JPH0320011B2 - - Google Patents

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JPH0320011B2
JPH0320011B2 JP59039770A JP3977084A JPH0320011B2 JP H0320011 B2 JPH0320011 B2 JP H0320011B2 JP 59039770 A JP59039770 A JP 59039770A JP 3977084 A JP3977084 A JP 3977084A JP H0320011 B2 JPH0320011 B2 JP H0320011B2
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deflection
electrode plate
streak
container
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Katsuyuki Kinoshita
Kazunori Shinoda
Masaru Sugyama
Koichiro Ooba
Yoshiji Suzuki
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Hamamatsu Photonics KK
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
    • H01J29/72—Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
    • H01J29/74—Deflecting by electric fields only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
    • H01J31/501—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system
    • H01J31/502—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system with means to interrupt the beam, e.g. shutter for high speed photography

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はストリーク管、さらに詳しく言えば、
微弱な被計測光の変化が同一周期で同一形状で繰
り返される場合の計測に適したシンクロスキヤン
ストリーク装置に関する。
（発明の背景） 高速で変化する光の時間的な強度分布を、観察
するのにストリークカメラが知られている。
このストリークカメラで使用されるストリーク
管は光電面と螢光面との間に偏向電極を配置した
電子管である。
ストリーク管の光電面に光が入射させられる
と、光電面が入射光の経時変化に対応して、順次
光電子を放出し、時間的に変化する光電子ビーム
が形成される。
この光電子ビームが螢光面方向に移動する過程
で前記偏向電極で電界を作用させると、光電子ビ
ームは螢光面上で一方向に掃引され、入射光の強
さの変化が螢光面上の光電子ビームの掃引方向
（時間軸となる）の輝度の変化として現れる。
こうして、出力螢光面上に現れた像は、ストリ
ーク像と呼ばれ、これを写真にとつたり、TVカ
メラで撮像した後、この出力像の掃引方向の明る
さの分布を定量することにより、被計測光の強度
の経時変化を知ることができる。
この種のストリーク管を利用したシンクロスキ
ヤンストリーク装置は周期性を持つて発生させら
れる微弱発光の計測時に利用されている。
周期性を持つて発生させられる微弱発光とし
て、レーザ光パルスにより励起された螢光発光等
を挙げることができる。
この被計測光が非常に微弱である時は、ストリ
ーク管も微弱となり、その発光強度分布を正確に
得るのは困難となる。
被計測光が同一の波形および周期で繰り返され
るパルス光である時は、この周期に一致した周期
の、かつその繰返しパルス光と定まつた位相関係
にある電圧を、ストリーク管の偏向電極に印加す
ることにより、掃引方向（時間軸方向）の発光分
布が同一であるストリーク像を出力螢光面上の同
じ位置に重ねることができる。
ｎ回重ねればストリーク像の出力面上の明るさ
は、実質的にｎ倍となり、非常に微弱なストリー
ク像でも良好なSN比で観測することができる。
シンクロスキヤンストリーク装置は前記原理を
実現した装置である。
本件発明者は前記シンクロスキヤンストリーク
装置を用いて種々の計測を行う過程でストリーク
像が、ストリーク管内において発生するマルチパ
クタリング（multipactoring）放電によつて損な
われることを見いだした。
マルチパクタリング放電は高周波電界によつて
真空のなかで、電極面の２次電子放特性に依存し
て放電がおこる現象である。
次にシンクロスキヤンストリーク装置の概略の
構成とこの装置におけるマルチパクタリング放電
について簡単に説明する。
第１図はストリーク管を光軸を含む平面で切断
して示したシンクロスキヤンストリーク装置のブ
ロツク図である。
円筒状の真空容器１の一方の端面の内面には光
電面２が形成されており、他方の端面の内面には
螢光面７が形成されている。
光電面２には電源E2から接地電位よりも負の
電圧が接続されている。
前記光電面２に近接して、メツシユ電極３が配
置されている。このメツシユ電極３は、光電面２
の発生した光電子を加速するために電源E1から
光電面２よりも正の電圧の供給を受けている。
中央に開口部を有する陽極板５と前記メツシユ
電極３の間に集束電極４が配置されている。
前記陽極板５は接地点に接続され、前記集束電
極４には前記電源E2を分圧した電圧が接続され
ている。集束電極４は前記電圧が接続されること
により、光電面２の発生した光電子を螢光面７上
に集束される電子レンズを形成する。
一対の平面からなる偏向電極には偏向電圧発生
手段８から周期的に変化する偏向電圧が印加され
ている。
第２図は前記構成のシンクロスキヤンストリー
ク装置の動作を説明するためのグラフである。
通常のシンクロスキヤンストリーク装置では前
記偏向電圧発生手段８は第２図Ｂに示すような正
弦波電圧を発生しており、この正弦波電圧が正か
ら負に変化する直線的な部分、p1〜q1，p2〜q2
…，po〜qo，が偏向に使用される。
この正弦波の周波数は被計測光の繰返し周波数
に適合し、位相が観測対象の発生に同期するよう
に選択される。
第２図Ａに図示すような発光現象を観測するた
めに同図Ｂに示す正弦波を偏向電極板６ａに印加
する。
このような正弦波は例えば観測対象を励起する
レーザ光の周波数と位相に同期する正弦波を発生
させることにより容易に得られる。
各掃引ごとに得られる螢光面７上の時間軸方向
の輝度の分布を同図Ｃに示す。
観測対象の発光の強度が微弱であるから、p1〜
q1の一回目の掃引で螢光面７に現れる輝度分布の
変化は第２図Ｃの１に示すように極めて小さく殆
ど肉眼で観察できない程度である。この走査を繰
り返すことにより、第２図Ｃの２，３に示すよう
に次第に輝度分布が明らかになる。理論的には第
２図ｎに示すように、ｎ回の掃引により一回の掃
引による場合のｎ倍に近い輝度に拡大することが
できる。
ところが、実際には信号光の存在しない所、背
景部のレベルも上昇して第２図Ｄに示すような、
輝度分布となり、第２図ｎに示すような結果が得
られないことがしばしばある。
この主原因は前述したマルチパクタリング放電
によるものであると思われる。
被計測光の繰返し周波数が、数百ＭHzであれ
ば、当然掃引に用いられる正弦波電圧の周波数も
数百ＭHzまで要求される。
このような高い周波数の電圧が偏向電極に印加
されると、この電圧が印加される側の偏向電極部
付近の空間や管壁のガラス壁に前述したマルチパ
クタリング現象による発光が生じる。この放電の
発生していると思われる空間を第１図において破
線Ｓで囲んで示してある。
この空間は前記偏向電極板６ａと前記容器１の
壁面間および前記偏向電極板６ａ，前記偏向電極
板６ａを前記容器１に接続する偏向電極板リード
と前記陽極電極５間に形成される空間であると考
えてよい。
この空間Ｓの発光が容器１内で複雑な反射を行
い、陽極５の開口を介して光電面２に到達し、光
電子を放出させている。
この信号成分の光以外による光電子放出が螢光
面７の背景のレベルを上昇させている。
前記マルチパクタリングによる放電発光は、偏
向電極付近の前記空間Ｓに、たまたま存在する電
子が高周波電圧の印加されている偏向電極板や、
それに接続する偏向電極板リードの部分と管壁の
ガラス部、アノード電極との間で、高周波電界に
よつて繰り返し往復し、その表面に衝突する毎に
二次電子を放出することにより、ねずみ算式に電
子数が増加し、、放電に至るものであると考えら
れる。
ジヤーナルオブアプライドヒジツクス34巻、11
号の3237〜3242頁のエドワード、エフ、バンスの
論文、一面マルチパクタ放電モード
（JOURNAL OF APPLIDE PHISICS VOL34
NO11 One−Side Multipactor Discharge
Mode EDWARD F. VANCE）は相対向する平
行平板間のマルチパクタリング放電ついてはその
周波数、高周波電圧の振幅、電極間隔電極表面の
二次電子放出比等について、制限をすれば、この
放電をおさえられることを示している。
実際のシンクロスキヤンストリーク装置のスト
リーク管の偏向電圧が印加される偏向電極板６ａ
付近の形状、第１図においてＳの示す領域周辺の
形状は、偏向電極板以外にその偏向電極板に外部
からその高周波電圧を印加するリードがあり、そ
の周辺にはそれをとりまくガラス壁や陽極電極５
があり複雑である。
それらの形状を簡単に変更するることは不可能
である。
シンクロスキヤンストリーク装置では、前述の
ように偏向電極板に印加する電圧の周波数は観測
対象の周波数に一致させられる必要があり、低周
波より数百ＭHzの高周波まで変化させる必要があ
る。
掃引速度は電圧波形の傾きに比例し、同一周波
数では電圧振幅に比例する。したがつて、電圧の
振幅も掃引電圧の直線性と、時間分解能を適当に
保つために、種々変更する必要がある。
これ等の理由から、マルチパクタリング放電を
防止するために、偏向電極板に印加される電圧の
周波数と振幅を制限することはできない。
さらに困つたことには、各電極やガラス壁表面
には、光電面製作中に導入されるアルカリ蒸気が
付着して、その表面は二次電子放出比が高い状態
となり、マルチパクタリング放電を助長しやすく
なつている。
（発明の目的） 本発明の目的は、前述したマルチパクタリング
放電に原因する背景部分のレベルの上昇を防止す
ることができるシンクロスキヤンストリーク装置
を提供することにある。
（発明の構成） 前記目的を達成するために、本発明によるシン
クロスキヤンストリーク装置は、基本的には、光
電面、電子レンズ、開口を持つ陽極、偏向電極、
螢光面がこの順で真空容器内に配置されたストリ
ーク管で偏向電圧発生手段により前記偏向電極に
前記光電面に入射させられる被測定光の周波数に
対応する周波数の偏向電圧を印加し、前記入射光
による像を前記螢光面に重ねて再生するシンクロ
スキヤンストリーク装置であつて、 前記偏向電極中の偏向電圧が与えられる偏向電
極板を前記容器を介して外部の回路に接続する偏
向電極板リードの容器内部分を囲むかあるいはは
さむ遮断用の金属構造を設け、 前記金属構造を基準電位点に接続して構成され
ている。
前記偏向電圧が与えられる偏向電極板は第１の
偏向電極板リードを介して前記偏向電圧発生手段
に接続されている第１の偏向電極板であり、 他方の偏向電極板は第２の偏向電極板リードを
介して基準電位点である接地点に接続されている
第２の偏向電極板とすることができる。
前記遮蔽用の金属構造を前記偏向電極と前記陽
極電極間で前記容器に固定されている第１のフラ
ンジと前記偏向電極に対して前記第１のフランジ
の反対側で前記容器に固定された第２のフランジ
からなる形態（第３図または第４図に示す実施例
に対応）にすることができる。
前記第１および第２のフランジは円形の開口部
をもち、前記開口部の前記第１の偏向電極側に金
属製の遮蔽板をさらに固定した形態（第３図に示
す実施例に対応）にすることができる。
前記第１および第２のフランジは円形の開口部
をもち、前記開口部の前記第１の偏向電極側に金
属製の遮蔽格子をさらに固定した形態（第４図に
示す実施例に対応）にすることができる 前述した遮蔽用の金属構造を前記偏向電極と前
記陽極電極間で前記容器に固定されている第１の
フランジと前記偏向電極に対して前記第１のフラ
ンジの反対側で前記容器に固定された第２のフラ
ンジで前記偏向電極中の偏向電圧が与えられる偏
向電極板を前記容器を介して外部の回路に接続す
る偏向電極板リードの容器内部分をはさむ形態
（第３図または第４図に示す実施例に対応）にす
ることによりマルチパクタリングの発生を充分に
防止できるが、同様に当該部分を囲みさらに偏向
電極のガラス容器器側の面を覆う遮蔽用の金属構
造を設けても良い。
すなわち、本発明によるシンクロスキヤンスト
リーク装置は、 光電面、電子レンズ、開口を持つ陽極、偏向電
極、螢光面がこの順で真空容器内に配置されたス
トリーク管で偏向電圧発生手段により前記偏向電
極に前記光電面に入射させられる被測定光の周波
数に対応する周波数の偏向電圧を印加し、前記入
射光による像を前記螢光面に重ねて再生するシン
クロスキヤンストリーク装置であつて、 前記偏向電極中の偏向電圧が与えられる偏向電
極板を前記容器を介して外部の回路に接続する偏
向電極板リードの容器内部分を囲み偏向電極のガ
ラス容器側の面を覆う遮蔽用の金属構造を設け、 前記金属構造を基準電位点に接続して構成（第
５図または第６図に示す実施例に対応）すること
ができる。
前記金属構造を開口を持つ底面をもち前記開口
は前記偏向電極板リードに貫通されている形態
（第５図に示す実施例に対応）にすることできる。
また、前記金属構造を前記第１の偏向電極板の形
状に略等しく平行に配置されるフランジを持つ形
態（第６図に示す実施例に対応）にすることがで
きる。
前記構成によれば、その偏向電極に低周波から
数百ＭHzの高周波まで、任意の電圧振幅の電圧を
印加しても、螢光面上にマルチパクタリング放電
によるバツクグランド上昇のないシンクロスキヤ
ンストリーク装置を提供することができる。
（実施例の説明） 以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。
第３図ＡおよびＢは本発明によるシンクロスキ
ヤンストリーク装置のストリーク管の偏向電極に
関連する部分の第１の実施例を示す図である。そ
の他の部分の構造は前述した従来ストリーク管の
構成と異ならない。
第３図Ａは管軸に平行な平面で一部破断して示
した図、第３図Ｂは管軸に垂直な平面で破断して
示した断面図である。
真空容器１は、主として、内径は約40mmのガラ
ス筒から形成されている。
第１および第２の偏向電極板６ａおよび６ｂ
は、その管軸方向の長さが約15mm、幅約15mmのス
テンレス金属の平板である。
この偏向電極６ａおよび６ｂはその間隔が５mm
となるようにそれぞれ第１および第２の偏向電極
板リード６ｃおよび６ｄにより真空容器１に固定
されている。
この実施例では偏向電極板リードとして幅５mm
の鉄ニツケルコバルト合金板を用いている。
偏向電極板リード６ｃは前述した偏向電圧発生
手段８に接続され、他方の偏向電極板リード６ｄ
は接地電位点に接続される。
この実施例において、前記遮蔽用の金属構造は
陽極電極側の第１のフランジ３１と、前記第１の
フランジ３１の反対側で前記容器に固定された第
２のフランジ３２と、前記第１および第２のフラ
ンジに固定された遮蔽板３３，３４から構成され
ている。
第１のフランジ３１は皿状であつて、底の部分
の中心に開口部が設けられている。第２のフラン
ジ３２も略同一の形状で前記偏向電極板リード６
ｃに対して前記第１のフランジ３１と略対象な位
置に設けられている。
それぞれのフランジ３１および３２には、円板
を切断した遮蔽板３３，３４が偏向電極板リード
６ｃを挟むように溶接されている。
この遮蔽板３３，３４の偏向電極板リード６ｃ
からの距離は、略３mm程度で遮蔽板３３，３４の
下端辺と偏向電極板６ａとの距離を略２mm程度と
する。
フランジ３１および３２をそれぞれ接地点に接
続することにより、遮蔽板３３，３４は接地電位
に保たれる。
第４図ＡおよびＢは本発明によるシンクロスキ
ヤンストリーク装置のストリーク管の偏向電極に
関連する部分の第２の実施例を示す図である。
第４図Ａは管軸に平行な平面で一部破断して示
した図、第４図Ｂは管軸に垂直な平面で破断して
示した断面図である。
真空容器１を形成するガラス管、偏向電極板６
ａ，６ｂ、偏向電極板リード６ｃ，６ｄ、フラン
ジ３３，３４は先に第３図Ａ，Ｂで説明した所と
変わらない。
この実施例において、前記遮蔽用の金属構造は
陽極電極側の第１のフランジ３１と、前記第１の
フランジ３１の反対側で前記容器に固定された第
２のフランジ３２と、前記第１および第２のフン
ジに固定された遮蔽格子から構成されている。
第１のフランジ３３の開口部の偏向電極板６ａ
の上側にステンレス金属条４５，４６が間隔１mm
を保つて固定されており、遮蔽格子を形成してい
る。
またフランジ３４の開口部の偏向電極板６ａの
上側に同様にステンレス金属条４７，４８が固定
されており、遮蔽格子を形成している。
前記各遮蔽格子は前記第１および第２のフラン
ジが接地電位点に接続されることにより、接地電
位に保持される。
第５図ＡおよびＢは本発明によるシンクロスキ
ヤンストリーク装置のストリーク管の偏向電極に
関連する部分の第３の実施例を示す図である。
第５図Ａは管軸に平行な平面で一部破断して示
した図、第５図Ｂは管軸に垂直な平面で破断して
示した断面図である。
真空容器１を形成するガラス管、偏向電極板６
ａ，６ｂの形状、容器内の位置等は先に説明した
実施例と異ならない。
偏向電極板リード５１，５２は直径１mmの鉄ニ
ツケルコバルト合金棒である。
偏向電極板リード５１は前述した偏向電圧発生
手段８に接続され、他方の偏向電極板リード５２
は接地電位点に接続される。
この偏向電圧発生手段８に接続される側の偏向
電極板リード５１を包囲するように遮蔽筒５３を
容器１に固定する。
遮蔽筒５３の内径は10mm程度で底面には前記偏
向電極板リード５１に貫通される直径３mm程度の
孔が設けられている。
この遮蔽筒５３は接地電位点に接続される。
第６図ＡおよびＢは本発明によるシンクロスキ
ヤンストリーク装置のストリーク管の偏向電極に
関連する部分の第４の実施例を示す図である。
第６図Ａは管軸に平行な平面で一部破断して示
した図、第６図Ｂは管軸に垂直な平面で破断して
示した断面図である。
真空容器１を形成するガラス管、偏向電極板６
ａ，６ｂの形状、容器内の位置、偏向電極板リー
ド５１，５２等は先に説明した実施例と異ならな
い。偏向電極板リード５１は前述した偏向電圧発
生手段８に接続され、他方の偏向電極板リード５
２は接地電位点に接続される。
この偏向電圧発生手段８に接続される側の偏向
電極板リード５１を包囲するように下側にフラン
ジ部６１ａを持つ遮蔽筒６１を容器１に固定す
る。遮蔽筒６１の内径は５mm程度で底面のフラン
ジ部の形状を偏向電極板６ａの形状と略同一の形
状にして、偏向電極板６ａとの距離を略１mm程度
にする。
この遮蔽筒６１は前記実施例と同様に接地点に
接続する。
前記各実施例装置について各部の電極に次の電
圧を接続し、光電面に繰返し入射される微弱光
（繰返し周波数200MHz）の測定を行つた。
光電面２（−5KV） メツシユ電極３（−4KV） フオーカス電極４（−4.4KV） 陽極電極５（接地点電圧） 螢光面７（接地点電圧） 金属遮蔽構造（接地点電圧） 偏向電極に印加される正弦波 周波数（200MHz） 振幅（1.5KVp-p） ストリーク像を重ねた回数（２×108回−１秒間） その結果、螢光面７に第７図Ｂに示すような強
度分布の映像を得た。
前記各実施例装置で、最大の輝度を示す部分に
対して、バツクグランドノイズのピークは１％以
下でほとんど無視できる程度に除去されていると
いうことができる。
本発明によるシンクロスキヤンストリーク装置
で、ストリーク管の金属遮蔽構造を除去したもの
と同じ構成のものである従来の装置を用いて前記
と全く同じ条件で実験を行つた場合の螢光面の強
度分布を第７図Ａに示す。
（変形例） 以上詳しく説明した実施例について、本発明の
範囲内で種々の変形を施すことができる。
偏向板の一方を基準電位あるいは接地電位にす
ることなく、両方に高周波掃引電圧を印加するる
ときは、両側に遮蔽用の電極を設ける必要があ
る。
遮蔽用の金属をフランジや筒で支持する例を示
したが、真空容器に固定されたピンで支持するる
ことも可能である。
（効果の説明） 以上詳しく説明したように、本発明によるシン
クロスキヤンストリーク装置は、偏向電極中の偏
向電圧が与えらられる偏向電極板を前記容器を介
して外部の回路に接続する偏向電極板リードの容
器内部分を囲むか前記偏向電極のガラス容器側の
面をおおう遮蔽用の金属構造を設け、前記金属構
造を基準電位点に接続して構成してあるから、マ
ルチパクタリングの発生または有害と認められる
マルチパクタリングの発生を完全に抑止すること
ができる。
従来の装置では、マルチパクタリングの発生を
完全に抑止することができないのでマルチパクタ
リングの発生があつたときは、第７図Ａのよう
に、ピークの輝度に対しバツクラウンドノイズで
ある谷部の輝度は90％にも達している。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のストリーク管を用いたシンクロ
スキヤンストリーク装置のブロツク図であつて、
ストリーク管を光軸を含む平面で切断して示して
ある。第２図は前記シンクロスキヤンストリーク
装置の動作を説明するための波形図である。第３
図ＡおよびＢは本発明によるシンクロスキヤンス
トリーク装置のストリーク管の偏向電極に関連す
る部分の第１の実施例を示す図であつて、第３図
Ａは管軸に平行な平面で一部破断して示した図、
第３図Ｂは管軸に垂直な平面で破断して示した断
面図である。第４図ＡおよびＢは本発明によるシ
ンクロスキヤンストリーク装置のストリーク管の
偏向電極に関連する部分の第２の実施例を示す図
であつて、第４図Ａは管軸に平行な平面で一部破
断して示した図、第４図Ｂは管軸に垂直な平面で
破断して示した断面図である。第５図ＡおよびＢ
は本発明によるシンクロスキヤンストリーク装置
のストリーク管の偏向電極に関連する部分の第３
の実施例を示す図であつて、第５図Ａは管軸に平
行な平面で一部破断して示した図、第５図Ｂは管
軸に垂直な平面で破断して示した断面図である。
第６図ＡおよびＢは本発明によるシンクロスキヤ
ンストリーク装置のストリーク管の偏向電極に関
連する部分の第４の実施例を示す図であつて、第
６図Ａは管軸に平行な平面で一部破断して示した
図、第６図Ｂは管軸に垂直な平面で破断して示し
た断面図である。第７図Ａは従来のシンクロスキ
ヤンストリーク装置の螢光面の輝度分布の例を示
すグラフ、同図Ｂは本発明によるシンクロスキヤ
ンストリーク装置の螢光面の輝度分布の例を示す
グラフである。 １…真空容器、２…光電面、３…メツシユ電
極、４…集束電極、５…陽極、６…偏向電極、６
ａ，６ｂ…偏向電極板、６ｃ，６ｄ…偏向電極板
リード、７…螢光面、８…偏向電圧発生手段、３
１…第１のフランジ、３２…第２のフランジ、３
３，３４…遮蔽板、４５，４６，４７，４８…遮
蔽格子を形成する金属条、５１，５２…偏向電極
板リード、５３…遮蔽筒、６１…遮蔽筒。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 光電面，電子レンズ，開口を持つ陽極，偏向
    電極，螢光面がこの順で真空容器内に配置された
    ストリーク管で偏向電圧発生手段により前記偏向
    電極に前記光電面に入射させられる被測定光の周
    波数に対応する周波数の偏向電圧を印加し、前記
    入射光による像を前記螢光面に重ねて再生するシ
    ンクロスキヤンストリーク装置であつて、 前記偏向電極中の偏向電圧が与えられる偏向電
    極板を前記容器を介して外部の回路に接続する偏
    向電極板リードの容器内部分を囲むかあるいはは
    さむ遮蔽用の金属構造を設け、 前記金属構造を基準電位点に接続して構成した
    シンクロスキヤンストリーク装置。 ２ 前記偏向電圧が与えられる偏向電極板は第１
    の偏向電極板リードを介して前記偏向電圧発生手
    段に接続されている第１の偏向電極板であり、 他方の偏向電極板は第２の偏向電極板リードを
    介して基準電位点である接地点に接続されている
    第２の偏向電極板である特許請求の範囲第１項記
    載のシンクロスキヤンストリーク装置。 ３ 前記遮蔽用の金属構造は、 前記偏向電極と前記陽極電極間で前記容器に固
    定されている第１のフランジと 前記偏向電極に対して前記第１のフランジの反
    対側で前記容器に固定された第２のフランジとを
    含む特許請求の範囲第２項記載のシンクロスキヤ
    ンストリーク装置。 ４ 前記第１および第２のフランジは円形の開口
    部をもち、前記開口部の前記第１の偏向電極側に
    金属製の遮蔽板がさらに固定されている特許請求
    の範囲第３項記載のシンクロスキヤンストリーク
    装置。 ５ 前記第１および第２のフランジは円形の開口
    部をもち、前記開口部の前記第１の偏向電極側に
    金属製の遮蔽格子がさらに固定されている特許請
    求の範囲第３項記載のシンクロスキヤンストリー
    ク装置。 ６ 光電面，電子レンズ，開口を持つ陽極，偏向
    電極，螢光面がこの順で真空容器内に配置された
    ストリーク管で偏向電圧発生手段により前記偏向
    電極に前記光電面に入射させられる被測定光の周
    波数に対応する周波数の偏向電圧を印加し、前記
    入射光による像を前記螢光面に重ねて再生するシ
    ンクロスキヤンストリーク装置であつて、 前記偏向電極中の偏向電圧が与えられる偏向電
    極板を前記容器を介して外部の回路に接続する偏
    向電極板リードの容器内部分を囲み偏向電極のガ
    ラス容器側の面を覆う遮蔽用の金属構造を設け、
    前記金属構造を基準電位点に接続して構成したシ
    ンクロスキヤンストリーク装置。 ７ 前記金属構造は開口を持つ底面をもち、前記
    開口は前記偏向電極板リードに貫通されている特
    許請求の範囲第６項記載のシンクロスキヤンスト
    リーク装置。 ８ 前記金属構造は前記偏向電極板の形状に略等
    しく平行に配置されるフランジを持つ特許請求の
    範囲第６項記載のシンクロスキヤンストリーク装
    置。
JP59039770A 1984-03-02 1984-03-02 シンクロスキヤンストリ−ク装置 Granted JPS60185348A (ja)

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US06/703,999 US4677341A (en) 1984-03-02 1985-02-21 Synchronous scan streaking device
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JPS60185348A JPS60185348A (ja) 1985-09-20
JPH0320011B2 true JPH0320011B2 (ja) 1991-03-18

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GB2157070A (en) 1985-10-16
JPS60185348A (ja) 1985-09-20
GB8505278D0 (en) 1985-04-03
US4677341A (en) 1987-06-30
GB2157070B (en) 1988-04-20

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