JPH0320494A - メッキ装置およびクリーニング装置 - Google Patents
メッキ装置およびクリーニング装置Info
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- JPH0320494A JPH0320494A JP15629489A JP15629489A JPH0320494A JP H0320494 A JPH0320494 A JP H0320494A JP 15629489 A JP15629489 A JP 15629489A JP 15629489 A JP15629489 A JP 15629489A JP H0320494 A JPH0320494 A JP H0320494A
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- plating
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明はストリップのメッキおよびクリーニング装置に
関するものである. 「従来の技術」 メッキ鋼板の増産、生産性向上には不溶性アノードによ
る高電流密度メッキの実施が不可欠である。このために
は次の設備技術上の問題を解決する必要がある. (!)ストリップとアノードの極間の短縮(2) スト
リップとアノードの極間内のメッキ液の撹拌 (3)ストリップとアノードの極間へのイオンの供給 従来の極間は30〜40nnであったが上記(1)のよ
うに極間を短縮するとアノードタッチという重大事故を
起す危険がある.父上記(2)の撹拌のためアノードの
内面に邪魔板を設ける装置(特開昭55−148798
号、特開昭62−2 1 1 399号)が考案されて
いるが邪魔板とメッキ面との接触によるメッキ面損傷を
生じるおそれがある。さらに上記(3)のイオンの供給
装置にはメッキ液をストリップの走向と向流方向に供給
するもの(特開昭40−56092号、特開昭62−2
1)399号)が考えられたが、この方法では大量のメ
ッキ液の吹き込み置が必要で、そのための装置が膨大に
なり、かつこの方法では低速(50m/min )では
有効であるが、速度が100〜500 m/minと速
くなると効果が少なくなることが明らかである.又圧延
工程を経たストリップの表面の圧延油などの汚物をアル
カリ液中で電気分解によって洗汗するクリーニング装置
も上記メッキ装置と同様の上記条件+1) (2)
(3)を解決する必要がある. 「発明が解決しようとする課題」 本発明は上記(1) (2) (3)の課題を解決
し、安全迅速にストリップの高電流密度メッキ又はクリ
ーニングを実施する装置を得ることを目的とする. 「課題を解決するための手段」 上記の目的を達成するため本発明は 液槽内にアノードを対向配置し、該アノード間にストリ
ップを走行させるストリップ処理装置において、上記ア
ノードの内面に対向位置に絶縁体を突設し、該絶縁体に
ストリップの走行方向に向ってアノード側からストリッ
プ側に向って傾斜するテーパ面を形成してなるメッキ装
置、対向位置に代えて千鳥位置である上記発明記載のメ
ッキ装置、 絶縁体の間隔部アノードの内外面に連通ずる透孔を穿設
し、該アノードの内外に処理液を流通させる上記第1又
は第2発明記載のメッキ装置、ストリップの走行方向が
上下方向である上記第l、第2又は第3発明にそれぞれ
記載のメッキ装置、 液槽の液面より高い位置にあるアノード上部に上記絶縁
体を対向位置に設けた上記第4発明記載のメッキ装置、 ストリップの走行方向が横向である上記第l、第2又は
第3発明記載のメッキ装置、 絶縁体の間隔部に処理液強制供給装置を接続した上記第
1、第2、第3、第4、第5又は第6発明にそれぞれ記
載したメッキ装置、 アノードに代えてカソードを対向配置し、かつメッキ装
置に代えて上記第1、第2、第3、第4、第5、第6又
は第7発明にそれぞれ記載のクリーニング装置によって
構成される. 「作用」 従ってアノード2、2間のストリップ3と絶縁体4のテ
ーパ函5との間にはストリップ3の走行に伴ってメッキ
液9が引込まれ(連行され)、それによってストリップ
3とテーバ而5との間に液膜が形成される.該液膜には
テーパ面5の作用で揚力を発生するからストリップ3と
絶縁体4とは接触しない.そのためストリップ3とアノ
ード2とが接触することは勿論ないし、形状の良くない
ストリップ3即ち走行方向と直角方向の反り5両耳部の
蛇行襞などを有するストリップ3であって6上記揚力を
受けて上記絶縁体4に接触することはない. 対向位置に代えて千鳥位置に絶縁体4を突設した場合は
第5図に示すように上記揚力によってストリップ3は絶
縁体4を避けて蛇行し、絶縁体4に接触することはない
。
関するものである. 「従来の技術」 メッキ鋼板の増産、生産性向上には不溶性アノードによ
る高電流密度メッキの実施が不可欠である。このために
は次の設備技術上の問題を解決する必要がある. (!)ストリップとアノードの極間の短縮(2) スト
リップとアノードの極間内のメッキ液の撹拌 (3)ストリップとアノードの極間へのイオンの供給 従来の極間は30〜40nnであったが上記(1)のよ
うに極間を短縮するとアノードタッチという重大事故を
起す危険がある.父上記(2)の撹拌のためアノードの
内面に邪魔板を設ける装置(特開昭55−148798
号、特開昭62−2 1 1 399号)が考案されて
いるが邪魔板とメッキ面との接触によるメッキ面損傷を
生じるおそれがある。さらに上記(3)のイオンの供給
装置にはメッキ液をストリップの走向と向流方向に供給
するもの(特開昭40−56092号、特開昭62−2
1)399号)が考えられたが、この方法では大量のメ
ッキ液の吹き込み置が必要で、そのための装置が膨大に
なり、かつこの方法では低速(50m/min )では
有効であるが、速度が100〜500 m/minと速
くなると効果が少なくなることが明らかである.又圧延
工程を経たストリップの表面の圧延油などの汚物をアル
カリ液中で電気分解によって洗汗するクリーニング装置
も上記メッキ装置と同様の上記条件+1) (2)
(3)を解決する必要がある. 「発明が解決しようとする課題」 本発明は上記(1) (2) (3)の課題を解決
し、安全迅速にストリップの高電流密度メッキ又はクリ
ーニングを実施する装置を得ることを目的とする. 「課題を解決するための手段」 上記の目的を達成するため本発明は 液槽内にアノードを対向配置し、該アノード間にストリ
ップを走行させるストリップ処理装置において、上記ア
ノードの内面に対向位置に絶縁体を突設し、該絶縁体に
ストリップの走行方向に向ってアノード側からストリッ
プ側に向って傾斜するテーパ面を形成してなるメッキ装
置、対向位置に代えて千鳥位置である上記発明記載のメ
ッキ装置、 絶縁体の間隔部アノードの内外面に連通ずる透孔を穿設
し、該アノードの内外に処理液を流通させる上記第1又
は第2発明記載のメッキ装置、ストリップの走行方向が
上下方向である上記第l、第2又は第3発明にそれぞれ
記載のメッキ装置、 液槽の液面より高い位置にあるアノード上部に上記絶縁
体を対向位置に設けた上記第4発明記載のメッキ装置、 ストリップの走行方向が横向である上記第l、第2又は
第3発明記載のメッキ装置、 絶縁体の間隔部に処理液強制供給装置を接続した上記第
1、第2、第3、第4、第5又は第6発明にそれぞれ記
載したメッキ装置、 アノードに代えてカソードを対向配置し、かつメッキ装
置に代えて上記第1、第2、第3、第4、第5、第6又
は第7発明にそれぞれ記載のクリーニング装置によって
構成される. 「作用」 従ってアノード2、2間のストリップ3と絶縁体4のテ
ーパ函5との間にはストリップ3の走行に伴ってメッキ
液9が引込まれ(連行され)、それによってストリップ
3とテーバ而5との間に液膜が形成される.該液膜には
テーパ面5の作用で揚力を発生するからストリップ3と
絶縁体4とは接触しない.そのためストリップ3とアノ
ード2とが接触することは勿論ないし、形状の良くない
ストリップ3即ち走行方向と直角方向の反り5両耳部の
蛇行襞などを有するストリップ3であって6上記揚力を
受けて上記絶縁体4に接触することはない. 対向位置に代えて千鳥位置に絶縁体4を突設した場合は
第5図に示すように上記揚力によってストリップ3は絶
縁体4を避けて蛇行し、絶縁体4に接触することはない
。
即ち上記絶縁体4を設けることによってアノード2とス
トリップ3との極間を小さくしてもストリップ3とアノ
ード2との接触は防止される。
トリップ3との極間を小さくしてもストリップ3とアノ
ード2との接触は防止される。
又絶縁体4はアノード2の内面に突出しているためスト
リップ3に連行されるメッキ液9は第2図、第3図に示
すように該絶縁体4に当って逆流bし、テーパ面5内に
引込まれる直前にアノード2とストリップ3との間にお
いて回動じ連行流Cと逆流bとの間に剪断力(第3図〕
を生じて撹拌される. 上記絶縁体4は千鳥位@(第5図)に突設することによ
ってアノード2、2の極間をさらに小となすことができ
る. メッキ液9は透孔6、6からアノード2の内外側に流通
しアノード2の外側のメッキ液9をアノード2とストリ
ップ3間に取込むことができアノート2内に外側のイオ
ンを撹拌供給することができる. 第6図に示すように液面7の上位にあるアノード2,2
の対向絶縁体4、4のテーパ面5、5間にストリップ3
によって連行上昇するメッキ液9は対向絶縁体4、4に
よって上昇を阻止される.強制供給装置8によって絶縁
体4の間隔部にメッキ液9を外部から供給しイオン濃度
を増すことができる. 上記の作用はストリップ表面の汚物をアルカリもしくは
酸液で電気分解するクリーニング装置においても同様で
ある.この場合は、ストリップ3をアノード側に、前述
のアノード2をカソードとする電極切換えを行う。
リップ3に連行されるメッキ液9は第2図、第3図に示
すように該絶縁体4に当って逆流bし、テーパ面5内に
引込まれる直前にアノード2とストリップ3との間にお
いて回動じ連行流Cと逆流bとの間に剪断力(第3図〕
を生じて撹拌される. 上記絶縁体4は千鳥位@(第5図)に突設することによ
ってアノード2、2の極間をさらに小となすことができ
る. メッキ液9は透孔6、6からアノード2の内外側に流通
しアノード2の外側のメッキ液9をアノード2とストリ
ップ3間に取込むことができアノート2内に外側のイオ
ンを撹拌供給することができる. 第6図に示すように液面7の上位にあるアノード2,2
の対向絶縁体4、4のテーパ面5、5間にストリップ3
によって連行上昇するメッキ液9は対向絶縁体4、4に
よって上昇を阻止される.強制供給装置8によって絶縁
体4の間隔部にメッキ液9を外部から供給しイオン濃度
を増すことができる. 上記の作用はストリップ表面の汚物をアルカリもしくは
酸液で電気分解するクリーニング装置においても同様で
ある.この場合は、ストリップ3をアノード側に、前述
のアノード2をカソードとする電極切換えを行う。
「実施例」
メッキ液9の液槽l内に板状アノード2,2を上下方向
に対向して配置し、該アノード2、2の上部を液面7の
上位に保持し、かっこの対向板状アノード2、2を2組
宛各液槽l内に保持する(第6図).一方の対向板状ア
ノード2、2間にはストリップ3を下向に走行させ、誘
導ローラ10を迂回させて他方の上記アノード2、2間
を上向に走行させる.この状態において、上記アノード
2、2に陽極を接続し、ストリップ3に向って電流を流
すとメッキ液9内の金属イオンがストリップ3に析出し
てメッキ処理を行うことができる。
に対向して配置し、該アノード2、2の上部を液面7の
上位に保持し、かっこの対向板状アノード2、2を2組
宛各液槽l内に保持する(第6図).一方の対向板状ア
ノード2、2間にはストリップ3を下向に走行させ、誘
導ローラ10を迂回させて他方の上記アノード2、2間
を上向に走行させる.この状態において、上記アノード
2、2に陽極を接続し、ストリップ3に向って電流を流
すとメッキ液9内の金属イオンがストリップ3に析出し
てメッキ処理を行うことができる。
上記板状アノード2、2の対向面(内面)には第1図、
第2図、第4図に示すように互に対向位置に複数のセラ
ミックス製絶縁体4、4を突設し、又は第5図に示すよ
うに千鳥位置に突設する.この絶縁体4の走行方向の長
さは第4図に示すように可及的に短くすることによって
アノード2の電極面積を広く保持することができる.こ
のようにした絶縁体4にはストリップ3に対面する部分
にテーパ面5を形成し、該テーパ面5は走行方向に向っ
てアノード2側からストリップ3側に向って傾斜させる
.この絶縁体4、4の走行方向間隔部にあるアノード2
には内面(対向面〉と外側面とを連通ずる透孔6,6を
突設するものであって第2図に示すようにストリップ3
に連行されるメッキ液9は絶縁体4に当って透R6から
外側面に排出され(矢印d)、他方の透孔6から内面側
に流入するようになっている.板状アノード2、2は上
下方向のみならず横向(水平方向)に配置されたもので
あっても差支えない.又第2図に示すように透孔6′に
配管1)を接続し、ボンブl2によって貯槽内のメッキ
液9を外部から強制的に供給する強制供給装@8を設け
、それによって新し゛いメッキ液9を極間に供給しイオ
ン濃度を向上させることができる.本発明は、ストリッ
プ3の走行速度が高速(およそ300 〜l OOOm
/min )になる程効果的であるが、アノード2、2
の極間を約5all1程度とし、走行速度を3 0 〜
3 0 0m/minの低速までに設計することができ
る。ストリップ3の速度が低速の場合には、アノード2
と絶縁体4とを貫通する別の透孔を適当な配置となるよ
う設け、この透孔から液9を強制的に吹出すことにより
、この時の動圧あるいは静圧でストリップ3に及ぼす揚
力を助勢することもできる6又ストリップの両エッジは
揚力の発生が減少するため、ごく低速では絶縁体に接触
することもありうる.しかし電気的には短絡しないし又
ストリップのエッジにスリ疵が発生しても後工程で切り
落すため製品には影響しない。
第2図、第4図に示すように互に対向位置に複数のセラ
ミックス製絶縁体4、4を突設し、又は第5図に示すよ
うに千鳥位置に突設する.この絶縁体4の走行方向の長
さは第4図に示すように可及的に短くすることによって
アノード2の電極面積を広く保持することができる.こ
のようにした絶縁体4にはストリップ3に対面する部分
にテーパ面5を形成し、該テーパ面5は走行方向に向っ
てアノード2側からストリップ3側に向って傾斜させる
.この絶縁体4、4の走行方向間隔部にあるアノード2
には内面(対向面〉と外側面とを連通ずる透孔6,6を
突設するものであって第2図に示すようにストリップ3
に連行されるメッキ液9は絶縁体4に当って透R6から
外側面に排出され(矢印d)、他方の透孔6から内面側
に流入するようになっている.板状アノード2、2は上
下方向のみならず横向(水平方向)に配置されたもので
あっても差支えない.又第2図に示すように透孔6′に
配管1)を接続し、ボンブl2によって貯槽内のメッキ
液9を外部から強制的に供給する強制供給装@8を設け
、それによって新し゛いメッキ液9を極間に供給しイオ
ン濃度を向上させることができる.本発明は、ストリッ
プ3の走行速度が高速(およそ300 〜l OOOm
/min )になる程効果的であるが、アノード2、2
の極間を約5all1程度とし、走行速度を3 0 〜
3 0 0m/minの低速までに設計することができ
る。ストリップ3の速度が低速の場合には、アノード2
と絶縁体4とを貫通する別の透孔を適当な配置となるよ
う設け、この透孔から液9を強制的に吹出すことにより
、この時の動圧あるいは静圧でストリップ3に及ぼす揚
力を助勢することもできる6又ストリップの両エッジは
揚力の発生が減少するため、ごく低速では絶縁体に接触
することもありうる.しかし電気的には短絡しないし又
ストリップのエッジにスリ疵が発生しても後工程で切り
落すため製品には影響しない。
上記はメッキ装置について述べたが,ストリップ3の表
面附着汚物のアルカリ処理液中における電気分解による
クリーニング装置にも適用することができる.尚図中1
2で示すものはストリップ3の上部誘導ローラ、第3図
及び第9図中l3は速度分布曲線である。
面附着汚物のアルカリ処理液中における電気分解による
クリーニング装置にも適用することができる.尚図中1
2で示すものはストリップ3の上部誘導ローラ、第3図
及び第9図中l3は速度分布曲線である。
「発明の効果」
本発明は上述のように構成したので対向配置されるアノ
ード又はカソード2、2の極間を著しく短縮し得るばか
りでなくストリップ3とアノード又はカソード2、2と
の接触のおそれがなく安全に高電流密度メッキ又はクリ
ーニングを実施し得るし、ストリップ3の走行速度を著
しく向上し得る. さらに極間内の液撹拌及び極間へのイオン供給を充分行
い得てメッキ又はクリーニング処理能率を著しく向上す
ることができる. 又液面7の上位にある対向絶縁体4、4がストリップ3
に連行される処理液を阻止するため上部のストリップ誘
導ローラl2、l2の水準を液面7に向って低下せしめ
得て設備を小形化し得る効果がある.
ード又はカソード2、2の極間を著しく短縮し得るばか
りでなくストリップ3とアノード又はカソード2、2と
の接触のおそれがなく安全に高電流密度メッキ又はクリ
ーニングを実施し得るし、ストリップ3の走行速度を著
しく向上し得る. さらに極間内の液撹拌及び極間へのイオン供給を充分行
い得てメッキ又はクリーニング処理能率を著しく向上す
ることができる. 又液面7の上位にある対向絶縁体4、4がストリップ3
に連行される処理液を阻止するため上部のストリップ誘
導ローラl2、l2の水準を液面7に向って低下せしめ
得て設備を小形化し得る効果がある.
第1図は本発明のメッキ装置な゛示す斜視図、第2図は
対向アノードの拡大縦断正面図、第3図はメッキ液の流
速曲線図5第4図は7ノードの他の実施例の正面図、第
5図はアノートの千鳥配置状態の正面図、第6図は往復
走行ストリップの正面図、第7図は従来のメッキ装置の
斜視図、第8図は第7図示のアノード、ストリップの正
面図、第9図は第8図のアノード間処理液の速度分布曲
線である。 l・・液槽、2・・アノード又はカソード、3・・スト
リップ、4・・絶縁体、a・・走行方向、5・・テーバ
面、6・・透孔、7・・液面、8・・処理液強制供給装
置。
対向アノードの拡大縦断正面図、第3図はメッキ液の流
速曲線図5第4図は7ノードの他の実施例の正面図、第
5図はアノートの千鳥配置状態の正面図、第6図は往復
走行ストリップの正面図、第7図は従来のメッキ装置の
斜視図、第8図は第7図示のアノード、ストリップの正
面図、第9図は第8図のアノード間処理液の速度分布曲
線である。 l・・液槽、2・・アノード又はカソード、3・・スト
リップ、4・・絶縁体、a・・走行方向、5・・テーバ
面、6・・透孔、7・・液面、8・・処理液強制供給装
置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)液槽内にアノードを対向配置し、該アノード間に
ストリップを走行させるストリップ処理装置において、
上記アノードの内面に対向位置に絶縁体を突設し、該絶
縁体にストリッップの走行方向に向ってアノード側から
ストリップ側に向って傾斜するテーパ面を形成してなる
メッキ装置。 (2)対向位置に代えて千鳥位置である請求項(1)記
載のメッキ装置。 (3)絶縁体の間隔部アノードの内外面に連通する透孔
を穿設し、該アノードの内外に処理液を流通させる請求
項(1)又は(2)記載のメッキ装置。 (4)ストリップの走行方向が上下方向である請求項(
1)(2)又は(3)にそれぞれ記載のメッキ装置。 (5)液槽の液面より高い位置にあるアノード上部に上
記絶縁体を対向位置に設けた請求項 (4)記載のメッキ装置。 (6)ストリップの走行方向が横向である請求項(1)
(2)又は(3)にそれぞれ記載のメッキ装置。 (7)絶縁体の間隔部に処理液強制供給装置を接続した
請求項(1)(2)(3)(4)(5)又は(6)にそ
れぞれ記載のメッキ装置。 (8)アノードに代えてカソードを対向配置し、かつメ
ッキ装置に代えて請求項(1)(2)(3)(4)(5
)(6)又は(7)にそれぞれ記載のクリーニング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15629489A JPH0613759B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | メッキ装置およびクリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15629489A JPH0613759B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | メッキ装置およびクリーニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320494A true JPH0320494A (ja) | 1991-01-29 |
| JPH0613759B2 JPH0613759B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=15624671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15629489A Expired - Fee Related JPH0613759B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | メッキ装置およびクリーニング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613759B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015192818A1 (de) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | Plasotec Gmbh | Anlage zum selektiven plasmapolieren und/oder reinigen der elektrisch leitenden oberfläche von bauteilen |
| CN113481561A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-10-08 | 浙江米皇新材股份有限公司 | 一种铝型材氧化设备 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105189027B (zh) | 2013-09-11 | 2018-06-29 | 千住金属工业株式会社 | 无铅软钎料、无铅焊料球、使用了该无铅软钎料的焊料接头和具有该焊料接头的半导体电路 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15629489A patent/JPH0613759B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015192818A1 (de) * | 2014-06-16 | 2015-12-23 | Plasotec Gmbh | Anlage zum selektiven plasmapolieren und/oder reinigen der elektrisch leitenden oberfläche von bauteilen |
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