JPH03209780A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH03209780A JPH03209780A JP2266108A JP26610890A JPH03209780A JP H03209780 A JPH03209780 A JP H03209780A JP 2266108 A JP2266108 A JP 2266108A JP 26610890 A JP26610890 A JP 26610890A JP H03209780 A JPH03209780 A JP H03209780A
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- electrodes
- insulating
- semi
- insulating film
- Prior art date
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＶ型の表面または裏面をその一方または双方に
有する半導体の表面または裏面に対し、この表面または
裏面に絶縁または半絶縁膜をトンネル電流が許容する範
囲の膜厚にて設け、さらにこの上面に不純物が添加され
た半導体よりなる電極を設けた光電変換装置に関するも
のである。
有する半導体の表面または裏面に対し、この表面または
裏面に絶縁または半絶縁膜をトンネル電流が許容する範
囲の膜厚にて設け、さらにこの上面に不純物が添加され
た半導体よりなる電極を設けた光電変換装置に関するも
のである。
従来ＭＩＳ型光電変換装置というものは、金属電極−絶
縁膜特に酸化珪素−半導体特に珪素よりなるものでＰＮ
接合型に比べて解放電圧を高くすることができるという
特徴を有していた。一方、この絶縁膜を形成する際その
被膜をきわめて均一に作りかつピンホールも少なくしな
ければならないため、特にその表面に凹凸を意図的に設
けることはよくないとされさけられていた。
縁膜特に酸化珪素−半導体特に珪素よりなるものでＰＮ
接合型に比べて解放電圧を高くすることができるという
特徴を有していた。一方、この絶縁膜を形成する際その
被膜をきわめて均一に作りかつピンホールも少なくしな
ければならないため、特にその表面に凹凸を意図的に設
けることはよくないとされさけられていた。
しかし本発明はかかる従来よくないとされてきたＭＩＳ
型のその表面または裏面を意図的にＶ型構造を多数設け
、このＶ型表面または裏面に対し半導体電極−絶縁また
は半絶縁膜−半導体電極（以下ＭＩＳ構造という）を形
成しそれらを合わせることによりさらに効果を求めよう
としたものである。
型のその表面または裏面を意図的にＶ型構造を多数設け
、このＶ型表面または裏面に対し半導体電極−絶縁また
は半絶縁膜−半導体電極（以下ＭＩＳ構造という）を形
成しそれらを合わせることによりさらに効果を求めよう
としたものである。
第１図は本発明の原理を示すものである。
第１図は（１００）面またはその近傍すなわち（１００
）面に対し＋１５°以下の範囲の結晶方位を有する珪素
単結晶基板を用いた。
）面に対し＋１５°以下の範囲の結晶方位を有する珪素
単結晶基板を用いた。
図面において半導体基板（１）の表面に非等方エッチ方
によるＶ型溝（１８）を前記半導体表面に形成するため
に以下のように行った。
によるＶ型溝（１８）を前記半導体表面に形成するため
に以下のように行った。
すなわちＷＡＰ（水−エチレンジアミン−ピロカテコー
ルの混液）中に半導体を浸し、窒素ガスにてバブルをさ
せながら約８０°Ｃで３０分〜２時間保持することによ
り形成した。ＷＡＰ液は具体的には水８ ＣＣ，エチレ
ンジアミン１３ｃｃ、ピロカテコール３ｇを用いた。さ
らに詳しくは本発明人による英文論文ＪＡＰＡＮ Ｊ、
ＡＰＰＬ、ＰＨＹＳ １０ Ｎｏ、８ （１９７１）
Ｐ ｔ。
ルの混液）中に半導体を浸し、窒素ガスにてバブルをさ
せながら約８０°Ｃで３０分〜２時間保持することによ
り形成した。ＷＡＰ液は具体的には水８ ＣＣ，エチレ
ンジアミン１３ｃｃ、ピロカテコール３ｇを用いた。さ
らに詳しくは本発明人による英文論文ＪＡＰＡＮ Ｊ、
ＡＰＰＬ、ＰＨＹＳ １０ Ｎｏ、８ （１９７１）
Ｐ ｔ。
２８〜１０３３に記載されている。かかる非等方エツチ
ングはアルカリ液（ＲＴ−１００°Ｃ）を用いてもよい
。
ングはアルカリ液（ＲＴ−１００°Ｃ）を用いてもよい
。
このようにすることによって第１図（Ａ）に示されるよ
うなＶ型溝を設けることができた。
うなＶ型溝を設けることができた。
このＶ型溝は特にこの半導体の表面を処理をしない場合
、この半導体の格子欠陥によって選択的にＶ型ピットか
形成されるため形成されたＶ型溝の深さはバラバラであ
る。
、この半導体の格子欠陥によって選択的にＶ型ピットか
形成されるため形成されたＶ型溝の深さはバラバラであ
る。
しかしこの溝の位置に制御性を与えようとするならは半
導体の表面にスクライブラインを５．０〜１００、０μ
ｍの間隔で０゜５〜２０μｍの深さにきすをスリット状
に形成するとよい。するとＶ型溝はこのスリットに従っ
て選択的に深くエッチすることによりできる。光起電力
により発生したキャリアをかかる物理的なきずにより再
結合させてしまわないためこの場合の溝の深さをさらに
その２〜４倍にまで選択エッチをする必要かあった。
導体の表面にスクライブラインを５．０〜１００、０μ
ｍの間隔で０゜５〜２０μｍの深さにきすをスリット状
に形成するとよい。するとＶ型溝はこのスリットに従っ
て選択的に深くエッチすることによりできる。光起電力
により発生したキャリアをかかる物理的なきずにより再
結合させてしまわないためこの場合の溝の深さをさらに
その２〜４倍にまで選択エッチをする必要かあった。
かかるシリコン単結晶半導体上に反射防止膜を形成しな
い場合、シリコン単結晶の屈折率は３．８であるため、
太陽光の波長か０．５〜０．９μｍの領域においてＶ型
溝（望み角か７０．５°の場合）に光例えば太陽光！。
い場合、シリコン単結晶の屈折率は３．８であるため、
太陽光の波長か０．５〜０．９μｍの領域においてＶ型
溝（望み角か７０．５°の場合）に光例えば太陽光！。
（１５）を第１図（Ａ）に示されるように照射すると第
１のシリコン半導体表面て６７％か半導体（１）中に吸
収され、残りの３３％の光は反射光として表面より反射
される。しかしこの反射光は、本発明の如くシリコン半
導体かＶ型表面を有する場合、他の表面への照射光とな
りその６７％、即ち全光の２２％が再度半導体中に透過
吸収されるため、実質的な反射光は入射光（Ｉｏが１０
０％）から６７％と２２％を差し引いて１１％のみであ
ることが判明した。もちろんここに反射防止膜を形成し
、反射を防止すると、この１１％の反射光のうちの約８
０％は半導体中への透過光となり、光電変換に寄与する
ため全反射量は３％弱にまで少くさせることができた。
１のシリコン半導体表面て６７％か半導体（１）中に吸
収され、残りの３３％の光は反射光として表面より反射
される。しかしこの反射光は、本発明の如くシリコン半
導体かＶ型表面を有する場合、他の表面への照射光とな
りその６７％、即ち全光の２２％が再度半導体中に透過
吸収されるため、実質的な反射光は入射光（Ｉｏが１０
０％）から６７％と２２％を差し引いて１１％のみであ
ることが判明した。もちろんここに反射防止膜を形成し
、反射を防止すると、この１１％の反射光のうちの約８
０％は半導体中への透過光となり、光電変換に寄与する
ため全反射量は３％弱にまで少くさせることができた。
第１図（Ｂ）はかかる■型溝（１８）の表面に絶縁また
は半絶縁膜（６）を形成しその上面に半透明の金属（２
）例えば白金（仕事関数５．３ｅＶ）を形成すると半導
体内には空乏層（２０）か形成される９、半導体表面か
Ｖ型をしているため空乏層（２０）は破線で示す如くに
なる。なぜなら、例えば半導体表面の凸部（２８）では
、左右の半導体表面へ高い仕事関数による空乏層かてき
ており、その左右にてきている空乏層の双方か相乗的に
、凸部（２８）に作用する。そのため、この凸部（２８
）の下方には、双方の作用のない所に比べて強く空乏層
を作り、結果として、Ｖ型溝の凸部（２８）の如き急峻
さより緩やかな曲線（破線は空乏層とそうでない半導体
基板との境界を示す）を空乏層（２０）は形成する。そ
の結果、Ｖ型溝のない平坦な表面に比へて全体の空乏層
（２０）の領域か大きくなり、結果としての少数キャリ
アの電極（２）への収集効率を３０〜５０％向上させる
ことができた。
は半絶縁膜（６）を形成しその上面に半透明の金属（２
）例えば白金（仕事関数５．３ｅＶ）を形成すると半導
体内には空乏層（２０）か形成される９、半導体表面か
Ｖ型をしているため空乏層（２０）は破線で示す如くに
なる。なぜなら、例えば半導体表面の凸部（２８）では
、左右の半導体表面へ高い仕事関数による空乏層かてき
ており、その左右にてきている空乏層の双方か相乗的に
、凸部（２８）に作用する。そのため、この凸部（２８
）の下方には、双方の作用のない所に比べて強く空乏層
を作り、結果として、Ｖ型溝の凸部（２８）の如き急峻
さより緩やかな曲線（破線は空乏層とそうでない半導体
基板との境界を示す）を空乏層（２０）は形成する。そ
の結果、Ｖ型溝のない平坦な表面に比へて全体の空乏層
（２０）の領域か大きくなり、結果としての少数キャリ
アの電極（２）への収集効率を３０〜５０％向上させる
ことができた。
また被膜（６）は窒化珪素膜により作成した。すなわち
半導体の表面をきわめて清浄にプラズマ化したアンモニ
アまたは窒素と水素との混合気体を０、１〜１０ｔｏｒ
ｒにて流し２１〜５００°Ｃの温度でこの半導体表面を
窒化する方法を用いた。こうすることによりこの表面に
は窒化珪素か１５〜３０人の膜厚で形成てきた。
半導体の表面をきわめて清浄にプラズマ化したアンモニ
アまたは窒素と水素との混合気体を０、１〜１０ｔｏｒ
ｒにて流し２１〜５００°Ｃの温度でこの半導体表面を
窒化する方法を用いた。こうすることによりこの表面に
は窒化珪素か１５〜３０人の膜厚で形成てきた。
またこの窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で形成する場合
は本発明人の出願による特願昭５５−０１８７８９「誘
導減圧気相法１により形成した。この場合は窒化珪素を
５ｘ３Ｎ＜−ｘ （０≦ｘく４）とすることができ、半
絶縁膜でありそのエネルギギャップ（Ｅｇ）を２〜５ｅ
Ｖの範囲で可能にすることができた。Ｅｇ〜５ｅＶであ
るときは絶縁膜であり、この方法は基板の材料をゲルマ
ニュームさらにまたは窒素とゲルマニュームとの化合物
等に対してきわめて有効であった。
は本発明人の出願による特願昭５５−０１８７８９「誘
導減圧気相法１により形成した。この場合は窒化珪素を
５ｘ３Ｎ＜−ｘ （０≦ｘく４）とすることができ、半
絶縁膜でありそのエネルギギャップ（Ｅｇ）を２〜５ｅ
Ｖの範囲で可能にすることができた。Ｅｇ〜５ｅＶであ
るときは絶縁膜であり、この方法は基板の材料をゲルマ
ニュームさらにまたは窒素とゲルマニュームとの化合物
等に対してきわめて有効であった。
第１図（Ｃ）は電極（２゛）としてくし型電極を設けた
ものである。このくし型電極は半導体の電極または仕事
関数が４． ＯｅＶ以下の低い金属例えばマグネシュー
ム、アルミニューム、ベリリュームまたはランタニドさ
らにまたはこれらの多層膜または混合物に対して実行で
きる。さらに仕事関数の４゜ＯｅＶ以上の高い値を有す
る金属例えば白金、金、ニッケル、クロム、銅等に対し
て適用できる。
ものである。このくし型電極は半導体の電極または仕事
関数が４． ＯｅＶ以下の低い金属例えばマグネシュー
ム、アルミニューム、ベリリュームまたはランタニドさ
らにまたはこれらの多層膜または混合物に対して実行で
きる。さらに仕事関数の４゜ＯｅＶ以上の高い値を有す
る金属例えば白金、金、ニッケル、クロム、銅等に対し
て適用できる。
〈実施例〉
本発明の光電変換装置の実施例を第２図に示す。
第２図において厚さ約２０μｍのＮ型シリコン半導体を
ＷＡＰ液にひたしその両面に同時にＶ型溝（８）、 （
９）を形成した。同時にＶ型溝を形成するため裏面をあ
らかじめ絶縁膜でおおった後他表面のみにＷＡＰ液がふ
れる如き工夫をする必要がなく製造工程的にきわめて容
易であった。さらにこの両面にＶ型溝を作った半導体を
この両面に対し同時にプラズマ窒化またはプラズマＣＶ
Ｄにより窒化珪素膜を形成した。このいずれにおいても
一方を特定化する必要かないためその製造工程はきわめ
て容易であり一方のみＶ型にし、または一方のみＳｉ３
型にした場合に比へてその製造がさらに容易であるとい
う特徴を有する。
ＷＡＰ液にひたしその両面に同時にＶ型溝（８）、 （
９）を形成した。同時にＶ型溝を形成するため裏面をあ
らかじめ絶縁膜でおおった後他表面のみにＷＡＰ液がふ
れる如き工夫をする必要がなく製造工程的にきわめて容
易であった。さらにこの両面にＶ型溝を作った半導体を
この両面に対し同時にプラズマ窒化またはプラズマＣＶ
Ｄにより窒化珪素膜を形成した。このいずれにおいても
一方を特定化する必要かないためその製造工程はきわめ
て容易であり一方のみＶ型にし、または一方のみＳｉ３
型にした場合に比へてその製造がさらに容易であるとい
う特徴を有する。
かくの如くに絶縁または半絶縁膜を半導体（１）の表面
には（６）また裏面には（１２）としてｌ０ＣＩＡ以下
特に１５〜３１人の厚さにトンネル電流を許容する範囲
の膜厚に形成した。絶縁膜のところはＳ ｌ ａ Ｎ
ａ、半絶縁膜のところｉ；！５ｉ３Ｎ４−１（ｏ＜Ｘく
４ ）とした。この窒化珪素膜は化学的にきわめて安定
であり、電極の一方かきわめて活性なマグネシューム等
であってもそこに信頼性上の異常か発生しないという大
きな特徴を有する。
には（６）また裏面には（１２）としてｌ０ＣＩＡ以下
特に１５〜３１人の厚さにトンネル電流を許容する範囲
の膜厚に形成した。絶縁膜のところはＳ ｌ ａ Ｎ
ａ、半絶縁膜のところｉ；！５ｉ３Ｎ４−１（ｏ＜Ｘく
４ ）とした。この窒化珪素膜は化学的にきわめて安定
であり、電極の一方かきわめて活性なマグネシューム等
であってもそこに信頼性上の異常か発生しないという大
きな特徴を有する。
絶縁または半絶縁膜を半導体（１）の表面及び裏面に形
成した後、さらにその後表面にのみ第１の電極（２）と
さらに逆の極性を有する第２の電極（４）とを互いに離
間して設けたものである。
成した後、さらにその後表面にのみ第１の電極（２）と
さらに逆の極性を有する第２の電極（４）とを互いに離
間して設けたものである。
第１の電極（２）及び第２の電極（４）は金属ではなく
表１に示した如く Ｐ”またはＮ導電型を有する半導体
（１）を１０００〜５０００人の厚さに形成した。
表１に示した如く Ｐ”またはＮ導電型を有する半導体
（１）を１０００〜５０００人の厚さに形成した。
表１は第１及び第２の電極として、用いる材料の種類の
違いにより、集めるキャリアの種類及びその時の接合付
近での半導体のエネルギーバンドの曲がる方向をまとめ
たものである。
違いにより、集めるキャリアの種類及びその時の接合付
近での半導体のエネルギーバンドの曲がる方向をまとめ
たものである。
すると表１より明らかな如く、第１の電極にはポールか
集まり十電極、第２の電極には電子が集まり一極を構成
させることができた。この場合光照射はふたつの電極が
ある表側の（５）より行なってもまた電極のない裏面よ
り（５°）の如くに行ってもよいことはいうまでもない
。
集まり十電極、第２の電極には電子が集まり一極を構成
させることができた。この場合光照射はふたつの電極が
ある表側の（５）より行なってもまた電極のない裏面よ
り（５°）の如くに行ってもよいことはいうまでもない
。
本発明は半導体をシリコンの（，１００）面またはその
近傍の結晶方位を有するものとした。しかしそれはゲル
マニュームであってもその化合物であってもよい。さら
に単結晶ではなく非単結晶すなわち多結晶、セミアモル
ファスまたはアモルファス構造の半導体に対しても適用
できることはいうまでもない。
近傍の結晶方位を有するものとした。しかしそれはゲル
マニュームであってもその化合物であってもよい。さら
に単結晶ではなく非単結晶すなわち多結晶、セミアモル
ファスまたはアモルファス構造の半導体に対しても適用
できることはいうまでもない。
本発明はＳＩＳ型構造において絶縁または半絶縁膜は窒
化珪素すなわち５１ａＮ＜□（０≦Ｘく４）とした。し
かしこれは酸化珪素または炭化珪素であってもよい。し
かし前者は高温（１５０°Ｃ以上）での信頼性が十分で
なく、また後者は被膜中の界面準位または不対結合手に
よる再結合中心が窒化膜の約１０〜１００倍もあり、必
ずしも好ましいものてはなかった。
化珪素すなわち５１ａＮ＜□（０≦Ｘく４）とした。し
かしこれは酸化珪素または炭化珪素であってもよい。し
かし前者は高温（１５０°Ｃ以上）での信頼性が十分で
なく、また後者は被膜中の界面準位または不対結合手に
よる再結合中心が窒化膜の約１０〜１００倍もあり、必
ずしも好ましいものてはなかった。
さらに窒化珪素ゲルマニューム（Ｓｉ、Ｇｅ、Ｎ、 ）
を用いてもよい。かかる場合この絶縁膜はゲルマニュー
ムを光起電力用半導体とした場合にきわめて好ましいも
のであった。
を用いてもよい。かかる場合この絶縁膜はゲルマニュー
ムを光起電力用半導体とした場合にきわめて好ましいも
のであった。
半導体が珪素または珪素等が５〜５０モル％混入した半
導体において可視領域のフォトセンサー太陽電池にその
応用が考えられる。半導体かゲルマニュームにあっては
Ｅ８か０．７ｅＶてあり、１．０〜３．０μｍの波長の
光通信特に１．５〜１．６μｍの波長の光通信のフォト
センサーとしてきわめて大きな応用が考えられる。また
ゲルマニュームのダブルＭＩＳ構造（第２図）において
もその変換効率１８〜２０％を１．５〜１．６μｍの波
長において得ることができた。
導体において可視領域のフォトセンサー太陽電池にその
応用が考えられる。半導体かゲルマニュームにあっては
Ｅ８か０．７ｅＶてあり、１．０〜３．０μｍの波長の
光通信特に１．５〜１．６μｍの波長の光通信のフォト
センサーとしてきわめて大きな応用が考えられる。また
ゲルマニュームのダブルＭＩＳ構造（第２図）において
もその変換効率１８〜２０％を１．５〜１．６μｍの波
長において得ることができた。
本発明において実施例のＶ型溝はその溝をランダムに設
けたのではなく、表面の溝と裏面の溝を互いに９０°か
えて互いに直交するように設けてもよい。かかる場合は
表面のその裏面のその反射か互いに補完し合い、効果を
さらに１０〜２５％向上させることかできた。
けたのではなく、表面の溝と裏面の溝を互いに９０°か
えて互いに直交するように設けてもよい。かかる場合は
表面のその裏面のその反射か互いに補完し合い、効果を
さらに１０〜２５％向上させることかできた。
以上の実施例において本発明のＳｉ３型の光電変換装置
において、Ｖ型溝は光の外気より半導体中に透過する際
その透過効果を向上させるに加えて■形溝が半導体中の
光を効率よく半導体中を反射し合い実質的な光路を２〜
５倍にすることにより半導体の厚さを従来のＭＩＳ構造
に比へて１７２〜１／４の厚さにすることかできたこと
か大きな他の特徴である。
において、Ｖ型溝は光の外気より半導体中に透過する際
その透過効果を向上させるに加えて■形溝が半導体中の
光を効率よく半導体中を反射し合い実質的な光路を２〜
５倍にすることにより半導体の厚さを従来のＭＩＳ構造
に比へて１７２〜１／４の厚さにすることかできたこと
か大きな他の特徴である。
本発明は光入射面でのＶ型溝か、従来より知られたＰＮ
接合型の接合かこれの表面より１〜２μｍ入ったこのＰ
Ｎ接合面での電子・ホール対の光励起をより発生させる
というＰＮ接合型またはＰＩＮ接合を用いた方式または
これらの入射側に対し無反射処置をした光電変換装置と
は異なり、Ｖ型溝のそれと絶縁または半絶縁膜との界面
そのものか実効的な接合面になっていることか特徴であ
る。このためこのＶ型溝を化学エッチにより形成するこ
とによりこの半導体表面またはそのごく近傍における格
子欠陥等の再結合中心をエツチングにより除去し結果と
して格子欠陥電流を表面のＭ■Ｓ構造に比してｌ／１０
〜１／１００に実質的にすることにより少数キャリアの
表面での再結合をなくすことに成功した。そのため接合
が全くないダブルＳＩＳ型構造を有し、かつＶ型溝を設
けた光電変換装置において最大２６％を珪素半導体で得
ることができたことはきわめて注目に値し、その変換装
置の価値も少なからぬものと考えられる。
接合型の接合かこれの表面より１〜２μｍ入ったこのＰ
Ｎ接合面での電子・ホール対の光励起をより発生させる
というＰＮ接合型またはＰＩＮ接合を用いた方式または
これらの入射側に対し無反射処置をした光電変換装置と
は異なり、Ｖ型溝のそれと絶縁または半絶縁膜との界面
そのものか実効的な接合面になっていることか特徴であ
る。このためこのＶ型溝を化学エッチにより形成するこ
とによりこの半導体表面またはそのごく近傍における格
子欠陥等の再結合中心をエツチングにより除去し結果と
して格子欠陥電流を表面のＭ■Ｓ構造に比してｌ／１０
〜１／１００に実質的にすることにより少数キャリアの
表面での再結合をなくすことに成功した。そのため接合
が全くないダブルＳＩＳ型構造を有し、かつＶ型溝を設
けた光電変換装置において最大２６％を珪素半導体で得
ることができたことはきわめて注目に値し、その変換装
置の価値も少なからぬものと考えられる。
第１図は本発明の動作原理を示すＶ型溝の半導体の縦断
面図である。 第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図を示す。
面図である。 第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｖ型表面を有する半導体の前記表面上には、トンネ
ル電流を許容し得る膜厚の絶縁または半絶縁膜と、該膜
上には第１の半導体の電極を設け、さらに該電極に離間
して逆極性を有する第２の半導体の電極を設けたことを
特徴とする光電変換装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、半導体は珪素、ゲ
ルマニュームまたはそれらの化合物よりなることを特徴
とした光電変換装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、半導体は（１００
面）またはその近傍の結晶方位を有する単結晶面を有す
ることを特徴とした光電変換装置。 ４、特許請求の範囲第１項において、Ｖ型表面を有する
面より光が入射され半導体面で光起電力を発生させるこ
とを特徴とした光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2266108A JPH03209780A (ja) | 1980-03-31 | 1990-10-03 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4140080A JPS56137686A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Mis-type photoelectric transducing device |
| JP2266108A JPH03209780A (ja) | 1980-03-31 | 1990-10-03 | 光電変換装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4140080A Division JPS56137686A (en) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | Mis-type photoelectric transducing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209780A true JPH03209780A (ja) | 1991-09-12 |
| JPH0459787B2 JPH0459787B2 (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=26381007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2266108A Granted JPH03209780A (ja) | 1980-03-31 | 1990-10-03 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03209780A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009535845A (ja) * | 2006-05-04 | 2009-10-01 | サンパワー コーポレイション | ドーピングされた半導体ヘテロ接合電極を有する太陽電池 |
| JP2011023417A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
| JP2011023418A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
| JP2014212339A (ja) * | 2008-06-12 | 2014-11-13 | サンパワー コーポレイション | ポリシリコンドープ領域を有するバックコンタクト型太陽電池のトレンチプロセス及び構造 |
| KR20160063009A (ko) * | 2014-11-26 | 2016-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
-
1990
- 1990-10-03 JP JP2266108A patent/JPH03209780A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009535845A (ja) * | 2006-05-04 | 2009-10-01 | サンパワー コーポレイション | ドーピングされた半導体ヘテロ接合電極を有する太陽電池 |
| JP2014212339A (ja) * | 2008-06-12 | 2014-11-13 | サンパワー コーポレイション | ポリシリコンドープ領域を有するバックコンタクト型太陽電池のトレンチプロセス及び構造 |
| JP2011023417A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459787B2 (ja) | 1992-09-24 |
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