JPH03207573A - 接合体の製造方法及びその装置 - Google Patents
接合体の製造方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH03207573A JPH03207573A JP2002032A JP203290A JPH03207573A JP H03207573 A JPH03207573 A JP H03207573A JP 2002032 A JP2002032 A JP 2002032A JP 203290 A JP203290 A JP 203290A JP H03207573 A JPH03207573 A JP H03207573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- zone
- substrate
- vacuum
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、たとえばプリント回路基板等を加熱する方法
にあたり、特に基板に電子部品を導電接合材料により装
着するための接合体の製造方法及びその装置に関するも
のである。
にあたり、特に基板に電子部品を導電接合材料により装
着するための接合体の製造方法及びその装置に関するも
のである。
［従来の技術］
プリント回路基板（以下単に「基板」という）などの電
子部品には、クリームはんだ、導電性接着剤、はんだメ
ッキ等の導電性接合材料による接続が広く使用されてい
る。
子部品には、クリームはんだ、導電性接着剤、はんだメ
ッキ等の導電性接合材料による接続が広く使用されてい
る。
従来、基板にはんだ材料を塗布し、電子部品を装着した
後、加熱リフローする装置において、熱風による加熱方
法、近赤あるいは遠赤外線による加熱方法、蒸気潜熱を
利用した加熱方法などが使用されている。
後、加熱リフローする装置において、熱風による加熱方
法、近赤あるいは遠赤外線による加熱方法、蒸気潜熱を
利用した加熱方法などが使用されている。
近年、電子部品の小型化、多品種化、高密度実装化に伴
い、従来技術よりさらに基板温度の均一化が必要となり
、熱風と遠赤外線の併用による加熱方法が注目されてい
る。
い、従来技術よりさらに基板温度の均一化が必要となり
、熱風と遠赤外線の併用による加熱方法が注目されてい
る。
以下図面を参照しながら、上述した従来の基板の加熱方
法について説明する。
法について説明する。
第４図は本出願人がすでに提案した特願昭６３２９１１
４９号に示された従来の加熱装置の概略図、第５図はそ
の温度プロファイルである。
４９号に示された従来の加熱装置の概略図、第５図はそ
の温度プロファイルである。
第４図において、４ａは予熱部第１ゾーンパネル上ヒー
タ、４ｂは予熱部第１ゾーン熱風吹き出しノズル４Ｃは
予熱部第１ゾーンパネル上ヒータ、４ｄは予熱部第Ｉゾ
ーン熱風吹き出しノズル、４ｅはリフローゾーンパネル
ヒータ、４ｆはリフローゾーン熱風吹き出しノズルであ
る。４ｇは冷却ファン、４ｈは炉内雰囲気排気ファン、
４１は基板搬送部、４ｊは落下基板搬送ベル１・、４ｋ
は電子部品実装基板である。４ｌはそれぞれ加熱器であ
る。
タ、４ｂは予熱部第１ゾーン熱風吹き出しノズル４Ｃは
予熱部第１ゾーンパネル上ヒータ、４ｄは予熱部第Ｉゾ
ーン熱風吹き出しノズル、４ｅはリフローゾーンパネル
ヒータ、４ｆはリフローゾーン熱風吹き出しノズルであ
る。４ｇは冷却ファン、４ｈは炉内雰囲気排気ファン、
４１は基板搬送部、４ｊは落下基板搬送ベル１・、４ｋ
は電子部品実装基板である。４ｌはそれぞれ加熱器であ
る。
以上のように構威された加熱装置について、以３
下その動作について説明する。
電子部品が搭載された基板４ｌは入口側より基板搬送部
４１によってリフロー装置内を搬送される。まず、予熱
部第１ゾーンにおいて室温状態にあった基板が予熱部第
１ゾーンパネル上ヒータ４ａと予熱部第１，ゾーン熱風
吹き出しノズル４ｂより出る１６０°Ｃ前後の熱風によ
り加熱される。次に予熱部第２ゾーンにおいては、基板
全体の温度分布を均一にするため又はんだクリームの十
分な乾燥と活性化を引き起こさせるために、予熱部第２
ゾーンパネル上ヒータ４ｃと予熱部第２ゾーン熱風吹き
出しノズル４ｄより出る］−６０℃前後の熱風により基
板内温度分布を１５０〜１６０℃の間に均一に安定させ
る。そして、リフローゾーンパネルヒータ４ｅとリフロ
ーゾーン熱風吹き出しノズル４ｆより出る２４０’Ｃ前
後の熱風により基板を加熱し、基板温度を共晶クリーム
はんだ融点１８３℃以上かつ部品耐熱温度約２５０℃以
下の温度、すなわち２３０℃前後まで昇温させる。これ
によって、クリームはんだを十分溶融させた後、４ 最後に冷却ゾーンにおいて冷却ファン４ｇを用いはんだ
を凝固させ、半田継ぎ手部を形或する。
４１によってリフロー装置内を搬送される。まず、予熱
部第１ゾーンにおいて室温状態にあった基板が予熱部第
１ゾーンパネル上ヒータ４ａと予熱部第１，ゾーン熱風
吹き出しノズル４ｂより出る１６０°Ｃ前後の熱風によ
り加熱される。次に予熱部第２ゾーンにおいては、基板
全体の温度分布を均一にするため又はんだクリームの十
分な乾燥と活性化を引き起こさせるために、予熱部第２
ゾーンパネル上ヒータ４ｃと予熱部第２ゾーン熱風吹き
出しノズル４ｄより出る］−６０℃前後の熱風により基
板内温度分布を１５０〜１６０℃の間に均一に安定させ
る。そして、リフローゾーンパネルヒータ４ｅとリフロ
ーゾーン熱風吹き出しノズル４ｆより出る２４０’Ｃ前
後の熱風により基板を加熱し、基板温度を共晶クリーム
はんだ融点１８３℃以上かつ部品耐熱温度約２５０℃以
下の温度、すなわち２３０℃前後まで昇温させる。これ
によって、クリームはんだを十分溶融させた後、４ 最後に冷却ゾーンにおいて冷却ファン４ｇを用いはんだ
を凝固させ、半田継ぎ手部を形或する。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記のような加熱方法では、はんだクリ
ームの乾燥の為予熱部加熱を行っているので、基板上の
銅箔等の回路配線金属面やはんだの酸化がおこり、はん
だ濡れ性の低下により接触抵抗の増加および接合不良、
あるいは回路電気特性の信頼性を低減する。
ームの乾燥の為予熱部加熱を行っているので、基板上の
銅箔等の回路配線金属面やはんだの酸化がおこり、はん
だ濡れ性の低下により接触抵抗の増加および接合不良、
あるいは回路電気特性の信頼性を低減する。
また、ＱＦＰ（４方向フラットパッケージＩＣ）など、
樹脂モールドされた電子部品は吸湿している微量水分（
Ｈ２０）により、加熱の際に、亀裂や破裂を生じるとい
う課題がある。
樹脂モールドされた電子部品は吸湿している微量水分（
Ｈ２０）により、加熱の際に、亀裂や破裂を生じるとい
う課題がある。
更に、高密度実装化に伴い、基板内において部品が密に
実装されている部分でクリームはんだが十分に乾燥され
ない場合を生じるという課題を有していた。
実装されている部分でクリームはんだが十分に乾燥され
ない場合を生じるという課題を有していた。
本発明は上記課題を解決するため、信頼性の高い高品質
なりフローはんだづけを実現ずる製造方法およびその装
置を提供するものである。
なりフローはんだづけを実現ずる製造方法およびその装
置を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達或するため、本発明は下記の構或からなる
。
。
「（１）導電性接合材料を用いて加熱処理により被処理
物を接合する方法において、まず導電性接合材料を塗布
または載置した被処理物を真空処理し、次いで加熱接合
処理することを特徴とする接合体の製造方法。
物を接合する方法において、まず導電性接合材料を塗布
または載置した被処理物を真空処理し、次いで加熱接合
処理することを特徴とする接合体の製造方法。
（２）導電性接合材料を用いて加熱処理により被処理物
を接合する装置において、導電性接合材料を塗布または
載置した被処理物を真空処理する手段と、加熱接合処理
する手段を接続又は分離して設けたことを特徴とする接
合体の製造装置。
を接合する装置において、導電性接合材料を塗布または
載置した被処理物を真空処理する手段と、加熱接合処理
する手段を接続又は分離して設けたことを特徴とする接
合体の製造装置。
（３）導電性接合材料を用いて加熱処理により被処理物
を接合する装置において、導電性接合材料を塗布または
載置した被処理物を真空処理する手段と、加熱接合処理
する手段を装置内に設けたことを特徴とする接合体の製
造装置。
を接合する装置において、導電性接合材料を塗布または
載置した被処理物を真空処理する手段と、加熱接合処理
する手段を装置内に設けたことを特徴とする接合体の製
造装置。
（４）被処理物が電子部品であり、導電性接合材料がク
リームはんだ、導電性接着剤、はんだメッキから選ばれ
る少なくとも一種の材料である前記１，２又は３項いず
れか記載の接合体の製造方法又はその装置。」 ［作用］ 上記した本発明の構或によれば、加熱処理に先立ってあ
らかじめ真空処理することにより電子部品の亀裂や破裂
およびクリームはんだ等の導電性部材の酸化を防止し、
結果として信頼性の高い高品質な電子部品の基板への接
合方法およびその装置を実現することができる。
リームはんだ、導電性接着剤、はんだメッキから選ばれ
る少なくとも一種の材料である前記１，２又は３項いず
れか記載の接合体の製造方法又はその装置。」 ［作用］ 上記した本発明の構或によれば、加熱処理に先立ってあ
らかじめ真空処理することにより電子部品の亀裂や破裂
およびクリームはんだ等の導電性部材の酸化を防止し、
結果として信頼性の高い高品質な電子部品の基板への接
合方法およびその装置を実現することができる。
［実施例］
以下本発明の一実施例の加熱方法について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第１−図は、本発明の第１の実施例における加熱装置の
概略、第２図はその温度プロファイルを示すものである
。第１図において、１ａは真空ゾーン真空室、１ｂはり
フローゾーンパネルヒータ、ＩＣはりフローゾーン熱風
吹き出しノズル、１ｄは基板搬送部、１ｅは落下基板搬
送ベルト、ｉ ｆは電子部品実装基板、１ｇは冷却ゾー
ン冷却ファ７ ン、１ｈは炉内雰囲気排気ファンである。真空ゾーン真
空室↓ａは、導入系１１と排気系１ｊからなり、排気系
１ｊは真空ボンプ１ｈに接続している。
概略、第２図はその温度プロファイルを示すものである
。第１図において、１ａは真空ゾーン真空室、１ｂはり
フローゾーンパネルヒータ、ＩＣはりフローゾーン熱風
吹き出しノズル、１ｄは基板搬送部、１ｅは落下基板搬
送ベルト、ｉ ｆは電子部品実装基板、１ｇは冷却ゾー
ン冷却ファ７ ン、１ｈは炉内雰囲気排気ファンである。真空ゾーン真
空室↓ａは、導入系１１と排気系１ｊからなり、排気系
１ｊは真空ボンプ１ｈに接続している。
以上のように構成された加熱装置について、以下その動
作について説明する。
作について説明する。
電子部品が搭載された基板１ｆは人口側より基板搬送部
１ｄによって加熱装置内へ搬送される。
１ｄによって加熱装置内へ搬送される。
まず、基板１ｆは真空ゾーン真空室１ ａに搬送され、
はんだクリームの十分な乾燥と活性化を引き起こさせる
ために、真空ポンプ１ｈにより２〜１０Ｔｏ ｒ ｒで
２分間保持される。そして、リフローゾーンパネルヒー
タ１ｂとりフローゾーン熱風吹き出しノズル１Ｃより出
る２４０℃前後の熱風により基板を加熱し、基板温度を
共晶クリームはんだ融点１８３℃以上かつ部品耐熱温度
約２５０℃以下の温度、好ましくは２３０°Ｃ前後まで
昇温させる。これによって、クリームはんだを十分溶融
させた後、最後に冷却ゾーンにおいて冷却ファン１ｇを
用いはんだを凝固させ、半田継ぎ手部を８ 形成する。
はんだクリームの十分な乾燥と活性化を引き起こさせる
ために、真空ポンプ１ｈにより２〜１０Ｔｏ ｒ ｒで
２分間保持される。そして、リフローゾーンパネルヒー
タ１ｂとりフローゾーン熱風吹き出しノズル１Ｃより出
る２４０℃前後の熱風により基板を加熱し、基板温度を
共晶クリームはんだ融点１８３℃以上かつ部品耐熱温度
約２５０℃以下の温度、好ましくは２３０°Ｃ前後まで
昇温させる。これによって、クリームはんだを十分溶融
させた後、最後に冷却ゾーンにおいて冷却ファン１ｇを
用いはんだを凝固させ、半田継ぎ手部を８ 形成する。
以上のように本実施例によれば、電子部品を搭載された
基板１ｄを真空ゾーン真空室］，ａにおいて加熱するこ
となくクリームはんだを均一に十分な乾燥をすることが
でき、従来の予熱部における基板上の回路配線金属（銅
箔等）面やはんだの酸化及び熱による電子部品の性能低
下を防止し、信頼性の高い高品質なりフローはんだづけ
を実現することができる。
基板１ｄを真空ゾーン真空室］，ａにおいて加熱するこ
となくクリームはんだを均一に十分な乾燥をすることが
でき、従来の予熱部における基板上の回路配線金属（銅
箔等）面やはんだの酸化及び熱による電子部品の性能低
下を防止し、信頼性の高い高品質なりフローはんだづけ
を実現することができる。
第３図は、本発明の第２の実施例における加熱装置の概
略を示すものである。
略を示すものである。
る。
第３図において、３ａは真空ゾーン真空室、３ｂはリフ
ローゾーンパネルヒータ、３ｃはリフローゾーン熱風吹
き出しノズル、３ｄは基板搬送部、３ｅは落下基板搬送
ベルト、３ｆは電子部品実装基板、３ｇは冷却ゾーン冷
却ファン、３ ｈは炉内雰囲気排気ファンである。真空
ゾーン真空室３ａは、基板ストッカー３１，導入系３１
と排気系３ｊからなり、排気系３ｊは真空ポンプ１ｋに
接続している。
ローゾーンパネルヒータ、３ｃはリフローゾーン熱風吹
き出しノズル、３ｄは基板搬送部、３ｅは落下基板搬送
ベルト、３ｆは電子部品実装基板、３ｇは冷却ゾーン冷
却ファン、３ ｈは炉内雰囲気排気ファンである。真空
ゾーン真空室３ａは、基板ストッカー３１，導入系３１
と排気系３ｊからなり、排気系３ｊは真空ポンプ１ｋに
接続している。
以上のように構成された加熱装置について、以下その動
作について説明する。
作について説明する。
電子部品が搭載された基板３ｆは入口側より基板搬送部
３ｄによって加熱装置内へ搬送される。
３ｄによって加熱装置内へ搬送される。
まず、基板３ｆは真空ゾーン真空室３ａに搬送され、基
板ストッカ−３１に複数枚保持され、はんだクリームの
十分な乾燥と活性化を引き起こさせるために、真空ポン
プ３ｋにより２〜↓ＱＴｏ ｒｒで２分間保持される。
板ストッカ−３１に複数枚保持され、はんだクリームの
十分な乾燥と活性化を引き起こさせるために、真空ポン
プ３ｋにより２〜↓ＱＴｏ ｒｒで２分間保持される。
そして、リフローゾーンパネルヒータ３ｂとりフローゾ
ーン熱風吹き出しノズル３ｃより出る２４０℃前後の熱
風により基板を加熱し、基板温度を共晶クリームはんだ
融点１８３℃以上かつ部品耐熱温度約２５０℃以下の温
度、好ましくは２３０°Ｃ前後まで昇温させる。
ーン熱風吹き出しノズル３ｃより出る２４０℃前後の熱
風により基板を加熱し、基板温度を共晶クリームはんだ
融点１８３℃以上かつ部品耐熱温度約２５０℃以下の温
度、好ましくは２３０°Ｃ前後まで昇温させる。
これによって、クリームはんだを十分溶融させた後、最
後に冷却ゾーンにおいて冷却ファン１ｇを用いはんだを
凝固させ、半田継ぎ手部を形成する。
後に冷却ゾーンにおいて冷却ファン１ｇを用いはんだを
凝固させ、半田継ぎ手部を形成する。
以上のように本実施例によれば、電子部品を搭載された
基板１ｄを真空ゾーン真空室１ａにおいて加熱すること
なくクリームはんだを均一に十分な乾燥をすることがで
き、従来の予熱部における基板上の回路配線金属（銅箔
等）面やはんだの酸化及びＱＦＰなど樹脂モールドされ
た電子部品は吸湿しているＨ２０により、加熱の際に生
じる亀裂や破裂を防止し、生産タクトの向上と信頼性の
高い高品質なりフローはんだづけを実現することができ
る。
基板１ｄを真空ゾーン真空室１ａにおいて加熱すること
なくクリームはんだを均一に十分な乾燥をすることがで
き、従来の予熱部における基板上の回路配線金属（銅箔
等）面やはんだの酸化及びＱＦＰなど樹脂モールドされ
た電子部品は吸湿しているＨ２０により、加熱の際に生
じる亀裂や破裂を防止し、生産タクトの向上と信頼性の
高い高品質なりフローはんだづけを実現することができ
る。
なお、前述した実施例１及び２では第１工程として常温
での真空工程、第２工程として加熱工程としたがクリー
ムはんだの乾燥効率を良くするために第１工程にて真空
加熱しても良い。また、真空工程と加熱工程を行っても
良い。更に、接合はクリームはんだと記したが、導電性
接着剤や予め基板に設けられているはんだメッキ等でも
良《これらを称して導電性接合材料と称す。はんだメッ
キの場合真空工程と加熱工程は同時に行う方が良い。
での真空工程、第２工程として加熱工程としたがクリー
ムはんだの乾燥効率を良くするために第１工程にて真空
加熱しても良い。また、真空工程と加熱工程を行っても
良い。更に、接合はクリームはんだと記したが、導電性
接着剤や予め基板に設けられているはんだメッキ等でも
良《これらを称して導電性接合材料と称す。はんだメッ
キの場合真空工程と加熱工程は同時に行う方が良い。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、電子部品が装着１１
された基板などの被加熱物を真空にする真空工程と前記
被加熱部を加熱する工程を備えたことにより、クリーム
はんだを空気中で加熱することなく十分に均一に乾燥で
き、基板上の回路配線金属（銅箔等）面やはんだの酸化
によりはんだ濡れ性の低下により接触抵抗の増加及び接
合不良を生じるという問題や回路電気特性の信頼性を低
減するという問題を解決でき、さらにＱＦＰなど樹脂モ
ールドされた電子部品は吸湿している微量水分（Ｈ２０
）により加熱の際に生じる亀裂や破裂を生じるという問
題を除去し、信頼性の高い高品質なりフローはんだづけ
を実現できるという顕著な効果を達或することができる
。
被加熱部を加熱する工程を備えたことにより、クリーム
はんだを空気中で加熱することなく十分に均一に乾燥で
き、基板上の回路配線金属（銅箔等）面やはんだの酸化
によりはんだ濡れ性の低下により接触抵抗の増加及び接
合不良を生じるという問題や回路電気特性の信頼性を低
減するという問題を解決でき、さらにＱＦＰなど樹脂モ
ールドされた電子部品は吸湿している微量水分（Ｈ２０
）により加熱の際に生じる亀裂や破裂を生じるという問
題を除去し、信頼性の高い高品質なりフローはんだづけ
を実現できるという顕著な効果を達或することができる
。
第１図は、本発明の第１の実施例における加熱装置概略
図、第２図は第１の実施例における温度プロファイル、
第３は本発明の第２の実施例における加熱装置の概略図
、第４図は従来の加熱装置の概略図、第５図は第４図に
おける温度プロファイルである。 １−２ ｌａ， ｌｂ， ｌｃ， ｌｄ， １ ｆ， １ ｊ， ｌｋ， ３ｌ ３ａ：真空ゾーン真空室 ３ｂ−リフローゾーンパネルヒーター ３Ｃ：リフローゾーン熱風吹き出しノズル３ｄ：基板搬
送部 ３ｆ：電子部品実装基板 ３ｊ：排気バルブ ３ｋ＝真空ポンプ 二基板ストッカー ｐ
図、第２図は第１の実施例における温度プロファイル、
第３は本発明の第２の実施例における加熱装置の概略図
、第４図は従来の加熱装置の概略図、第５図は第４図に
おける温度プロファイルである。 １−２ ｌａ， ｌｂ， ｌｃ， ｌｄ， １ ｆ， １ ｊ， ｌｋ， ３ｌ ３ａ：真空ゾーン真空室 ３ｂ−リフローゾーンパネルヒーター ３Ｃ：リフローゾーン熱風吹き出しノズル３ｄ：基板搬
送部 ３ｆ：電子部品実装基板 ３ｊ：排気バルブ ３ｋ＝真空ポンプ 二基板ストッカー ｐ
Claims (4)
- （１）導電性接合材料を用いて加熱処理により被処理物
を接合する方法において、まず導電性接合材料を塗布ま
たは載置した被処理物を真空処理し、次いで加熱接合処
理することを特徴とする接合体の製造方法。 - （２）導電性接合材料を用いて加熱処理により被処理物
を接合する装置において、導電性接合材料を塗布または
載置した被処理物を真空処理する手段と、加熱接合処理
する手段を接続又は分離して設けたことを特徴とする接
合体の製造装置。 - （３）導電性接合材料を用いて加熱処理により被処理物
を接合する装置において、導電性接合材料を塗布または
載置した被処理物を真空処理する手段と、加熱接合処理
する手段を装置内に設けたことを特徴とする接合体の製
造装置。 - （４）被処理物が電子部品であり、導電性接合材料がク
リームはんだ、導電性接着剤、はんだメッキから選ばれ
る少なくとも一種の材料である請求項１，２又は３項い
ずれか記載の接合体の製造方法又はその装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032A JPH03207573A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 接合体の製造方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032A JPH03207573A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 接合体の製造方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03207573A true JPH03207573A (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=11517993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002032A Pending JPH03207573A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 接合体の製造方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03207573A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284832A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Alps Electric Co Ltd | リフロー半田付け装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139170A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Continuous vacuum furnace |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP2002032A patent/JPH03207573A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139170A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-30 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Continuous vacuum furnace |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284832A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Alps Electric Co Ltd | リフロー半田付け装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5770835A (en) | Process and apparatus and panel heater for soldering electronic components to printed circuit board | |
| EP1350588B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| US5222649A (en) | Apparatus for soldering a semiconductor device to a circuitized substrate | |
| US5207372A (en) | Method for soldering a semiconductor device to a circuitized substrate | |
| US20130175323A1 (en) | Serial thermal linear processor arrangement | |
| US20060065431A1 (en) | Self-reflowing printed circuit board and application methods | |
| JPH04504230A (ja) | 半田付けされた物品を製造するための方法 | |
| US20070170227A1 (en) | Soldering method | |
| US8274161B2 (en) | Flux-free chip to substrate joint serial linear thermal processor arrangement | |
| JPH03207573A (ja) | 接合体の製造方法及びその装置 | |
| JPH01118369A (ja) | ハンダ付けリフロー炉 | |
| US20070246514A1 (en) | Method for Reflow Soldering | |
| JPH05245624A (ja) | ハンダリフロー装置及びハンダリフロー方法 | |
| JP3055511B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20260076244A1 (en) | Method and an apparatus for forming an electronic device | |
| JPS62124073A (ja) | 温風による半田溶解装置 | |
| JP3121464B2 (ja) | バンプ形成法およびバンプ製造装置 | |
| US20260053037A1 (en) | Method and an apparatus for forming an electronic device | |
| JPH03109797A (ja) | 両面実装基板のリフロー方法 | |
| JP2002290027A (ja) | 電子回路モジュールの製造方法及び製造装置並びに半導体モジュールの製造方法及び製造装置 | |
| JP3252737B2 (ja) | リフロー式はんだ付方法及びワーク搬送治具 | |
| JP2001308511A (ja) | リフローはんだ付け方法およびその装置 | |
| JPH0715120A (ja) | リフロー半田付け方法 | |
| JPH0377772A (ja) | 赤外線加熱式リフローハンダ付け方法および赤外線加熱式リフローハンダ付け装置 | |
| JP3166752B2 (ja) | ベアチップ実装システム |