JPH03211817A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH03211817A JPH03211817A JP2007621A JP762190A JPH03211817A JP H03211817 A JPH03211817 A JP H03211817A JP 2007621 A JP2007621 A JP 2007621A JP 762190 A JP762190 A JP 762190A JP H03211817 A JPH03211817 A JP H03211817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- undulator
- pattern
- reticle
- aligner
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUKUURHRXDUEBC-KAYWLYCHSA-N Atorvastatin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C1=C(C=2C=CC(F)=CC=2)N(CC[C@@H](O)C[C@@H](O)CC(O)=O)C(C(C)C)=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 XUKUURHRXDUEBC-KAYWLYCHSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004874 x-ray synchrotron radiation Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
この発明は、半導体集積回路、プリント回路。
光デバイス（回折格子、導波路）および超音波デバイス
等の製造過程におけるリングラフィ技術に関し、特に光
源に螺旋軌道型電子蛇行装置（アンジュレータ）による
、高速電子ビームから発生する短波長・高輝度アンジュ
レータ放射光を用い、光学系にパターンを縮小投影する
反射光学系を備えた露光装置に関するものである。
等の製造過程におけるリングラフィ技術に関し、特に光
源に螺旋軌道型電子蛇行装置（アンジュレータ）による
、高速電子ビームから発生する短波長・高輝度アンジュ
レータ放射光を用い、光学系にパターンを縮小投影する
反射光学系を備えた露光装置に関するものである。
第４図は従来の露光装置の一例を示す構成図で、１は水
銀ランプ、２は照明レンズ、３はレクチル、４は投影レ
ンズ、５はウェーハ、６はステッパーである。
銀ランプ、２は照明レンズ、３はレクチル、４は投影レ
ンズ、５はウェーハ、６はステッパーである。
半導体集積回路のフォトリングラフィに用いられる従来
の上記露光装置には、光源の水銀ランプ１として超高圧
水銀アークランプやキセノン・水銀アークランプが用い
られている。水銀ランプ１の場合、露光に利用されるス
ペクトル線は主としてｇ線（波長４３５．８ｎｍ）とｈ
線（４０４゜７ｎｍ）の紫外線であり、さらに短波長を
狙ってｉ線（３６５ｎｍ）による縮小投影露光が検討さ
れている。縮小投影は一般に、第４図に示すようにレチ
クル３ （ＩＣ回路パターンの原版）と呼ばれる実際の
パターンを５倍乃至１０倍に拡大したものを作り、レン
ズ系により縮小したパターンをウェーハ５上のレジスト
に露光させる方法である。レチクル３は、普通いくつか
のチップを含むパターンを持っており、これをステッパ
ー６でウェーハ５上に次々に露光させていく。それでこ
の装置全体をステッパーと略称している。
の上記露光装置には、光源の水銀ランプ１として超高圧
水銀アークランプやキセノン・水銀アークランプが用い
られている。水銀ランプ１の場合、露光に利用されるス
ペクトル線は主としてｇ線（波長４３５．８ｎｍ）とｈ
線（４０４゜７ｎｍ）の紫外線であり、さらに短波長を
狙ってｉ線（３６５ｎｍ）による縮小投影露光が検討さ
れている。縮小投影は一般に、第４図に示すようにレチ
クル３ （ＩＣ回路パターンの原版）と呼ばれる実際の
パターンを５倍乃至１０倍に拡大したものを作り、レン
ズ系により縮小したパターンをウェーハ５上のレジスト
に露光させる方法である。レチクル３は、普通いくつか
のチップを含むパターンを持っており、これをステッパ
ー６でウェーハ５上に次々に露光させていく。それでこ
の装置全体をステッパーと略称している。
［発明が解決しようとする課題１
しかしながら、従来のリングラフィ技術は、レチクル３
に描かれた微細なパターンを照明レンズ２で投影するの
で、パターンがあまりに微細になると、パターン転写に
用いる光の波長と同じ程度のボケ（回折）を生じる。し
たがって、パターンの微細化に伴って、使う光の波長も
短かくしなければならない。現在、露光用に使われてい
るのは水銀ランプ１であり、その波長は約０．４μｍで
ある。したがって線幅が約０．５μｍ、あるいはそれ以
下の超々ＬＳＩにはこの光は使用できない。そこでもっ
と短い波長の光（１１ｍ波）として、例えばエキシマレ
ーザ（ＡｒＦの場合０． １９３μｍ）やＸ線管あるい
は電子蓄積リングの偏向電磁石部分で発生するｘ ＃ｊ
Ａ領域の放射光（電磁波）の利用が試みられているが、
エキシマレーザの場合には連続発振の持続時間の問題等
が指摘されている。放射光のＸ線については、等信置光
のためウェーハ５上のパターンと同じ寸法の微細なパタ
ーンをマスク（第４図のレチクル３に相当する）上に作
る必要があり、マスクのパターン製作が難しくなる。ま
た、Ｘ線照射にはマスク上での放射線損傷や熱負荷がパ
ターンを歪ませる等の問題点があった。
に描かれた微細なパターンを照明レンズ２で投影するの
で、パターンがあまりに微細になると、パターン転写に
用いる光の波長と同じ程度のボケ（回折）を生じる。し
たがって、パターンの微細化に伴って、使う光の波長も
短かくしなければならない。現在、露光用に使われてい
るのは水銀ランプ１であり、その波長は約０．４μｍで
ある。したがって線幅が約０．５μｍ、あるいはそれ以
下の超々ＬＳＩにはこの光は使用できない。そこでもっ
と短い波長の光（１１ｍ波）として、例えばエキシマレ
ーザ（ＡｒＦの場合０． １９３μｍ）やＸ線管あるい
は電子蓄積リングの偏向電磁石部分で発生するｘ ＃ｊ
Ａ領域の放射光（電磁波）の利用が試みられているが、
エキシマレーザの場合には連続発振の持続時間の問題等
が指摘されている。放射光のＸ線については、等信置光
のためウェーハ５上のパターンと同じ寸法の微細なパタ
ーンをマスク（第４図のレチクル３に相当する）上に作
る必要があり、マスクのパターン製作が難しくなる。ま
た、Ｘ線照射にはマスク上での放射線損傷や熱負荷がパ
ターンを歪ませる等の問題点があった。
この発明は、上記従来の問題点を解決するためになされ
たもので、遠紫外・真空紫外線領域の高輝度の安定な光
源として螺旋軌道型アンジュレータを用い、反射の光学
系でパターンの縮小投影を行うことにより０．４μｍ以
下の線幅のパターンの露光が短時間でできる露光装置を
得ることを目的とする。
たもので、遠紫外・真空紫外線領域の高輝度の安定な光
源として螺旋軌道型アンジュレータを用い、反射の光学
系でパターンの縮小投影を行うことにより０．４μｍ以
下の線幅のパターンの露光が短時間でできる露光装置を
得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段〕
この発明にかかる露光装置は、電子蓄積リングに挿入さ
れた螺旋軌道型アンジュレータと、この螺旋軌道型アン
ジュレータから発生するアンジュレータ放射光を光源と
して縮小投影する反射光学系を備えた露光チェンバーと
からなるものである。
れた螺旋軌道型アンジュレータと、この螺旋軌道型アン
ジュレータから発生するアンジュレータ放射光を光源と
して縮小投影する反射光学系を備えた露光チェンバーと
からなるものである。
［作用〕
この発明においては、螺旋軌道型アンジュレータから発
生するアンジュレータ放射光を用い、パターンを反射鏡
で縮小投影することにより０．４ユレータの構成を示す
図である。これらの図において、１０は螺旋軌道型アン
ジュレータ、１１は電子蓄積リング、１２は露光チェン
バー １３は放射光取出用窓、１４は偏向電磁石、１５
は四重極マグネット、１６は蓄積電子ビームにエネルギ
ーを加える高周波加速空洞、１７はインフレクタ１８は
バーターベーター １９は前記電子蓄積リング１１に電
子ビームを入射させる線型加速器、２０はアンジュレー
タ放射光、２１は反射鏡、２２はレチクル（マスク）、
２３はレチクルステージ、２４はシュバルトシルト型反
射鏡で、凸面ｍ ２４ ａと円環状の凹面鏡２４ｂとか
らなり、凸面鏡２４ａで反射した光は凹面鏡２４ｂで反
射されウェーハ上に結像する。２５はウェーハ、２６は
ステップステージ、２７は電子ビーム、２８は永久磁石
列である。
生するアンジュレータ放射光を用い、パターンを反射鏡
で縮小投影することにより０．４ユレータの構成を示す
図である。これらの図において、１０は螺旋軌道型アン
ジュレータ、１１は電子蓄積リング、１２は露光チェン
バー １３は放射光取出用窓、１４は偏向電磁石、１５
は四重極マグネット、１６は蓄積電子ビームにエネルギ
ーを加える高周波加速空洞、１７はインフレクタ１８は
バーターベーター １９は前記電子蓄積リング１１に電
子ビームを入射させる線型加速器、２０はアンジュレー
タ放射光、２１は反射鏡、２２はレチクル（マスク）、
２３はレチクルステージ、２４はシュバルトシルト型反
射鏡で、凸面ｍ ２４ ａと円環状の凹面鏡２４ｂとか
らなり、凸面鏡２４ａで反射した光は凹面鏡２４ｂで反
射されウェーハ上に結像する。２５はウェーハ、２６は
ステップステージ、２７は電子ビーム、２８は永久磁石
列である。
次に、動作について説明する。
アンジュレータ放射光２ｏを光源にすることにより、遠
紫外・真空紫外線領域で高輝度化が容易に行える。螺旋
軌道型アンジュレータ１０は通過する高速電子を何回も
旋回させることにより特定の波長に干渉させる準単色光
源である。
紫外・真空紫外線領域で高輝度化が容易に行える。螺旋
軌道型アンジュレータ１０は通過する高速電子を何回も
旋回させることにより特定の波長に干渉させる準単色光
源である。
第２図のような永久磁石列２８を形成した螺旋軌道型ア
ンジュレータ１０は、電子が常に電磁波を放出するので
、高輝度の光が得られるものであり、永久磁石列２８の
各磁石の磁場強度を適当に変えたり、磁石列を変化させ
ることにより電子に種々の軌道上を走らせることができ
る。［電総研ニュース４６２号（１９８８，７月）、偏
光発生装置：特願昭５９−１３７６５５号、 Ｈ，０ｎ
ｕｋｉｅｔ ａｌ著Ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ ｕｎｄｕｌ
ａｔｏｒ ｗｉｔｈ ｃｒｏｓｓｅｄａｎｄ ｒｅｔ
ａｒｄｅｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄｓ：Ｒ
ｅｖ、Ｓｃｉ、Ｉｎｓｔｒｕ−ｍ、Ｖｏｌ、６０（１９
８９）ｐｐ、１８３８ ］ 、このことは照射面での光
の強度の均一化を容易にする。
ンジュレータ１０は、電子が常に電磁波を放出するので
、高輝度の光が得られるものであり、永久磁石列２８の
各磁石の磁場強度を適当に変えたり、磁石列を変化させ
ることにより電子に種々の軌道上を走らせることができ
る。［電総研ニュース４６２号（１９８８，７月）、偏
光発生装置：特願昭５９−１３７６５５号、 Ｈ，０ｎ
ｕｋｉｅｔ ａｌ著Ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ ｕｎｄｕｌ
ａｔｏｒ ｗｉｔｈ ｃｒｏｓｓｅｄａｎｄ ｒｅｔ
ａｒｄｅｄ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｉｅｌｄｓ：Ｒ
ｅｖ、Ｓｃｉ、Ｉｎｓｔｒｕ−ｍ、Ｖｏｌ、６０（１９
８９）ｐｐ、１８３８ ］ 、このことは照射面での光
の強度の均一化を容易にする。
螺旋軌道型アンジュレータ１０を電子蓄積リング１１の
直線部に挿入する。磁場の周期長は７゜６ｃｍ、周期数
３９ＪＩ場のピーク強度は１．４ＫＧ（相対する磁石列
間のギャップ６ｃｍ）で、３７０ＭｅＶの蓄積電子から
第３図に示す１５０ｎｍ （０，１５μｍ）にピークを
もつアンジュレータ放射光２０が得られる。このピーク
波長は電子エネルギーにより変えることができる。（２
０Ｏｎ、 ｍ以下の利用の場合、露光チェンバー１２は
希ガス等で空気と置換する）。このアンジュレータ放射
光２０はＭ ｇ Ｆ ２からなる放射光取出用窓１３を
通して露光チェンバー１２に導かれる。アンジュレータ
放射光２ｏは反射鏡２１により鉛直方向に反射されレチ
クル２２を通ったあと、シュバルトシルト型反射鏡２４
によりウェーハ２５上に投影される。レチクル２２上の
パターンは約１／４に縮小されウェーハ２５上に結像す
る。また、０．４μｍ以下の線幅の露光ができる。全長
３ｍの螺旋軌道型アンジュレータ１ｏで、蓄積電流２５
０ｍＡのとき、約１秒で１回の露光ができる。
直線部に挿入する。磁場の周期長は７゜６ｃｍ、周期数
３９ＪＩ場のピーク強度は１．４ＫＧ（相対する磁石列
間のギャップ６ｃｍ）で、３７０ＭｅＶの蓄積電子から
第３図に示す１５０ｎｍ （０，１５μｍ）にピークを
もつアンジュレータ放射光２０が得られる。このピーク
波長は電子エネルギーにより変えることができる。（２
０Ｏｎ、 ｍ以下の利用の場合、露光チェンバー１２は
希ガス等で空気と置換する）。このアンジュレータ放射
光２０はＭ ｇ Ｆ ２からなる放射光取出用窓１３を
通して露光チェンバー１２に導かれる。アンジュレータ
放射光２ｏは反射鏡２１により鉛直方向に反射されレチ
クル２２を通ったあと、シュバルトシルト型反射鏡２４
によりウェーハ２５上に投影される。レチクル２２上の
パターンは約１／４に縮小されウェーハ２５上に結像す
る。また、０．４μｍ以下の線幅の露光ができる。全長
３ｍの螺旋軌道型アンジュレータ１ｏで、蓄積電流２５
０ｍＡのとき、約１秒で１回の露光ができる。
［発明の効果１
以上説明したようにこの発明は、電子蓄積リングに挿入
された螺旋軌道型アンジュレータと、この螺旋軌道型ア
ンジュレータから発生するアンジュレータ放射光を光源
として縮小投影する反射光学系を備えた露光チェンバー
とからなるので、０．４μｍ以下の線幅のパターンの露
光が従来より短時間で実現できる。レチクル（マスク）
の製作も従来技術で製作でき、レジスト材も従来のもの
が使用できるのでマスク、レジストに対して新しい開発
は必要がない。光源として螺旋軌道型アンジュレータを
使うことにより従来の平面型アンジュレータより輝度が
高く、したがって電子蓄積リングの直線部は短かくて良
い。また螺旋軌道の電子からは高調波の発生が小さいの
で、電子蓄積リングから放射光をとりだすＭｇＦ２の窓
の劣化も最小限に抑えられる等の利点を有する。
された螺旋軌道型アンジュレータと、この螺旋軌道型ア
ンジュレータから発生するアンジュレータ放射光を光源
として縮小投影する反射光学系を備えた露光チェンバー
とからなるので、０．４μｍ以下の線幅のパターンの露
光が従来より短時間で実現できる。レチクル（マスク）
の製作も従来技術で製作でき、レジスト材も従来のもの
が使用できるのでマスク、レジストに対して新しい開発
は必要がない。光源として螺旋軌道型アンジュレータを
使うことにより従来の平面型アンジュレータより輝度が
高く、したがって電子蓄積リングの直線部は短かくて良
い。また螺旋軌道の電子からは高調波の発生が小さいの
で、電子蓄積リングから放射光をとりだすＭｇＦ２の窓
の劣化も最小限に抑えられる等の利点を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示すもの
で、第１図（ａ）は露光装置の全体と直線加速器の構成
を示す図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の露光チェンバ
ーの主光学系の構成を示す図、第２図は第１図の露光装
置に使用される螺旋軌道型アンジュレータの構成を示す
図、第３図はアンジュレータ放射光のスペクトルを示す
図、第４図は従来の露光装置の一例を示す構成図である
。 図中、１０は螺旋軌道型アンジュレータ、１１は電子蓄
積リング、１２は露光チェンバー １３は放射光取出用
窓、１７はインフレクタ−１９は線型加速器、２０はア
ンジュレータ放射光、２１は反射鏡、２２はレチクル、
２３はレチクルステージ、２４はシュバルトシルト型反
射鏡・２５はウェーハ、２６はステップステージテする
。 第 １ 図 ンＯ アノンユし りさＪ灯元 第 第 ２ 図 第 ３ 鱈 波長（ｎｍ） ７ 第 図
で、第１図（ａ）は露光装置の全体と直線加速器の構成
を示す図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の露光チェンバ
ーの主光学系の構成を示す図、第２図は第１図の露光装
置に使用される螺旋軌道型アンジュレータの構成を示す
図、第３図はアンジュレータ放射光のスペクトルを示す
図、第４図は従来の露光装置の一例を示す構成図である
。 図中、１０は螺旋軌道型アンジュレータ、１１は電子蓄
積リング、１２は露光チェンバー １３は放射光取出用
窓、１７はインフレクタ−１９は線型加速器、２０はア
ンジュレータ放射光、２１は反射鏡、２２はレチクル、
２３はレチクルステージ、２４はシュバルトシルト型反
射鏡・２５はウェーハ、２６はステップステージテする
。 第 １ 図 ンＯ アノンユし りさＪ灯元 第 第 ２ 図 第 ３ 鱈 波長（ｎｍ） ７ 第 図
Claims (1)
- 電子蓄積リングに挿入された螺旋軌道型アンジュレータ
と、この螺旋軌道型アンジュレータから発生するアンジ
ュレータ放射光を光源として縮小投影する反射光学系と
からなることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007621A JPH0612755B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007621A JPH0612755B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211817A true JPH03211817A (ja) | 1991-09-17 |
| JPH0612755B2 JPH0612755B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=11670893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007621A Expired - Lifetime JPH0612755B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612755B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018198227A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | ギガフォトン株式会社 | Ｅｕｖ光生成装置 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP2007621A patent/JPH0612755B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018198227A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | ギガフォトン株式会社 | Ｅｕｖ光生成装置 |
| JPWO2018198227A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2020-05-14 | ギガフォトン株式会社 | Ｅｕｖ光生成装置 |
| US10863613B2 (en) | 2017-04-26 | 2020-12-08 | Gigaphoton Inc. | EUV light generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612755B2 (ja) | 1994-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7061576B2 (en) | Exposure apparatus and method of cleaning optical element of the same | |
| KR100536631B1 (ko) | 극자외선 방사선용 조명시스템 및 리소그래피투영장치에의 그 적용 | |
| JP2003022950A (ja) | Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 | |
| JP3057998B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP2001284240A (ja) | 照明光学系、および該照明光学系を備えた投影露光装置と該投影露光装置によるデバイスの製造方法 | |
| JP3904765B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
| JP2004134794A (ja) | リソグラフィ投影装置および上記装置に使うためのレフレクタ組立体 | |
| US5147742A (en) | Photomask and fabrication of the same | |
| US20160170309A1 (en) | Light exposure method, and light exposure apparatus | |
| JPH03211817A (ja) | 露光装置 | |
| JP3618856B2 (ja) | Ｘ線露光装置、及びこれを用いたデバイス生産方法 | |
| JP3673431B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
| EP1032098B1 (en) | Laser oscillating apparatus | |
| EP0965888B1 (en) | Lithography apparatus | |
| EP0969325B1 (en) | Lithographic projection apparatus | |
| JP4154003B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3631010B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3618853B2 (ja) | Ｘ線発生装置、及びこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 | |
| JP4551666B2 (ja) | 照明装置及び露光装置 | |
| JP4303350B2 (ja) | レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2005303315A (ja) | デバイス製造方法 | |
| JPS5915380B2 (ja) | 微細パタ−ンの転写装置 | |
| JP6262891B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP2000173916A (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| PETELIN et al. | Plasma sources for deep-UV lithography |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |