JPH03198363A - 半導体ユニットのダイシング方法 - Google Patents
半導体ユニットのダイシング方法Info
- Publication number
- JPH03198363A JPH03198363A JP1339483A JP33948389A JPH03198363A JP H03198363 A JPH03198363 A JP H03198363A JP 1339483 A JP1339483 A JP 1339483A JP 33948389 A JP33948389 A JP 33948389A JP H03198363 A JPH03198363 A JP H03198363A
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- Japan
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- dicing
- semiconductor
- dicing method
- water
- semiconductor units
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、薄膜半導体を含む絶縁基板等をダイシングす
る方法に関する。
る方法に関する。
石英−薄膜半導体一接着剤一薄板ガラスといったような
層構成をもつ半導体やイメージセンサは１通常、大型基
板上に多数個のユニットを一度に形成しておき、これを
ダイヤモンドブレード等を用いて切削し、個々のユニッ
トを得ている。
層構成をもつ半導体やイメージセンサは１通常、大型基
板上に多数個のユニットを一度に形成しておき、これを
ダイヤモンドブレード等を用いて切削し、個々のユニッ
トを得ている。
ダイシングのさいには、ブレードと切削面は摩擦により
高温（例えば８００℃）となるので、従来、この個所に
純水を流して冷却していた。
高温（例えば８００℃）となるので、従来、この個所に
純水を流して冷却していた。
半導体装置においては、目にみえないヒビ割れから湿分
や水が侵入し、これが半導体の機能低下や不良をひきお
こすことは知られていたし、またチッピングを最小限に
抑えるという課題も存在していたが、これらの原因が純
水の冷却によるものであることは知られていなかった。
や水が侵入し、これが半導体の機能低下や不良をひきお
こすことは知られていたし、またチッピングを最小限に
抑えるという課題も存在していたが、これらの原因が純
水の冷却によるものであることは知られていなかった。
ところが、本発明者の研究によれば、予想だにしないこ
とであるが従来、ブレードと切削面の高温を下げるため
に使用されていた水がヒビ割れ発生やチッピング等の原
因の１つになっていることが判明した。
とであるが従来、ブレードと切削面の高温を下げるため
に使用されていた水がヒビ割れ発生やチッピング等の原
因の１つになっていることが判明した。
そこで、その原因についてさらに研究を進めた結果、水
は沸点が１００℃であるため、切断面は１００℃以下ま
で急冷され、この急冷の結果、ヒビ割れやチッピングが
おこったり、接着剤やガラス等の破損がおこっているこ
とがわかった。
は沸点が１００℃であるため、切断面は１００℃以下ま
で急冷され、この急冷の結果、ヒビ割れやチッピングが
おこったり、接着剤やガラス等の破損がおこっているこ
とがわかった。
本発明の目的は、切削面の急冷をおこさないで、ダイシ
ングを行う方法を提供する点に−ある。
ングを行う方法を提供する点に−ある。
本発明は、絶縁基板上に形成された薄膜半導体よりなる
半導体ユニットをダイシングするにさいし、 ａ）沸点が少くとも１５０〜３００℃ ｂ）抵抗力Ｉ Ｘ １０−” Ｑ ａｍ−”以上Ｃ）比
熱が０．６ｃａｌ・ｇ−１４−１以下である有機化合物
系切削液を使用することを特徴とするダイシング方法に
関する。
半導体ユニットをダイシングするにさいし、 ａ）沸点が少くとも１５０〜３００℃ ｂ）抵抗力Ｉ Ｘ １０−” Ｑ ａｍ−”以上Ｃ）比
熱が０．６ｃａｌ・ｇ−１４−１以下である有機化合物
系切削液を使用することを特徴とするダイシング方法に
関する。
本発明の切削液の例としては、
１．３−ピロパンジオール（Ｂ、Ｐ、２１４℃）、ジエ
チレングリコールモノブチルエーテル（Ｂ、Ｐ、２３０
℃）、 ジエチレングリコール（Ｂ 、 Ｐ 、２４５℃）、ト
リエチレングリコール（Ｂ、Ｐ、２７６℃）、グリセリ
ン（Ｂ 、 Ｐ 、２９０℃）、等の水と親和性が極め
て大きい化合物や。
チレングリコールモノブチルエーテル（Ｂ、Ｐ、２３０
℃）、 ジエチレングリコール（Ｂ 、 Ｐ 、２４５℃）、ト
リエチレングリコール（Ｂ、Ｐ、２７６℃）、グリセリ
ン（Ｂ 、 Ｐ 、２９０℃）、等の水と親和性が極め
て大きい化合物や。
プロピルベンゼン（Ｂ、Ｐ、１６０℃）ブチルベンゼン
（第１級ブチルＢ、Ｐ、１８３℃。
（第１級ブチルＢ、Ｐ、１８３℃。
第２級Ｂ、Ｐ、 １７３℃、第３級１６９℃）、メチル
ナフタレン（Ｂ、Ｐ、２４５℃）エチルナフタレン（Ｂ
、Ｐ、２５８℃）ビフェニル（Ｂ、Ｐ、２５６℃） ジフェニルメタン（Ｂ、Ｐ、２６６℃）トリフェニルメ
タン（Ｂ、Ｐ、３５８℃）等を挙げることができる。
ナフタレン（Ｂ、Ｐ、２４５℃）エチルナフタレン（Ｂ
、Ｐ、２５８℃）ビフェニル（Ｂ、Ｐ、２５６℃） ジフェニルメタン（Ｂ、Ｐ、２６６℃）トリフェニルメ
タン（Ｂ、Ｐ、３５８℃）等を挙げることができる。
なお、これら切削液のうち、水溶性のものは水洗による
後処理のみでよいが、非水溶性のものは、例えばトリク
レン→アセトン→アルコールという順次洗浄を行うこと
が好ましい。
後処理のみでよいが、非水溶性のものは、例えばトリク
レン→アセトン→アルコールという順次洗浄を行うこと
が好ましい。
ダイシングに使用した装置の概略図を第１図に示す。
３１はダイヤモンドブレード、２０は実施例のダイシン
グに使用した半導体ユニットで、その層構成は第３図に
示す、３２は半導体ユニットを保持するためのテープ、
３３は半導体ユニットを確保するための真空チャックテ
ーブルである。
グに使用した半導体ユニットで、その層構成は第３図に
示す、３２は半導体ユニットを保持するためのテープ、
３３は半導体ユニットを確保するための真空チャックテ
ーブルである。
実施例における半導体ユニットの層構成は、１が石英基
板、２は多結晶シリコン膜、３はゲート絶縁膜、４は多
結晶シリコン膜よりなるゲート、５は５ｉｎｓよりなる
層間絶趣膜。
板、２は多結晶シリコン膜、３はゲート絶縁膜、４は多
結晶シリコン膜よりなるゲート、５は５ｉｎｓよりなる
層間絶趣膜。
６はＡＱ電極、７はパッシベーション膜（Ｓｉ□Ｎ４）
、８はエポキシ系接着剤、９は薄板ガラスである。
、８はエポキシ系接着剤、９は薄板ガラスである。
実施例１
前記半導体ユニットを前記装置により切削液としてジエ
チレングリコール（Ｂ、Ｐ、２４５℃）を使用し、ダイ
ヤモンドブレードの回転数６００Ｏｒ、ｐ、ｍ、カッテ
ィングスピード６０！ＩＩｌ／ｌ１ｉｎでダイシングし
た。
チレングリコール（Ｂ、Ｐ、２４５℃）を使用し、ダイ
ヤモンドブレードの回転数６００Ｏｒ、ｐ、ｍ、カッテ
ィングスピード６０！ＩＩｌ／ｌ１ｉｎでダイシングし
た。
その結果を第１表に示す。
実施例２
切削液として、アルキルベンゼン（Ｂ、Ｐ、１７６℃）
を使用する以外は実施例１と同様である。
を使用する以外は実施例１と同様である。
実施例３
切削液として、アルキルナフタレン（Ｂ、Ｐ。
３２６℃）を使用する以外は実施例１と同様である。
対 照
切削液として純水を使用する以外は実施例１と同様であ
る。
る。
第１表
ものである。
本発明によりチッピングの幅を減少させることができ、
又、切断後のデバイスの耐水性テストでも良好な結果か
えられ、薄板ガラス等の割れもなく、信頼性のある半導
体装置、イメージセンサ等を提供できる。
又、切断後のデバイスの耐水性テストでも良好な結果か
えられ、薄板ガラス等の割れもなく、信頼性のある半導
体装置、イメージセンサ等を提供できる。
第１図は、本発明の方法を実施するときに使用するダイ
シング装置の１例を示す断面図である。 第２図は、最大チッピング幅の測定方法を説明するため
のものである。 第３図は、本発明の実施例で用いた半導体ユニットの層
構成を示す断面図である。 １・・・絶縁基板 ２・・・多結晶シリコン膜３
・・・ゲート絶縁膜 ４・・・ゲート５・・・層間絶
縁膜 ６・・・ＡＱ電極７・・・パッシベーション
膜 ８・・・接着剤 ９・・・薄板ガラス２０・・
・半導体ユニット ３１・・・ブレード３２・・・テー
プ ３３・・・真空チャックテーブル
シング装置の１例を示す断面図である。 第２図は、最大チッピング幅の測定方法を説明するため
のものである。 第３図は、本発明の実施例で用いた半導体ユニットの層
構成を示す断面図である。 １・・・絶縁基板 ２・・・多結晶シリコン膜３
・・・ゲート絶縁膜 ４・・・ゲート５・・・層間絶
縁膜 ６・・・ＡＱ電極７・・・パッシベーション
膜 ８・・・接着剤 ９・・・薄板ガラス２０・・
・半導体ユニット ３１・・・ブレード３２・・・テー
プ ３３・・・真空チャックテーブル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に形成された薄膜半導体よりなる半導体
ユニットをダイシングするにさいし、ａ）沸点が少くと
も１５０〜３００℃ ｂ）抵抗が１×１０＾−＾８Ωｃｍ＾−＾１以上ｃ）比
熱が０．６ｃａｌ・ｇ＾−＾１・Ｋ＾−＾１以下である
有機化合物系切削液を使用することを特徴とするダイシ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1339483A JPH03198363A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体ユニットのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1339483A JPH03198363A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体ユニットのダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03198363A true JPH03198363A (ja) | 1991-08-29 |
Family
ID=18327893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1339483A Pending JPH03198363A (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体ユニットのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03198363A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1011077C2 (nl) * | 1999-01-19 | 2000-07-20 | Meco Equip Eng | Werkwijze en inrichting voor het langs een snijlijn(en) van elkaar scheiden van met een gemeenschappelijke drager gevormde producten. |
| KR20230034885A (ko) | 2021-09-03 | 2023-03-10 | 가부시기가이샤 디스코 | 다이아몬드 웨이퍼의 분할 방법 및 칩의 제조 방법 |
| KR20230039546A (ko) | 2021-09-13 | 2023-03-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 보호막제 및 피가공물의 가공 방법 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP1339483A patent/JPH03198363A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1011077C2 (nl) * | 1999-01-19 | 2000-07-20 | Meco Equip Eng | Werkwijze en inrichting voor het langs een snijlijn(en) van elkaar scheiden van met een gemeenschappelijke drager gevormde producten. |
| EP1022779A1 (en) * | 1999-01-19 | 2000-07-26 | Meco Equipment Engineers B.V. | Method and device for separating products, mounted on a common substrate, from each other, along (a) cutting line(s) |
| SG85684A1 (en) * | 1999-01-19 | 2002-01-15 | Meco Equip Eng | Method and device for separating products, mounted on a common substrate, from each other along (a) cutting line (s) |
| KR20230034885A (ko) | 2021-09-03 | 2023-03-10 | 가부시기가이샤 디스코 | 다이아몬드 웨이퍼의 분할 방법 및 칩의 제조 방법 |
| US12293915B2 (en) | 2021-09-03 | 2025-05-06 | Disco Corporation | Diamond wafer dividing method and chip manufacturing method |
| KR20230039546A (ko) | 2021-09-13 | 2023-03-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 보호막제 및 피가공물의 가공 방법 |
| US12368049B2 (en) | 2021-09-13 | 2025-07-22 | Disco Corporation | Protective film agent and processing method of workpiece |
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