JPH03200934A - 光書き込み型液晶表示素子 - Google Patents
光書き込み型液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH03200934A JPH03200934A JP14927390A JP14927390A JPH03200934A JP H03200934 A JPH03200934 A JP H03200934A JP 14927390 A JP14927390 A JP 14927390A JP 14927390 A JP14927390 A JP 14927390A JP H03200934 A JPH03200934 A JP H03200934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- liquid crystal
- light
- crystal display
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、光書き込み型液晶表示素子に係る。
［従来の技術］
従来の光書き込み型液晶表示素子は、一方の透明電極上
に形成されており、非晶質水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）からなる光導電体層と、光導電体層上に形成されて
おり、炭素、銀等の金属薄膜をパターン化した光吸収層
と、光吸収層上に形成されており、二酸化チタン／二酸
化ケイ素、硫化亜鉛／フッ化マグネシウム等の多層膜か
らなる誘電体ミラーとの積層を、一方のガラス基板と一
方の配向膜との間に備えている。
に形成されており、非晶質水素化シリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）からなる光導電体層と、光導電体層上に形成されて
おり、炭素、銀等の金属薄膜をパターン化した光吸収層
と、光吸収層上に形成されており、二酸化チタン／二酸
化ケイ素、硫化亜鉛／フッ化マグネシウム等の多層膜か
らなる誘電体ミラーとの積層を、一方のガラス基板と一
方の配向膜との間に備えている。
［発明が解決しようとする課題］
従来の光書き込み型液晶表示素子においては、光吸収層
が炭素、銀等の金属膜からなり、又は誘電体ミラー層が
二酸化チタン／二酸化ケイ素、硫化亜鉛／フッ化マグネ
シウム等の多層膜からなるので光書き込み型液晶表示素
子の分解能が良好でない。
が炭素、銀等の金属膜からなり、又は誘電体ミラー層が
二酸化チタン／二酸化ケイ素、硫化亜鉛／フッ化マグネ
シウム等の多層膜からなるので光書き込み型液晶表示素
子の分解能が良好でない。
加えて、従来の光書き込み型液晶表示素子には、以下の
問題点がある。
問題点がある。
光吸収層を構成する炭素、銀等の金属膜と光導電体層を
構成する非晶質水素化シリコン（ａ−５ｉ：＋１）との
間の接着性が良くないため、光吸収層と先導電体層との
間の剥離が生じ易い。
構成する非晶質水素化シリコン（ａ−５ｉ：＋１）との
間の接着性が良くないため、光吸収層と先導電体層との
間の剥離が生じ易い。
また、例えば、硫化亜鉛膜とフッ化マグネシウム膜とを
交互に多数積層して誘電体ミラー層を形成するに当って
、硫化亜鉛膜形成段階とフッ化マグネシウム膜形成段階
とを順次繰返すことになり、各形成段階ごとに膜の原料
物質を変更する必要があり、誘電体ミラー層の製作工程
が可成り複雑化する。
交互に多数積層して誘電体ミラー層を形成するに当って
、硫化亜鉛膜形成段階とフッ化マグネシウム膜形成段階
とを順次繰返すことになり、各形成段階ごとに膜の原料
物質を変更する必要があり、誘電体ミラー層の製作工程
が可成り複雑化する。
本発明の目的は、良好な分解能が得られ得る光書き込み
型液晶表示素子を提供することにある。
型液晶表示素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、前述の目的は、第１の透明基板と、第
１の透明基板上に形成された第１の透明電極層と、第１
の透明電極層上に形成された光導電体層と、光導電体層
上に形成された光吸収層と、光吸収層上に形成された誘
電体層と、第２の透明基板と、第２の透明基板上に形成
された第２の透明電極層と、第２の透明電極層及び誘電
体層間に挿入された液晶層とを有し、光吸収層及び誘電
体層の少なくともいずれか一方が非晶質シリコン系の膜
を含むことを特徴とする光書き込み型液晶表示素子によ
って達成される。
１の透明基板上に形成された第１の透明電極層と、第１
の透明電極層上に形成された光導電体層と、光導電体層
上に形成された光吸収層と、光吸収層上に形成された誘
電体層と、第２の透明基板と、第２の透明基板上に形成
された第２の透明電極層と、第２の透明電極層及び誘電
体層間に挿入された液晶層とを有し、光吸収層及び誘電
体層の少なくともいずれか一方が非晶質シリコン系の膜
を含むことを特徴とする光書き込み型液晶表示素子によ
って達成される。
［作 用］
本発明によれば、光吸収層及び誘電体層の少なくともい
ずれか一方が非晶質シリコン系の膜を含むが故に、光書
き込み型液晶表示素子の分解能を良好とし得る。
ずれか一方が非晶質シリコン系の膜を含むが故に、光書
き込み型液晶表示素子の分解能を良好とし得る。
［実施例コ
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施例を詳
述する。
述する。
第１図に示した本発明の第１実施例である光書き込み型
液晶表示素子ｌは、第１の透明基板としてのガラス基板
２と、基板２上に形成されており、ＩＴＯ透明導電膜及
びＳｎＯ２透明導電膜の積層からなる第１の透明電極層
を構成する透明電極３と、電極３上に形成されており、
非晶質水素化シリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）からなる膜厚３
μｍの光導電体層４と、光導電体層４上に形成されてお
り、非晶質水素化シリコン錫（ａ−３ｉＳｎ：Ｈ）から
なる膜厚的０．２μｍの光吸収層５と、光吸収８５上に
形成されており、第３図に示すような、非晶質水素化炭
化ケイ素（ａ−８ｉ Ｃ：Ｈ）からなる層ｊ！ｌと
、層１１−１ ！ １と組成が異なる非晶質水素化炭化ケイ素Ｆ−３１１４
＋ Ｃｙ、−・Ｈ）からなる層１２とが交互に１７層積
層された全膜厚的 １．３μｍの多層構造（第３図）の
誘電体層６と、誘電体層６上に形成された一方の配向膜
７と、第２の透明基板としてのガラス基板８と、基板８
上に形成されており、ＩＴＯ透明導電膜及びＳｎ０２透
明導電膜の積層からなる第２の透明電極層を構成する透
明電極９と、電極９上に形成された他方の配向膜１０と
、配向膜７と配向膜１０とが約６μｍの間隔をあけて互
いに面するように基板２と基板８とをスペーサＩＩを介
して封止する手段と、基板２と基板８との間の空間に封
入され、カイラル材料が添加された混合ネマチック液晶
又は強誘電性液晶からなる液晶層１２とを備える。電極
３と電極９との間には交流電源１３によって電圧が印加
される。
液晶表示素子ｌは、第１の透明基板としてのガラス基板
２と、基板２上に形成されており、ＩＴＯ透明導電膜及
びＳｎＯ２透明導電膜の積層からなる第１の透明電極層
を構成する透明電極３と、電極３上に形成されており、
非晶質水素化シリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）からなる膜厚３
μｍの光導電体層４と、光導電体層４上に形成されてお
り、非晶質水素化シリコン錫（ａ−３ｉＳｎ：Ｈ）から
なる膜厚的０．２μｍの光吸収層５と、光吸収８５上に
形成されており、第３図に示すような、非晶質水素化炭
化ケイ素（ａ−８ｉ Ｃ：Ｈ）からなる層ｊ！ｌと
、層１１−１ ！ １と組成が異なる非晶質水素化炭化ケイ素Ｆ−３１１４
＋ Ｃｙ、−・Ｈ）からなる層１２とが交互に１７層積
層された全膜厚的 １．３μｍの多層構造（第３図）の
誘電体層６と、誘電体層６上に形成された一方の配向膜
７と、第２の透明基板としてのガラス基板８と、基板８
上に形成されており、ＩＴＯ透明導電膜及びＳｎ０２透
明導電膜の積層からなる第２の透明電極層を構成する透
明電極９と、電極９上に形成された他方の配向膜１０と
、配向膜７と配向膜１０とが約６μｍの間隔をあけて互
いに面するように基板２と基板８とをスペーサＩＩを介
して封止する手段と、基板２と基板８との間の空間に封
入され、カイラル材料が添加された混合ネマチック液晶
又は強誘電性液晶からなる液晶層１２とを備える。電極
３と電極９との間には交流電源１３によって電圧が印加
される。
光吸収層５は、書き込みに使われたレーザ光Ｌ１が誘電
体層６で反射して再び光導電体層４に入射するのを防止
する。
体層６で反射して再び光導電体層４に入射するのを防止
する。
光吸収層５は、非晶質水素化シリコン錫（ａ−３ｉＳｎ
：Ｈ）で作られているので、光書き込み型液晶表示素子
１の分解能を向上させ得、加えて非晶質水素化シリコン
（ａ−３ｉ：Ｈ）で作られている光導電層４との接着性
が優れており、剥離が生じに＜＜シ得る。
：Ｈ）で作られているので、光書き込み型液晶表示素子
１の分解能を向上させ得、加えて非晶質水素化シリコン
（ａ−３ｉ：Ｈ）で作られている光導電層４との接着性
が優れており、剥離が生じに＜＜シ得る。
誘電体層６は、誘電体層６へ入射する読取り光Ｒ１を高
い反射率で反射し、反射読取り光Ｒ２として入射方向と
反対方向に送り返す。
い反射率で反射し、反射読取り光Ｒ２として入射方向と
反対方向に送り返す。
誘電体層６は、非晶質水素化炭化ケイ素（ａ−５ｉ、、
Ｃ、：Ｈ）からなる層ｌｌと、層Ｊｌと組成が異なる非
晶質水素化炭化ケイ素 （ａ−５ｉ ＋ Ｃｒ ＋Ｈ）からなる層ｊ！２とが
交互に積１−！！ 層されているので、光書き込み型液晶表示素子ｌの分解
能を向上させ得、加えて誘電体Ｍ６の製造工程を簡略化
し得る。誘電体層６の構造の詳しい説明は後述する。
Ｃ、：Ｈ）からなる層ｌｌと、層Ｊｌと組成が異なる非
晶質水素化炭化ケイ素 （ａ−５ｉ ＋ Ｃｒ ＋Ｈ）からなる層ｊ！２とが
交互に積１−！！ 層されているので、光書き込み型液晶表示素子ｌの分解
能を向上させ得、加えて誘電体Ｍ６の製造工程を簡略化
し得る。誘電体層６の構造の詳しい説明は後述する。
以上の如く構成された第１実施例の液晶表示素子１を液
晶ライトバルブとして用いた投射型表示装置の一例を第
２図に示す。第１図及び第２図を参照しながら、該投射
型表示装置の作動と共に第１実施例の作動を説明する。
晶ライトバルブとして用いた投射型表示装置の一例を第
２図に示す。第１図及び第２図を参照しながら、該投射
型表示装置の作動と共に第１実施例の作動を説明する。
基板２側からレーザ光Ｌ１が入射すると、光導電体層４
の光の当った領域はインピーダンスが減少し、交流電源
１３によって電極３．９に印加された電圧は、光導電体
７１４の光の当った領域に対応する液晶Ｍｉ１２の領域
に加わり、この電圧の加わった液晶層１２の領域は、配
向状態が変化し明状態となる。一方、光導電体層４の光
の当らない領域はインピーダンスの変化を生ぜず、この
光の当らなかった領域に対応する液晶層１２の領域には
電圧は加わらず、この液晶層１２の領域は初期の配向状
態が保持され暗状態となる。この明状態と暗状態との相
違により液晶層１２に画像が形成される。
の光の当った領域はインピーダンスが減少し、交流電源
１３によって電極３．９に印加された電圧は、光導電体
７１４の光の当った領域に対応する液晶Ｍｉ１２の領域
に加わり、この電圧の加わった液晶層１２の領域は、配
向状態が変化し明状態となる。一方、光導電体層４の光
の当らない領域はインピーダンスの変化を生ぜず、この
光の当らなかった領域に対応する液晶層１２の領域には
電圧は加わらず、この液晶層１２の領域は初期の配向状
態が保持され暗状態となる。この明状態と暗状態との相
違により液晶層１２に画像が形成される。
このようにして画像が形成された光書き込み型液晶表示
素子１にランプ２０からの読み取り光がレンズ２１を介
して偏光ビームスプリッタ２３に入射すると、この入射
読み取り光はスプリッタ２３によって液晶表示素子１に
向かって反射される。この入射読み取り光（Ｒ１）は誘
電体層６によって反射され、この反射読み取り光（Ｒ２
）のうちレンズ２４を介するレーザ光２５によって液晶
層１２の配向状態が変化している部分（明状態）を透過
した反射読み取り光は電気光学効果によって偏光方向が
変化するので偏光ビームスプリッタ２３を透過する。
素子１にランプ２０からの読み取り光がレンズ２１を介
して偏光ビームスプリッタ２３に入射すると、この入射
読み取り光はスプリッタ２３によって液晶表示素子１に
向かって反射される。この入射読み取り光（Ｒ１）は誘
電体層６によって反射され、この反射読み取り光（Ｒ２
）のうちレンズ２４を介するレーザ光２５によって液晶
層１２の配向状態が変化している部分（明状態）を透過
した反射読み取り光は電気光学効果によって偏光方向が
変化するので偏光ビームスプリッタ２３を透過する。
このようにして透過した反射読み取り光（Ｒ２）はレン
ズ２６によって拡大され、スクリーン２７に投影される
。しかし、反射読み取り光（Ｒ２）のうち液晶層１２の
配向状態が保持されている部分（暗状態）を透過した反
射読み取り光は、偏光方向が変化しないのでスプリッタ
２３を透過しない。このようにレーザ光２５によって光
書き込み型液晶表示素子ｌの液晶層１２に形成された画
像がスクリーン２７に投影される。
ズ２６によって拡大され、スクリーン２７に投影される
。しかし、反射読み取り光（Ｒ２）のうち液晶層１２の
配向状態が保持されている部分（暗状態）を透過した反
射読み取り光は、偏光方向が変化しないのでスプリッタ
２３を透過しない。このようにレーザ光２５によって光
書き込み型液晶表示素子ｌの液晶層１２に形成された画
像がスクリーン２７に投影される。
以下第３図を参照しながら、本第１実施例の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
ＩＴＯ透明導電膜とＳｎ０２透明導電膜との積層からな
る透明電極３．９はスパッタ法を用いてガラス基板２．
８上に形成される。
る透明電極３．９はスパッタ法を用いてガラス基板２．
８上に形成される。
非晶質水素化シリコン（ａ−３ｉ：Ｈ）層からなる光導
電体層４は、シランガス（ＳｉＨ４）、水素ガス（Ｈ２
）を原料とし、プラズマＣＶＤ法を用いて透明電極３上
に形成される。層の厚みは約３μｍである。
電体層４は、シランガス（ＳｉＨ４）、水素ガス（Ｈ２
）を原料とし、プラズマＣＶＤ法を用いて透明電極３上
に形成される。層の厚みは約３μｍである。
非晶質水素化シリコン錫（ａ−３ｉＳｎ・Ｈ）からなる
光吸収層５は、シランガス（Ｓ＋Ｈ４） 、テトラメチ
ル錫（Ｓｎ （ＣＨ３） ４ ）の混合ガスを用いて、
プラズマＣＶＤ法によって光導電体層４上に形成される
。この場合、（テトラメチル錫に対するシランガスとテ
トラメチル錫の和）の流量比 Ｓｎ （ＣＨ） ／ （Ｓ＋Ｈ＋Ｓｎ （ＣＨ３）
４ ）は２．８３４ ４ モル％〜４．９モル％の範囲で変化させ得るが、この流
量比は４モル％程度に選定するのが望ましい。
光吸収層５は、シランガス（Ｓ＋Ｈ４） 、テトラメチ
ル錫（Ｓｎ （ＣＨ３） ４ ）の混合ガスを用いて、
プラズマＣＶＤ法によって光導電体層４上に形成される
。この場合、（テトラメチル錫に対するシランガスとテ
トラメチル錫の和）の流量比 Ｓｎ （ＣＨ） ／ （Ｓ＋Ｈ＋Ｓｎ （ＣＨ３）
４ ）は２．８３４ ４ モル％〜４．９モル％の範囲で変化させ得るが、この流
量比は４モル％程度に選定するのが望ましい。
光吸収層５の厚みは約０．２μｍである。
誘電体層６は、組成の異なる２種類の非晶質水素化炭化
ケイ素（ａ −５ｉ Ｃ：Ｈ）を用い光−Ｘｘ 吸収層５上に形成される。即ち第３図に示されるように
、非晶質水素化炭化ケイ素からなる層１１と、層１１と
組成が異なる非晶質水素化炭化ケイ素からなる層ｆ１２
とが交互に１７層積層された多層構造を有する誘電体層
６を光吸収層５上に形成する。層ｌ と層ｌ は、シラ
ンガス（ＳｉＨ４）、２ 水素（Ｈ）、メタンガス（ＣＨ４）を原料としてプラズ
マＣＶＤ法によりそれぞれ作成する。
ケイ素（ａ −５ｉ Ｃ：Ｈ）を用い光−Ｘｘ 吸収層５上に形成される。即ち第３図に示されるように
、非晶質水素化炭化ケイ素からなる層１１と、層１１と
組成が異なる非晶質水素化炭化ケイ素からなる層ｆ１２
とが交互に１７層積層された多層構造を有する誘電体層
６を光吸収層５上に形成する。層ｌ と層ｌ は、シラ
ンガス（ＳｉＨ４）、２ 水素（Ｈ）、メタンガス（ＣＨ４）を原料としてプラズ
マＣＶＤ法によりそれぞれ作成する。
第４図から判るように、非晶質水素化炭化ケイ素ａ −
３ｉ、、 Ｃｘ：Ｈ中の炭素のモル組成Ｘは、流量比
ＣＨ／ （Ｓ＋Ｈ４＋ ＣＨ４）（容量比又はモル比）
の増加に伴って単調に増加する。従って、非晶質水素化
炭化ケイ素中の炭素のモル組成又は流量比 ＣＨ／ （
Ｓｉｎ ４＋ＣＨ４）を変えることによって調節され得
る。
３ｉ、、 Ｃｘ：Ｈ中の炭素のモル組成Ｘは、流量比
ＣＨ／ （Ｓ＋Ｈ４＋ ＣＨ４）（容量比又はモル比）
の増加に伴って単調に増加する。従って、非晶質水素化
炭化ケイ素中の炭素のモル組成又は流量比 ＣＨ／ （
Ｓｉｎ ４＋ＣＨ４）を変えることによって調節され得
る。
第５図は、非晶質水素化炭化ケイ素
ａ−５ｉ Ｃ：Ｈ中のケイ素のモル組成Ｙとケイ素Ｆ
＋−ｙ のモル組成Ｙの非晶質水素化炭化ケイ素の屈折率ｎとの
関係を示す図である。この図から判るように、非晶質水
素化炭化ケイ素中のケイ素のモル組成Ｙが増加するとこ
の非晶質水素化炭化ケイ素の屈折率ｎも増加する。例え
ばケイ素のモル組成Ｙが０．３３の場合、この組成の非
晶質水素化炭化ケイ素の屈折率ｎは１．８であり、ケイ
素のモル組成Ｙが０．７８の場合、この組成を有する非
晶質水素化炭化ケイ素の屈折率ｎは２．７である。第３
図で示されるように誘電体層６を構成する層１１及び層
ｌ の組成はそれぞれａ−Ｓｉ Ｃ：Ｈ及び２
０．３３ ０．６７”’０．７８Ｃ
Ｏ，２２；Ｈであり、層ｌ 及び１２の厚みはそれぞれ
５０層ｍ〜１００ ｎｍの範囲に形成され、層ｌ １層
ｆ１２が交互に１７層積層される。誘電体層６の厚さは
約１．３μｍである。
＋−ｙ のモル組成Ｙの非晶質水素化炭化ケイ素の屈折率ｎとの
関係を示す図である。この図から判るように、非晶質水
素化炭化ケイ素中のケイ素のモル組成Ｙが増加するとこ
の非晶質水素化炭化ケイ素の屈折率ｎも増加する。例え
ばケイ素のモル組成Ｙが０．３３の場合、この組成の非
晶質水素化炭化ケイ素の屈折率ｎは１．８であり、ケイ
素のモル組成Ｙが０．７８の場合、この組成を有する非
晶質水素化炭化ケイ素の屈折率ｎは２．７である。第３
図で示されるように誘電体層６を構成する層１１及び層
ｌ の組成はそれぞれａ−Ｓｉ Ｃ：Ｈ及び２
０．３３ ０．６７”’０．７８Ｃ
Ｏ，２２；Ｈであり、層ｌ 及び１２の厚みはそれぞれ
５０層ｍ〜１００ ｎｍの範囲に形成され、層ｌ １層
ｆ１２が交互に１７層積層される。誘電体層６の厚さは
約１．３μｍである。
ポリイミド膜からなる配向膜７．ＩＯはスピンコードに
よって誘電体層６、電極９上に夫々形成され、これらの
配向膜７．ｌＯの夫々にラビングによる分子配向処理が
施される。
よって誘電体層６、電極９上に夫々形成され、これらの
配向膜７．ｌＯの夫々にラビングによる分子配向処理が
施される。
ガラス基板８、透明電極９及び配向膜１０からなる組と
、ガラス基板２、透明電極３・、光導電体層４、光吸収
層５、誘電体層６からなる他の組が第１図に示すように
二つのスペーサ１１を介して貼合わされる。配向膜７．
１０の間の空間の厚みは約６μｍである。液晶層１２と
してカイラル材料（Ｓ ８１１ ：ＭＥＲＣＫ社製）
をフェニルシクロヘキサン系ネマチック液晶に約１０重
量％添加した混合ネマチック液晶が配向膜７．ＩＯの間
の空間内に注入され封止される。なお、本実施例の光書
き込み型液晶表示素子の動作モードとしては、相転移モ
ードが用いられる。
、ガラス基板２、透明電極３・、光導電体層４、光吸収
層５、誘電体層６からなる他の組が第１図に示すように
二つのスペーサ１１を介して貼合わされる。配向膜７．
１０の間の空間の厚みは約６μｍである。液晶層１２と
してカイラル材料（Ｓ ８１１ ：ＭＥＲＣＫ社製）
をフェニルシクロヘキサン系ネマチック液晶に約１０重
量％添加した混合ネマチック液晶が配向膜７．ＩＯの間
の空間内に注入され封止される。なお、本実施例の光書
き込み型液晶表示素子の動作モードとしては、相転移モ
ードが用いられる。
本実施例の光書き込み型液晶表示素子において、透明電
極３，９間に交流電圧を印加し、ガラス基板２側からレ
ーザ光Ｌ１を入射すると、液晶ｊＩ…こ明状態と暗状態
とが生じ、液晶層１２における明状態と暗状態との違い
により画像が形成される。
極３，９間に交流電圧を印加し、ガラス基板２側からレ
ーザ光Ｌ１を入射すると、液晶ｊＩ…こ明状態と暗状態
とが生じ、液晶層１２における明状態と暗状態との違い
により画像が形成される。
本実施例では、誘電体層６を構成する非晶質水素化炭化
ケイ素の組成は非晶質水素化炭化ケイ素の製造の際に原
料ガスの流量比 ＣＨ４／ （ＳｉＨ４＋ＣＨ４）を変えることによって
制御される。その結果、層ｌ と層１２を交互に積層す
る際に、層ｊ２１の形成段階と層Ｉ１２の形成段階にお
いて、同じ原料ガスを用い、単に原料ガス流量比ＣｌＩ
４／（ＳｉＨ４千Ｃｌｌ４）を変更することによって、
層ｌ と層１２の組成を所望の組成に制御することがで
きる。
ケイ素の組成は非晶質水素化炭化ケイ素の製造の際に原
料ガスの流量比 ＣＨ４／ （ＳｉＨ４＋ＣＨ４）を変えることによって
制御される。その結果、層ｌ と層１２を交互に積層す
る際に、層ｊ２１の形成段階と層Ｉ１２の形成段階にお
いて、同じ原料ガスを用い、単に原料ガス流量比ＣｌＩ
４／（ＳｉＨ４千Ｃｌｌ４）を変更することによって、
層ｌ と層１２の組成を所望の組成に制御することがで
きる。
従って、本実施例によれば、誘電体層６を、例えば硫化
亜鉛の層とフッ化マグネシウムの層との交互積層によっ
て構成する場合のように、各層の形成段階ごとに原料を
変更する必要がなく、誘電体層６の製造工程を簡略化す
ることができる。
亜鉛の層とフッ化マグネシウムの層との交互積層によっ
て構成する場合のように、各層の形成段階ごとに原料を
変更する必要がなく、誘電体層６の製造工程を簡略化す
ることができる。
本実施例では、誘電体層６を構成する非晶質水素化炭化
ケイ素（ａ−５ｉＣ： Ｈ）の炭素原料ガスとしてメタ
ンを用いているが、炭素原料ガスとしてメタン以外に、
エタン、プロパン、ブタン、アセチレン等の炭化水素を
用いることも出来る。非晶質水素化炭化ケイ素の層！、
、Ｉｔ２の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法以外の
方法、例えばスパッタ法、熱ＣＶＤ 浩、真空蒸着法等
を用いることもできる。
ケイ素（ａ−５ｉＣ： Ｈ）の炭素原料ガスとしてメタ
ンを用いているが、炭素原料ガスとしてメタン以外に、
エタン、プロパン、ブタン、アセチレン等の炭化水素を
用いることも出来る。非晶質水素化炭化ケイ素の層！、
、Ｉｔ２の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法以外の
方法、例えばスパッタ法、熱ＣＶＤ 浩、真空蒸着法等
を用いることもできる。
ａ−５ｉ Ｃ：Ｈのケイ素の組成Ｙとしては、本
ｔ−ｙ 実施例の値に限定されることなく０．１≦Ｙ≦０．９（
ａ−５ｉ Ｃ：Ｈの炭素の組成Ｘとしては０．１≦
−Ｘ Ｘ Ｘ≦０．９）の範囲で任意に屈折率ｎを得るべく、Ｙ（
又はＸ）の値を決定することが可能であるが、特に低屈
折率層と高屈折率層とを積層するという観点からは、Ｙ
としテａｔ ０．１≦Ｙ≦０．５．０．７≦Ｙ≦０．９
（Ｘとしては、 ０．１；Ｘ≦０．３、０．５≦Ｘ
≦０．９）に選定することが望ましい。併せて、積層の
層数も、１７層に限定されることはなく、１０層以上、
望ましくは１５層以上がよい。
ｔ−ｙ 実施例の値に限定されることなく０．１≦Ｙ≦０．９（
ａ−５ｉ Ｃ：Ｈの炭素の組成Ｘとしては０．１≦
−Ｘ Ｘ Ｘ≦０．９）の範囲で任意に屈折率ｎを得るべく、Ｙ（
又はＸ）の値を決定することが可能であるが、特に低屈
折率層と高屈折率層とを積層するという観点からは、Ｙ
としテａｔ ０．１≦Ｙ≦０．５．０．７≦Ｙ≦０．９
（Ｘとしては、 ０．１；Ｘ≦０．３、０．５≦Ｘ
≦０．９）に選定することが望ましい。併せて、積層の
層数も、１７層に限定されることはなく、１０層以上、
望ましくは１５層以上がよい。
液晶表示モードとしては、ネマチック液晶を用いた場合
には本実施例に示した相転移モードのほかに、ツィステ
ッドネマチックモード、電界誘起複屈折モード、動的散
乱モード、ゲストホストモード、ハイブリッド電界効果
モードが利用出来る。
には本実施例に示した相転移モードのほかに、ツィステ
ッドネマチックモード、電界誘起複屈折モード、動的散
乱モード、ゲストホストモード、ハイブリッド電界効果
モードが利用出来る。
また、スメクチック液晶を用いた場合、ゲストホストモ
ード、光散乱モードが利用でき、このほかに強誘電性液
晶も利用できる。
ード、光散乱モードが利用でき、このほかに強誘電性液
晶も利用できる。
次に、第６図を参照しながら本発明の第２実施例を説明
する。
する。
同図に示す第２実施例では、３つの第１実施例と同様な
液晶表示素子を夫々Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）用の
３つの液晶ライトバルブ４１ａ ｓ ４１ｂ ％４１ｃ
として投射型カラー表示装置に用いる。この場合、同図
に示すように光源４５からの光をプリズム４３及びグイ
クロイックミラー４２ａ ｓ ４２ｂ ｓ ４２ｃによ
りＲＳＧ、Ｂの３色に分離し夫々液晶ライトパルプ４１
ａ ｓ ４１ｂ ｓ ４１ｅを通過させた後、再びプリ
ズム４３で合成しスクリーン４６上に投影する。
液晶表示素子を夫々Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）用の
３つの液晶ライトバルブ４１ａ ｓ ４１ｂ ％４１ｃ
として投射型カラー表示装置に用いる。この場合、同図
に示すように光源４５からの光をプリズム４３及びグイ
クロイックミラー４２ａ ｓ ４２ｂ ｓ ４２ｃによ
りＲＳＧ、Ｂの３色に分離し夫々液晶ライトパルプ４１
ａ ｓ ４１ｂ ｓ ４１ｅを通過させた後、再びプリ
ズム４３で合成しスクリーン４６上に投影する。
液晶ライトパルプ４１ａ ｚ ４１ｂ ｓ ４１ｃの製
造方法は第１実施例に示した通りであるが、Ｒ，Ｇ、Ｂ
の照明光に対応した夫々の液晶ライトバルブＲセル、Ｇ
セル、Ｂセルの誘電体層の反射率の波長分布を夫々のセ
ルで異なった特性とし、照明光のスペクトルとほぼ等し
いスペクトルとすることを特徴としている。
造方法は第１実施例に示した通りであるが、Ｒ，Ｇ、Ｂ
の照明光に対応した夫々の液晶ライトバルブＲセル、Ｇ
セル、Ｂセルの誘電体層の反射率の波長分布を夫々のセ
ルで異なった特性とし、照明光のスペクトルとほぼ等し
いスペクトルとすることを特徴としている。
これにより、誘電体層に要求される高反射率となる波長
範囲を狭くできるために、誘電体層の層厚を薄くするこ
とが出来る。例えば、高反射率を可視光全域（４００ｎ
ｍ〜７００ｎｍ）で達成するためには、第１実施例で示
したように約１．３μｍの層厚が必要であるが、５０Ｑ
＋＋ａｌ〜６’６０ｎｍの波長範囲に限定すれば、約０
．５μｍ〜０．８μｍの層厚でよい。従って液晶層に印
加される電圧を減少させることなく、反射率を高くする
ことが可能となる。
範囲を狭くできるために、誘電体層の層厚を薄くするこ
とが出来る。例えば、高反射率を可視光全域（４００ｎ
ｍ〜７００ｎｍ）で達成するためには、第１実施例で示
したように約１．３μｍの層厚が必要であるが、５０Ｑ
＋＋ａｌ〜６’６０ｎｍの波長範囲に限定すれば、約０
．５μｍ〜０．８μｍの層厚でよい。従って液晶層に印
加される電圧を減少させることなく、反射率を高くする
ことが可能となる。
このように構成された投射型カラー表示装置においては
、光源４５からの光がプリズム４３に入射する。その光
はプリズム４３及びグイクロイックミラー４２ａ 、
４２ｂ 、 ４２ｃによりＲ，Ｇ、Ｂに分離され画像が
形成された液晶ライトパルプ４１ａ 、 ４１ｂ 。
、光源４５からの光がプリズム４３に入射する。その光
はプリズム４３及びグイクロイックミラー４２ａ 、
４２ｂ 、 ４２ｃによりＲ，Ｇ、Ｂに分離され画像が
形成された液晶ライトパルプ４１ａ 、 ４１ｂ 。
４１ｃに夫々入射する。この入射光は夫々の液晶ライト
パルプ４１ａ Ｎ ４１ｂ ％ ４１ｃにおける誘電体
層によって反射され、プリズム４３で合成され、更にレ
ンズ４４によって拡大される。こうして液晶ライトパル
プ４１ａ Ｎ ４１ｂ Ｎ ４１ｃに形成された画像が
スクリーン４６に一つのカラー画像として投影される。
パルプ４１ａ Ｎ ４１ｂ ％ ４１ｃにおける誘電体
層によって反射され、プリズム４３で合成され、更にレ
ンズ４４によって拡大される。こうして液晶ライトパル
プ４１ａ Ｎ ４１ｂ Ｎ ４１ｃに形成された画像が
スクリーン４６に一つのカラー画像として投影される。
次に、液晶表示モードとして散乱型の液晶複合膜を用い
た本発明の第３実施例を示す。
た本発明の第３実施例を示す。
第３実施例の製造方法は誘電体層の形成までは実施例１
と同じである。第３実施例ではこのように誘電体層を形
成した後、ＵＶ重合性化合物である２官能性アクリレー
ト（日本化薬社製’ ＨＸ−６２０”）３０ｗ％とネマ
ティク液晶（Ｍｅｒｃｋ社製’ ２ＬＩ−３２０１−０
００’） ７０ｗ％と少量の重合開始剤（Ｍｅｒｃｋ社
製″Ｄａｒｏｃｕｒｅｌ１７３’）を混合した均一溶液
を作り、濾過する。
と同じである。第３実施例ではこのように誘電体層を形
成した後、ＵＶ重合性化合物である２官能性アクリレー
ト（日本化薬社製’ ＨＸ−６２０”）３０ｗ％とネマ
ティク液晶（Ｍｅｒｃｋ社製’ ２ＬＩ−３２０１−０
００’） ７０ｗ％と少量の重合開始剤（Ｍｅｒｃｋ社
製″Ｄａｒｏｃｕｒｅｌ１７３’）を混合した均一溶液
を作り、濾過する。
この溶液を形成した誘電体層の上に１０μｍの膜厚でス
ピナー塗布し紫外線露光する。この後対向電極ＩＴＯの
付いた透明基板を組み立てる。
ピナー塗布し紫外線露光する。この後対向電極ＩＴＯの
付いた透明基板を組み立てる。
このような構造の液晶表示素子の透明電極間には、その
作動時には交流電源によって電圧が印加される。この状
態で光が入射されると、光の当たった領域（明状態）で
は、光導電層のインピーダンスが減少し、交流電源によ
って印加された電圧は液晶層に加わる。一方光の当たら
ない領域（暗状態）では、光導電体層のインピーダンス
は変化せず液晶には電圧が加わらない。この明状態と暗
状態の違いにより画像が形成される。
作動時には交流電源によって電圧が印加される。この状
態で光が入射されると、光の当たった領域（明状態）で
は、光導電層のインピーダンスが減少し、交流電源によ
って印加された電圧は液晶層に加わる。一方光の当たら
ない領域（暗状態）では、光導電体層のインピーダンス
は変化せず液晶には電圧が加わらない。この明状態と暗
状態の違いにより画像が形成される。
このように画像が形成される第３実施例の液晶表示素子
を液晶ライトパルプとして例えば第２図のような投射型
表示装置に用いた場合、該液晶ライトパルプに光源から
の光が入射すると、液晶層の状態が変化していない部分
ではこの入射光は散乱されるために投影レンズには到達
せず、スクリーン上では暗状態となる。一方、このよう
な液晶ライトパルプにおいて液晶層の配向状態が変化し
た部分では液晶層が透明となるために入射光は誘電体層
によって反射され、投影レンズによって拡大され、これ
によって液晶ライトパルプに形成された画像がスクリー
ンに投影される。
を液晶ライトパルプとして例えば第２図のような投射型
表示装置に用いた場合、該液晶ライトパルプに光源から
の光が入射すると、液晶層の状態が変化していない部分
ではこの入射光は散乱されるために投影レンズには到達
せず、スクリーン上では暗状態となる。一方、このよう
な液晶ライトパルプにおいて液晶層の配向状態が変化し
た部分では液晶層が透明となるために入射光は誘電体層
によって反射され、投影レンズによって拡大され、これ
によって液晶ライトパルプに形成された画像がスクリー
ンに投影される。
［発明の効果］
本発明によれば、光吸収層及び誘電体層の少なくともい
ずれか一方が非晶質シリコン系の膜を含むが故に、光書
き込み型液晶表示素子の分解能を良好とし得る。
ずれか一方が非晶質シリコン系の膜を含むが故に、光書
き込み型液晶表示素子の分解能を良好とし得る。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す断面図、第２図
は、第１図の液晶表示素子を用いた投射型表示装置の構
成を示す説明図、第３図は、第１図の液晶表示素子の誘
電体層の構成を示す断面図、第４図は、原料ガスの流量
比 （ＣＨ／ （Ｓ＋Ｈ４＋ ＣＨ４） ）と非晶質水素化
炭化ケイ素（ａ−ｓｉ＋−ｘ ｃ Ｘ ：Ｈ）の組成と
の関係を示す図、及び第５図は非晶質水素化炭化ケイ素
（ａ−３ｉ Ｃ：Ｈ）の組成と非晶質水素化炭化ケ
Ｉ−Ｙ イ素の屈折率との関係を示す図、第６図は本発明の他の
実施例の液晶表示素子を用いた投射型カラー液晶表示装
置の構成を示す説明図である。 １・・・・・・光書き込み型液晶表示素子、２８・・・
・・・ガラス基板、 ３．９・・・・・・透明電極、４
・・・・・・光導電体層、 ５・・・・・・光吸収層
、６・・・・・・誘電体層、 ７．１０・・・・・
・配向膜、１１・・・・・・スペーサ、１２・・・・・
・液晶、１３・・・・・・電源、 ２０・・・
・・・光源、２１２４・・・・・・レンズ、２３・・・
偏向ビームスプリッタ、２５・・・・・・書き込み光、
２６・・・・・・照明レンズ、２７・・・・・・ス
クリーン、 Ｌｌ・・・・・・書き込み光、 Ｒ１ Ｒ２・・・・・・反射読み取り光、 ４１ａ ４１ｂ ４１ｃ・・・・・・液晶ライトバルブ
、４２ａ ４２ｂ ４２ｃ・・・・・・ダイクロイック
ミラー４３・・・・・・プリズム、 ４４・・・
・・・レンズ、４５・・・・・・光源、 ４
６・・・・・・スクリーン。 ・・・・・・入射読み取り光、 第３図 第５図
は、第１図の液晶表示素子を用いた投射型表示装置の構
成を示す説明図、第３図は、第１図の液晶表示素子の誘
電体層の構成を示す断面図、第４図は、原料ガスの流量
比 （ＣＨ／ （Ｓ＋Ｈ４＋ ＣＨ４） ）と非晶質水素化
炭化ケイ素（ａ−ｓｉ＋−ｘ ｃ Ｘ ：Ｈ）の組成と
の関係を示す図、及び第５図は非晶質水素化炭化ケイ素
（ａ−３ｉ Ｃ：Ｈ）の組成と非晶質水素化炭化ケ
Ｉ−Ｙ イ素の屈折率との関係を示す図、第６図は本発明の他の
実施例の液晶表示素子を用いた投射型カラー液晶表示装
置の構成を示す説明図である。 １・・・・・・光書き込み型液晶表示素子、２８・・・
・・・ガラス基板、 ３．９・・・・・・透明電極、４
・・・・・・光導電体層、 ５・・・・・・光吸収層
、６・・・・・・誘電体層、 ７．１０・・・・・
・配向膜、１１・・・・・・スペーサ、１２・・・・・
・液晶、１３・・・・・・電源、 ２０・・・
・・・光源、２１２４・・・・・・レンズ、２３・・・
偏向ビームスプリッタ、２５・・・・・・書き込み光、
２６・・・・・・照明レンズ、２７・・・・・・ス
クリーン、 Ｌｌ・・・・・・書き込み光、 Ｒ１ Ｒ２・・・・・・反射読み取り光、 ４１ａ ４１ｂ ４１ｃ・・・・・・液晶ライトバルブ
、４２ａ ４２ｂ ４２ｃ・・・・・・ダイクロイック
ミラー４３・・・・・・プリズム、 ４４・・・
・・・レンズ、４５・・・・・・光源、 ４
６・・・・・・スクリーン。 ・・・・・・入射読み取り光、 第３図 第５図
Claims (1)
- 第１の透明基板と、該第１の透明基板上に形成された第
１の透明電極層と、該第１の透明電極層上に形成された
光導電体層と、該光導電体層上に形成された光吸収層と
、該光吸収層上に形成された誘電体層と、第２の透明基
板と、該第２の透明基板上に形成された第２の透明電極
層と、該第２の透明電極層及び前記誘電体層間に挿入さ
れた液晶層とを有し、前記光吸収層及び前記誘電体層の
少なくともいずれか一方が非晶質シリコン系の膜を含む
ことを特徴とする光書き込み型液晶表示素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149273A JPH07104523B2 (ja) | 1989-10-02 | 1990-06-07 | 光書き込み型液晶表示素子 |
| EP90308843A EP0412843B1 (en) | 1989-08-11 | 1990-08-10 | Liquid crystal display device of optical writing type |
| DE69027158T DE69027158T2 (de) | 1989-08-11 | 1990-08-10 | Lichtadressierte Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| US07/902,417 US5245453A (en) | 1989-08-11 | 1992-06-19 | Liquid crystal modulator having a photoconductor and/or a dielectric mirror composed of hydrogenated amorphous silicon carbide |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25726789 | 1989-10-02 | ||
| JP1-257267 | 1989-10-02 | ||
| JP2149273A JPH07104523B2 (ja) | 1989-10-02 | 1990-06-07 | 光書き込み型液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200934A true JPH03200934A (ja) | 1991-09-02 |
| JPH07104523B2 JPH07104523B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=26479213
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1208514A Expired - Fee Related JP2761253B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 光書込み形液晶表示装置 |
| JP2149273A Expired - Fee Related JPH07104523B2 (ja) | 1989-08-11 | 1990-06-07 | 光書き込み型液晶表示素子 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1208514A Expired - Fee Related JP2761253B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 光書込み形液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP2761253B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009525397A (ja) * | 2006-01-30 | 2009-07-09 | ユーロピアン エアロノティック ディフェンス アンド スペース カンパニー イーエーディーエス フランス | 薄膜多層構造体、該構造体を含む構成要素、および該構造体の堆積方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253924A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Seiko Epson Corp | ライトバルブ及びその製造法 |
| JPH03110524A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6054196A (ja) * | 1983-09-01 | 1985-03-28 | 旭化成株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1208514A patent/JP2761253B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149273A patent/JPH07104523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253924A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Seiko Epson Corp | ライトバルブ及びその製造法 |
| JPH03110524A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空間光変調素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009525397A (ja) * | 2006-01-30 | 2009-07-09 | ユーロピアン エアロノティック ディフェンス アンド スペース カンパニー イーエーディーエス フランス | 薄膜多層構造体、該構造体を含む構成要素、および該構造体の堆積方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2761253B2 (ja) | 1998-06-04 |
| JPH07104523B2 (ja) | 1995-11-13 |
| JPH0372325A (ja) | 1991-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6426785B2 (en) | Reflective liquid crystal display device | |
| US6831720B2 (en) | High-brightness color liquid crystal display panel employing light recycling therewithin | |
| JP2998075B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| KR100680100B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US4832461A (en) | Projection-type multi-color liquid crystal display device | |
| JP4690194B2 (ja) | 内部リア側偏光器を備えたカラー液晶ディスプレー | |
| JP3806104B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2665477B2 (ja) | 光書き込み型液晶表示素子 | |
| US5245453A (en) | Liquid crystal modulator having a photoconductor and/or a dielectric mirror composed of hydrogenated amorphous silicon carbide | |
| JP3310569B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| WO2000050954A1 (en) | Liquid crystal display | |
| JP2003140183A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| US5142391A (en) | Liquid-crystal display device of optical writing type having a light absorbing layer composed of a carbon-dispersed system coating | |
| JPH04134323A (ja) | 光書き込み型液晶表示素子 | |
| TW539894B (en) | Planar display device | |
| JPH06230371A (ja) | 反射型液晶電気光学装置 | |
| JP4625575B2 (ja) | 偏光反射素子、これを備えた液晶表示素子、および偏光反射素子の製造方法 | |
| JPH03200934A (ja) | 光書き込み型液晶表示素子 | |
| US5315420A (en) | Optical writing type liquid crystal display device | |
| JP3482737B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| JPH1010528A (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| JP2001209046A (ja) | 平面表示装置 | |
| JPH08166604A (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
| TWI231874B (en) | Liquid crystal display having high brightness and wide viewing angle | |
| JP3580994B2 (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |