JPH0320386A - 硬質砥粒 - Google Patents

硬質砥粒

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JPH0320386A
JPH0320386A JP1153125A JP15312589A JPH0320386A JP H0320386 A JPH0320386 A JP H0320386A JP 1153125 A JP1153125 A JP 1153125A JP 15312589 A JP15312589 A JP 15312589A JP H0320386 A JPH0320386 A JP H0320386A
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克仁 吉田
Kazuo Tsuji
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 この発明はダイヤモンド核上に立方晶窒化硼素層を被覆
してなる硬質砥粒およびその製造方法に関するものであ
る。
〈従来の技術〉 周知のように、ダイヤモンドは地球上で最も硬い物質で
あり、立方晶窒化硼素(以下、cBNという)はダイヤ
モンドに次ぐ硬さを有する物質である。
このように硬さを有するため、ダイヤモンドやcBNは
研削材、研摩材、切削材等に幅広く使用されている。
特にcBNは鉄系材料の研削等には化学的安定性がよい
ことから広く使用されている。
ダイヤモンドやcBNが高温高圧下で人工的に合成され
ることは古くから知られており、現在では工業的に生産
されている。
さらに、ダイヤモンドとcBNからなる物質及びその製
造方法としては、米国特許3142595号にて、P型
もしくはN型の半導体特性をもつcBN基板上にP型の
ダイヤモンドを或長させたP−P型もしくはP−N型半
導体接合結晶や、同じく米国特許4734339号にて
、気相合成技術を用いて窒化硼素核の周囲にダイヤモン
ド膜をコーティングした物質が提案されている。
しかしながら、ダイヤモンド核の表面にcBNを被覆し
た物質については、従来の技術からは得られていない。
く発明が解決しようとする課題〉 上述したように、ダイヤモンドは最高の硬度を有する物
質であるが、鉄族の金属と高温で反応するため、鉄系材
料の研削材、研摩材、切削材等には使用不可能である。
また、cBNは鉄族金属と高温で反応しないため、上記
したような用途において広く使用されてはいるが、硬度
の点でダイヤモンドに劣っている。
更に、従来の技術で得られるダイヤモンドとcBNから
なる物質は、cBN上にダイヤモンドを成長させている
ため、cBNの特徴である鉄系材料との化学的安定性に
欠けている. この発明で得られるような、ダイヤモンド核をcBNで
とり囲んだ物質は、核の周囲にcBNを成長させる際の
高温高圧下でダイヤモンド核が消滅してしまうことから
従来の技術では得られていない。
く課題を解決するための手段〉 上述に鑑みて、本発明者らはダイヤモンドと同等の硬度
を有し、しかも鉄系材料の研削、研摩等に用いることが
できる素材としての硬質砥粒を得るべく検討の結果、こ
の発明に至ったものである。
即ち、この発明は、ダイヤモンド核と該ダイヤモンド核
の表面を被覆する単結晶状もしくは多結晶状の立方晶窒
化硼素層とからなり、前記ダイヤモンド核と立方晶窒化
硼素層とが原子同士で結合していることを特徴とする硬
質砥粒およびその製造方法を提供するものである。
〈作用〉 以下、この発明を図面を参照しつつ具体的に説明する。
第1図は、この発明の硬質砥粒の概念図であって、1は
ダイヤモンド核、2は立方晶窒化硼素層であり、このダ
イヤモンド核lと立方晶窒化硼素層2は第2図に示すよ
うに互いに原子レベルで結合している。
このように、この発明で得られる硬質砥粒は高硬度のダ
イヤモンドを核とし、その周囲を鉄系金属に対して安定
なcBNで被ったものである。
第2図はcBN単結晶およびダイヤモンド単結晶の結晶
構造をN原子な●印で、B原子を○印、C原子を0印で
表した図であるが、同図から明らかなように、cBNは
ダイヤモンドと類似の閃亜鉛鉱型の結晶構造を持つ.更
にダイヤモンド及びcBNの格子定数は、それぞれ3.
 5G7人、3.615゛人と、約1.3%のみの格子
不整であり、両者の熱膨張係数もそれぞれ4.50X 
10−’K−’(700℃)と4.30X 10−’K
−’ (750℃)で非常に近い値を持つため、ダイヤ
モンド核上にcBNを成長させることは不可能ではない
と従来からも考えられていたものの、それを実現するこ
とはできていなかった。従来技術ではダイヤモンド核が
安定に存在する状態でcBNを成長させることができな
かったのである. 本発明者等はダイヤモンド核が安定な状態で存在し得な
い原因を種々検討したところ、cBN成長雰囲気中の酸
素とダイヤモンドが反応するためであることを見出し、
ダイヤモンドとcBNが熱力学的に安定な第4図に斜線
で示す領域下で成長雰囲気から酸素を完全に除去してc
BNの合成を行なえば、ダイヤモンド棟上に容易にcB
Nを成長せしめ得ることを確認でき、この発明の硬質砥
粒を得るに至ったのである。従って、この発明の方法に
おける低酸化物生成エネルギー物質は試料室中の脱酸素
材として作用するのである. 次に、この発明の硬質砥粒な製造する方法の具体例は第
3図の通りであって、その装置および内部の構成はダイ
ヤモンドやcBNの製造に一般的に用いられるものと同
様である. この発明では、ダイヤモンド核の消滅を防止するために
、第3図の反応室5における溶媒と原料窒化硼素の混合
物中に酸化物生成エネルギーがダイヤモンドのそれより
も低い物質を混入するものである. また、第3図に示す装置を用いる方法以外の方法による
場合、例えば、一般的に知られている溶媒と原料窒化硼
素を互いに積層して合成試料部とする方法を用いる場合
は、溶媒中もしくは原料窒化硼素中の何れか一方に上記
した酸化物生成エネルギーの低い物質を混入すれば良い
このように酸化物生成エネルギーがダイヤモンドのそれ
よりも低い物質としては、例えばMg、AJ,Ca、■
、Ti, Zrなどが挙げられる。
また、この発明における硬質砥粒を製造するための反応
条件としては、ダイヤモンドとcBNの双方が安定に存
在する第4図に斜線で示す領域内とすることが必要であ
る. 上記のようにして得られるこの発明の硬質砥粒は、ダイ
ヤモンドとcBNの原子同士が結合することにより、高
強度を有する物質となり得るのである. 但し、立方晶窒化硼素層の厚みが厚くなると、ダイヤモ
ンド核の効果が少なくなるため、該立方晶窒化硼素層の
厚みはダイヤモンド核の粒径の175以下であることが
望ましい. また、この発明の硬質砥粒はダイヤモンドを核とし、そ
の周囲にcBNを成長させているため、この立方晶窒化
硼素層が鉄系材料に対して保護膜として作用するのであ
る。
従って、この発明の硬質砥粒はダイヤモンドに匹敵する
硬度を有し、かつ鉄系材料に対して化学的に安定である
という特徴をもち得るのである。
次に第3図に示す高温高圧発生装置を用いてダイヤモン
ド核上にcBNを成長させ、この発明の硬質砥粒を製造
する具体例を説明する. 同図中、3は黒鉛ヒーターであって、交流または直流電
流を通電して反応室5内を所定の温度に加熱する。4は
圧力媒体であって、例えば六方晶窒化硼素(以下、hB
Nという)が用いられる。
反応室5はその外側をモリブデンカプセル6によって囲
み、圧力媒体4との直接の接触を防止している.反応室
5内にはhBN ,溶媒、ダイヤモンド核を混合し、型
押しした試料を封入する。
脱酸素材としての酸化物生成エネルギーの低い物質は、
その利用しつる形態に応じて、例えば粉末、粒状、箔状
として使用する。
即ち、Ca%Mg%Vなどは粒状として用いるのが一般
的であり、これらは原料に混合して用いる。
また、Aj,Ti%Zrなどは粉末もしくは箔状のもの
が一般的であるので、原料に混合するか、または前記型
押体の周囲に巻いて使用すれば良い。
かくして温度一圧力条件を第4図に斜線にて示す領域内
に設定すると、cBNの安定な高温高圧下でのhBNと
cBNとの溶媒に対する相対的な溶解度の差により、h
BNは溶媒に溶け込んだ後、ダイヤモンド核上にcBN
として析出させることができるのである。
尚、第3図中7は通電部品、8は断熱性圧力媒体、9は
アンビル、lOはグイである。
く実施例〉 以下、実施例によりこの発明を説明する。
実施例1 hBN粉末、溶媒としてのLisBNg粉末、および5
0/60メッシュで粒径200〜300 pmのダイヤ
モンド砥粒0.1カラットを混合した後、直径4 mm
,高さ9 mmに型押しした。この型押体の上下に脱酸
素材として直径4 mm,厚さ0.2mmのZr箔を配
置し、これを第3図に示す装置のモリブデンカプセル6
で外周を囲まれた反応室5に収めた.一次いで圧力65
Kb%温度1700℃の高温高圧下で1時間保持したと
ころ、ダイヤモンド砥粒の周囲に多結晶体cBNの成長
が認められた。
かくして得られた硬質砥粒を顕微鏡(200倍拡大)で
観察したところ、第5図の結果が得られた。
また、この硬質砥粒をx!!回折法により同定した結果
は第6図に示す通りであり、2θ= 43. 2゜付近
にピークを検出し、表面がcBNで被覆されていること
が確認された。
実施例2〜lO hBN粉末、Li.BN.粉末のほか第1表に示すよう
な粒径のダイヤモンド砥粒と脱酸素材を用い、実施例1
と同様の条件に保持したところ、実施例1と同じ硬質砥
粒を得た。
尚、実施例8、9およびlOで得られた砥粒のうち粒径
が1mmに近いものの表面を”8000のダイヤモンド
砥石で平滑な面にした後、マイクロビツカース硬度計を
用いて荷重500g、測定時間15秒の条件で硬度を測
定したところ、第1表に示す結果が得られた。
比較例として、通常知られている合成方法を用いてcB
N単結晶を5ヶ合成し、これらの硬度測定をも実施例と
同様にして行なった. 尚、第1表に示すビッカース硬度値は同一砥粒について
数ケ所の測定を行なった平均値である.第  1  表 して鋳鉄や焼入鋼等の鉄系難削材料の研摩材や研上表中
、実施例2〜7からこの発明の方法によると、数lII
1のダイヤモンド砥粒さえも消滅することなしに、その
周囲にcBNが成長することが認められた。
また、実施例8〜lOおよび比較例から、この発明の砥
粒は従来のcBN砥粒と比較して大幅に硬度が向上して
いることが認められた. く発明の効果〉 以上説明したように、この発明の硬質砥粒はダイヤモン
ドを核としてその周囲にcBNを戒長させたものであり
、ダイヤモンドに匹WIl″jる硬度を持ち、かつ鉄系
材料に対し、化学的に安定な物質と第1図はこの発明で
得られる硬質砥粒の概念図、第2図はダイヤモンド及び
立方晶窒化硼素単結晶の結晶構造を示す説明図、第3図
はこの発明で硬質砥粒を得るに用いた装置の説明図、第
4図はこの発明の硬質砥粒の製造条件領域を示す説明図
、第5図は実施例1で得られた硬質砥粒の200倍拡大
顕微鏡による組織状態写真、第6図は同じく実施例1で
得られた硬質砥粒のX線回折図である。
l・・・ダイヤモンド核 3・・・黒鉛ヒーター 5・・・反応室 7・・・通電部品 9・・・アンビル 2・・・立方晶窒化硼素層 4・・・圧力媒体 6・・・モリブデンカプセル 8・・・断熱性圧力媒休 10・・・グイ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ダイヤモンド核と該ダイヤモンド核の表面を被覆
    する単結晶状もしくは多結晶状の立方晶窒化硼素層とか
    らなり、前記ダイヤモンド核と立方晶窒化硼素層とが原
    子同士で結合していることを特徴とする硬質砥粒。
  2. (2)ダイヤモンド核の粒径が1μm以上、1000μ
    m以下であることを特徴とする請求項(1)記載の硬質
    砥粒。
  3. (3)立方晶窒化硼素層の厚みがダイヤモンド核の粒径
    の1/5以下であることを特徴とする請求項(1)記載
    の硬質砥粒。
  4. (4)六方晶窒化硼素を原料とし、高温、高圧下で立方
    晶窒化硼素をダイヤモンド核上に被覆するに際し、立方
    晶窒化硼素を成長させるための種子結晶として1μm以
    上、1000μm以下の粒径を有するダイヤモンド砥粒
    を使用することを特徴とする硬質砥粒の製造方法。
  5. (5)ダイヤモンド砥粒、六方晶窒化硼素および立方晶
    窒化硼素を溶解し得る溶媒として高温高圧下の酸化物生
    成エネルギーがダイヤモンドの生成エネルギーよりも低
    い物質を混入した混合物を用いることを特徴とする請求
    項(4)記載の硬質砥粒の製造方法。
  6. (6)低酸化物生成エネルギー物質としてMg、Al、
    Ca、V、TiあるいはZrのうち少なくとも1種を用
    いることを特徴とする請求項(4)または(5)記載の
    硬質砥粒の製造方法。
  7. (7)低酸化物生成エネルギー物質を混入した溶媒とし
    ての混合物を、ダイヤモンド核および立方晶窒化硼素の
    双方が熱力学的に安定な 1300℃以上で圧力60kbar以上の高温高圧下の
    領域において供することを特徴とする請求項(4)、(
    5)または(6)記載の硬質砥粒の製造方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2546558B2 (ja) * 1991-07-22 1996-10-23 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド砥粒の合成方法
ZA934588B (en) * 1992-06-29 1994-02-01 De Beers Ind Diamond Abrasive compact
US5639551A (en) * 1993-02-10 1997-06-17 California Institute Of Technology Low pressure growth of cubic boron nitride films
TWI647299B (zh) * 2012-07-31 2019-01-11 戴蒙創新公司 立方氮化硼之官能化及製造其之方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3142595A (en) * 1961-08-31 1964-07-28 Gen Electric Bulk junctions employing p-type diamond crystals and method of preparation thereof
US3923476A (en) * 1973-01-22 1975-12-02 Alexander Rose Roy Method of producing coated abrasive particles
US4142869A (en) * 1973-12-29 1979-03-06 Vereschagin Leonid F Compact-grained diamond material
US4011064A (en) * 1975-07-28 1977-03-08 General Electric Company Modifying the surface of cubic boron nitride particles
US4297387A (en) * 1980-06-04 1981-10-27 Battelle Development Corporation Cubic boron nitride preparation
SE453474B (sv) * 1984-06-27 1988-02-08 Santrade Ltd Kompoundkropp belagd med skikt av polykristallin diamant
JPH0623394B2 (ja) * 1987-10-21 1994-03-30 猛雄 沖 被覆砥粒およびその製法

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IE65882B1 (en) 1995-11-29
ZA904179B (en) 1991-05-29
US5104420A (en) 1992-04-14
JP2767896B2 (ja) 1998-06-18
DE69013765T2 (de) 1995-06-08
DE69013765D1 (de) 1994-12-08
EP0403270B1 (en) 1994-11-02
IE902151L (en) 1990-12-15
IE902151A1 (en) 1991-01-02
EP0403270A1 (en) 1990-12-19

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