JPH03202246A - 真空チャック - Google Patents
真空チャックInfo
- Publication number
- JPH03202246A JPH03202246A JP1342276A JP34227689A JPH03202246A JP H03202246 A JPH03202246 A JP H03202246A JP 1342276 A JP1342276 A JP 1342276A JP 34227689 A JP34227689 A JP 34227689A JP H03202246 A JPH03202246 A JP H03202246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- workpiece
- thin film
- vacuum chuck
- bore
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 238000005480 shot peening Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はシリコンウェハーなどの被加工物を吸引固定す
る真空チャックに関する。
る真空チャックに関する。
（従来の技術）
シリコンウェハー表面にレジストを塗布したり、シリコ
ンウェハー表面に形成した感光性樹脂膜にＩＣパターン
を焼き付ける場合に、従来からシリコンウェハーの下面
を真空チャックによって吸弓保持している。
ンウェハー表面に形成した感光性樹脂膜にＩＣパターン
を焼き付ける場合に、従来からシリコンウェハーの下面
を真空チャックによって吸弓保持している。
斯かる真空チャックは被加工物を載置する面に真空源に
つながる溝を形成し、この溝を介して被加工物を吸引固
定するようにしており、真空チャックの材料としてはス
テンレス、アルミ合金等の金属或いはセラくツクを用い
ている。
つながる溝を形成し、この溝を介して被加工物を吸引固
定するようにしており、真空チャックの材料としてはス
テンレス、アルミ合金等の金属或いはセラくツクを用い
ている。
（発明が解決しようとする課題）
シリコンウェハーは極めて薄く曲りやすい。したがって
このようなシリコンウェハーを吸引固定する真空チャッ
ク吸着面は平坦度が高いことが要求される。しかしなが
ら、金属製の真空チャックは平坦度を高精度に出すこと
が困難で、且つ熱によって変形しやすい。
このようなシリコンウェハーを吸引固定する真空チャッ
ク吸着面は平坦度が高いことが要求される。しかしなが
ら、金属製の真空チャックは平坦度を高精度に出すこと
が困難で、且つ熱によって変形しやすい。
一方、セラミックの場合には高平坦度で変形しにくいも
のとすることができるが、被加工物の載置面に微小なポ
アが露出し、このポアに汚れが付着するためたびたび洗
浄しなければならない。
のとすることができるが、被加工物の載置面に微小なポ
アが露出し、このポアに汚れが付着するためたびたび洗
浄しなければならない。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決すべく本発明は、真空チャックをチャッ
ク本体とこのチャック本体の被加工物を載置する表面に
形成したセラミック薄膜とで構成し、チャック本体につ
いては成形後に焼成して得られる通常のセラくツク焼成
体とし、セラミック薄膜についてはＣＶＤ等で形成する
ポアの無いものとした。
ク本体とこのチャック本体の被加工物を載置する表面に
形成したセラミック薄膜とで構成し、チャック本体につ
いては成形後に焼成して得られる通常のセラくツク焼成
体とし、セラミック薄膜についてはＣＶＤ等で形成する
ポアの無いものとした。
（作用）
セラミック原料を戒心した後焼成してチャック本体とし
、このチャック本体の表面に研削加工を施した後に化学
気相析出法（ＣＶＤ）等によってセラくツク薄膜をコー
ティングする。
、このチャック本体の表面に研削加工を施した後に化学
気相析出法（ＣＶＤ）等によってセラくツク薄膜をコー
ティングする。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基いて説明する。
第１図は本発明に係る真空チャックの断面図、第２図は
同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）及び
第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程を
示す拡大断面図である。
同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）及び
第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程を
示す拡大断面図である。
真空チャック１は略円盤状をなし、中央部には真空ポン
プなどにつながる穴２を穿殺し、またシリコンウェハー
などの被加工物Ｗを載置する表面には前記穴２につなが
る満３・・・を形成している。
プなどにつながる穴２を穿殺し、またシリコンウェハー
などの被加工物Ｗを載置する表面には前記穴２につなが
る満３・・・を形成している。
この溝３・・・としては格子状或いは同心円状のものに
限らず不規則な凹部であってもよい。
限らず不規則な凹部であってもよい。
また、真空チャック１はチャック本体４と前記被加工物
Ｗを載置する表面に形成されたセラくツク薄膜５とから
なり、チャック本体４内には微小なポア６・・・が粒界
などに存在しているが、セラミック薄膜５はポアが存在
しない緻密な組織となている。ここで、チャック本体４
及びセラくツク薄膜５の構成材料としてはＴｉＣ％Ｔ
ｒ Ｎ ｓ Ａ ｌ ２０３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ等と
する。
Ｗを載置する表面に形成されたセラくツク薄膜５とから
なり、チャック本体４内には微小なポア６・・・が粒界
などに存在しているが、セラミック薄膜５はポアが存在
しない緻密な組織となている。ここで、チャック本体４
及びセラくツク薄膜５の構成材料としてはＴｉＣ％Ｔ
ｒ Ｎ ｓ Ａ ｌ ２０３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ等と
する。
以上の如き構成の真空チャックの製造方法を第３図に基
いて説明する。
いて説明する。
先ずセラミック原料を有機バインダ等とともに混練して
成形体とし、この成形体を゛焼成してチャック本体４を
得るが、このチャック本体４にはその製造方法に起因し
て第３図（Ａ）に示すような内部〔粒界〕にポア６・・
・が存在する。尚、分りやすくするため図面ではポア８
を大きくしているが、実際には微小なものである。
成形体とし、この成形体を゛焼成してチャック本体４を
得るが、このチャック本体４にはその製造方法に起因し
て第３図（Ａ）に示すような内部〔粒界〕にポア６・・
・が存在する。尚、分りやすくするため図面ではポア８
を大きくしているが、実際には微小なものである。
次いでこのチャック本体４の表面を研削してラップ加工
と同程度まで平滑にする。そしてこの研削加工により内
部に存在していたポアの一部が表面に露出する。
と同程度まで平滑にする。そしてこの研削加工により内
部に存在していたポアの一部が表面に露出する。
この後、研削した表面にポアのないセラくツク薄膜５を
形成する。形成の方法としては、スパッタリング、イオ
ンブレーティング、熱ＣＶＤ或いはプラズマＣＶＤなど
による。
形成する。形成の方法としては、スパッタリング、イオ
ンブレーティング、熱ＣＶＤ或いはプラズマＣＶＤなど
による。
以上の如くして、チャック本体４の一面側（ウェハーを
載置する側）にセラくツク薄膜５を形成した後、ラップ
加工によってセラミック薄膜５の表面を平滑化する。
載置する側）にセラくツク薄膜５を形成した後、ラップ
加工によってセラミック薄膜５の表面を平滑化する。
次いで、セラミック薄膜５の表面を所定の部分に窓７ａ
を形成したマスク７にて覆い、サンドブラスト或いはシ
ョットピーニング等により窓７ａに相当する部分に溝３
を形成する。この溝３・・・は前記した如くランダムな
形状の凹部で６よい。
を形成したマスク７にて覆い、サンドブラスト或いはシ
ョットピーニング等により窓７ａに相当する部分に溝３
を形成する。この溝３・・・は前記した如くランダムな
形状の凹部で６よい。
第４図は他の製造方法を示すものであり、この製造方法
にあっては、第４図（Ａ）に示すようにチャック本体４
を得、このチャック本体４の研削した表面に第４図（Ｂ
）に示すようにマスク７を被せてサンドブラスト或いは
ショットピーニングを行ない、第４図（Ｃ）に示すよう
に溝３を形成する。そして溝３を形成した上から第４図
（Ｄ）に示すように前記と同様の方法によりセラミック
薄膜５を形成する。即ち、この実施例にあっては、溝３
の内部までセラくツク薄膜５が一体的に形成される。
にあっては、第４図（Ａ）に示すようにチャック本体４
を得、このチャック本体４の研削した表面に第４図（Ｂ
）に示すようにマスク７を被せてサンドブラスト或いは
ショットピーニングを行ない、第４図（Ｃ）に示すよう
に溝３を形成する。そして溝３を形成した上から第４図
（Ｄ）に示すように前記と同様の方法によりセラミック
薄膜５を形成する。即ち、この実施例にあっては、溝３
の内部までセラくツク薄膜５が一体的に形成される。
尚、実施例においては各種セラミック材料と各種製法に
よってチャック本体４及びセラミック薄膜５を形成した
が、セラくツク薄膜としてＴ ｉＣ。
よってチャック本体４及びセラミック薄膜５を形成した
が、セラくツク薄膜としてＴ ｉＣ。
ＴｉＮ％ＳｉＣのように導電性或いは半導電性の材料を
使用すれば、静電気を容易に逃すことができる。また、
材料及び製法の組合せで最も良い結果となったのは、チ
ャック本体４をＡｌ２Ｏ３とし、セラミック薄膜５をプ
ラズマＣＶＤ法によるＴｉＣとした場合であった。これ
は、Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣとの密着性が高く、比較的低温
（５００〜８００℃）で膜形成できるので熱による変形
が殆どなく、更に膜の形成速度が速く厚くコーティング
できることによる。
使用すれば、静電気を容易に逃すことができる。また、
材料及び製法の組合せで最も良い結果となったのは、チ
ャック本体４をＡｌ２Ｏ３とし、セラミック薄膜５をプ
ラズマＣＶＤ法によるＴｉＣとした場合であった。これ
は、Ａｌ２Ｏ３とＴｉＣとの密着性が高く、比較的低温
（５００〜８００℃）で膜形成できるので熱による変形
が殆どなく、更に膜の形成速度が速く厚くコーティング
できることによる。
（効果）
以上に説明したように本発明によれば、真空チャックを
チャック本体とこのチャック本体の被加工物を載置する
表面に形成したポアのないセラミック薄膜とで構成した
ので被加工物の載置面に汚れが付着することがなく、ま
たチャック全体がセラシックからなるため、被加工物を
載置する面の平坦度を高精度に出すことができ且つ熱に
よる変形を抑えられる。
チャック本体とこのチャック本体の被加工物を載置する
表面に形成したポアのないセラミック薄膜とで構成した
ので被加工物の載置面に汚れが付着することがなく、ま
たチャック全体がセラシックからなるため、被加工物を
載置する面の平坦度を高精度に出すことができ且つ熱に
よる変形を抑えられる。
第１図は本発明に係る真空チャックの断面図、第２図は
同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）及び
第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程を
示す拡大断面図である。 尚、図面中１は真空チャック、３は溝、４はチャック本
体、５はセラくツク薄膜、６はポアである。 寸 手 続 補 正 書（自発） ７、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙の通り訂正す
る。 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄を次の通り１、事
件の表示 特願平１ ３４２２７６号 発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （ＡＯ８）東陶機器株式会社 補正命令の日付 自発 τＰア を、「実質的に戸φの無い」と訂正する。 ■ 第３頁第７行目に「研削加工」とあるを、「研削加
工又は研摩加工」と訂正する。 ■ 第４頁第７行目に「存在しない」とあるを、「実質
的に存在しない」と訂正する。 ■ 第５頁第８行目に「−面側」とあるを、「少なくて
も一面側」と訂正する。 ■ 第６頁第１７行目に「比較的低温（５００〜８００
°Ｃ） Ｊとあるを、「比較的低温（５００°Ｃ〜９５
０°Ｃ）」と訂正する。 補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
「２、特許請求の範囲 被加工物を載置する表面に真空源につながる吸引溝を形
成した真空チャックにおいて、この真空チャックはセラ
ミック原料を成形して焼成したチャック本体の被加工物
を載置する表面に実質的にポアの無いセラミック薄膜を
形成したことを特徴とする真空チャック。」
同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）及び
第４図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程を
示す拡大断面図である。 尚、図面中１は真空チャック、３は溝、４はチャック本
体、５はセラくツク薄膜、６はポアである。 寸 手 続 補 正 書（自発） ７、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙の通り訂正す
る。 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄を次の通り１、事
件の表示 特願平１ ３４２２７６号 発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （ＡＯ８）東陶機器株式会社 補正命令の日付 自発 τＰア を、「実質的に戸φの無い」と訂正する。 ■ 第３頁第７行目に「研削加工」とあるを、「研削加
工又は研摩加工」と訂正する。 ■ 第４頁第７行目に「存在しない」とあるを、「実質
的に存在しない」と訂正する。 ■ 第５頁第８行目に「−面側」とあるを、「少なくて
も一面側」と訂正する。 ■ 第６頁第１７行目に「比較的低温（５００〜８００
°Ｃ） Ｊとあるを、「比較的低温（５００°Ｃ〜９５
０°Ｃ）」と訂正する。 補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
「２、特許請求の範囲 被加工物を載置する表面に真空源につながる吸引溝を形
成した真空チャックにおいて、この真空チャックはセラ
ミック原料を成形して焼成したチャック本体の被加工物
を載置する表面に実質的にポアの無いセラミック薄膜を
形成したことを特徴とする真空チャック。」
Claims (1)
- 被加工物を載置する表面に真空源につながる吸引溝を形
成した真空チャックにおいて、この真空チャックはセラ
ミック原料を成形して焼成したチャック本体の被加工物
を載置する表面にポアの無いセラミック薄膜を形成した
ことを特徴とする真空チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342276A JP2779968B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 真空チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342276A JP2779968B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 真空チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03202246A true JPH03202246A (ja) | 1991-09-04 |
| JP2779968B2 JP2779968B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=18352471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342276A Expired - Lifetime JP2779968B2 (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 真空チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2779968B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04304941A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー保持具の製造方法 |
| JP2002015977A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 基板ホルダー |
| WO2010095719A1 (ja) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | 株式会社ソディック | 着色セラミック真空チャックおよびその製造方法 |
| JP2016512396A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-04-25 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の寿命及び効率を改善する方法 |
| CN119637510A (zh) * | 2025-02-18 | 2025-03-18 | 珠海芯烨电子科技有限公司 | 一种陶瓷材质的薄片真空取料吸头 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6715616B2 (ja) * | 2016-02-19 | 2020-07-01 | 日本特殊陶業株式会社 | 位置決めステージ用のテーブルおよびこれを用いた位置決め方法 |
| KR102012784B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2019-08-21 | 모던세라믹스(주) | 실리콘 카바이드를 이용한 진공척 및 그 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230159A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Nikon Corp | 基板吸着装置 |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1342276A patent/JP2779968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0230159A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Nikon Corp | 基板吸着装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04304941A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー保持具の製造方法 |
| JP2002015977A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 基板ホルダー |
| WO2010095719A1 (ja) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | 株式会社ソディック | 着色セラミック真空チャックおよびその製造方法 |
| JP4761334B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2011-08-31 | 株式会社ソディック | 着色セラミック真空チャックおよびその製造方法 |
| CN102308379A (zh) * | 2009-02-23 | 2012-01-04 | 株式会社沙迪克 | 着色陶瓷真空夹盘以及其制造方法 |
| US8899564B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-12-02 | Sodick Co., Ltd. | Colored ceramic vacuum chuck and manufacturing method thereof |
| JP2016512396A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-04-25 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の寿命及び効率を改善する方法 |
| CN119637510A (zh) * | 2025-02-18 | 2025-03-18 | 珠海芯烨电子科技有限公司 | 一种陶瓷材质的薄片真空取料吸头 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2779968B2 (ja) | 1998-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080138504A1 (en) | Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment | |
| JP3258042B2 (ja) | ウエハチャック | |
| KR102589227B1 (ko) | 기판 고정 장치 | |
| JP2002015977A (ja) | 基板ホルダー | |
| JPH03202246A (ja) | 真空チャック | |
| CN113748500A (zh) | 静电卡盘 | |
| JPH056433B2 (ja) | ||
| JPH0582631A (ja) | 半導体ウエーハ用真空チヤツク | |
| US6135054A (en) | Semiconductor wafer holder with CVD silicon carbide film coating | |
| US6001180A (en) | Semiconductor wafer holder with CVD silicon carbide film coating | |
| JPH10229115A (ja) | ウェハ用真空チャック | |
| JP2748181B2 (ja) | ウエハチャック | |
| JP2002151580A (ja) | ウエハー保持具の製造方法及びウエハー保持具 | |
| JPH0751221Y2 (ja) | 真空チャック | |
| JP2602000B2 (ja) | 被覆パターン形成用マスク | |
| JPH0230159A (ja) | 基板吸着装置 | |
| JP3810341B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP2002170871A (ja) | 静電チャック | |
| JP2621749B2 (ja) | 半導体搬送用治具 | |
| CN114597152A (zh) | 一种静电卡盘的制造方法 | |
| JP2961480B2 (ja) | 半導体ウエハ移載用フォーク | |
| JPH0738305Y2 (ja) | 真空吸着プレート | |
| JP2007194393A (ja) | 静電チャック | |
| KR100303752B1 (ko) | Cvd 실리콘 카바이드 필름 코팅을 갖는 반도체 웨이퍼 홀더 | |
| KR100286698B1 (ko) | Cvd 실리콘 카바이드 필름 코팅을 갖는 반도체 웨이퍼 홀더 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080515 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090515 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090515 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100515 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100515 Year of fee payment: 12 |