JPH03208885A - 気相成長法により酸化物を原子層レベルで堆積させる方法 - Google Patents
気相成長法により酸化物を原子層レベルで堆積させる方法Info
- Publication number
- JPH03208885A JPH03208885A JP97990A JP97990A JPH03208885A JP H03208885 A JPH03208885 A JP H03208885A JP 97990 A JP97990 A JP 97990A JP 97990 A JP97990 A JP 97990A JP H03208885 A JPH03208885 A JP H03208885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal
- oxide
- complex
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 42
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 12
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 1
- GDFCXHYUALKPOU-UHFFFAOYSA-N [Cu][Ca][Sr][Bi] Chemical compound [Cu][Ca][Sr][Bi] GDFCXHYUALKPOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 manganese, lanthanum series Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は気相成長法により酸化物等を基板上に原子層レ
ベルで堆積させる方法に関する。
ベルで堆積させる方法に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］近年、
有機金属化合物を原料とする化学気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ）の進展により、例えば、化合物半導体の分野におい
て、半導体レーザーから原子層エピタキシーによる量子
デバイスへ広範な応用が行なわれている。しかしながら
、ＭＯＣＶＤ法が画期的な成功を収めたのはＧａＡｓを
中心とする化合物半導体の分野に留っている。これはＧ
ａＡｓ結晶においてＧａ面にはＡｓが選択的に吸着され
、同様にＡｓ面にはＧａが選択的に吸着されるという化
学的な吸着特性に基づくものであり、この選択性により
原子層レベルの調整が可能とされてきた。現在このよう
な選択性に着目してＧａＡｓ以外を対象したＭＯＣＶＤ
法の適用が考えられている。ＭＯＣＶＤ法を用いて酸化
物薄膜の堆積が試みられているものの、ＧａＡｓ系のよ
うに原子層毎に制御された結晶成長は得られず、基板上
にランダムに酸化物が結晶成長しているにすぎなかった
。
有機金属化合物を原料とする化学気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ）の進展により、例えば、化合物半導体の分野におい
て、半導体レーザーから原子層エピタキシーによる量子
デバイスへ広範な応用が行なわれている。しかしながら
、ＭＯＣＶＤ法が画期的な成功を収めたのはＧａＡｓを
中心とする化合物半導体の分野に留っている。これはＧ
ａＡｓ結晶においてＧａ面にはＡｓが選択的に吸着され
、同様にＡｓ面にはＧａが選択的に吸着されるという化
学的な吸着特性に基づくものであり、この選択性により
原子層レベルの調整が可能とされてきた。現在このよう
な選択性に着目してＧａＡｓ以外を対象したＭＯＣＶＤ
法の適用が考えられている。ＭＯＣＶＤ法を用いて酸化
物薄膜の堆積が試みられているものの、ＧａＡｓ系のよ
うに原子層毎に制御された結晶成長は得られず、基板上
にランダムに酸化物が結晶成長しているにすぎなかった
。
そこで本発明の目的は、酸化物薄膜を原子層レベルで制
御しつつ成長させる方法を提供するものである。
御しつつ成長させる方法を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意研究した結
果、酸化物薄膜を原子層レベルで形成するに際し、有機
金属錯体を基板上に生じせしめた０Ｈ基に吸着させ、そ
の後所定の操作により配位子のみを除去することにより
、基板上に錯体の中心原子である金属がＯＨ基のＯ原子
に結合した形で形成させることができることを見出すに
至った。
果、酸化物薄膜を原子層レベルで形成するに際し、有機
金属錯体を基板上に生じせしめた０Ｈ基に吸着させ、そ
の後所定の操作により配位子のみを除去することにより
、基板上に錯体の中心原子である金属がＯＨ基のＯ原子
に結合した形で形成させることができることを見出すに
至った。
すなわち本発明は、下記工程■及び■
■ＯＨ基を有する酸化物基板表面上に、ＯＨ基に対して
親和性の配位子を有する金Ｊｉ！錯体の蒸気を導入して
化学吸着させる工程、及び■該基板をＨｔＯを含む雰囲
気に暴露して金属錯体の配位子を分解することにより該
金属錯体の金属を酸素を介して基板表面に化学吸着させ
る工程 により基板表面上に金属酸化物層を単原子層レベルで形
成させる方法を提供するものである。
親和性の配位子を有する金Ｊｉ！錯体の蒸気を導入して
化学吸着させる工程、及び■該基板をＨｔＯを含む雰囲
気に暴露して金属錯体の配位子を分解することにより該
金属錯体の金属を酸素を介して基板表面に化学吸着させ
る工程 により基板表面上に金属酸化物層を単原子層レベルで形
成させる方法を提供するものである。
本発明の方法に従えば、まず、ＯＨ基を有する酸化物基
板を用意する６本発明に用いることができる酸化物基板
にはＳ ｉ Ｏｓ 、 ＺｎＯ，Ｔ ｉ Ｏｘ。
板を用意する６本発明に用いることができる酸化物基板
にはＳ ｉ Ｏｓ 、 ＺｎＯ，Ｔ ｉ Ｏｘ。
５ｒＴｉｏｓ 、ＭｇＯ等を用いることができ、本発明
においては表面水酸基量を制御しやすいという理由から
Ｓ ｉ Ｏｍが好ましい。
においては表面水酸基量を制御しやすいという理由から
Ｓ ｉ Ｏｍが好ましい。
通常、未処理の酸化物基板の表面はＯＨ基に覆われてい
ると考えられるが、原子層堆積のためにはＯＨ基が基板
表面上に薄膜状に十分に被覆されていることが必要であ
る。従って、本発明においてはＯＨ基導入操作を別途性
なうことが好ましい。すなわち、本発明に従い、酸化物
基板表面上にＯＨ基を形成させる。この形成方法として
は基板を酸素雰囲気に暴露する方法、高真空（１０−’
Ｔｏｒｒ以下）で排気する等の方法があるが、本発明で
は基板表面上の含炭素化合物を酸化により除去するとい
う理由から酸素雰囲気に暴露する方法が好ましい。すな
わち、基板温度を一般に４５０〜５００℃、手間を惜し
まないのであれば、５００〜６００℃の酸素雰囲気下で
完全に有機物を焼ききってから蒸留した純粋な水の蒸気
にさらし、再び温度を上げることでほぼ任意の表面水酸
基をもった表面を作ることができる。さらに、好ましく
は３００〜４００℃にして酸化物表面を酸素雰囲気にさ
らす。かかる温度に加熱することにより、基板表面上の
有機成分が蒸発し、安定なＯＨ基のみが基板表面に残留
することになる。こうして生じた基板表面のＯＨ基は後
述するようにＩＲスペクトルにより容易に観測すること
が出来る。
ると考えられるが、原子層堆積のためにはＯＨ基が基板
表面上に薄膜状に十分に被覆されていることが必要であ
る。従って、本発明においてはＯＨ基導入操作を別途性
なうことが好ましい。すなわち、本発明に従い、酸化物
基板表面上にＯＨ基を形成させる。この形成方法として
は基板を酸素雰囲気に暴露する方法、高真空（１０−’
Ｔｏｒｒ以下）で排気する等の方法があるが、本発明で
は基板表面上の含炭素化合物を酸化により除去するとい
う理由から酸素雰囲気に暴露する方法が好ましい。すな
わち、基板温度を一般に４５０〜５００℃、手間を惜し
まないのであれば、５００〜６００℃の酸素雰囲気下で
完全に有機物を焼ききってから蒸留した純粋な水の蒸気
にさらし、再び温度を上げることでほぼ任意の表面水酸
基をもった表面を作ることができる。さらに、好ましく
は３００〜４００℃にして酸化物表面を酸素雰囲気にさ
らす。かかる温度に加熱することにより、基板表面上の
有機成分が蒸発し、安定なＯＨ基のみが基板表面に残留
することになる。こうして生じた基板表面のＯＨ基は後
述するようにＩＲスペクトルにより容易に観測すること
が出来る。
本発明の方法の次の工程では、ＯＨ基に対して親和性の
配位子を有する金属錯体の蒸気を基板表面に導入する。
配位子を有する金属錯体の蒸気を基板表面に導入する。
本発明に用いる金属錯体は、ＯＨ基に対して親和性の配
位子を有する錯体であり、例えば、ジピバロイルメタナ
ート（ＤＰＭ） 、ＨＦＡ （ヘキサフルオロアセチル
アセトネート）、ａＣａＣ（アセチルアセトネート）等
の錯体を挙げることが出来る。またこれらの錯体の中心
金属原子は、本発明に従い基板上に堆積させるべき金属
酸化物の金属種を成すものであり、例えば、銅、鉄、マ
ンガン等の遷移金属アルカリ土類金属、ランタン系列元
素等が挙げられる。特に、銅は銅酸化物として薄膜酸素
センサーやビスマス−カルシウム−ストロンチウム−銅
を含む高温酸化物超伝導体材料等に極めて有用であるた
め好ましい。また、上記錯体を形成し得る金属類似元素
をも錯体中心原子として使用できる。これらのことから
、金属錯体として、例えばジピバロイルメタナート銅（
ＣｕｌｐＭ）＊）、ジビバロイルメタナートカルシウｈ
（Ｃａ （ＤＰＭ）□）等を挙げることができる。金
属錯体の蒸気を基板上に導入するには種々のＣＶＤ装置
を使用することができ、特に限定されない。堆積物原料
をＣＶＤ装置内の基板表面に導入するには、例えば、上
記基板上に金属錯体蒸気をアルゴンガス中に分散させて
導入することにより容易に達成できる。ＣＶＤ操作によ
り上記金属錯体が基板表面に化学吸着して堆積するが、
その後吸着しないで残留している金属錯体を除去するの
に、例えば１０−”Ｔｏｒｒ程度まで容器内を減圧する
のが好ましい。
位子を有する錯体であり、例えば、ジピバロイルメタナ
ート（ＤＰＭ） 、ＨＦＡ （ヘキサフルオロアセチル
アセトネート）、ａＣａＣ（アセチルアセトネート）等
の錯体を挙げることが出来る。またこれらの錯体の中心
金属原子は、本発明に従い基板上に堆積させるべき金属
酸化物の金属種を成すものであり、例えば、銅、鉄、マ
ンガン等の遷移金属アルカリ土類金属、ランタン系列元
素等が挙げられる。特に、銅は銅酸化物として薄膜酸素
センサーやビスマス−カルシウム−ストロンチウム−銅
を含む高温酸化物超伝導体材料等に極めて有用であるた
め好ましい。また、上記錯体を形成し得る金属類似元素
をも錯体中心原子として使用できる。これらのことから
、金属錯体として、例えばジピバロイルメタナート銅（
ＣｕｌｐＭ）＊）、ジビバロイルメタナートカルシウｈ
（Ｃａ （ＤＰＭ）□）等を挙げることができる。金
属錯体の蒸気を基板上に導入するには種々のＣＶＤ装置
を使用することができ、特に限定されない。堆積物原料
をＣＶＤ装置内の基板表面に導入するには、例えば、上
記基板上に金属錯体蒸気をアルゴンガス中に分散させて
導入することにより容易に達成できる。ＣＶＤ操作によ
り上記金属錯体が基板表面に化学吸着して堆積するが、
その後吸着しないで残留している金属錯体を除去するの
に、例えば１０−”Ｔｏｒｒ程度まで容器内を減圧する
のが好ましい。
本発明の次の工程では、上記錯体が吸着した基板をＨｔ
Ｏを含む雰囲気に暴露する。かかる操作を行なうことに
より、金属錯体の配位子だけが除去され、錯体の中心原
子である金属が酸素と結合した構造、例えばＣｕ−０−
構造が基板上に形成される。
Ｏを含む雰囲気に暴露する。かかる操作を行なうことに
より、金属錯体の配位子だけが除去され、錯体の中心原
子である金属が酸素と結合した構造、例えばＣｕ−０−
構造が基板上に形成される。
以上の工程により、金属酸化物を構成する各原子が単一
の原子層で基板上に堆積され、原子制御された金属酸化
物層が得られる。
の原子層で基板上に堆積され、原子制御された金属酸化
物層が得られる。
更に本発明は上記工程を繰り返すことにより金属酸化物
層を原子層レベルで気相成長させる方法をも提供する。
層を原子層レベルで気相成長させる方法をも提供する。
すなわち、前記方法で得られた、金属酸化物が単一の原
子層で堆積された基板に前記のような工程を繰り返す。
子層で堆積された基板に前記のような工程を繰り返す。
この結果、金属酸化物を単原子層レベルで積み重ね、所
望の厚さの原子層制御された酸化物層を得ることができ
る。
望の厚さの原子層制御された酸化物層を得ることができ
る。
［作用］
本発明者らはＧａＡｓ以外の酸化物層を基板上に原子層
レベルで気相成長させる方法について研究を重ねた結果
、酸化物基板上面に水酸基が容易に化学吸着すること及
び所定の配位子を有する金属錯体が水酸基に選択的に吸
着し得ることに着目し、酸化物を構成する酸素及び金属
種を別々に原子制御しつつ基板上に堆積させることが出
来る方法を発明するに至った。
レベルで気相成長させる方法について研究を重ねた結果
、酸化物基板上面に水酸基が容易に化学吸着すること及
び所定の配位子を有する金属錯体が水酸基に選択的に吸
着し得ることに着目し、酸化物を構成する酸素及び金属
種を別々に原子制御しつつ基板上に堆積させることが出
来る方法を発明するに至った。
本発明に従い、酸化物基板上に水酸基を導入し、ついで
かかる水酸基と選択的に吸着し得る錯体、例えば、Ｃｕ
（ＤＰＭ）ｉ錯体を後の工程で導入すると、第１図の吸
着モデルに示すような構造が基板上に形成される。同図
中、配位子の炭素原子Ｃ″及びＣ９０は基板上に吸着し
ている水酸基の水素と化学吸着しているものと考えられ
る。更に、水を含む雰囲気にかかる吸着構造を暴露する
と配位子がＯＨ基の水素とともに脱離し、５ｉ０２基板
上にＣｕ−０−という結合が形成されるものと考えられ
る。
かかる水酸基と選択的に吸着し得る錯体、例えば、Ｃｕ
（ＤＰＭ）ｉ錯体を後の工程で導入すると、第１図の吸
着モデルに示すような構造が基板上に形成される。同図
中、配位子の炭素原子Ｃ″及びＣ９０は基板上に吸着し
ている水酸基の水素と化学吸着しているものと考えられ
る。更に、水を含む雰囲気にかかる吸着構造を暴露する
と配位子がＯＨ基の水素とともに脱離し、５ｉ０２基板
上にＣｕ−０−という結合が形成されるものと考えられ
る。
こうして得られたＣｕ−０−層はＣｕ及びＯが単原子レ
ベルで堆積された層であり、本発明の工程を繰り返して
かかる層を順次積み上げることにより所望の原子層制御
された酸化物層が基板上に形成されることになる。
ベルで堆積された層であり、本発明の工程を繰り返して
かかる層を順次積み上げることにより所望の原子層制御
された酸化物層が基板上に形成されることになる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明
はそれらに何ら限定されない。
はそれらに何ら限定されない。
〔実施例］
見立■ユ
本発明に用いるＣＶＤ装置の概略図を第２図に示す。Ｃ
ＶＤ装置は、原料供給系、リアクター及び排出系から主
に構成されている。原料供給系には金属錯体を収容した
原料ソース容器ｌ並びにリアクター４に連結するガスラ
イン２及び金属蒸気用ガスライン３を装着する。ガスラ
イン３には金属蒸気を希釈するアルゴンガス供給源５が
備えられている。石英製のりアクタ−４内部にサセプタ
ー７上に保持された基板８が装着され、リアクタ−４外
周部には基板加熱用のヒーター６を備える。排出系ガス
ライン９はバルブ１０を介してロータリーポンプ１１に
連結している。上記ＣＶＤ装置のサセプター７上にＳｉ
Ｏ−基板を設置した後、容器内にガスライン２を通じて
酸素ガスを供給する。更にヒーター６により基板温度を
５００℃に上昇させて２時間維持した。この後、基板表
面のＯＨ基の存在を確認するために基板の一部をサンプ
ルとしてＩＲスペクトルを観測した。第３図（ａ）に上
記サンプルのＩＲスペクトルを示す。
ＶＤ装置は、原料供給系、リアクター及び排出系から主
に構成されている。原料供給系には金属錯体を収容した
原料ソース容器ｌ並びにリアクター４に連結するガスラ
イン２及び金属蒸気用ガスライン３を装着する。ガスラ
イン３には金属蒸気を希釈するアルゴンガス供給源５が
備えられている。石英製のりアクタ−４内部にサセプタ
ー７上に保持された基板８が装着され、リアクタ−４外
周部には基板加熱用のヒーター６を備える。排出系ガス
ライン９はバルブ１０を介してロータリーポンプ１１に
連結している。上記ＣＶＤ装置のサセプター７上にＳｉ
Ｏ−基板を設置した後、容器内にガスライン２を通じて
酸素ガスを供給する。更にヒーター６により基板温度を
５００℃に上昇させて２時間維持した。この後、基板表
面のＯＨ基の存在を確認するために基板の一部をサンプ
ルとしてＩＲスペクトルを観測した。第３図（ａ）に上
記サンプルのＩＲスペクトルを示す。
３７５０ｃ＋ａ−’付近にＯＨ基の伸縮振動を示すピー
クが現われている。
クが現われている。
次に、上記ＯＨ基が吸着した基板をＣＶＤ装置内に装着
したまま、リアクター４内を１０−’Ｔｏｒｒに減圧す
る。その後、ガスライン２にアルゴンガスを供給しなが
ら、Ｃｕ （ＤＰＭ）＊が入っている原料ソース容器１
を加熱してＣｕ （Ｄ Ｐ Ｍ Ｌ蒸気を発生させてア
ルゴンガス／Ｃｕ（ＤＰＭＬ蒸気混合ガスをリアクター
４内に流し、リアクター４内をＯｌｌ Ｔｏｒｒ程の圧
力に保った。
したまま、リアクター４内を１０−’Ｔｏｒｒに減圧す
る。その後、ガスライン２にアルゴンガスを供給しなが
ら、Ｃｕ （ＤＰＭ）＊が入っている原料ソース容器１
を加熱してＣｕ （Ｄ Ｐ Ｍ Ｌ蒸気を発生させてア
ルゴンガス／Ｃｕ（ＤＰＭＬ蒸気混合ガスをリアクター
４内に流し、リアクター４内をＯｌｌ Ｔｏｒｒ程の圧
力に保った。
この段階で得られた基板の表面の一部をサンプルとして
ＩＲスペクトルを測定した。第３図（ｂ）及び第４図（
ｂ）にその結果を示す。第３図（ｂ）では同図（ａ）の
スペクトルで見られたＯＨ基伸縮振動に基づ＜ ３７５
０ｃｏ＋−’付近のピークが消失している。また、第４
図は第３図よりも低波数側のＩＲスペクトルであり、第
４図のスペクトル（ｂ）の２９６９ｃｍ−’にはＣＨｓ
基のＣＨ捩振動ピークが強く現われている。第３図（ｂ
）及び第４図（ｂ）のＩＲスペクトルからすれば、基板
表面上に第１図に示したようなモデルが形成され、しか
もＣｕ（Ｄ Ｐ Ｍ ） ｚの炭素原子が、基板上に吸
着している実質上すべてのＯＨ基の水素原子に化学吸着
したものと推定される。
ＩＲスペクトルを測定した。第３図（ｂ）及び第４図（
ｂ）にその結果を示す。第３図（ｂ）では同図（ａ）の
スペクトルで見られたＯＨ基伸縮振動に基づ＜ ３７５
０ｃｏ＋−’付近のピークが消失している。また、第４
図は第３図よりも低波数側のＩＲスペクトルであり、第
４図のスペクトル（ｂ）の２９６９ｃｍ−’にはＣＨｓ
基のＣＨ捩振動ピークが強く現われている。第３図（ｂ
）及び第４図（ｂ）のＩＲスペクトルからすれば、基板
表面上に第１図に示したようなモデルが形成され、しか
もＣｕ（Ｄ Ｐ Ｍ ） ｚの炭素原子が、基板上に吸
着している実質上すべてのＯＨ基の水素原子に化学吸着
したものと推定される。
さらに基板表面上に存在するＯＨ基とＣＨ，基の量的な
関係を調査するために、Ｃｕ（ＤＰＭ）−導入経過時間
毎にＩＲスペクトル強度を測定し、ＯＨ基の吸収強度に
対してＣＨ，基の吸収強度をプロットした。結果を第５
図に示す、同図よりＯＨ基の吸光度の減少とＯＨ基の吸
光度の増加が対応しており、ＯＨ基のＯＨサイトへの吸
着が生じているものとわかる。
関係を調査するために、Ｃｕ（ＤＰＭ）−導入経過時間
毎にＩＲスペクトル強度を測定し、ＯＨ基の吸収強度に
対してＣＨ，基の吸収強度をプロットした。結果を第５
図に示す、同図よりＯＨ基の吸光度の減少とＯＨ基の吸
光度の増加が対応しており、ＯＨ基のＯＨサイトへの吸
着が生じているものとわかる。
Ｃｕ（ＤＰＭ）ｉ蒸気導入操作終了後、ＣＶＤ装置内を
１０−’Ｔｏｒｒまで減圧し、基板温度を４００℃に加
熱した。その後、ガスラインｌにより０．０蒸気をリア
クター４内に導入してリアクター４内の圧力を３０Ｔｏ
ｒｒに保持する。この後得られた基板の一部をサンプル
としてＩＲスペクトル測定を行なった。得られた結果を
第３図（ｄ）及び第４図（ｄ）に示す、なお、比較のた
め、Ｃｕ （ＤＰＭ）２蒸気導入操作終了後、リアクタ
ー４内を減圧した直後の基板のＩＦＦスペクトルをそれ
らの図中のスペクトル（ｃ）に示す。
１０−’Ｔｏｒｒまで減圧し、基板温度を４００℃に加
熱した。その後、ガスラインｌにより０．０蒸気をリア
クター４内に導入してリアクター４内の圧力を３０Ｔｏ
ｒｒに保持する。この後得られた基板の一部をサンプル
としてＩＲスペクトル測定を行なった。得られた結果を
第３図（ｄ）及び第４図（ｄ）に示す、なお、比較のた
め、Ｃｕ （ＤＰＭ）２蒸気導入操作終了後、リアクタ
ー４内を減圧した直後の基板のＩＦＦスペクトルをそれ
らの図中のスペクトル（ｃ）に示す。
第３図及び第４図のスペクトル（ｃ）及び（ｄ）より、
基板上ＯＨ基に吸着していた錯体の配位子ＤＰＭがＤ２
０蒸気の導入により除去されたことがわかる。
基板上ＯＨ基に吸着していた錯体の配位子ＤＰＭがＤ２
０蒸気の導入により除去されたことがわかる。
更に基板上に残留している銅原子の存在を確認するため
に上記基板のサンプルの一部をＸ線光電子分光（ＸＰＳ
）にかけた、第６図にその結果を示す。同図中スペクト
ル（ａ）はＣｕ （Ｄ Ｐ Ｍ ） 宜単独のｘｐｓス
ペクトル、（ｂ）はＣｕ （Ｄ、 Ｐ Ｍ ） ＊蒸気
を基板上に導入した後のスペクトル、そして（ｃ）は更
に０１０の蒸気を導入した後のスペクトルを示す、同図
よりＣｕ原子の２ｐ軌道からの電子に由来するピークが
９３２．９５１ｅＶに現われており、上記り、０蒸気導
入後にもＣｕ原子が基板上に残留していることがわかる
。さらにスペクトル（ｃ）にはＣｕ”スペクトル特有の
サテライトビーりを示さないこと及びこの処理条件では
銅が酸化されずに残っているとは考えられないことから
すればＣｕはＣｕ ”に近い状態で存在していると考え
られる。
に上記基板のサンプルの一部をＸ線光電子分光（ＸＰＳ
）にかけた、第６図にその結果を示す。同図中スペクト
ル（ａ）はＣｕ （Ｄ Ｐ Ｍ ） 宜単独のｘｐｓス
ペクトル、（ｂ）はＣｕ （Ｄ、 Ｐ Ｍ ） ＊蒸気
を基板上に導入した後のスペクトル、そして（ｃ）は更
に０１０の蒸気を導入した後のスペクトルを示す、同図
よりＣｕ原子の２ｐ軌道からの電子に由来するピークが
９３２．９５１ｅＶに現われており、上記り、０蒸気導
入後にもＣｕ原子が基板上に残留していることがわかる
。さらにスペクトル（ｃ）にはＣｕ”スペクトル特有の
サテライトビーりを示さないこと及びこの処理条件では
銅が酸化されずに残っているとは考えられないことから
すればＣｕはＣｕ ”に近い状態で存在していると考え
られる。
以上のようにして原子層レベルでＣｕ−０が堆積した基
板を、更にリアクター４内に設置したまま上記の酸素を
導入する工程、Ｃｕ （Ｄ Ｐ Ｍ） ｘ蒸気を導入す
る工程及びＨ，Ｏの蒸気を導入する工程を繰り返すこと
により、基板上に銅の酸化物層が原子層レベルで積層し
た酸化銅／酸化物基板積層体を得る。
板を、更にリアクター４内に設置したまま上記の酸素を
導入する工程、Ｃｕ （Ｄ Ｐ Ｍ） ｘ蒸気を導入す
る工程及びＨ，Ｏの蒸気を導入する工程を繰り返すこと
により、基板上に銅の酸化物層が原子層レベルで積層し
た酸化銅／酸化物基板積層体を得る。
［発明の効果］
本発明の方法を用いて、ＳｉＯｘ等の酸化物基板上に酸
化物層を原子層レベルで積層することにより原子制御さ
れた酸化物結晶を基板上に得ることが可能になった。従
って、本発明は酸化物超伝導体等の各種デバイスの製造
に極めて有用であり、半導体産業等における本発明の工
業的価値は極めて高い。
化物層を原子層レベルで積層することにより原子制御さ
れた酸化物結晶を基板上に得ることが可能になった。従
って、本発明は酸化物超伝導体等の各種デバイスの製造
に極めて有用であり、半導体産業等における本発明の工
業的価値は極めて高い。
４、 の な
第１図はＯＨ基が吸着したＳｉＯ□基板上にＣｕ （Ｄ
Ｐ Ｍ） ｘが吸着している様子を示す概念図である
。
Ｐ Ｍ） ｘが吸着している様子を示す概念図である
。
第２図は本発明の用いるＣＶＤ装置の配置図である。
第３図は基板上のＯＨ基の存在を観測するＩＲスペクト
ルである。
ルである。
第４図は基板上のＣＨｓ基の存在を観測する工Ｒスペク
トルである。
トルである。
第５図はＩＲスペクトル上のＯＨ振動によるＩＲ吸収強
度に対してＣＨ，基のＣＨ捩振動よる工Ｒ吸収強度をプ
ロットしたグラフである。
度に対してＣＨ，基のＣＨ捩振動よる工Ｒ吸収強度をプ
ロットしたグラフである。
第６図はＣｕ （ＤＰＭ）＊または基板上に存在するＣ
ｕの存在を観測するためのＸＰＳスペクトルである。
ｕの存在を観測するためのＸＰＳスペクトルである。
第１図
第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕 下記工程（１）及び（２）： （１） ＯＨ基を有する酸化物基板表面上に、ＯＨ基に
対して親和性の配位子を有する金属錯体の蒸気を導入し
て化学吸着させる工程、 （２） 該基板をＨ＿２Ｏを含む雰囲気に暴露して金属
錯体の配位子を分解することにより該金属錯体の金属を
酸素を介して基板表面に化学吸着させる工程 により基板表面上に金属酸化物層を単原子層レベルで形
成させる方法。 〔２〕 下記工程（１）〜（３）： （１） 酸化物基板にＯＨ基を形成させる工程、（２）
ＯＨ基に対して親和性の配位子を有する金属錯体の蒸
気を基板表面に導入して化学吸着させる工程、及び （３） 該基板をＨ＿２Ｏを含む雰囲気に暴露して金属
錯体の配位子を分解することにより該金属錯体の金属を
酸素を介して基板表面に化学吸着させる工程 により基板表面上に金属酸化物層を単原子層レベルで形
成させる方法。 〔３〕 上記金属錯体がＣｕ（ＤＰＭ）＿２である請求
項１または２に記載の方法。 〔４〕 酸化物基板がＳｉＯ＿２である請求項１または
２に記載の方法。 〔５〕 酸化物基板を酸素を含む雰囲気に暴露して酸化
物基板上にＯＨ基を形成させる請求項２に記載の方法。 〔６〕 請求項２の工程１〜３を繰り返すことにより基
板表面上に金属酸化物層を原子層レベルで気相成長させ
る方法。 〔７〕 請求項１の方法により金属酸化物が単原子層レ
ベルで堆積した基板上に請求項２の記載の工程１〜３を
繰り返すことにより基板表面上に金属酸化物層を原子層
レベルで気相成長させる方法。 〔８〕 上記金属錯体がＣｕ（ＤＰＭ）＿２である請求
項６または７に記載の方法。 〔９〕 酸化物基板がＳｉＯ＿２である請求項６または
７に記載の方法。 〔１０〕 酸化物基板を酸素を含む雰囲気に暴露して酸
化物基板上にＯＨ基を形成させる請求項６に記載の方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP97990A JP2799755B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 気相成長法により酸化物を原子層レベルで堆積させる方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP97990A JP2799755B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 気相成長法により酸化物を原子層レベルで堆積させる方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208885A true JPH03208885A (ja) | 1991-09-12 |
| JP2799755B2 JP2799755B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=11488729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP97990A Expired - Fee Related JP2799755B2 (ja) | 1990-01-09 | 1990-01-09 | 気相成長法により酸化物を原子層レベルで堆積させる方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2799755B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US6855368B1 (en) | 2000-06-28 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7022948B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-04-04 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7201803B2 (en) | 2001-03-07 | 2007-04-10 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US7208413B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| KR100737587B1 (ko) * | 1999-10-14 | 2007-07-10 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.붸. | 산화물 박막을 성장시키는 방법 |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7595263B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-09-29 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of barrier materials |
-
1990
- 1990-01-09 JP JP97990A patent/JP2799755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100737587B1 (ko) * | 1999-10-14 | 2007-07-10 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.붸. | 산화물 박막을 성장시키는 방법 |
| US7208413B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7501343B2 (en) | 2000-06-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7501344B2 (en) | 2000-06-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7033922B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-04-25 | Applied Materials. Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7235486B2 (en) | 2000-06-28 | 2007-06-26 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US6855368B1 (en) | 2000-06-28 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7465666B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US7115494B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling the presence of fluorine in refractory metal layers |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7022948B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-04-04 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7094680B2 (en) | 2001-02-02 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7201803B2 (en) | 2001-03-07 | 2007-04-10 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US7352048B2 (en) | 2001-09-26 | 2008-04-01 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7494908B2 (en) | 2001-09-26 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for integration of barrier layer and seed layer |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US7094685B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US7473638B2 (en) | 2002-01-26 | 2009-01-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7429516B2 (en) | 2002-02-26 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Tungsten nitride atomic layer deposition processes |
| US7115499B2 (en) | 2002-02-26 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US7595263B2 (en) | 2003-06-18 | 2009-09-29 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of barrier materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2799755B2 (ja) | 1998-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03208885A (ja) | 気相成長法により酸化物を原子層レベルで堆積させる方法 | |
| US12365981B2 (en) | Synthesis and use of precursors for ALD of molybdenum or tungsten containing thin films | |
| JP2021038459A (ja) | カルコゲン化物膜および膜を含む構造体を堆積させるための方法および装置 | |
| JPS6345373A (ja) | ケイ素高含有ケイ化タングステンを付着させる方法 | |
| US4735921A (en) | Nitridation of silicon and other semiconductors using alkali metal catalysts | |
| JP2647345B2 (ja) | シリコン上へのｉｉ−ｖｉ材料の直接的なｍｏｍｂｅおよびｍｏｖｐｅ成長 | |
| JP3718297B2 (ja) | 薄膜作製方法および薄膜作製装置 | |
| JP7245521B2 (ja) | 金属薄膜の原子層堆積方法 | |
| JPH0360123A (ja) | 表面処理方法および表面処理装置 | |
| JP2726149B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3461219B2 (ja) | ガリウム砒素基板における選択的結晶成長方法 | |
| JP2005213567A (ja) | エネルギー線照射による金属または金属酸化物の析出方法 | |
| JP2006352109A (ja) | Ａｌｄ法および高品質層製造用リアクタ | |
| JPH05267793A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH02118075A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP2025122719A (ja) | 結晶成長用基板の作製方法 | |
| JP2863238B2 (ja) | シリコン基板上に原子層制御した酸化物層を有する積層体及びその製造方法 | |
| JPH1032168A (ja) | シリコン基板表面の保護膜形成方法 | |
| WO2000062335A9 (en) | Multi-layer wafer fabrication | |
| Keller et al. | Process Control of Atomic Layer Deposition Molybdenum Oxide Nucleation and Sulfidation to Large-Area MoS | |
| JPH02166723A (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
| JPH02248035A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0652717B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH02254716A (ja) | 化合物半導体有機金属気相成長法 | |
| JPH0279421A (ja) | Ｓｉ上への３−Ｖ族化合物半導体エピ成長の前処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |