JPH03201346A - 積層状陰極装置 - Google Patents
積層状陰極装置Info
- Publication number
- JPH03201346A JPH03201346A JP1341405A JP34140589A JPH03201346A JP H03201346 A JPH03201346 A JP H03201346A JP 1341405 A JP1341405 A JP 1341405A JP 34140589 A JP34140589 A JP 34140589A JP H03201346 A JPH03201346 A JP H03201346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- pin
- heat
- heater
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、インライン型カラーブラウン管に用いられ
る積層状陰極装置・特にカントオフ電圧のバラツキを低
減し、導線の浴接点の信頼性を向上させる構造に関する
ものである。
る積層状陰極装置・特にカントオフ電圧のバラツキを低
減し、導線の浴接点の信頼性を向上させる構造に関する
ものである。
(従来の技術〕
第6図〜第8図は・従来のこの種陰極装置を示す図で、
図において、lは0.1〜0.4fl程度の厚さのサフ
ァイアから構成された耐熱性絶縁基板、2は耐熱性絶縁
基板1の一面にタングステンがスパッタリング等の方法
で直線状に被着形成され、写真製版技術によって所定形
状にエツチング加工された基体金属、3は基体金属2と
向様の方法で一体的に耐熱性絶縁基板上に被着形成され
・先端に陰極端子31が形成されたリード線、4は8個
の基体金属2上にスプレー等の方法で被着形成された(
Ba、81,0a)0等のアルカリ土類金属酸化物から
なる電子放射物質、51は耐熱性絶縁基板lの他面の基
体金属2に対間する部位にスパッタリングでタングステ
ンの薄膜を被着して後、エツチング加工により蛇行形状
に形成した発熱体、認は8個の発熱体51と一体的に被
H戒形され発熱体社を直列に接続する導線、羽は発熱体
51および導llA32と共にヒータ5を構成するヒー
タ端子、6はステアタイト製の陰極容器、7は陰極容器
6に植立された陰極ピン、8は陰極容器6に植立された
ヒータピン、9は陰極端子31と陰極ピン7およびヒー
タ端子部とヒータピン8とを接続する導体、10は金属
基体2および電子放射物質4に対して0.111前後の
間隔を隔てて配置された8個の電子ビーム通過孔101
を有する電子銃の第1グリツドである。
図において、lは0.1〜0.4fl程度の厚さのサフ
ァイアから構成された耐熱性絶縁基板、2は耐熱性絶縁
基板1の一面にタングステンがスパッタリング等の方法
で直線状に被着形成され、写真製版技術によって所定形
状にエツチング加工された基体金属、3は基体金属2と
向様の方法で一体的に耐熱性絶縁基板上に被着形成され
・先端に陰極端子31が形成されたリード線、4は8個
の基体金属2上にスプレー等の方法で被着形成された(
Ba、81,0a)0等のアルカリ土類金属酸化物から
なる電子放射物質、51は耐熱性絶縁基板lの他面の基
体金属2に対間する部位にスパッタリングでタングステ
ンの薄膜を被着して後、エツチング加工により蛇行形状
に形成した発熱体、認は8個の発熱体51と一体的に被
H戒形され発熱体社を直列に接続する導線、羽は発熱体
51および導llA32と共にヒータ5を構成するヒー
タ端子、6はステアタイト製の陰極容器、7は陰極容器
6に植立された陰極ピン、8は陰極容器6に植立された
ヒータピン、9は陰極端子31と陰極ピン7およびヒー
タ端子部とヒータピン8とを接続する導体、10は金属
基体2および電子放射物質4に対して0.111前後の
間隔を隔てて配置された8個の電子ビーム通過孔101
を有する電子銃の第1グリツドである。
この従来のものでは、ヒータピン8の両端に電圧を印加
すると発熱体51に電流が流れ、ジュール熱が下式に示
すように電流の2乗と発熱体51の電気抵抗と時間との
積で決まる量で発生する。
すると発熱体51に電流が流れ、ジュール熱が下式に示
すように電流の2乗と発熱体51の電気抵抗と時間との
積で決まる量で発生する。
Q=I’XRXf
ここでQは熱量、■は電流、Bは抵抗、tは時間を表す
。
。
この発生熱が熱伝導および熱輻射によって耐熱性絶縁基
板lを通して8個の基体金属2を加熱する。卆体金属2
が約8000の動作fit度まで加熱されると、電子放
射物質4の成分であるpaoが基体金属2であるWと還
元反応を起こして遊離Baが生じる。この遊jliHa
がドナーとなって電子放射物質4から電子ビームが発射
され、カラーブラウン管の8色の螢光面を光らせる。こ
の電子ビームの量は、第1グリンド10と陰極間の電位
により変化する0 この従来の積層状陰極装置においては、陰極の動作温度
であるaoo′c”zで基体金属2を加熱すると基体金
属2あるいは発熱体品からの伝導熱で導lI9の温度が
約700C近くの高温に昇温する。この温度上昇および
耐熱性絶縁基板lの温度上昇により耐熱性絶縁基板1お
よび導$9が熱膨張を起こしヒータピン8および陰極ピ
ン7の各導線9との溶接点に熱膨張に起因する応力が加
わり、溶接が外れたりすることがある。
板lを通して8個の基体金属2を加熱する。卆体金属2
が約8000の動作fit度まで加熱されると、電子放
射物質4の成分であるpaoが基体金属2であるWと還
元反応を起こして遊離Baが生じる。この遊jliHa
がドナーとなって電子放射物質4から電子ビームが発射
され、カラーブラウン管の8色の螢光面を光らせる。こ
の電子ビームの量は、第1グリンド10と陰極間の電位
により変化する0 この従来の積層状陰極装置においては、陰極の動作温度
であるaoo′c”zで基体金属2を加熱すると基体金
属2あるいは発熱体品からの伝導熱で導lI9の温度が
約700C近くの高温に昇温する。この温度上昇および
耐熱性絶縁基板lの温度上昇により耐熱性絶縁基板1お
よび導$9が熱膨張を起こしヒータピン8および陰極ピ
ン7の各導線9との溶接点に熱膨張に起因する応力が加
わり、溶接が外れたりすることがある。
また溶接が外れない場合は、導線9が応力によって凸状
あるいは凹状に湾曲し、耐熱性絶縁基板1が初期の基準
面から上方あるいは下方に変位する。耐熱性絶縁板1の
変位によって第1グリツドlOと電子放射物質4との間
隔の変動を引き起こし、電子銃の電気的特性の一つであ
るカットオフ電圧のバラツキを助長することになる。
あるいは凹状に湾曲し、耐熱性絶縁基板1が初期の基準
面から上方あるいは下方に変位する。耐熱性絶縁板1の
変位によって第1グリツドlOと電子放射物質4との間
隔の変動を引き起こし、電子銃の電気的特性の一つであ
るカットオフ電圧のバラツキを助長することになる。
従来の積層状陰極装置は以上のように構成されているた
め、導線の溶接部の信頼性・刀ットオ7電出のバラツキ
の増大の問題があった。
め、導線の溶接部の信頼性・刀ットオ7電出のバラツキ
の増大の問題があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
ものであり、導線とピンの溶接部の信頼性向上およびカ
ットオフ電圧のバラツキの低減を目的とする、改良され
た積層状陰極装置を提供しようとするものである。
ものであり、導線とピンの溶接部の信頼性向上およびカ
ットオフ電圧のバラツキの低減を目的とする、改良され
た積層状陰極装置を提供しようとするものである。
この発明に係る積層状陰極装置は、耐熱性絶縁基板の一
面に被着形成された基体金属上に電子放射物質を被着形
成し、耐熱性絶縁基板の他面にヒータを被着形成すると
共に、陰極容器に植立された陰極ピンとヒータピンにL
字状に折り曲げられた導線によって耐熱性絶縁基板を支
持接続したものである。
面に被着形成された基体金属上に電子放射物質を被着形
成し、耐熱性絶縁基板の他面にヒータを被着形成すると
共に、陰極容器に植立された陰極ピンとヒータピンにL
字状に折り曲げられた導線によって耐熱性絶縁基板を支
持接続したものである。
この発明においては、導線を折り曲げ形状にしたため、
導線と陰極ピンあるいはヒータピンとの浴接点に加わる
熱膨張による応力が緩和され、溶接点の信頼性が向上し
、耐熱性絶縁基板の変位を低減することが可能となる。
導線と陰極ピンあるいはヒータピンとの浴接点に加わる
熱膨張による応力が緩和され、溶接点の信頼性が向上し
、耐熱性絶縁基板の変位を低減することが可能となる。
以下この発明の一実施例を第1図〜第8図にもとづいて
詳細に説明する^ 即ち第1図〜第8図において、9は全長が5flで第2
図に示すように寸法ムが2m、寸法Bが8nとなるよう
にL字状に折り曲げられた直径0.Inの白金線からな
り・陰極端子31と陰極ピン7およびヒータ端子部とヒ
ータピン8とを接続する導線である。
詳細に説明する^ 即ち第1図〜第8図において、9は全長が5flで第2
図に示すように寸法ムが2m、寸法Bが8nとなるよう
にL字状に折り曲げられた直径0.Inの白金線からな
り・陰極端子31と陰極ピン7およびヒータ端子部とヒ
ータピン8とを接続する導線である。
ここで導線9はパラレルギャップ方法の溶接機を使用し
て耐熱性絶縁基板lのヒータ端子部および陰極端子31
に浴接される。ついで、陰極ピン7およびヒータピン8
に向じくパラレルギャップ溶接方法で溶接固定して陰極
装置が完成する。
て耐熱性絶縁基板lのヒータ端子部および陰極端子31
に浴接される。ついで、陰極ピン7およびヒータピン8
に向じくパラレルギャップ溶接方法で溶接固定して陰極
装置が完成する。
なお、その他の構成は第6図〜第8図に示す従来のもの
と同様であるので説明を省略する。
と同様であるので説明を省略する。
このように構成されたものでは、発熱体51に電圧が印
加されると発熱体51は従来のものと同様にジュール熱
によって発熱する。このジュール熱による輻射熱および
伝導熱により耐熱性絶縁基板lが加熱される^基体金1
42が約soo cの高温に加熱されると電子放射物質
4層の成分である酸化バリウムと基体金属2とが反応を
起こし、この反応で生じたBaがドナーとなって電子放
射が行われる。
加されると発熱体51は従来のものと同様にジュール熱
によって発熱する。このジュール熱による輻射熱および
伝導熱により耐熱性絶縁基板lが加熱される^基体金1
42が約soo cの高温に加熱されると電子放射物質
4層の成分である酸化バリウムと基体金属2とが反応を
起こし、この反応で生じたBaがドナーとなって電子放
射が行われる。
この高温動作によって導線6は約700℃の高温に昇湿
し熱膨張を起こすが、第2図の点線で示す状態に変位す
る。
し熱膨張を起こすが、第2図の点線で示す状態に変位す
る。
従ってヒータピン8や陰極ピン7の溶接点への応力が緩
和される。このように熱膨張による応力を緩和すること
ができるため、導線9の湾曲状変形も低減できる。
和される。このように熱膨張による応力を緩和すること
ができるため、導線9の湾曲状変形も低減できる。
第8図はこの実施例のものにおけるカットオフ電圧のバ
ラツキを示すもので、従来例の積層状陰極装置と比較し
て記載している。この図から解るように、従来力ントオ
7wL圧のバラフキが270v〜450vであったもの
が、この実施例のものでは810v〜410 Vと低減
できた。
ラツキを示すもので、従来例の積層状陰極装置と比較し
て記載している。この図から解るように、従来力ントオ
7wL圧のバラフキが270v〜450vであったもの
が、この実施例のものでは810v〜410 Vと低減
できた。
第4図は他の実施例を示すもので、導1Ij19をL字
状以外の形状にしても同様な効果を得ることができる0
さらに第5図も他の実施例で、耐熱性絶縁基板lの平面
部に対して導1s9を90度に折り曲げ加工をしたので
、同様の効果をもたらす。
状以外の形状にしても同様な効果を得ることができる0
さらに第5図も他の実施例で、耐熱性絶縁基板lの平面
部に対して導1s9を90度に折り曲げ加工をしたので
、同様の効果をもたらす。
上記のようにこの発明による積層状陰極装置は、耐熱性
絶縁基板を陰極ピンおよびヒータピンにL字状に折り曲
げられた導線によって支持接続したため、耐熱性絶縁基
板の変位を抑えることが可能となると共にピンと導線の
溶接点への熱膨張による応力を低減できるため信頼性が
向上する。
絶縁基板を陰極ピンおよびヒータピンにL字状に折り曲
げられた導線によって支持接続したため、耐熱性絶縁基
板の変位を抑えることが可能となると共にピンと導線の
溶接点への熱膨張による応力を低減できるため信頼性が
向上する。
第1図〜第8図はこの発明の一実施例を示す図で、第1
図は要部平面図、第2図は要部拡大平面図、第8図は特
性図、第4図および第5図はこの発明の他の実施例を示
す図で、第4図は要部概略平面図、第5図は要部側面図
、第6図〜第8図は従来のこの種檀層状陰極装置を示す
図で、第6図は平面図、第7図は要部平面図、第8図は
断面図である。 図中、lは耐熱性絶縁基板、2は基体金属、4は電子放
射物質、51は発熱体、6は陰極容器、7は陰極ピン、
8はヒータピン、9は導線である。 なお図中同一符号は同一−1:たは相当部分を示す。
図は要部平面図、第2図は要部拡大平面図、第8図は特
性図、第4図および第5図はこの発明の他の実施例を示
す図で、第4図は要部概略平面図、第5図は要部側面図
、第6図〜第8図は従来のこの種檀層状陰極装置を示す
図で、第6図は平面図、第7図は要部平面図、第8図は
断面図である。 図中、lは耐熱性絶縁基板、2は基体金属、4は電子放
射物質、51は発熱体、6は陰極容器、7は陰極ピン、
8はヒータピン、9は導線である。 なお図中同一符号は同一−1:たは相当部分を示す。
Claims (1)
- 耐熱性絶縁基板の一面に被着形成された基体金属、この
基体金属上に被着形成された電子放射物質、上記耐熱性
絶縁基板の他面に被着形成されたヒータ、陰極容器に植
立されたヒータピンおよび陰極ピン、上記耐熱性絶縁基
板を上記ヒータピンおよび陰極ピンに支持接続すると共
にL字状に曲げ成形された導線を備えた積層状陰極装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341405A JPH03201346A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 積層状陰極装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341405A JPH03201346A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 積層状陰極装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201346A true JPH03201346A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18345814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1341405A Pending JPH03201346A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 積層状陰極装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201346A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997044803A1 (fr) * | 1996-05-21 | 1997-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Structure de cathode, structure de canon a electron, grille pour canon a electron, tube electronique, element chauffant et procede de fabrication de la structure de cathode |
| CN110994301A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-04-10 | 上海空间电源研究所 | 一种用于航天功率产品的钩型功率汇集装置 |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP1341405A patent/JPH03201346A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997044803A1 (fr) * | 1996-05-21 | 1997-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Structure de cathode, structure de canon a electron, grille pour canon a electron, tube electronique, element chauffant et procede de fabrication de la structure de cathode |
| US6130502A (en) * | 1996-05-21 | 2000-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cathode assembly, electron gun assembly, electron tube, heater, and method of manufacturing cathode assembly and electron gun assembly |
| CN110994301A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-04-10 | 上海空间电源研究所 | 一种用于航天功率产品的钩型功率汇集装置 |
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