JPH03200357A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH03200357A JPH03200357A JP34305289A JP34305289A JPH03200357A JP H03200357 A JPH03200357 A JP H03200357A JP 34305289 A JP34305289 A JP 34305289A JP 34305289 A JP34305289 A JP 34305289A JP H03200357 A JPH03200357 A JP H03200357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- biphenol
- phenol
- semiconductor device
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高温時の機械強度に優れた封止樹脂により
封止された信鯨性の高い半導体装置に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a highly reliable semiconductor device sealed with a sealing resin that has excellent mechanical strength at high temperatures.
トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、外部環
境の保護の観点および素子のハンドリングを可能にする
観点から、プラスチックパッケージ等により封止され半
導体装置化されている。この種のパッケージの代表例と
しては、デュアルインラインパッケージ(DIP)があ
る。このDIPは、ピン挿入型のものであり、実装基板
に対してピンを挿入することにより半導体装置を取り付
けるようになっている。2. Description of the Related Art Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are sealed in plastic packages or the like to form semiconductor devices from the viewpoint of protecting the external environment and enabling handling of the elements. A typical example of this type of package is a dual in-line package (DIP). This DIP is of a pin insertion type, and a semiconductor device is attached by inserting pins into a mounting board.
最近は、LSIチップ等の半導体装置の高集積化と高速
化が進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする
要求から、実装の高密度化が進んでいる。このような観
点からDIPのようなピンヲ
挿入型のパッケージに代えて、表面実装用パッケージが
主流になってきている。この種のパッケージを用いた半
導体装置においては、平面的にピンを取り出し、これを
実装基板表面に直接半田等によって固定するようになっ
ている。このような表面実装型半導体装置は、平面的に
ピンが取り出せるようになっており、薄い、軽い、小さ
いという利点を備えており、したがって実装基板に対す
る占有面積が小さくてすむという利点を備えている外、
基板に対する両面実装も可能であるという長所をも有し
ている。Recently, the integration and speed of semiconductor devices such as LSI chips have been increasing, and in addition, the demand for smaller and more highly functional electronic devices has led to higher density packaging. From this point of view, surface mount packages have become mainstream instead of pin insertion type packages such as DIP. In a semiconductor device using this type of package, pins are taken out in a plane and fixed directly to the surface of the mounting board by soldering or the like. Such surface-mounted semiconductor devices have pins that can be taken out on a flat surface, and have the advantage of being thin, light, and small, and therefore occupy a small area on the mounting board. outside,
It also has the advantage of being able to be mounted on both sides of the board.
ところが、上記のような表面実装用パッケージを用いた
半導体装置において表面実装前にパッケージ自体が吸湿
している場合には、半田実装時に水分の蒸気圧によって
、パッケージにクラックが生じるという問題がある。However, in a semiconductor device using a surface mount package as described above, if the package itself absorbs moisture before surface mounting, there is a problem that cracks occur in the package due to the vapor pressure of moisture during solder mounting.
この問題に対する解決策として、半導体素子をパッケー
ジで封止した後、得られる半導体装置全体を密封し、表
面実装の直前に開封して使用する方法や、表面実装の直
前に上記半導体装置を100°Cで24時間乾燥させ、
その後半田実装を行うという方法が提案され、すでに一
部で実施されている。しかしながら、このような前処理
方法によれば、製造工程が長くなるうえ、手間がかかる
という問題がある。As a solution to this problem, there are methods in which the semiconductor element is sealed in a package, the entire semiconductor device obtained is sealed, and the package is opened and used immediately before surface mounting, or the semiconductor device is heated at 100° just before surface mounting. Dry for 24 hours at C.
A method of subsequent solder mounting has been proposed and is already being implemented in some cases. However, such a pretreatment method has the problem that the manufacturing process becomes long and labor-intensive.
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、電
子機器への実装に際して前処理を要することなく、しか
も半田実装時の加熱に耐えろる低応力性に優れた半導体
装置の提供をその目的とする。This invention was made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a semiconductor device that does not require pretreatment when mounted on electronic equipment and has excellent low stress properties that can withstand heating during solder mounting. shall be.
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
ビフェノールと下記の一般式(1)で表されるフェノー
ルとの共縮合フェノール樹脂と、エポキシ樹脂とを含有
するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する
という構成をとる。In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention includes:
A configuration is adopted in which a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing an epoxy resin and a co-condensed phenol resin of biphenol and a phenol represented by the following general formula (1).
tt
〔作用]
すなわち、本発明者らは、耐湿性および低応力性の双方
に優れた封止樹脂を求めて一連の研究を重ねた。その結
果、硬化剤としてビフェノール、好ましくは4,4′−
ジヒドロキシビフェニルと上記一般式(1)で表される
フェノールとの共縮合フェノール樹脂を用いると、低吸
湿性で、ガラス転移温度が高い割りに線膨張係数の小さ
い封止樹脂が得られることを見出しこの発明に到達した
。tt [Function] That is, the present inventors have conducted a series of studies in search of a sealing resin that is excellent in both moisture resistance and low stress properties. As a result, biphenol, preferably 4,4'-
It has been discovered that by using a co-condensed phenol resin of dihydroxybiphenyl and the phenol represented by the above general formula (1), a sealing resin with low hygroscopicity and a low coefficient of linear expansion despite a high glass transition temperature can be obtained. We have arrived at this invention.
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
(A成分)と、特殊な共縮合フェノール樹脂(B成分)
とを用いて得られるものであって、通常、粉末状もしく
はそれを打錠したタブレット状になっている。The epoxy resin composition used in this invention consists of an epoxy resin (component A) and a special co-condensed phenol resin (component B).
It is usually obtained in the form of a powder or a tablet made by compressing it.
上記A成分のエポキシ樹脂としては、特に限定するもの
ではな〈従来公知のものを目的に応じて適宜選択される
。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボ
ラックフェノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、環
状脂肪族エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹
脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェノール型
エポキシ樹脂、ホルマリン以外のアルデヒドを用いて縮
合反応により得られるフェノール樹脂をベースとするエ
ポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは併
せて用いられる。また、4゜4′−ビス(グリシジルオ
キシ)−3,3’ −ジアリルビフェニル等のビフェニ
ルタイプのエポキシ樹脂を用いると一層効果的である。The epoxy resin as the component A is not particularly limited and may be appropriately selected from conventionally known epoxy resins depending on the purpose. Specifically, bisphenol A type epoxy resin, novolak phenol type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, biphenol type epoxy resin. Examples include epoxy resins based on phenolic resins obtained by condensation reaction using aldehydes other than formalin. These may be used alone or in combination. Further, it is more effective to use a biphenyl type epoxy resin such as 4°4'-bis(glycidyloxy)-3,3'-diallylbiphenyl.
上記B成分の特殊な共縮合フェノール樹脂は、A成分の
エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、ビフ
ェノールと下記の一般式(1)で表されるフェノールと
を用い共縮合反応させることにより得られる。The special co-condensed phenol resin of component B acts as a curing agent for the epoxy resin of component A, and is produced by a co-condensation reaction using biphenol and a phenol represented by the following general formula (1). can get.
この特殊な共縮合フェノール樹脂は、剛直な化学構造(
分子構造)を有していて硬化物の耐熱性を向上させるビ
フェノールを対象とし、ビフェノールのエポキシ樹脂に
対する相溶性や分解性を改善する目的で変性したもので
ある。特に、O−クレゾールとビフェノールとを共縮合
反応させて得られる下記の式(II)で表される構造の
共縮合フェノール樹脂を主成分とするものが好ましい。This special co-condensed phenolic resin has a rigid chemical structure (
The target is biphenol, which has a molecular structure (molecular structure) and improves the heat resistance of cured products, and is modified for the purpose of improving the compatibility of biphenol with epoxy resins and decomposability. Particularly preferred is one whose main component is a co-condensed phenol resin having a structure represented by the following formula (II) obtained by co-condensing O-cresol and biphenol.
上記構造式(I[)で表される共縮合フェノール樹脂は
、ビフェノール骨格の2.6位および2′6′位にメチ
レン基を介して上記式(I)のフェノールが結合した構
造になっている。しかし、反応条件によってはビフェノ
ールにメチレン基を介してさらにビフェノールが結合し
た構造になったり、上記構造式(II)において結合し
た式(I)のフェノールにさらにメチレン基を介して式
(I)のフェノールが結合した構造の化合物も生成する
。したがって、この発明に用いる共縮合フェノールには
、これらが副成分として混在していることが多い。そし
て、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物においては、
これら副成分の生成は極端な軟化温度の上昇がないかぎ
り問題はなく、軟化温度が50〜140°Cの範囲内の
共縮合フェノール樹脂を用いることが好ましい。The co-condensed phenol resin represented by the above structural formula (I[) has a structure in which the phenol of the above formula (I) is bonded to the 2.6-position and 2'6'-position of the biphenol skeleton via a methylene group. There is. However, depending on the reaction conditions, a structure may be formed in which biphenol is further bonded to biphenol via a methylene group, or the phenol of formula (I) bonded in the above structural formula (II) may be further bonded to the phenol of formula (I) via a methylene group. Compounds with a structure in which phenol is bonded are also produced. Therefore, the co-condensed phenol used in this invention often contains these as subcomponents. In the epoxy resin composition used in this invention,
There is no problem with the production of these subcomponents as long as there is no extreme increase in the softening temperature, and it is preferable to use a co-condensed phenol resin with a softening temperature within the range of 50 to 140°C.
上記ビフェノールは融点が282°Cの固体であるが、
上記一般式(I)で表されるフェノールとの共縮合フェ
ノール樹脂としては、上記のように軟化温度が50〜1
40 ’Cの固形状を呈し、水酸基当量90〜180
g /eq、を有するものを用いるのが好ましい。この
ように、上記共縮合フェノール樹脂は、他のフェノール
系硬化剤と比較して剛直なビフェニル骨格を有するため
、得られる硬化物はガラス転移温度が高い割に、線膨張
係数が小さく、しかも吸水率が小さい。特に、上記一般
式(1)で表されるフェノールとして、Rが水素原子の
ものよりも、炭素数1〜4の炭化水素残基、例えばメチ
ル基である方が一層吸水率の低減効果を奏することがで
きる。The above biphenol is a solid with a melting point of 282°C,
The phenol resin co-condensed with the phenol represented by the above general formula (I) has a softening temperature of 50 to 1
40'C solid form, hydroxyl equivalent 90-180
It is preferable to use one having a ratio of g/eq. As described above, since the co-condensed phenolic resin has a biphenyl skeleton that is more rigid than other phenolic curing agents, the resulting cured product has a high glass transition temperature, a low coefficient of linear expansion, and a high water absorption rate. rate is small. In particular, as a phenol represented by the above general formula (1), when R is a hydrocarbon residue having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, the water absorption rate is reduced more effectively than when R is a hydrogen atom. be able to.
上記B成分の特殊な共縮合フェノール樹脂は、常法に従
い、例えばつぎ02種類の方法によって得られる。第1
の方法は、ホルマリン、パラホルムアルデヒド等のアル
デヒド類を用いてビフェノールをメチロール化し、これ
と上記一般式(1)で表されるフェノールとを反応させ
ノボラック化するという方法である。第2の方法は、ビ
フェノールと一般式(1)のフェノールとを直接ノボラ
ック化することにより得られる。上記ビフェノール(X
)と上記一般式(1)で表されるフェノール(Y)との
配合割合は、上記一般式(1)のRによっても異なるが
、モル比で、X:Y=1:1〜1:20に設定すること
が好適である。The above-mentioned special co-condensed phenol resin of component B can be obtained according to a conventional method, for example, by the following two methods. 1st
In this method, biphenol is methylolated using aldehydes such as formalin and paraformaldehyde, and this is reacted with the phenol represented by the above general formula (1) to form a novolac. The second method is obtained by directly converting biphenol and the phenol of general formula (1) into novolak. The above biphenol (X
) and the phenol (Y) represented by the above general formula (1) varies depending on R in the above general formula (1), but the molar ratio is X:Y = 1:1 to 1:20. It is preferable to set it to .
A成分のエポキシ樹脂の硬化剤として上記のような特殊
な共縮合フェノール樹脂を用いる場合、硬化剤成分を上
記共縮合フェノールのみで構成してもよいし、それ以外
の通常用いられるフェノール樹脂と併用してもよい。上
記通常用いられるフェノール樹脂としては、フェノール
ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェ
ノールAノボラック樹脂、キシレン樹脂のフェノール変
性物等があげられる。このように両者を併用する場合に
は、上記共縮合フェノール樹脂と通常用いられるフェノ
ール樹脂との配合割合は、前者100重量部(以下「部
」と略す)に対して後者を100部以下の割合に設定す
ることが好適である。When using a special co-condensed phenol resin as described above as a curing agent for the epoxy resin of component A, the curing agent component may be composed only of the above-mentioned co-condensed phenol, or it may be used in combination with other commonly used phenol resins. You may. Examples of the commonly used phenolic resins include phenol novolac resins, cresol novolak resins, bisphenol A novolak resins, and phenol-modified products of xylene resins. When both are used together in this way, the blending ratio of the co-condensed phenol resin and the commonly used phenol resin is 100 parts by weight (hereinafter abbreviated as "parts") of the former and 100 parts or less of the latter. It is preferable to set it to .
すなわち、上記範囲外に設定すると得られる硬化物の高
温時の樹脂強度が不充分となるからである。That is, if it is set outside the above range, the resulting cured product will have insufficient resin strength at high temperatures.
上記エポキシ樹脂(A成分)と共縮合フェノール樹脂(
B成分)からなる硬化剤との配合割合は、A成分中のエ
ポキシ基1当量当たり硬化剤中の水酸基が0.6〜1.
5当量となるように設定することが好ましい。上記範囲
外に設定すると、やはり得られる硬化物の高温時の樹脂
強度が不充分となる。The above epoxy resin (component A) and co-condensed phenol resin (
The mixing ratio of component B) with the curing agent is such that the amount of hydroxyl groups in the curing agent is 0.6 to 1.0 per equivalent of epoxy group in component A.
It is preferable to set the amount to 5 equivalents. If it is set outside the above range, the resulting cured product will still have insufficient resin strength at high temperatures.
また、A成分のエポキシ樹脂およびB成分の共縮合フェ
ノール樹脂とともに、通常、充填剤が用いられる。上記
充填剤としては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化
鉄、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、
二硫化モリブデン等の無機質充填剤、チタン酸カリウム
、アルミナ繊維、炭化珪素、窒化珪素等のウィスカー、
シリカチタニア、コージーライト、ユークリプタイト等
のセラミックス等があげられる。In addition, a filler is usually used together with the epoxy resin as the A component and the co-condensed phenol resin as the B component. The above fillers include silica, alumina, titanium oxide, iron oxide, calcium silicate, calcium carbonate, barium sulfate,
Inorganic fillers such as molybdenum disulfide, potassium titanate, alumina fibers, whiskers such as silicon carbide and silicon nitride,
Examples include ceramics such as silica titania, cordierite, and eucryptite.
なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には、上記
A成分、B成分および充填剤以外にカップリング剤、硬
化促進剤、ワックス、難燃化剤および低応力剤等のその
他の添加剤が必要に応じて適宜配合される。In addition, the epoxy resin composition used in this invention requires other additives such as a coupling agent, a curing accelerator, a wax, a flame retardant, and a low stress agent in addition to the above-mentioned A component, B component, and filler. It is mixed as appropriate depending on the situation.
上記カップリング剤としては、グリシジルエーテルタイ
プ、アミンタイプ、チオールタイプ、ウレアクイブ等の
メトキシないしはエトキシシランが、適宜に単独でもし
くは併せて用いられる。その使用方法は、充填剤に対し
て、トライブレンドしたり、もしくは予備加熱反応させ
たり、さらには有機成分原料に対する予備混合等自由で
ある。As the above-mentioned coupling agent, methoxy or ethoxy silanes such as glycidyl ether type, amine type, thiol type, ureaquive, etc. are appropriately used alone or in combination. The method of use thereof is arbitrary, such as triblending or preheating the filler, or premixing the organic component raw material.
上記硬化促進剤としては、アミン系、リン系。The curing accelerators mentioned above include amine type and phosphorus type.
ホウ素系等の硬化促進剤があげられ、単独でもしくは併
せて使用される。Examples include boron-based curing accelerators, which may be used alone or in combination.
上記ワックスとしては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステ
ル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、単独
でもしくは併せて使用される。Examples of the wax include compounds such as higher fatty acids, higher fatty acid esters, and higher fatty acid calcium, which may be used alone or in combination.
上記難燃化剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ
樹脂、ビスA型エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、赤リ
ンおよび五酸化アンチモン等の化合物を適宜単独でもし
くは併せて使用することが行われる。As the flame retardant, compounds such as novolac type brominated epoxy resin, bis A type epoxy resin, antimony trioxide, red phosphorus, and antimony pentoxide are appropriately used alone or in combination.
また、上記低応力剤としては、シリコーン樹脂、合成ゴ
ムの微粒子等が用いられる。Further, as the low stress agent, silicone resin, fine particles of synthetic rubber, etc. are used.
さらに、信頼性向上を目的として、イオントラップ剤が
用いられる。Furthermore, an ion trap agent is used for the purpose of improving reliability.
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えばつ
ぎのようにして製造することができる。The epoxy resin composition used in this invention can be produced, for example, as follows.
すなわち、ビフェノールと上記一般式(1)で表される
フェノールとを予め前述の方法にしたがい反応させて共
縮合フェノール樹脂を作製する。つぎに、この共縮合フ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂および必要に応じて充填剤
その他の添加剤を適宜配合し予備混合した後、ミキシン
グロール機等の混練機にかけ加熱状態で混練して溶融混
合する。That is, a co-condensed phenol resin is prepared by reacting biphenol and the phenol represented by the above general formula (1) in advance according to the method described above. Next, the co-condensed phenol resin, the epoxy resin, and fillers and other additives as necessary are suitably blended and premixed, and then kneaded in a heated state using a kneader such as a mixing roll machine to melt and mix.
そして、これを室温に冷却した後、公知の手段によって
粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により
製造することができる。After cooling this to room temperature, it can be pulverized by known means and, if necessary, compressed into tablets.
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスフ
ァー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。The encapsulation of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
このようにして得られる半導体装置は、エポキシ樹脂組
成物中に含まれるビフェノールと前記−般式(1)で表
されるフェノールとの共縮合フェノール樹脂の作用によ
り、封止樹脂のガラス転移温度が高(、高温時の機械強
度が高い割りに線膨張係数や吸水率も比較的小さい。こ
のため、高温下等においても、パッケージクラック等が
生ずることがない。In the semiconductor device thus obtained, the glass transition temperature of the sealing resin is lowered by the action of the co-condensed phenol resin of biphenol contained in the epoxy resin composition and the phenol represented by the general formula (1). Although it has high mechanical strength at high temperatures, its coefficient of linear expansion and water absorption are relatively small. Therefore, package cracks do not occur even at high temperatures.
なお、上記エポキシ樹脂組成物は、充填剤が含有されて
いないか含有量の少ないものについては、アセトン、メ
チルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、N−メチル
−2−ピロリドン等の有機溶剤に溶解させて溶液状で使
用することができる。このような使用態様は、例えば、
ガラスクロス等の繊維基材にエポキシ樹脂組成物を含浸
させプリプレグシートを作製するという場合に行われ、
この場合に、上記のように溶液状で用いられる。In addition, if the above-mentioned epoxy resin composition does not contain filler or contains a small amount of filler, it can be dissolved in an organic solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, dimethyl formamide, or N-methyl-2-pyrrolidone to form a solution. can be used. Such a mode of use is, for example,
It is performed when a fiber base material such as glass cloth is impregnated with an epoxy resin composition to produce a prepreg sheet.
In this case, it is used in the form of a solution as described above.
[発明の効果]
以上のように、この発明の半導体装置は、上記のような
ビフェノールと特定のフェノールとを用いて得られる特
殊な共縮合フェノール樹脂を含有する特殊なエポキシ樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止して構成されている
。そのため、半田実装のような過酷な条件下においても
パッケージクラックが生ずることがない。また、上記特
殊なエポキシ樹脂組成物は、半導体素子の封止樹脂だけ
でなく、例えば上記エポキシ樹脂組成物を含浸用樹脂と
して用い、プリプレグシートを製造するという場合にも
使用される。このプリプレグシートは、これと銅箔とを
積層して印刷配線基板を製造するときに用いられ、得ら
れる基板は、表面実装用基板として好適に用いられる。[Effects of the Invention] As described above, the semiconductor device of the present invention uses a special epoxy resin composition containing a special co-condensed phenol resin obtained using the above biphenol and a specific phenol. It is constructed by sealing a semiconductor element. Therefore, package cracks do not occur even under severe conditions such as solder mounting. Further, the above-mentioned special epoxy resin composition is used not only as a sealing resin for semiconductor elements, but also when, for example, the above-mentioned epoxy resin composition is used as an impregnating resin to produce a prepreg sheet. This prepreg sheet is used when manufacturing a printed wiring board by laminating this prepreg sheet and copper foil, and the resulting board is suitably used as a surface mounting board.
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
まず、実施例に先立って、下記の方法に従い、共縮合フ
ェノール樹脂A、Bを作製した。First, prior to Examples, co-condensed phenol resins A and B were prepared according to the following method.
(共縮合フェノール樹脂A)
ビフェノール186gを常法によりアルカリ性雰囲気下
でホルマリンと反応させてレゾール化し、ついでこれに
フェノール940gを加え、酸性雰囲気下でノボラック
化した。ついで、過剰のフェノールを減圧下で除去する
ことにより水酸基当量100 g /eq、、軟化温度
100〜185°Cの共縮合フェノール樹脂Aを作製し
た。(Co-condensed phenolic resin A) 186 g of biphenol was reacted with formalin in an alkaline atmosphere to form a resol by a conventional method, and then 940 g of phenol was added thereto to form a novolak in an acidic atmosphere. Then, excess phenol was removed under reduced pressure to produce a co-condensed phenol resin A having a hydroxyl equivalent of 100 g/eq and a softening temperature of 100 to 185°C.
(共縮合フェノール樹脂B)
ビフェノール186gとクレゾール1080gとを用い
た。それ以外は上記共縮合フェノールAと同様の操作を
行うことにより水酸基当量110g/eq、、軟化温度
115°Cの共縮合フェノール樹脂Bを作製した。(Co-condensed phenol resin B) 186 g of biphenol and 1080 g of cresol were used. Other than that, a co-condensed phenol resin B having a hydroxyl equivalent of 110 g/eq and a softening temperature of 115° C. was prepared by performing the same operation as the above-mentioned co-condensing phenol A.
〔実施例1〜4〕
上記共縮合フェノール樹脂A、Bおよび下記の第1表に
示す原料を同表に示す割合で配合し、高速ミキサーで2
分間部合して押出機により混練した。ついで、混練物を
粉砕して、目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得
た。[Examples 1 to 4] The above co-condensed phenolic resins A and B and the raw materials shown in Table 1 below were blended in the proportions shown in the same table, and 2
The mixture was mixed for a minute and kneaded using an extruder. Then, the kneaded material was pulverized to obtain the desired powdered epoxy resin composition.
(以下余白)
つぎに、実施例1〜4で得られたエポキシ樹脂組成物を
トランスファー成形して、JISに定められた形状の曲
げ試験片、吸水率用試験片を作製した。この試験片を用
いて、220℃での曲げ強度、 TMA (Thern
+al mechanical analysis)に
よる熱分析結果から線膨張係数およびガラス転移温度、
そして85°C/85%RH下の飽和吸水率を測定し評
価した。その結果を、下記の第2表に示した。(Left below) Next, the epoxy resin compositions obtained in Examples 1 to 4 were transfer-molded to produce bending test pieces and water absorption test pieces having shapes defined by JIS. Using this test piece, bending strength at 220°C, TMA (Thermal
+al mechanical analysis), the coefficient of linear expansion and glass transition temperature,
Then, the saturated water absorption rate under 85°C/85%RH was measured and evaluated. The results are shown in Table 2 below.
また、上記エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をト
ランスファー成形でモールドすることにより半導体装置
を作製した。この半導体装置は、80ピン四方向フラツ
トパツケージ(QFP)(20mo+X14sX厚み2
.5 m )であり、7閣×7腸のグイボンドパッド、
6.5111X6.FBllのチップサイズを有す
るものである。このようにして得られた半導体装置につ
いて、215°Cのベーパーフェイズソルダリング(V
PS)を行いパッケージクラックが発生するまでの85
°C×85%RH下での限界吸湿時間を測定した。この
結果を、下記の第2表に併せて示した。Further, a semiconductor device was manufactured by molding a semiconductor element by transfer molding using the above epoxy resin composition. This semiconductor device is an 80-pin four-way flat package (QFP) (20mo + x 14s x thickness 2
.. 5 m), 7 cabinets x 7 bowels of Guibon pad,
6.5111X6. It has a chip size of FBll. The semiconductor device thus obtained was subjected to vapor phase soldering (V
PS) until package cracks occur.
The critical moisture absorption time was measured at °C x 85% RH. The results are also shown in Table 2 below.
(以下余白)
第2表の結果から、実施別品は曲げ強度が高く、線膨張
係数も低い。さらに、ガラス転移温度が高く限界吸湿時
間も長い。このことから、実施別品は低応力性に冨み、
耐熱信頼性、耐湿信顛性に優れていることがわかる。(Margins below) From the results in Table 2, the products according to the implementation have high bending strength and low coefficient of linear expansion. Furthermore, it has a high glass transition temperature and a long critical moisture absorption time. From this, the specific product has low stress properties,
It can be seen that it has excellent heat resistance reliability and moisture resistance reliability.
Claims (2)
フェノールとの共縮合フェノール樹脂と、エポキシ樹脂
とを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止してなる半導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔上記式( I )において、Rは水素原子または炭素数
1〜4の炭化水素残基である。〕(1) A semiconductor device in which a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing a co-condensed phenol resin of biphenol and phenol represented by the following general formula (I) and an epoxy resin. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) [In the above formula (I), R is a hydrogen atom or a hydrocarbon residue having 1 to 4 carbon atoms. ]
フェノールとの共縮合フェノール樹脂と、エポキシ樹脂
とを含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔上記式( I )において、Rは水素原子または炭素数
1〜4の炭化水素残基である。〕(2) An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing a co-condensed phenol resin of biphenol and phenol represented by the following general formula (I), and an epoxy resin. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) [In the above formula (I), R is a hydrogen atom or a hydrocarbon residue having 1 to 4 carbon atoms. ]
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34305289A JPH03200357A (en) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34305289A JPH03200357A (en) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200357A true JPH03200357A (en) | 1991-09-02 |
Family
ID=18358566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34305289A Pending JPH03200357A (en) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03200357A (en) |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP34305289A patent/JPH03200357A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105566621B (en) | Composition and preparation method of low dielectric phosphorus-containing polyester compound | |
| JPH11140166A (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device | |
| JP4560928B2 (en) | Epoxy resin composition for interposer, prepreg, and copper-clad laminate using the same | |
| JP4729777B2 (en) | Epoxy resin composition, prepreg, and copper-clad laminate using the same | |
| JP4639439B2 (en) | Epoxy resin composition, prepreg, and copper-clad laminate using the same | |
| JP2002060460A (en) | Phosphorus-containing flame-retardant epoxy resin and method for producing the same | |
| JP2002060468A (en) | Epoxy resin composition, prepreg, and copper-clad laminate using the prepreg | |
| JPS60112813A (en) | Epoxy resin composition for molding material | |
| JP4529268B2 (en) | Epoxy resin composition, prepreg and copper-clad laminate using the same | |
| JP4729778B2 (en) | Epoxy resin composition, prepreg, and copper-clad laminate using the same | |
| JPH03200357A (en) | Semiconductor device | |
| JPH03200356A (en) | Semiconductor device | |
| JP2002047395A (en) | Epoxy resin composition, prepreg and copper-clad laminate using it | |
| JPH05170876A (en) | Epoxy resin composition | |
| JPH03116952A (en) | Semiconductor device | |
| JP4156180B2 (en) | Epoxy resin composition, prepreg, and copper-clad laminate using the same | |
| JP2519278B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH01171253A (en) | Semiconductor device | |
| JPH0912677A (en) | Epoxy resin composition for use in printed wiring board | |
| JP2954415B2 (en) | Epoxy resin composition | |
| JPH04337316A (en) | Epoxy resin composition | |
| JP3049898B2 (en) | Epoxy resin molding material for sealing electronic parts and IC package using the same | |
| JP3102026B2 (en) | Epoxy resin molding compound for electronic parts encapsulation | |
| JPH03116959A (en) | Semiconductor device | |
| JP2002097346A (en) | Epoxy resin composition for interposer, prepreg and copper-clad laminated sheet using the same |