JPH03200101A - 太陽光遮蔽アセンブリ - Google Patents

太陽光遮蔽アセンブリ

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JPH03200101A
JPH03200101A JP2322248A JP32224890A JPH03200101A JP H03200101 A JPH03200101 A JP H03200101A JP 2322248 A JP2322248 A JP 2322248A JP 32224890 A JP32224890 A JP 32224890A JP H03200101 A JPH03200101 A JP H03200101A
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layer
assembly
metal
plunger
glass
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JP2322248A
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Stephen L Kessel
ステイーブン・ルーク・ケツセル
George E Mont
ジヨージ・エドワード・モント
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Monsanto Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、金属／誘電体スタックを用いる太陽光遮蔽及
び／又は電気的に加熱可能な層状アセンブリに関し、特
にエネルギー吸収性プラスチック中間層を有する＠記ア
センブリに関する。
可視光線を透過させながら赤外線を反射するために、窓
に金属／誘電体スタックを設けることは公知である。１
つ又はそれ以上の窓にスタックを設けると、その限定領
域内の太陽放射熱によって上った温度を低下させること
ができる。これらのスタックは干渉フィルタと呼ばれ、
反射金属からなる層の少なくとも一層が反射抑制又は反
射防止誘電体層間にサンドイッチされている。霜取りも
しくは除氷及び／又は曇り止めのために金属層を電気的
に加熱することも公知である。自動車のフロントガラス
のための代表的な構造は、国際出願公開第ＷＯ８＆１０
１２３０号及び米国特許第４．７９９．７４５号に開示
されている。
干渉フィルタを積層ガラスアセンブリ、特に車両のフロ
ントガラスのガラスと組合わせる場合には、例えばフロ
ントガラスを貫通することなく車両内の搭乗者の頭上か
らの打撃を吸収するために、アセンブリに可塑化ポリビ
ニルブチラール（ＰｖＢ）のショック消散性中間層を包
含するのが望ましい。このＰＶＢ層と接触させるために
、干渉フィルタ、すなわち金属／誘電体スタックの成分
として種々の反射防止誘電体層が提案されている。
例えば米国特許第４．７８６．７８３号を参照されたい
。
残念ながら、このような干渉フィルタ及びＰＶＢ層を有
する多層積層窓ガラスの一体性は、使用期間が長くなる
と劣化する。
発明の要約 従来の太陽光遮蔽アセンブリにおける欠点を軽減する改
良が成されてきた。
本発明の主目的は、可塑化ＰＶＢ層を含有する窓（フロ
ントガラスを含む）用太陽光遮蔽及び／又は電気的に加
熱可能なアセンブリの性能を改良することである。
別の目的は、日光に暴露中の金属／誘電体スタックと可
塑化ＰＶＢ層との間の長期的な接着安定性を改良するこ
とである。
特定の目的は、長期間ＵＶ照射に暴露される、可塑化Ｐ
ＶＢ層を用いた太陽光遮蔽アセンブリの実用寿命を延ば
すことである。
本発明のその他の目的は、以下の説明並びに請求の範囲
の記載から明白もしくは自明であろう。
これらの目的は、太陽光遮蔽アセンブリの可塑化ＰＶＢ
層と接触する特定の誘電体層、即ち珪素の酸化物又は酸
化タンタルが可塑化ＰＶＢ層と太陽光遮蔽アセンブリと
の結合の長期安定性を助長するという本発明の知見によ
って達成される。
本発明により提供される太陽光線遮蔽アセンブリは、可
塑化ポリビニルブチラール層と、１つ又はそれ以上の光
反射金属層及び２つ又はそれ以上の反射防止層から成る
金属／誘電体スタックとを有し、Ｔａ２Ｏ５又はＳｉＯ
ｘ（式中、Ｘ≦２）のキャップ層が可塑化ポリビニルブ
チラール層と面接着しており、アセンブリはガラスに積
層されたとき、フェードオメーター、、ウェザーオメー
ター又は同等のシステムにおいて少なくとも１０００時
間のＵＶ照射暴露後少な（とも３のプランジャー接着力
（ｐｏｍｍｅｌ　ｘｄｈｅ＋１ｏｎ）　を示す。
発明の詳細な説明 本発明では、１）太陽光遮蔽アセンブリの金属／誘電体
スタックに結合している慣用の可塑化ＰＶＢが太陽スペ
クトルからの有意なＵＶ照射に長期間暴露されると、こ
のような２成分間の結合が早期に劣化すること、１１）
このような結合の劣化は、その一面が可塑化ＰＶＢ層に
、他面が金属／誘電体スタックの反射防止層に接触する
Ｔａ２Ｏ５又はＳｉＯｘ（式中Ｘ≦２）のキャップ層を
用いることによって予想外に阻止されることが確認され
た。Ｔａ２Ｏ５層により所望の可視光線透過及び紫外線
反射レベルが達成され得る場合には、Ｔａ２Ｏ５層は金
属／誘電体スタックの結合安定化キャップ層及び反射防
止層としても機能し得る。珪素を用いた具体例では、ス
タック中の珪素化合物の屈折率が所望の光学的特性（可
視光の透過及び反射、並びに太陽光拒絶）を提供するに
は不十分であるため、別の反射防止層を必要とする。珪
素を用いた具体例では、Ｘの値はこのキャップ層の堆積
中に得られる酸化の程度によって変化し得る。
これは、用いられるスパッタリング条件、例えば堆積速
度、用いられる電力レベル、酸素とアルゴンのような別
のガスとの混合物のスパッター室中の　ｌｏｆｌ％酸素
の存在によって決定される。Ｘの値、すなわち任意の堆
積条件下での酸化状態は、公知のＥＳＣＡ　（ＸＰＳ）
又はＡＥＳ分析によって測定する。
可塑化ＰＶＢ層と金属／誘電体スタックの反射防止層と
の間の結合の、日光に長期間暴露したときの安定性は、
太陽光遮蔽アセンブリをフェードオメーター（炭素アー
ク源）、、ウェザーオメーター（キセノンアーク源）、
又は発出される光の大部分がＵＶ照射である同等のシス
テム（ＱＵＶ系を含む）の形態の強いＵＶ照射源に暴露
させる促進試験によって測定する。本明細書で後述する
プランジャー接着力試験によって測定される結合の劣化
耐性は、アセンブリがこのような促進暴露システムに少
なくとも１０００時間存続するならば十分であるとみな
される。この条件は、アリシナで遭遇するような強い日
光に１年間暴露した程度にほぼ等しく、余り厳しくない
条件により長期に亘り暴露した程度にも相当する。太陽
光遮蔽アセンブリの可塑化ポリビニルブチラール層は十
分公知であって、Ｍｏｎ５ａｎｌｏ　Ｃｏｍｐａｎ７か
ら５ａｌｌｅｘ■シートとして市販されている。
太陽光遮蔽アセンブリの金属／誘電体スタック成分は、
　（１）太陽スペクトルの可視又は発光部分の透過、そ
して（１１）発熱性赤外部分（７０１１〜２１２Ｓｕｎ
）の反射を最大にするべく主として材料及びその厚さを
適切に選択した、ＦａｈＢ−Ｐｅｔｏｔ型の干渉フィル
タである。このようなスタックは、米国特許第３、６Ｎ
、　５２８号及び第４．１７９．　ｉＨ号に概略的に開
示されているように、オングストローム厚さの金属と誘
電体被膜が相互に面接着状態で連続接触して所定の順序
で配置された、連続的に堆積した複数の平面層から成る
。
好ましい誘電体スタックは、Ａｌｌ５１２２６．１で特
定されるように、動作位置で、測定される標準入射可視
光線の少なくとも７０％を透過する少なくとも２つの近
ＩＲ反射金属層を含有する。前記したレベルは米国自動
車産業で求められる最小値である。
余り需要のない建築分野ではこのレベルよりやや低い値
でも許容可能であり、この場合には単一金属層又は他の
光吸収性のより高い金属／誘電体スタックを用いてもよ
い。好ましくは、一般にスタック表面からの可視光線反
射率は約８％より低い。
金属層からの可視光線の反射が破壊的に妨害して可視光
線透過を増大するように、金属層は１つ又はそれ以上の
誘電体層によって互いに（即ち厚み方向に垂直に）分離
されなければならない。有効す金属としては、銀、アル
ミニウム、クロム、亜鉛、スズ、ニッケル、黄銅、金、
スチレンスチール、銅、そして前記した任意の金属から
なる合金又はクラッドが挙げられる。好ましい金属は銀
である。金属層の厚さは、６０〜２ＱＯＡ、好ましくは
８０〜１４０Ａである。
誘電体層成分は可視範囲に亘って本質的に透明でなけれ
ばならず、少なくとも１つは１組の金属層間に存在しな
ければならない。好ましくは、誘電体層は、金属層の各
面上に存在する。有効な誘電体物質とししては、ＷＯ、
Ｉｎ　　Ｏ、Ｓｎ３　　２３ ０、ＴＴ○、ＡＩ　Ｏ、ＭｇＦ　　、ＺｎＳ２　　　　
　　　２３　　　　２ Ｔ　＋、　０２及びＺｎＯが挙げられる。
太陽光遮蔽アセンブリの基板は、１つ又は複数の層から
成り、そのうち１つは、誘電体層が基板表面上に面で接
触している金属／誘電体スタックを直接支持する。基板
は、任意の種々の材料からなり得る。有効な基板は、金
属／誘電体層のクラブキングを避けるために延伸（ｓｔ
ｒｅｔｃｈ）傾向を育するべきでなく、過剰量の可塑剤
、水蒸気又は吸収ガスのような揮発分を含むべきでない
。基板に直接接触するスタックの誘電体層は、基板表面
に十分に接着すべきである。一般に、このような誘電体
は、ガラス、セラミックス、並びにポリエステル、注型
アクリル樹脂、ポリカーボネート、塩素化プラスチック
及びエポキシ樹脂のようなある種の軟質プラスチックと
よく接着する。金属／誘電体スタックに直接支持的に接
触する基板成分としては、非架橋ポリウレタン及び可塑
化ポリビニルブチラールは柔らかく且つ伸び過ぎる。好
ましい基板は、ガラスのような透明物質、又は直鎖ポリ
エステル、例えばＭｏ、■浦よＨ０山山。としてＨｏｅ
ｃｂ＋ｌ　Ｃｅ１ｘｎｅｓｅＣｏｒｐ　　から市販され
ているポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（又はＰ
ＥＴの特性を有する等硬物質）のような非延伸軟質プラ
スチック物質のシートである。好ましい構成においては
、金属／誘電体スタックの層をガラス又はＰＥＴの柔軟
性シート基板上に連続的にマグネトロンスパッタし、次
いで金属／誘電体スタックを担持する基板を常用の可塑
化ポリビニルブチラールの２眉内に封入する。ＰＶＢの
うちの１層はＰＥＴ基板に接し、他方の層はスタックの
上履に接する。外層としてＰＶＢを含有する多層サンド
イッチは、窓ガラスのような２つの硬質部材間に慣用的
に積層されるか、あるいは窓の外面にされる硬質部材に
積層することにより２層構造として用いられる。
当業界で一般に公知のように、好ましい２つの反射金属
層構造の間に配置された誘電体層の厚さ及び組成を変え
ると、光の透過／反射特性がかなり変わる。さらに、中
間の（＋ｐａｃｉｎｇ）誘電体層の厚さを変えると、反
射抑制（又は透過増強）バンドに関連する波長が変わる
。金属の選択に加えて、厚さもその反射能を決め、層が
薄くなるほど反射能は低くなる。一般に、中間の誘電体
層の厚さは、市販製品に対する所望の光学特性を得るた
めには約２Ｏ０〜約＋２［１０Ａ　、好ましくは４５０
〜１００ＯＡである。約２Ｏ０Ａ未満又は約１２Ｏ０Ａ
以上の金属酸化物誘電体層では、太陽光制御特性が不十
分である。
中間の誘電体層と接触する金属表面と反対側の金属層表
面と接触する外側誘導体層は、反射防止性能を増強する
。外側誘電体層は、一般に、ガラス又はポリビニルブチ
ラールより高い反射率、即ち　１．５以上、好ましくは
　１．８以上の反射率を有するべきである。このような
外側誘電体層の厚さは、一般に中間誘電体層よりも薄く
、約２Ｏ〜約６００Ａ　。
好ましくは５０〜５００Ａである。
本発明の太陽光遮蔽アセンブリは、任意の光学的に透明
な窓用に用い得る。−船釣用途としては、航空機、機関
車、及び自動車のフロントガラス、並びに商業用又は住
宅用ビルのような建築分野が挙げられる。金属層と電力
源とを常用の母線を使用して伝導的に連結すれば、本ア
センブリに霜取り、曇り止め又は氷結防止能力を与える
ことができる。
プランジャー接着力試験を用いて、ＰＶＢ層とこれに接
触している金属／誘電体スタックの誘電体層との接着力
を測定した。このような試験においては、金属／誘電体
スタックを含有しかつ可塑化ＰＶＢ層を接着させたガラ
スラミネートを、０丁（−１７丁）に状態調節し、１ポ
ンド（４５４ｇ）のハンマーで打ってガラスを破壊し、
ＰＶＢ層に接着していない破壊ガラスを除去する。中間
層に接着して残ったガラスの量を公知のプランジャース
竹−ルの標準値と視覚的に比較する。標準の数が高いほ
ど、中間層に接着したままのガラスは多かったー即ち、
プランジャーカゼロでは、ガラスは全く残っていないし
、一方、プランジャー力がＩＯであれば中間層表面の　
１００％がガラスと接着している。良好な衝撃散逸は、
３〜７、好ましくは４〜６のプランジャー接着力と相関
する。３未満では、衝撃時に多量のガラスが損失し、一
方７以上であると接着が強すぎて、衝撃強度が不十分で
ある。
以下の実施例を参照して本発明をさらに説明する。これ
らの実施例は、説明のためだけのものであって、本発明
にいかなる限定又は制限を課すものではない。
対照実施例 ＣＩ　−次の構造　ガラス／　Ｚ　ｎ　Ｏ（４００Ａ）
（層Ｉ）／　Ａ　ｇ　（１５０Ａ）　（層２）／　Ｚ　
ｎ　Ｏ（４００Ａ璽層３）及び厚さの金属／誘電体スタ
ックを包含する太陽光遮蔽アセンブリを提供するために
、標準フロートガラス（３インチ×４インチ、厚さ　１
７８インチ）に慣用法で、酸化亜鉛及び銀の三連続層を
スパッター被覆した試料を調製した。５ａｌｌｅ！■Ｔ
ＧシートとしてＭｏｎ５ａｎｔｏから市販されている３
０ミリ厚さの可塑化ポリビニルブチラールシートを　２
９０°Ｆ１１８５ｐ＋ｉの標準貼合せ条件を用いて、露
出ＺｎＯ層（ＺｎＯ層と接触していない５ａｆｌｅｘＴ
　Ｇシートの面上にフロートガラスの付加層を有する）
に貼り合わせた。つぎに、フロートガラスの付加層をＰ
ＶＢＩ！５の露出面に貼合わせた。その結果生じた構造
は、自動車のフロントガラスに用いられる代表的なもの
である。ガラスに貼合わせた後のアセンブリの光学的特
性は、次の通りであった％ＴＶ　　％Ｒｖ　　％＾Ｖ　
％Ｔｌ　　％Ｒ＋　　％＾Ｉ　％５ｉｔ７２．２　　１
６．６　　１０．４　　４９，２　　３０．７　２Ｏ．
２　　４５．４試料を、ＰＶＢ層をある場合にはカーボ
ンアークに面することなく、別の場合にはカーボンアー
クに面してカーボンアークフェードオフ−ター中に入れ
て、プランジャ接着力を経時的に測定する。
カーボンアークに面していないＰＶＢ層を有する（即ち
金属／誘電体スタックがアークに面している）試料に関
しては、プランジャー接着力が暴露前の３〜４から一晩
でゼロに落ちた。ＵＶ放射に面したＰＶＢ層を有する試
料に関しては、プランジャ接着力は３，４日後にゼロと
なった。別の組の試料において酸化亜鉛層を酸化スズ層
に取り換えても、不十分な結果が生じた。
Ｃ２一実施例ＣＩ　と同じスパッター金属／誘電体成分
及び厚さのアセンブリを、ＰＶＢ層に貼合わせる前に、
Ｚｎ０層３の露出面上に約５０ＡのＴｉ０ｘ（ここで又
は約２であると考えられた）をスパッター接着してキャ
ップした。ＣＩ　と同様に調製したこの構造のガラス積
層試料を、最上層にキセノンアークに面して金属／誘電
体スタックを有するようにして、キセノンアークウニ丼
メーター中で試験した。プランジャー接着力を経時的に
測定し、その結果は次の通りであった：２ｎＯ／＾ｇ／
２ｎ吐Ｔｉｎ２６　　３　　２　　０　　０対照実施例
Ｃ１及びＣ２では、ＰＶＢ層と直下の金属／′誘電体ス
タックの金属酸化物（Ｔ　ｉＯ２。
Ｓｎ○２又はＺｎ０）層と界面での結合が急速に劣化し
た。ＰＶＢ−ガラス界面と対向する誘電体−ＰＶＢ層界
面で破損が生じたが、これはガラス層間に配置した常用
ＰＶＢ単独がこれらの暴露条件下では無期限に存続する
ためである。
実施例３及び４ 犯 これらの実施例は、本発明−基÷４舟である。
実；・包例Ｃ１と同様にガラス上のＺｎ０（４ｒＯ）／
　Ａ　ｇ　（１５０）　／　Ｚ　ｎ　Ｏ（４５Ｇ）金属
／誘電体スタックを５Ｌｅ７ｂｏｌｄ　Ｈｅｒａｅｕｓ
スｌ＜　ツタ−塗布機を用いて、Ｚｎ０層３の露出面上
にマグネトロンスパッター堆積によって、Ｔａ２Ｏ５又
はＳｉＯｘ（式中Ｘは２である）でキャップした。Ｉｎ
ｆｉｃｏｎ　Ｘ　ＴＣ結晶モニターを用いて測定した層
の厚さは、Ｚｎｏｆ４５０Ａ）／Ａｇ　ｆｌｏｏＡ）／
Ｚｎ０（４００Ａ）／Ｔａ２Ｏ５又はＳ　ｉ　Ｏｘ　（
５ＱＡ）であった。積層物は、キャップ層の露出面に３
０ミリ厚さの５ａｌｌｅｘＴＧシートを面接着するよう
に実施例ＣＩにおけると同様に調製した。その結果生じ
る積層物の層は、ガラス基板／金属−誘電体スタック／
キャップ／Ｐ　Ｖ　Ｂ／ガラスであった。
ガラス貼合せ後の光学的特性を、Ｐｅｒｋｉｎ　Ｅ１ｍ
ｅ＋３３０　ＵＶ／Ｖ　Ｉ　Ｓ／Ｎ　Ｉ　Ｒ分光光度計
を用いて測定し、その結果は次の通りであった 実施例　キヤ・ンプ層　　％Ｔｖ　　　％ｌｌｖ　　　
％人ｖ　　　％Ｔｓ　　　％Ｒ１％Ａ＋３　Ｔａ２Ｏ５
７０．８１７．１旧４７．５３０，１２２．４試料を、
金属−誘電体スタックが最上層となるようにアークライ
ト源に面してカーボンアークフェードオフ−ター中に置
いた。経時的に測定したプランジャー接着力（プランジ
ャー試験当たりの２つの積層物の平均）の結果は、次の
通りであった： ４　５Ｉ０２　　　８　　　８　　　８　　　７　　　
７上記データは、Ｔａ　　Ｏ及び５１０２キャツ５ プ層を用いた各々の試料のプランジャー接着力が７であ
ることから立証されるように、フェードオメータにおけ
る強いＵＶ放射に１０００時間暴露後もＰＶＢ層とＴ　
ａ　２Ｏ　ｓ又はＳｉＯｘキャップ層と％５Ｒ ４６，５ の間の界面で結合が保存されていたことを示している。
フロートガラス上の別のＺ　ｎ　Ｏ／　Ａ　ｇ　／　Ｚ
　ｎ金属スタックを、実施例４の場合とは別の時機に、
異なる塗布機を用いて１００Ａの厚さのスパッター堆積
層でキャップした。このようなスタックを含有する積層
物のプランジャー接着力は、０時間暴露の初期から１０
００時間まで９で一定であった。この値は所望範囲の３
〜７を上回り、したがって衝撃吸収度は高過ぎると予測
されるけれども、プランジャー値は、公知の方法で、適
当な接着抑制剤をＰＶＢシートを作製する処方物に混和
することによって容易に所望の範囲に減じることができ
る。
これは、所望の３〜７の範囲に戻せなかった対照例にお
けるく３というプランジャー接着力とは対照をなすもの
である。
前記は、説明のためのものであって、これに限定される
ものではない。種々の修正及び変更は、当業者には容易
に示唆される。したがって、前文は例示のためのみのも
のであり、本発明の範囲は特許請求の範囲に明記されて
いる。
７

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）可塑化ポリビニルブチラール層と、１つ又はそれ
    以上の光反射金属層及び２つ又はそれ以上の反射防止層
    から成る金属／誘電体スタックとを有する太陽光遮蔽ア
    センブリであって、可塑化ポリビニルブチラール層にＴ
    ａ＿２Ｏ＿５又はＳｉＯ＿ｘ（式中ｘ≦２）のキャップ
    層が面接着しており、ガラスに積層させたとき、少なく
    とも１０００時間のＵＶ照射暴露後のフェードオメータ
    ー、ウェザーオメーター又は同等のシステムにおけるプ
    ランジャー接着力が少なくとも３であることを特徴とす
    るアセンブリ。
  2. （２）キャップ層がＳｉＯ＿ｘ（式中ｘ≦２）である請
    求項１記載のアセンブリ。
  3. （３）キャップ層がＴａ＿２Ｏ＿５である請求項１記載
    のアセンブリ。
  4. （４）プランジャー接着力が４〜６である請求項１、２
    又は３記載のアセンブリ。
  5. （５）キャップ層が金属／誘電体スタックの上層である
    請求項４記載のアセンブリ。
  6. （６）ａ）透明基板； ｂ）可塑化ポリビニルブチラール層；及び ｃ）基板と可塑化ポリビニルブチラール層との間に設け
    られた、１つ又はそれ以上の光反射金属層を有し、その
    各表面に反射防止金属酸化物層が隣接しており、かつＴ
    ａ＿２Ｏ＿５又はＳｉＯ＿ｘ（式中ｘ≦２）のキャップ
    層が可塑化ポリビニルブチラール層と面接触している金
    属／誘電体スタック； を有する太陽光遮蔽アセンブリであって、ガラスに積層
    させたとき、強度のＵＶ照射に１０００時間暴露後のフ
    ェードオメーター、ウェザーオメーター又は同等のシス
    テムにおけるプランジャー接着力が少なくとも３である
    アセンブリ。
  7. （７）基板がガラス層である請求項６記載のアセンブリ
    。
  8. （８）基板が、一面で金属スタックと、他側面で可塑化
    ポリビニルブチラールの別の層と接触している配向ポリ
    エステル層を包含する請求項６記載のアセンブリ。
  9. （９）キャップ層がＴａ＿２Ｏ＿５を包含する請求項６
    、７又は８記載のアセンブリ。
  10. （１０）キャップ層がＳｉＯ＿２を包含する請求項６、
    ７又は８記載のアセンブリ。
  11. （１１）プランジャー接着力が３〜７である請求項９記
    載のアセンブリ。
  12. （１２）プランジャー接着力が３〜７である請求項１０
    記載のアセンブリ。
  13. （１３）ａ）ガラス又は分子配向ポリエチレンテレフタ
    レートフィルムの透明基板； ｂ）ｉ）基板上の第１の酸化亜鉛層； ｉｉ）第１の酸化亜鉛層上の第２の銀層； ｉｉｉ）第２の銀層上の第３の酸化亜鉛層；及び ｉｖ）第３の酸化亜鉛層上の第４の酸化タ ンタル又はＳｉＯ＿ｘ（式中、ｘ≦２）層；から成る基
    板上の金属／誘電体スタック；並びにｃ）金属／誘電体
    スタックの第４層と面接着している可塑化ポリビニルブ
    チラール層； を有する太陽光遮蔽アセンブリであって、ガラスに積層
    させたとき、強いＵＶ照射に１０００時間暴露後のフェ
    ードオメーター、ウェザーオメーター又は同等のシステ
    ムにおけるプランジャー接着力が少なくとも３であるア
    センブリ。
  14. （１４）第４層がＴａ＿２Ｏ＿５である請求項１３記載
    のアセンブリ。
  15. （１５）第４層がＳｉＯ＿ｘ（式中ｘ≦２）である請求
    項１３記載のアセンブリ。
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