JPH03204614A - 光変調器の製造方法 - Google Patents
光変調器の製造方法Info
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- JPH03204614A JPH03204614A JP80790A JP80790A JPH03204614A JP H03204614 A JPH03204614 A JP H03204614A JP 80790 A JP80790 A JP 80790A JP 80790 A JP80790 A JP 80790A JP H03204614 A JPH03204614 A JP H03204614A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光変調器に関し、
外部光変調器を高速で駆動することを目的とし、平面に
加工した電気光学効果を有する基板上に、第１および第
２の分岐光導波路を有する先導波路を設け、前記第１の
分岐光導波路と第２の分岐光導波路を伝播する光に位相
差を生じさせるように信号電極および接地電極を配設し
てなるマツハツエンダ型光変調器において、前記信号電
極は少なくともその上部がギャップ状空間を挟んで、前
記接地電極に形成されたオーバハング部により覆われて
いるように光変調器を構成する。
加工した電気光学効果を有する基板上に、第１および第
２の分岐光導波路を有する先導波路を設け、前記第１の
分岐光導波路と第２の分岐光導波路を伝播する光に位相
差を生じさせるように信号電極および接地電極を配設し
てなるマツハツエンダ型光変調器において、前記信号電
極は少なくともその上部がギャップ状空間を挟んで、前
記接地電極に形成されたオーバハング部により覆われて
いるように光変調器を構成する。
本発明は、高速・高安定に動作する光変調器。
とくに、その電極構成に関する。
最近の光通信システムの光送信系において、たとえば、
１．６ＧＨｚ程度までの光通信システムにおいては、レ
ーザダイオード（ＬＤ）を直接変調する方式を用いてき
たが、変調周波数がより高くなると変調光波長の時間的
微小変動、いわゆる、チャーピング現象が起こり高速化
と長距離通信への限界となる。
１．６ＧＨｚ程度までの光通信システムにおいては、レ
ーザダイオード（ＬＤ）を直接変調する方式を用いてき
たが、変調周波数がより高くなると変調光波長の時間的
微小変動、いわゆる、チャーピング現象が起こり高速化
と長距離通信への限界となる。
一方、今後ますます大容量・長距離通信の要求が強まっ
てくるので、より高速、かつ、高安定で動作する光変調
器の開発が求められている。
てくるので、より高速、かつ、高安定で動作する光変調
器の開発が求められている。
高速光変調方式としては、半導体レーザ光を外部で変調
する外部変調方式、とくに、電気光学結晶基板上に分岐
光導波路を設け、進行波電極で駆動するマツハツエンダ
型光変調器が知られている。
する外部変調方式、とくに、電気光学結晶基板上に分岐
光導波路を設け、進行波電極で駆動するマツハツエンダ
型光変調器が知られている。
第４図は光変調器の基本構成例を示す図（そのｌ）で、
同図（イ）は平面図、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断面図であ
る。
同図（イ）は平面図、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断面図であ
る。
図中、】は平面に加工した電気光学効果を有する基板、
たとえば、ＬｉＮｂ０＋基板である。２は光導波路で中
間に分岐光導波路２ａ、 ２ｂが形成されている。この
先導波路は通常基板の表面にＴｉなとの金属を、光導波
路部分だけに選択的に拡散させ、その部分の屈折率を回
りの部分よりも少し大きくなるようにしである。３は信
号電極で、たとえば、進行波信号電極、４は接地電極で
ある。５は光導波路上の金属電極層への光の吸収を小さ
くするためのバッファ層で、通常、ＳｉＯ□などの薄膜
が用いられている。信号電極３と接地電極４はバッファ
層５を介して光導波路上に、Ａｕなどの金属を蒸着ある
いはメッキによって形成している。
たとえば、ＬｉＮｂ０＋基板である。２は光導波路で中
間に分岐光導波路２ａ、 ２ｂが形成されている。この
先導波路は通常基板の表面にＴｉなとの金属を、光導波
路部分だけに選択的に拡散させ、その部分の屈折率を回
りの部分よりも少し大きくなるようにしである。３は信
号電極で、たとえば、進行波信号電極、４は接地電極で
ある。５は光導波路上の金属電極層への光の吸収を小さ
くするためのバッファ層で、通常、ＳｉＯ□などの薄膜
が用いられている。信号電極３と接地電極４はバッファ
層５を介して光導波路上に、Ａｕなどの金属を蒸着ある
いはメッキによって形成している。
いま、たとえば、図示してない半導体レーザから発した
直流光が左側の光導波路２から入り、分岐光導波路２ａ
、 ２ｂで２つに分けられ、その間に、信号電極３に高
周波変調信号源６から信号電圧を印加すると、基板上に
設けられた前記分岐光導波路２ａ、 ２ｂにおける電気
光学効果によって分岐された両光に位相差が生じる。こ
の両光を再び合流させて、右側の一本の光導波路２から
変調された光信号出力を取り出し、図示してない光検知
器で電気信号に変換するように構成されているっ前記分
岐光導波路２ａ、 ２ｂにおける両光の位相差かπ、あ
るいは、０になるように駆動電圧を印加すれば。
直流光が左側の光導波路２から入り、分岐光導波路２ａ
、 ２ｂで２つに分けられ、その間に、信号電極３に高
周波変調信号源６から信号電圧を印加すると、基板上に
設けられた前記分岐光導波路２ａ、 ２ｂにおける電気
光学効果によって分岐された両光に位相差が生じる。こ
の両光を再び合流させて、右側の一本の光導波路２から
変調された光信号出力を取り出し、図示してない光検知
器で電気信号に変換するように構成されているっ前記分
岐光導波路２ａ、 ２ｂにおける両光の位相差かπ、あ
るいは、０になるように駆動電圧を印加すれば。
たとえば、光信号出力は０Ｎ−ＯＦＦのパルス信号とし
て得られるっなお、Ｒアは終端抵抗である。
て得られるっなお、Ｒアは終端抵抗である。
この構成の光変調器においては、接地電極４は高周波電
気信号の伝達をよくするため、図に示したように、信号
電極３よりも大きくしてあり、したがって、分岐光導波
路２ａ、 ２ｂに印加される電界分布は等しくな（、両
者の間には３〜６倍程度の差がある。したがって、プッ
シュプル動作による駆動が困難であり、結局、変調用の
駆動電圧を大きくしなければならないことになる。
気信号の伝達をよくするため、図に示したように、信号
電極３よりも大きくしてあり、したがって、分岐光導波
路２ａ、 ２ｂに印加される電界分布は等しくな（、両
者の間には３〜６倍程度の差がある。したがって、プッ
シュプル動作による駆動が困難であり、結局、変調用の
駆動電圧を大きくしなければならないことになる。
さらに、信号電極３と接地電極４にか＼る電界の非対称
性のために、分岐光導波路２ａ、 ２ｂに温度差が生じ
、それに基づく歪みによって光変調特性の動作点がシフ
トしてしまうという欠点があった。
性のために、分岐光導波路２ａ、 ２ｂに温度差が生じ
、それに基づく歪みによって光変調特性の動作点がシフ
トしてしまうという欠点があった。
一方、第５図は光変調器の基本構成例を示す図（その２
）で、上記欠点を改善するために提案された例であり、
同図（イ）は平面図、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断面図であ
る。
）で、上記欠点を改善するために提案された例であり、
同図（イ）は平面図、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断面図であ
る。
なお、前記図面で説明したものと同等の部分については
同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は省略
する。
同一符号を付し、かつ、同等部分についての説明は省略
する。
この構成の光変調器においては、信号電極３と接地電極
４とは全く同一の巾で平行に形成されている。いわゆる
、対称電極配置であり、前記例のような歪みによって光
変調特性の動作点がシフトしてしまうという欠点がなく
、駆動電圧も低くすることができる。
４とは全く同一の巾で平行に形成されている。いわゆる
、対称電極配置であり、前記例のような歪みによって光
変調特性の動作点がシフトしてしまうという欠点がなく
、駆動電圧も低くすることができる。
しかし、この場合には、接地電極４の抵抗を充分低（で
きず信号電極３と接地電極４との間に誘導に基づ（相互
干渉が生じて高周波駆動に限界がある。
きず信号電極３と接地電極４との間に誘導に基づ（相互
干渉が生じて高周波駆動に限界がある。
以上述べたごとき高速駆動に関連する問題は。
結局、光とマイクロ波信号との整合をいかによくするか
と言う問題であり、従来からいくつかの提案がなされて
いる。
と言う問題であり、従来からいくつかの提案がなされて
いる。
第６図は従来の光波とマイクロ波信号の速度整合の例を
示す断面図（その１）で、図中、３°は信号電極、４゛
は接地電極、５゛はバッファ層である。
示す断面図（その１）で、図中、３°は信号電極、４゛
は接地電極、５゛はバッファ層である。
通常、先導波路中を伝播する光の速度は信号電極中を伝
播するマイクロ波信号の速度の２倍程度速（、すなわち
、速度整合がとれておらず、これが１つの原因となって
高速駆動の限界となる。
播するマイクロ波信号の速度の２倍程度速（、すなわち
、速度整合がとれておらず、これが１つの原因となって
高速駆動の限界となる。
したがって、速度整合をとるには信号電極中を伝播する
マイクＳ波信号の速度を速くする。すなわち、実効的に
誘電率を下げてやればよく、この例では電極膜厚ｔＥｌ
およびバッファ層の膜厚ｔＢＩの両方をともに、たとえ
ば、前記第４図の基本構成例のｔ、。およびｔａｏの３
倍程度に大きくすることによって変調周波数帯域巾を３
倍程度広げることが可能となっている。
マイクＳ波信号の速度を速くする。すなわち、実効的に
誘電率を下げてやればよく、この例では電極膜厚ｔＥｌ
およびバッファ層の膜厚ｔＢＩの両方をともに、たとえ
ば、前記第４図の基本構成例のｔ、。およびｔａｏの３
倍程度に大きくすることによって変調周波数帯域巾を３
倍程度広げることが可能となっている。
また、第７図は従来の光波とマイクロ波信号の速度整合
の例を示す断面図（その２）であり、３”は信号電極て
その高さｔＥ□だけを接地電極４“の高さｔＥＩよりも
３倍程度さらに高くした場合である。
の例を示す断面図（その２）であり、３”は信号電極て
その高さｔＥ□だけを接地電極４“の高さｔＥＩよりも
３倍程度さらに高くした場合である。
これによって、より一層変調周波数帯域巾が広い光変調
器が得られている。
器が得られている。
しかし、上記従来例（そのｌ）の場合には、信号電極３
′と接地電極４゛とのキャップｄは１５μｍ程度しかな
（、電極厚さｔＥＩか１０μｍ以上になってくると、ホ
トエツチングプロセス上の困難が生じてくる。また、バ
ッファ層の厚さを余り大きくすると動作電圧が高くなっ
てしまう。一方、従来例（その２）の場合には信号電極
３′だけを、たとえば、メッキ法で厚くすることが可能
であるが、この場合もｔ。２の高さを、たとえば、２０
μｍ以上にした場合には信号電極線路の特性インピーダ
ンスに製造バラツキが生じてデバイスの歩留り低下を招
き、また、信号電極線路から周辺空間への電界分布が一
方側の横方向へ広く広がっており、速度整合にも限界が
生じるなどの問題があって、その解決が必要であった。
′と接地電極４゛とのキャップｄは１５μｍ程度しかな
（、電極厚さｔＥＩか１０μｍ以上になってくると、ホ
トエツチングプロセス上の困難が生じてくる。また、バ
ッファ層の厚さを余り大きくすると動作電圧が高くなっ
てしまう。一方、従来例（その２）の場合には信号電極
３′だけを、たとえば、メッキ法で厚くすることが可能
であるが、この場合もｔ。２の高さを、たとえば、２０
μｍ以上にした場合には信号電極線路の特性インピーダ
ンスに製造バラツキが生じてデバイスの歩留り低下を招
き、また、信号電極線路から周辺空間への電界分布が一
方側の横方向へ広く広がっており、速度整合にも限界が
生じるなどの問題があって、その解決が必要であった。
上記の課題は、平面に加工した電気光学効果を有する基
板ｌ上に、第１および第２の分岐光導波路２ａ、 ２ｂ
を有する光導波路２を設け、前記第１の分岐光導波路２
ａと第２の分岐光導波路２ｂを伝播する光に位相差を生
じさせるように信号電極３および接地電極４を配設して
なるマツハツエンダ型光変調器において、前記信号電極
３は少なくともその上部がキャップ状空間を挟んで、前
記接地電極４に形成されたオーバハング部４０により覆
われているように光変調器を構成することにより解決す
ることができるっまた、前記接地電極４のオーバハング
部４０はメッキ法により形成することができる。
板ｌ上に、第１および第２の分岐光導波路２ａ、 ２ｂ
を有する光導波路２を設け、前記第１の分岐光導波路２
ａと第２の分岐光導波路２ｂを伝播する光に位相差を生
じさせるように信号電極３および接地電極４を配設して
なるマツハツエンダ型光変調器において、前記信号電極
３は少なくともその上部がキャップ状空間を挟んで、前
記接地電極４に形成されたオーバハング部４０により覆
われているように光変調器を構成することにより解決す
ることができるっまた、前記接地電極４のオーバハング
部４０はメッキ法により形成することができる。
本発明の構成によれば、信号電極３の厚さは余り太き（
してないので製造プロサス上精度よく形成できるっ一方
、信号電極３は少な（ともその上部がギャップ状空間を
挟んで、接地電極４に形成されたオーバハング部４０に
より広く覆われるように構成されているので、周辺空間
の電界分布かよくなり、電気力線の数が増加することに
より実効的に誘電率が減少して、伝播されるマイクロ波
信号と光波との速度整合が大巾に改善され変調周波数帯
域巾の広い光変調器が得られるのであるっ〔実施例〕 第１図は本発明の実施例を示す図で、同図（イ）は平面
図、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断面図である。
してないので製造プロサス上精度よく形成できるっ一方
、信号電極３は少な（ともその上部がギャップ状空間を
挟んで、接地電極４に形成されたオーバハング部４０に
より広く覆われるように構成されているので、周辺空間
の電界分布かよくなり、電気力線の数が増加することに
より実効的に誘電率が減少して、伝播されるマイクロ波
信号と光波との速度整合が大巾に改善され変調周波数帯
域巾の広い光変調器が得られるのであるっ〔実施例〕 第１図は本発明の実施例を示す図で、同図（イ）は平面
図、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断面図である。
図中、４０は信号電極３の少なくとも上部をキャップ状
空間を挟んで覆うように形成された接地電極４のオーバ
ハング部である。
空間を挟んで覆うように形成された接地電極４のオーバ
ハング部である。
なお、前記従来例の諸図面で説明したものと同等の部分
については同一符号を付し、かつ、同等部分についての
説明は省略する。
については同一符号を付し、かつ、同等部分についての
説明は省略する。
本実施例の場合、接地電極４のオーバハング部４０が信
号電極３の上部を、たとえば、１５μｍのキャップｇを
挟んで覆うように形成されているので、周辺空間の電界
分布がよくなり、電気力線の数が増加することにより実
効的に誘電率が減少して、光波とマイクロ波信号との速
度整合が大巾に改善され、たとえば、従来例（その１）
の場合に比較して変調周波数帯域巾が５倍以上の高速動
作可能な光変調器か得られる。さらに、信号電極３は余
り厚く形成しなくてもよいのでデバイス歩留りの低下を
招（ことはない。
号電極３の上部を、たとえば、１５μｍのキャップｇを
挟んで覆うように形成されているので、周辺空間の電界
分布がよくなり、電気力線の数が増加することにより実
効的に誘電率が減少して、光波とマイクロ波信号との速
度整合が大巾に改善され、たとえば、従来例（その１）
の場合に比較して変調周波数帯域巾が５倍以上の高速動
作可能な光変調器か得られる。さらに、信号電極３は余
り厚く形成しなくてもよいのでデバイス歩留りの低下を
招（ことはない。
第２図は本発明の他の実施例を示す図で、同図（イ）は
平面図、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断面図である。
平面図、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断面図である。
本実施例は前記第１図の非対称電極配置に対して対称電
極配置の場合の実施例であろう本実施例の場合も前記実
施例の場合と全（同様の効果が得られることは言うまで
もない。
極配置の場合の実施例であろう本実施例の場合も前記実
施例の場合と全（同様の効果が得られることは言うまで
もない。
以上のごとき実施例を具体的に製造する主な工程を以下
に示す。
に示す。
第３図は本発明実施例の主な製造工程を示す断面図で、
同図（イ）は非対称電極型の場合、同図（ロ）は対称電
極型の場合を示した。
同図（イ）は非対称電極型の場合、同図（ロ）は対称電
極型の場合を示した。
工程（１）厚さ１ｍｍのＬ＋ＮｂＯ，、のＺ板の表面を
鏡面研磨したウェーハＩＯの上にＴｉを約９０ｎｍの厚
さに真空蒸着し、分岐光導波路２ａおよび２ｂを含む光
導波路２に相当する部分にＴｉが残るように通常のホト
エツチング法で処理したのち、約８００８ＣでＴｉをＬ
ｉＮｂＯ５中に熱拡散して光導波路２を形成する。
鏡面研磨したウェーハＩＯの上にＴｉを約９０ｎｍの厚
さに真空蒸着し、分岐光導波路２ａおよび２ｂを含む光
導波路２に相当する部分にＴｉが残るように通常のホト
エツチング法で処理したのち、約８００８ＣでＴｉをＬ
ｉＮｂＯ５中に熱拡散して光導波路２を形成する。
分岐光導波路部分の長さは２５ｍ ｍ 、先導波路の幅
は全て７〜１１μｍになるように調整し、つエバｌＯ上
に多数の光導波路２を含む光変調器部分が切断可能なよ
うに配置形成した。
は全て７〜１１μｍになるように調整し、つエバｌＯ上
に多数の光導波路２を含む光変調器部分が切断可能なよ
うに配置形成した。
工程（２）：次いで、バッファ層としてＳｉＯ□を１μ
ｍの厚さにスパッタ法で形成する。
ｍの厚さにスパッタ法で形成する。
工程（３）：上記処理済み基板の上にＡｕ／Ｔｉ２層膜
を蒸着したのち、電極巾１０μｍ、信号電極と接地電極
間のギャップが１５μｍである所要の電極パターン形状
にホトエツチングし、その上に厚さ３μｍのＡｕをメッ
キにより付着形成する。
を蒸着したのち、電極巾１０μｍ、信号電極と接地電極
間のギャップが１５μｍである所要の電極パターン形状
にホトエツチングし、その上に厚さ３μｍのＡｕをメッ
キにより付着形成する。
工程（４）：上記処理済み基板の上に、接地電極４の部
分が露出して残るようにレジストパターン７を通常の露
光・エツチング処理でパターン形成する。
分が露出して残るようにレジストパターン７を通常の露
光・エツチング処理でパターン形成する。
工程（５）上記処理済み基板の接地電極４の部分の露出
面に、たとえば、Ａｕの電気メッキを行う。
面に、たとえば、Ａｕの電気メッキを行う。
Ａｕメッキ層の厚さは、たとえば、３０〜４０μｍとす
ればメッキ層の先端部はレジストパターン７の上にまで
成長してきて、図示したごときオーババンク部４０とな
る張り出し部分が形成される。
ればメッキ層の先端部はレジストパターン７の上にまで
成長してきて、図示したごときオーババンク部４０とな
る張り出し部分が形成される。
工程（６）、レジストパターン７を除去剤、たとえば、
レジストリムーバで溶解除去してオーババンク部４０を
形成する。
レジストリムーバで溶解除去してオーババンク部４０を
形成する。
工程（７）、ウェーハｌＯをカッチインクマシンてダイ
シンクし、所定の大きさの多数の変調器素子に分離すれ
ば本発明の光変調器の素子が得られる。
シンクし、所定の大きさの多数の変調器素子に分離すれ
ば本発明の光変調器の素子が得られる。
以上の構成により、従来５〜１５ＧＨｚであった周波数
帯域か、３０ＧＨｚ以上まで動作可能な光変調器が得ら
れた。
帯域か、３０ＧＨｚ以上まで動作可能な光変調器が得ら
れた。
なお、上記実施例では接地電極４のオーババンク部４０
は、信号電極３の上部を覆うようにしたか、さらに、反
対側まで、すなわち、信号電極３の全体を覆うようにし
て一層効果を高めるようにすることができるっ また、接地電極４のオーバハング部４０の形成にはメッ
キでな（スパッタ法やＣＶＤ法を用いてもよいことは勿
論である。
は、信号電極３の上部を覆うようにしたか、さらに、反
対側まで、すなわち、信号電極３の全体を覆うようにし
て一層効果を高めるようにすることができるっ また、接地電極４のオーバハング部４０の形成にはメッ
キでな（スパッタ法やＣＶＤ法を用いてもよいことは勿
論である。
以上述へた実施例は数例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用する素材や構成１寸法、製
作プロセスなと適宜好ましいもの、あるいはその組み合
わせを用いることができることは言うまでもないっ 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の光変調器は信号電極３の
厚さは余り大きくしてないので製造プロサス上精度よく
形成できる。一方、信号電極３は少なくともその上部が
キャップ状空間を挟んで、接地電極４に形成されたオー
バハング部４０により広く覆われるように構成されてい
るので、周辺空間の電界分布がよ（なり、電気力線の数
が増加することにより実効的に誘電率が減少して、伝播
されるマイクロ波信号と光波との速度整合が大巾に改善
され、光変調器の性能の向上、とくに、高速動作特性の
向上に寄与するところが極めて大きい。
に添うものである限り、使用する素材や構成１寸法、製
作プロセスなと適宜好ましいもの、あるいはその組み合
わせを用いることができることは言うまでもないっ 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の光変調器は信号電極３の
厚さは余り大きくしてないので製造プロサス上精度よく
形成できる。一方、信号電極３は少なくともその上部が
キャップ状空間を挟んで、接地電極４に形成されたオー
バハング部４０により広く覆われるように構成されてい
るので、周辺空間の電界分布がよ（なり、電気力線の数
が増加することにより実効的に誘電率が減少して、伝播
されるマイクロ波信号と光波との速度整合が大巾に改善
され、光変調器の性能の向上、とくに、高速動作特性の
向上に寄与するところが極めて大きい。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の他の実施例を示す図、第３図は本発明
実施例の主な製造工程を示す断面図、 第１図は光変調器の基本構成例を示す図（その １）、 第５図は光変調器の基本構成例を示す図（その ２） 例を示す断面図 （その２） であるっ 図において、 本発明のに桁例と示Ｔ口 第１図 は基板、 は光導波路、 ２ａおよび２ｂは第１ および第２ の分岐光導波路、 は信号電極、 は接地電極、 はバッファ層、 ４０はオ ハハンク部である。 ＊を明の肋の足亮例え爪Ｔ図 第 ２ 図
実施例の主な製造工程を示す断面図、 第１図は光変調器の基本構成例を示す図（その １）、 第５図は光変調器の基本構成例を示す図（その ２） 例を示す断面図 （その２） であるっ 図において、 本発明のに桁例と示Ｔ口 第１図 は基板、 は光導波路、 ２ａおよび２ｂは第１ および第２ の分岐光導波路、 は信号電極、 は接地電極、 はバッファ層、 ４０はオ ハハンク部である。 ＊を明の肋の足亮例え爪Ｔ図 第 ２ 図
Claims (2)
- （１）平面に加工した電気光学効果を有する基板（１）
上に、第１および第２の分岐光導波路（２ａ、２ｂ）を
有する光導波路（２）を設け、前記第１の分岐光導波路
（２ａ）と第２の分岐光導波路（２ｂ）を伝播する光に
位相差を生じさせるように信号電極（３）および接地電
極（４）を配設してなるマッハツェンダ型光変調器にお
いて、 前記信号電極（３）は少なくともその上部がギャップ状
空間を挟んで、前記接地電極（４）に形成されたオーバ
ハング部（４０）により覆われていることを特徴とした
光変調器。 - （２）前記接地電極（４）のオーバハング部（４０）が
メッキ法により形成されてなることを特徴とした請求項
（１）記載の光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000807A JP2800339B2 (ja) | 1990-01-06 | 1990-01-06 | 光変調器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000807A JP2800339B2 (ja) | 1990-01-06 | 1990-01-06 | 光変調器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03204614A true JPH03204614A (ja) | 1991-09-06 |
| JP2800339B2 JP2800339B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=11483954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000807A Expired - Fee Related JP2800339B2 (ja) | 1990-01-06 | 1990-01-06 | 光変調器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800339B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111682A (en) * | 1997-09-29 | 2000-08-29 | Ngk Insulatros, Ltd. | Light modulators |
| JP2002122834A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-04-26 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP2008046573A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
-
1990
- 1990-01-06 JP JP2000807A patent/JP2800339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111682A (en) * | 1997-09-29 | 2000-08-29 | Ngk Insulatros, Ltd. | Light modulators |
| JP2002122834A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-04-26 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| JP2008046573A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2800339B2 (ja) | 1998-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |