JPH0320080A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0320080A JPH0320080A JP1155445A JP15544589A JPH0320080A JP H0320080 A JPH0320080 A JP H0320080A JP 1155445 A JP1155445 A JP 1155445A JP 15544589 A JP15544589 A JP 15544589A JP H0320080 A JPH0320080 A JP H0320080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- photodiode
- solid
- location
- photodiodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像素子に関するものである。
従来の技術
近年、固体撮像素子の小型化及び高画質化が進み、１チ
ップにかいて、数十万個のフォトダイオードが配置され
ている。
ップにかいて、数十万個のフォトダイオードが配置され
ている。
以下、従来の半導体装置について説明する。
第２図は従来のインターライン型固体撮像素子を示すも
のである。１は入射光を撮えるフ１｝ダイオード、２は
フォトダイオード１からの電荷を蓄積し、矢印Ｖ方向に
転送する垂直ＣＯＤ，３は垂直ＣＯＤ２から転送された
電荷を蓄積し、矢印Ｈ方向に転送する水平ＣＣＤ、４は
水平ＣＣＤから転送された電荷を順次素子外部に出力す
る出力部、６はフォトダイオード１の所定の間隔ごとに
付加されてあるマーク、６はシリコンで構戊された基板
である。
のである。１は入射光を撮えるフ１｝ダイオード、２は
フォトダイオード１からの電荷を蓄積し、矢印Ｖ方向に
転送する垂直ＣＯＤ，３は垂直ＣＯＤ２から転送された
電荷を蓄積し、矢印Ｈ方向に転送する水平ＣＣＤ、４は
水平ＣＣＤから転送された電荷を順次素子外部に出力す
る出力部、６はフォトダイオード１の所定の間隔ごとに
付加されてあるマーク、６はシリコンで構戊された基板
である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構或では、テスター等で電気的
に不良個所が明確にされているフォトダイオードを、顕
微鏡及び、ＳＥＭ等で観察、不良解析を行なう場合に、
配置場所を表示するマークが同一形状であるので、垂直
方向、水平方向の何番目かに配置されている不良フォト
ダイオードの配置場所を簡単に認識できないという欠点
があった。
に不良個所が明確にされているフォトダイオードを、顕
微鏡及び、ＳＥＭ等で観察、不良解析を行なう場合に、
配置場所を表示するマークが同一形状であるので、垂直
方向、水平方向の何番目かに配置されている不良フォト
ダイオードの配置場所を簡単に認識できないという欠点
があった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、顕微鏡及
び、ＳＥＭ等で観察、不良解析を行なう場合に、フォト
ダイオードの配置場所を素早く、正確に認識できる、固
体撮像素子を提供することを目的とする。
び、ＳＥＭ等で観察、不良解析を行なう場合に、フォト
ダイオードの配置場所を素早く、正確に認識できる、固
体撮像素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達或するために本発明の固体撮像素る構或と
したものである。
したものである。
作 用
との構或によって、任意個所のフォトダイオードの配置
場所を、コード化されたマークで判断することで明確に
することができる。
場所を、コード化されたマークで判断することで明確に
することができる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例を示したもので、１は入射光
を撮えるフォトダイオード、２はフォトダイオード１か
らの電荷を蓄積し、矢印Ｖ方向に転送する垂直ＣＣＤ３
は垂直ＣＣＤ２から転送された電荷を蓄積し、矢印Ｈ方
向に転送する水平ＣＣＤ，４は水平ＣＣＤ３から転送さ
れた電荷を順次素子外部に出力する出力部、！，６．７
はフォトダイオード１の所定の間隔ごとに付加されてあ
るマーク、７．８はマーク５，６．７を構或しているコ
ード化されたマーク、１０はシリコンで構成された基板
である。
を撮えるフォトダイオード、２はフォトダイオード１か
らの電荷を蓄積し、矢印Ｖ方向に転送する垂直ＣＣＤ３
は垂直ＣＣＤ２から転送された電荷を蓄積し、矢印Ｈ方
向に転送する水平ＣＣＤ，４は水平ＣＣＤ３から転送さ
れた電荷を順次素子外部に出力する出力部、！，６．７
はフォトダイオード１の所定の間隔ごとに付加されてあ
るマーク、７．８はマーク５，６．７を構或しているコ
ード化されたマーク、１０はシリコンで構成された基板
である。
第１図を、垂直方向，水平方向共にフォトダイオードが
３０個ずつ配置されていて、マーク８が２進数の０で、
マーク９が２進数の１で、マークがフォトダイオード１
の１０個間隔に付加されていると想定すると、マーク６
は２進数表示の０．０．１となるので１０番目であｂ、
マーク６は０．１．０で２０番目という様にフォトダイ
オード１の配置場所を明確にすることができる。
３０個ずつ配置されていて、マーク８が２進数の０で、
マーク９が２進数の１で、マークがフォトダイオード１
の１０個間隔に付加されていると想定すると、マーク６
は２進数表示の０．０．１となるので１０番目であｂ、
マーク６は０．１．０で２０番目という様にフォトダイ
オード１の配置場所を明確にすることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、複数に繰り返し配置されたフォ
トダイオードにおいて、所定の間隔ごとにコード化され
たマークを配置することによシ、顕微鏡及び、ＳＥＭな
どで不良解析を行う場合、フォトダイオードの配置場所
を簡単に認識できる優れた固体撮像素子を実現できる。
トダイオードにおいて、所定の間隔ごとにコード化され
たマークを配置することによシ、顕微鏡及び、ＳＥＭな
どで不良解析を行う場合、フォトダイオードの配置場所
を簡単に認識できる優れた固体撮像素子を実現できる。
第１図は本発明の一実施例にかける固体撮像素子の平面
図、第２図は従来の固体撮像素子の平面図である。 １・・・・・・フォトダイオード、２・・・・・・垂直
ＣＣＤ，３・・・・・・水平ＣＣＤ，４・・・・・・出
力部、５，６，７，８，９・・・・・・マーク、１０・
・・・・・基板。
図、第２図は従来の固体撮像素子の平面図である。 １・・・・・・フォトダイオード、２・・・・・・垂直
ＣＣＤ，３・・・・・・水平ＣＣＤ，４・・・・・・出
力部、５，６，７，８，９・・・・・・マーク、１０・
・・・・・基板。
Claims (1)
- 複数に繰り返し配置されたフォトダイオードにおいて所
定の間隔ごとにコード化したマークを付加することを特
徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155445A JPH0320080A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155445A JPH0320080A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320080A true JPH0320080A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15606196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155445A Pending JPH0320080A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133585A (en) * | 1999-01-18 | 2000-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1155445A patent/JPH0320080A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133585A (en) * | 1999-01-18 | 2000-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11119252B2 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
| DE19857851B4 (de) | Detektionsgerät für physikalische und/oder chemische Größen | |
| KR100830587B1 (ko) | 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 표시 방법 | |
| US7978255B2 (en) | Solid-state image sensor and image-capturing device | |
| US6744068B2 (en) | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer | |
| US7408140B2 (en) | Pixel with spatially varying metal route positions | |
| US20190088704A1 (en) | Image sensors | |
| US7508436B2 (en) | Method for capturing a sequence of images in close succession | |
| KR20180116781A (ko) | 이미지 센서 | |
| KR100903450B1 (ko) | 광 검출 장치, 촬상 장치 및 거리 화상 취득 장치 | |
| US20090057537A1 (en) | Pixel with spatially varying sensor positions | |
| JPH05335531A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN102017154B (zh) | 固体摄像装置 | |
| DE102007042359A1 (de) | Reflexions-CMOS-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| KR19990083252A (ko) | 고체촬상장치및그검사방법과제조방법 | |
| JPH0320080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| KR101016898B1 (ko) | 구형 이미지 센서 | |
| JPH07161794A (ja) | 固体撮像素子の集光レンズ検査方法 | |
| US4826312A (en) | Large area, low capacitance photodiode and range finder device using same | |
| KR20170121764A (ko) | 외부 및 내부 어드레스 마커들을 가진 이미지 센서 | |
| EP1244149A2 (en) | Solid-state imaging device | |
| US7807996B2 (en) | Test pattern of CMOS image sensor and method of measuring process management using the same | |
| de Lima Monteiro et al. | Integration of a Hartmann-Shack wavefront sensor | |
| KR100239415B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
| KR100475134B1 (ko) | 고체촬상소자 |