ける、（４）ラインを除きパッドを浸漬するた
めにスラリーを流し始める、（５）所望の圧力及び流速で５分間ウオーミングアツプ
を行う（温度をチエツクしそれによって調節する）、（６）実施操作が終わった後、ウェーハを洗浄し、キャ
リヤ一体からウェーハを取り除き良好なウェーハで置き
換える、（７）　２０分間実施操作を行う、（８）ウェーハを洗浄し、支持体からウェーハを取り除
き、再び洗浄し、熱水（≧１７０６Ｆ）中に５〜１０分
間置く、そして（９）ウェーハを空気乾燥する。

（２５）（２６）第−」し−表第一１−表２％ＡＥＥＡ５％ＡＥＥＡ１％ＡＥＥＡ１％ＡＲＥ＾１％　ＰＩＰ０、５００．７５０．５０Ｏ，０８０，０８０，０８２９±１０２７±１０３３±　４２８±　８３１±　４０．６８０．６８０．５８０．６８０．６２０．０３０゜０５０．０６０．０３０．０４第６表では、同じ研磨条件を使用して、従来のコロイド
状シリカ（試料ｌ及び１７）に対する本発明の種々のコ
ロイド状シリカスラリーの研磨速度を比較している。＾
ＥＥ＾系はＴＭ＾−ＯＨのレベルによって影響される。

即ち、１％ＡＥＥＡを有する０、７５％活性ｒＭａ−ｏ
Ｈが、従来のコロイド状シリカ（試料１）に相当する研
磨速度を得るために必要である。

Ａは、４０％固形分、３５〜５５ｒ＋＋ｎの間の粒子サ
イズ、安定化カチオンとしてナトリウムを有するｐＨ８
，５のペースシリカゾルを表す。

Ｂは、５０％固形分、５０〜７０ｎｍの間の粒子サイズ
、安定化カチオンとしてナトリウムを有するｐＨ８，４
のペースシリカゾルを表す。

（２７）（２８）第−且一表Ａは、４０％固形分、３５〜５５ｎｍの間の粒子サイズ
、安定化カチオンとしてナトリウムを有するｐＨ８，５
のベースシリカゾルを表す。

Ｂは、５０％固形分、５０〜７０ｎｍの間の粒子サイズ
、安定化カチオンとしてナトリウムを有するｐＨ８，４
のベースシリカゾルを表す。

第７表及び第８表には、ＴＭＡ−ＯＲ及び／又はＴＭＡ
−ＣＬが有る及び無い高アミンレベルの生成物を使用し
たフィールド試験の研磨結果が示されている。

二の結果は、アミンの種類及び温度が、改良された研磨
速度のための重要な変数であることを示している。更に
、ＴＭＡ−ＯＨ及び耐＾−ＣＬが、研磨速度に於ける改
良を起こしていると思われる。

本発明者は、本発明によるいくつかの態様を示し記述し
たが、同じものは当業者に明らかな多数の変形及び修正
が許されることが明らかに理解されるべきである。それ
で、本発明者は、示され記述された発明の詳細な説明に
限定されるものではなく、特許請求の範囲に入る全ての
変形及び修正が本発明の技術的範囲に包含されることは
いうまでもない。

Claims

【特許請求の範囲】１、コロイド状シリカ、研磨速度促進剤、殺細菌剤及び
殺生物剤を含んで成る、コロイド状シリカスラリー。２、該コロイド状シリカが約１〜６０％の範囲の量で存
在し、該研磨速度促進剤が約１〜５％の範囲の量で存在
し、該殺細菌剤が約０．１０〜１．２５％の範囲の量で
存在し、そして該殺生物剤が約０〜５００ｐｐｍの範囲
の量で存在する、請求項１記載のコロイド状シリカスラ
リー。３、該殺細菌剤が約０．２５〜０．７５％の範囲の量で
存在する請求項２記載のコロイド状シリカスラリ４、該
殺細菌剤が約０．５〜０．７５％の範囲の量で存在する
請求項３記載のコロイド状シリカスラリ５、該殺生物剤
が約６５〜１００ｐｐｍの範囲の量で存在する請求項２
記載のコロイド状シリカスラリ６、該コロイド状シリカ
スラリーが更に殺菌類剤を含む請求項１記載のコロイド
状シリカスラリ７、該殺菌類剤が約０〜２．０％の範囲
の量で存在する請求項６記載のコロイド状シリカスラリ
ー。８、該殺菌類剤が約０〜０．８％の範囲の量で存在する
請求項７記載のコロイド状シリカスラリー。９、該殺菌類剤が約０．１〜０．５％の範囲の量で存在
する請求項８記載のコロイド状シリカスラリ１０、該コ
ロイド状シリカが約４〜２００ナノメートルの範囲の最
終粒子サイズを有する請求項１記載のコロイド状シリカ
スラリー。１１、該コロイド状シリカが、約５０〜１００ナノメー
トルの範囲の最終粒子サイズを有する請求項１記載のコ
ロイド状シリカスラリー。１２、該コロイド状シリカが約１〜６０％の範囲の固体
、約４〜２００ナノメートルの範囲の粒子サイズ及び約
８〜１２．５の範囲のｐＨを有する請求項１記載のコロ
イド状シリカスラリー。１３、沈澱シリカ、熱分解シリカ及びシリカゲルからな
る群から選択された少なくとも１種の物質で、該コロイ
ド状シリカを置き換える請求項１記載のコロイド状シリ
カスラリー。１４、該研磨速度促進剤が第一級アミン、第二級アミン
、第三級アミン及び複素環アミンからなる群から選択さ
れた少なくとも一種の化合物である請求項１記載のコロ
イド状シリカスラリー。１５、該研磨速度促進剤が少なくとも１種の第四級アミ
ンを含む請求項１４記載のコロイド状シリカスラリー。１６、該第一級アミンがモノエタノールアミン、イソプ
ロピルアミン、エチレンジアミン及びプロパンジアミン
からなる群から選択される請求項１４記載のコロイド状
シリカスラリー。１７、該第二級アミンがジエタノールアミン、ジプロピ
ルアミン及びジブチルアミンからなる群から選択される
請求項１４記載のコロイド状シリカスラリー。１８、該第三級アミンがトリエタノールアミンである請
求項１４記載のコロイド状シリカスラリー。１９、該第四級アミンがテトラメチルアンモニウムクロ
ライド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラ
プロピルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド及びテトラプロピルアンモニウムヒドロキシドか
らなる群から選択される請求項１５記載のコロイド状シ
リカスラリ２０、該複素環アミンがヘキサメチレンジア
ミン、ビス（アミノプロピル）ピペラジン及びピペラジ
ンからなる群から選択される請求項１４記載のコロイド
状シリカスラリー。２１、該研磨速度促進剤がジエチレントリアミン、トリ
エチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン及びア
ミノエチルエタノールアミンからなる群から選択される
請求項１記載のコロイド状シリカスラリー。２２、該殺細菌剤がテトラメチルアンモニウムクロライ
ド、テトラエチルアンモニウムクロライド、テトラプロ
ピルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド及びテトラプロピルアンモニウムヒドロキシドからな
る群から選択された少なくとも１種の化合物である請求
項１記載のコロイド状シリカスラリー。２３、該殺生物剤が亜塩素酸ナトリウムである請求項１
記載のコロイド状シリカスラリー。２４、該殺菌類剤がナトリウムオマジンである請求項６
記載のコロイド状シリカスラリー。２５、研磨パッドを含む研磨板とシリコンウェーハとの
間にコロイド状シリカスラリーを再循環する工程を含む
シリコンウェーハを研磨する方法において、コロイド状
シリカ、研磨速度促進剤、殺細菌剤及び殺生物剤からな
るコロイド状シリカスラリーを使用することを特徴とす
る方法。２６、該コロイド状シリカが約１〜６０％の範囲の量で
存在し、該研磨速度促進剤が約１〜５％の範囲の量で存
在し、該殺細菌剤が約０．１０〜１．２５％の範囲の量
で存在し、そして該殺生物剤が約０〜５００ｐｐｍの範
囲の量で存在する請求項２５記載のコロイド状シリカス
ラリー。２７、該コロイド状シリカスラリーが、殺菌類剤も含む
請求項２５記載の方法。２８、該殺菌類剤が約０〜０．８％の範囲の量で存在す
る請求項２７記載のコロイド状シリカスラリー。