JPH03209438A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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- JPH03209438A JPH03209438A JP2005250A JP525090A JPH03209438A JP H03209438 A JPH03209438 A JP H03209438A JP 2005250 A JP2005250 A JP 2005250A JP 525090 A JP525090 A JP 525090A JP H03209438 A JPH03209438 A JP H03209438A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パーソナルコンピュータ用デイスプレー ハ
ンドベルトコンピュータ用ディスプレー各種計測機のデ
イスプレーテレビ、プリンタ用シャッターなどに使用さ
れる多数の画素を有する電気光学装置に関する。
ンドベルトコンピュータ用ディスプレー各種計測機のデ
イスプレーテレビ、プリンタ用シャッターなどに使用さ
れる多数の画素を有する電気光学装置に関する。
本発明はａ−３ｉをベース材料とする非線形抵抗素子や
ＴＰＴなどのスイッチング素子を有する電気光学装置に
おいて、配線材料の端子部からの抵抗値に応じてａ−３
ｉベース材料の組成比を変えてやることにより、均一な
画面表示が可能となりかつ、階調表示、フルカラー化が
容易になることにより高画質の電気光学装置を提供でき
るようにしたものである。
ＴＰＴなどのスイッチング素子を有する電気光学装置に
おいて、配線材料の端子部からの抵抗値に応じてａ−３
ｉベース材料の組成比を変えてやることにより、均一な
画面表示が可能となりかつ、階調表示、フルカラー化が
容易になることにより高画質の電気光学装置を提供でき
るようにしたものである。
我々は、非線形抵抗素子としてシリコン窒化膜シリコン
酸化膜、シリコン窒化酸化膜あるいはシリコン炭化膜を
用いた電気光学装置用非線形抵抗素子又はａ−ＳｉＴＦ
Ｔを開発してきた。
酸化膜、シリコン窒化酸化膜あるいはシリコン炭化膜を
用いた電気光学装置用非線形抵抗素子又はａ−ＳｉＴＦ
Ｔを開発してきた。
これらのａ−３ｉベース膜は、プラズマＣＶＤ装置やス
パッタリング装置を用いて、同一基板上面に出来るたけ
均一な組成で成膜してきた。
パッタリング装置を用いて、同一基板上面に出来るたけ
均一な組成で成膜してきた。
近年液晶を用いた電気光学装置の大容量化、高画質化に
伴い、配線電極の長距離化、微細化が必須となっている
。配線電極の抵抗は、端子部からの距離に比例して高く
なるが、電極の幅が細くかつ長くなるにつれて、その値
は大きくなる。そのことによる走査波形、データー波形
のなまりにより電圧降下が生じ、−画面内で表示ムラが
発生することになる。
伴い、配線電極の長距離化、微細化が必須となっている
。配線電極の抵抗は、端子部からの距離に比例して高く
なるが、電極の幅が細くかつ長くなるにつれて、その値
は大きくなる。そのことによる走査波形、データー波形
のなまりにより電圧降下が生じ、−画面内で表示ムラが
発生することになる。
本発明は、ａ−３ｉをベース材料とするスイッチング素
子を有する電気光学装置において、配線電極の端子部か
らの抵抗値に応じてａ−３ｉベス材料の組成比を変える
ことにより、均一な画面表示を得られるようにしたもの
である。
子を有する電気光学装置において、配線電極の端子部か
らの抵抗値に応じてａ−３ｉベス材料の組成比を変える
ことにより、均一な画面表示を得られるようにしたもの
である。
本発明の電気光学装置は上記問題点を解決するものてあ
り、ａ−８ｉをベース材料とするスイッチング素子を用
いた電気光学装置において、配線電極の端子部からの抵
抗値に応じてａ−３ｉベス材料の組成比を変えたもので
ある。
り、ａ−８ｉをベース材料とするスイッチング素子を用
いた電気光学装置において、配線電極の端子部からの抵
抗値に応じてａ−３ｉベス材料の組成比を変えたもので
ある。
上記のようにａ−Ｓｉをベース材料とするスイッチング
素子を用いた電気光学装置において、配線電極の端子部
からの抵抗に応じてａ−３ｉベース材料の組成比を変え
ることにより、均一な画面表示を得られると共に、階調
表示、フルカラー化が容易になることにより高画質の電
気光学装置となる。
素子を用いた電気光学装置において、配線電極の端子部
からの抵抗に応じてａ−３ｉベース材料の組成比を変え
ることにより、均一な画面表示を得られると共に、階調
表示、フルカラー化が容易になることにより高画質の電
気光学装置となる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（Ａ）は、この発明を適用した実施例の画素電極
構造の平面図であり、第１図（Ｂ）は、゛非線形抵抗素
子の断面図である。
構造の平面図であり、第１図（Ｂ）は、゛非線形抵抗素
子の断面図である。
第２図（Ａ）は、本発明による液晶表示装置の非線形抵
抗素子を形成した基板の一実施例を示す斜視図であり、
一画素のみを拡大して示すもので、液晶層、液晶を封入
するための対抗側基板、偏向板等は説明を簡単にするた
めに省略した。第２図（Ｂ）は、本発明による液晶表示
装置の縦断面構造の一画素について明示した図である。
抗素子を形成した基板の一実施例を示す斜視図であり、
一画素のみを拡大して示すもので、液晶層、液晶を封入
するための対抗側基板、偏向板等は説明を簡単にするた
めに省略した。第２図（Ｂ）は、本発明による液晶表示
装置の縦断面構造の一画素について明示した図である。
第３図は、本発明の非線形抵抗素子を用いた液晶表示装
置の回路図を示している。第３図において、透明電極３
２は本実施例では４８０本の走査電極、また３１配線電
極は６４０本のデルタ−電極とし、４８０分割の時分割
駆動で駆動させた。
置の回路図を示している。第３図において、透明電極３
２は本実施例では４８０本の走査電極、また３１配線電
極は６４０本のデルタ−電極とし、４８０分割の時分割
駆動で駆動させた。
第２図（Ａ）において、２１は透明基板であり、ソーダ
ガラスなどの通常のガラスで作られている。
ガラスなどの通常のガラスで作られている。
２２は透明画素電極であり、インジウムスズ酸化ＨＣＩ
ＴＯ）をマグネトロンスパッタリング、蒸着等の手段に
よって透明基板２１の全面に約１００から５００Ａデポ
ジシヨンし、次にフォトエツチングによって所定形状に
バターニングしたものである。２４はシリコンを主成分
とするるアモルファス材料であり、シリコン単結晶もし
くはシリコン多結晶のターゲットを用いて、チッソガス
約５〜１５％含んだアルゴンガスを使用し、縦型通過式
マグネトロンスパッタリング装置によって反応性スパッ
タリング法で約５００〜１５００Ａの水素をほとんど含
まないシリコン窒化膜を堆積した。また本実施例では図
４に示したように基板の進行方向は配線電極のラインに
対して直角方向とし、チッソのガス吹き出し口の穴の径
を端子部に近い程大きく、または穴のピッチを端子部に
近い程小さくすることにより、チッソの吹き出る量を端
子部に近い程多くするようにしてシリコン窒化膜を形成
した。このことによりシリコン窒化膜の組成は、端子部
から遠い程シリコンリッチとなった。１３は配線電極で
行列電極の一方を構成する。
ＴＯ）をマグネトロンスパッタリング、蒸着等の手段に
よって透明基板２１の全面に約１００から５００Ａデポ
ジシヨンし、次にフォトエツチングによって所定形状に
バターニングしたものである。２４はシリコンを主成分
とするるアモルファス材料であり、シリコン単結晶もし
くはシリコン多結晶のターゲットを用いて、チッソガス
約５〜１５％含んだアルゴンガスを使用し、縦型通過式
マグネトロンスパッタリング装置によって反応性スパッ
タリング法で約５００〜１５００Ａの水素をほとんど含
まないシリコン窒化膜を堆積した。また本実施例では図
４に示したように基板の進行方向は配線電極のラインに
対して直角方向とし、チッソのガス吹き出し口の穴の径
を端子部に近い程大きく、または穴のピッチを端子部に
近い程小さくすることにより、チッソの吹き出る量を端
子部に近い程多くするようにしてシリコン窒化膜を形成
した。このことによりシリコン窒化膜の組成は、端子部
から遠い程シリコンリッチとなった。１３は配線電極で
行列電極の一方を構成する。
本実施例においてはアルミニウムシリコンもしくはクロ
ム金属を非線形抵抗薄膜１４上に同一チャンバー内もし
くは別のチャンバー内で、連続してマグネトロンスパッ
タリング法によって約１０００から８０００Ａデポジシ
ヨンした。次にフォトエツチングによって金属配線電極
１３が所定形状にパターニングされる。その後、非線形
抵抗薄膜１４がフォトエツチングによって所定形状にパ
タニングされた。
ム金属を非線形抵抗薄膜１４上に同一チャンバー内もし
くは別のチャンバー内で、連続してマグネトロンスパッ
タリング法によって約１０００から８０００Ａデポジシ
ヨンした。次にフォトエツチングによって金属配線電極
１３が所定形状にパターニングされる。その後、非線形
抵抗薄膜１４がフォトエツチングによって所定形状にパ
タニングされた。
第２図（Ｂ）は本発明による液晶表示装置の縦断面図で
ある。２６は液晶層であり、厚さは５〜７μｍでありツ
イストネマチック材料を使用した。
ある。２６は液晶層であり、厚さは５〜７μｍでありツ
イストネマチック材料を使用した。
２５は配向膜であり誘電率、抵抗を考慮したポリイミド
材料を使用し、２７は透明導電膜（ＩＴＯ）であり行列
電極の一方の電極群を構成している。
材料を使用し、２７は透明導電膜（ＩＴＯ）であり行列
電極の一方の電極群を構成している。
また、２８は偏向板である。
本発明による液晶表示装置と従来の液晶表示装置を比較
すると画面表示に顕著な差があり、従来の液晶表示装置
つまりシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を均一に
堆積させたものでは、配線電極のラインに沿って抵抗に
よる電圧降下現象が表われており、駆動電圧を０ボルト
から徐々に上げていくと端子部から表示し始めるという
現象になる。特に配線電極としてクロムを用いたもので
は、端子部と端子部から最も遠い画素とでは、表示し始
めの電圧レベルが１〜２ｖの差があった。
すると画面表示に顕著な差があり、従来の液晶表示装置
つまりシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を均一に
堆積させたものでは、配線電極のラインに沿って抵抗に
よる電圧降下現象が表われており、駆動電圧を０ボルト
から徐々に上げていくと端子部から表示し始めるという
現象になる。特に配線電極としてクロムを用いたもので
は、端子部と端子部から最も遠い画素とでは、表示し始
めの電圧レベルが１〜２ｖの差があった。
しかし、本発明による液晶表示装置では、配線電極の抵
抗で電圧降下したとしても、非線形抵抗薄膜の組成比を
変え、非線形抵抗素子のしきい値特性を低くすることに
よって電圧降下分を補っているので、駆動電圧をＯｖか
ら徐々に上げていった場合、画面は全体的に均一に表示
し始めた。
抗で電圧降下したとしても、非線形抵抗薄膜の組成比を
変え、非線形抵抗素子のしきい値特性を低くすることに
よって電圧降下分を補っているので、駆動電圧をＯｖか
ら徐々に上げていった場合、画面は全体的に均一に表示
し始めた。
以上説明したように、本発明による電気光学装置では、
配線電極の端子部からの抵抗値に応じてａ−３ｉベース
材料の組成比を変えて、非線形抵抗素子のしきい値特性
を変えことにより、均一な画面表示が得られると共に、
階調表示・フルカラー化が容易になることにより高画質
の電気光学装置が得られる。
配線電極の端子部からの抵抗値に応じてａ−３ｉベース
材料の組成比を変えて、非線形抵抗素子のしきい値特性
を変えことにより、均一な画面表示が得られると共に、
階調表示・フルカラー化が容易になることにより高画質
の電気光学装置が得られる。
第１図（Ａ）は本発明の実施例を示す画素電極の平面図
、第１図は（Ｂ）非線形抵抗素子の断面図、第２図（Ａ
）、（Ｂ）はそれぞれ基板の電極構成斜視図と液晶表示
装置の縦断面図、第３図は非線形抵抗素子を用いた液晶
表示装置の回路図、第４図は本発明の実施例を示す通過
式スパッタリング装置のガス吹き出し口を示す図である
。 １１．２１．４１・・・透明基板 １２．２２・・・・・・透明画素電極 １３．２４．３１・・・配線電極 １４．２３・・・非線形抵抗膜 １５．３４・・・非線形抵抗素子 ２５・・・・・・配向膜 ２６．３３・・・液晶 ２７．３２・・・透明電極 ２８・・・・・・偏向板
、第１図は（Ｂ）非線形抵抗素子の断面図、第２図（Ａ
）、（Ｂ）はそれぞれ基板の電極構成斜視図と液晶表示
装置の縦断面図、第３図は非線形抵抗素子を用いた液晶
表示装置の回路図、第４図は本発明の実施例を示す通過
式スパッタリング装置のガス吹き出し口を示す図である
。 １１．２１．４１・・・透明基板 １２．２２・・・・・・透明画素電極 １３．２４．３１・・・配線電極 １４．２３・・・非線形抵抗膜 １５．３４・・・非線形抵抗素子 ２５・・・・・・配向膜 ２６．３３・・・液晶 ２７．３２・・・透明電極 ２８・・・・・・偏向板
Claims (6)
- （１）ａ−Ｓｉをベース材料とするスイッチング素子を
用いた電気光学装置において、配線電極の端部からの抵
抗値に応じてａ−Ｓｉベース材料の組成比を変えたこと
を特徴とする電気光学装置。 - （２）少なくとも一方の基板の内面は、配線電極と画素
電極および非線形抵抗素子とからなり、前記非線形抵抗
素子は前記配線電極からなる第１の導体、および前記画
素電極からなる第２の導体、さらに第１の導体と第２の
導体の間に形成した非線形抵抗膜とからなる電気光学装
置において、前記非線形抵抗膜がａ−Ｓｉベース材料か
らなるとともに、配線電極の端子部からの抵抗値に応じ
て非線形抵抗膜の組成比を変えたことを特徴とする請求
項（１）記載の電気光学装置。 - （３）前記非線形抵抗膜が実質的にＳｉＮｘからなる電
気光学装置において、配線電極の端子部からの抵抗値に
比例してＳｉ組成比を大きくしたことを特徴とする請求
項（２）記載の電気光学装置。 - （４）前記非線形抵抗膜が実質的にＳｉＯｙからなる電
気光学装置において、配線電極の端子部からの抵抗値に
比例してＳｉ組成比を大きくしたことを特徴とする請求
項（２）記載の電気光学装置。 - （５）前記非線形抵抗膜が実質的にＳｉＮｘＯｙからな
る電気光学装置において、配線電極の端子部からの抵抗
値に比例してＳｉ組成比を大きくしたことを特徴とする
請求項（２）記載の電気光学装置。 - （６）前記非線形抵抗膜が実質的にＳｉＣｚからなる電
気光学装置において、配線電極の端子部からの抵抗値に
比例してＳｉ組成比を大きくしたことを特徴とする請求
項（２）記載の電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005250A JPH03209438A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005250A JPH03209438A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209438A true JPH03209438A (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=11605967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005250A Pending JPH03209438A (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03209438A (ja) |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP2005250A patent/JPH03209438A/ja active Pending
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