JPH03212726A - 保護された大容量電子メモリ装置 - Google Patents

保護された大容量電子メモリ装置

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JPH03212726A
JPH03212726A JP2341201A JP34120190A JPH03212726A JP H03212726 A JPH03212726 A JP H03212726A JP 2341201 A JP2341201 A JP 2341201A JP 34120190 A JP34120190 A JP 34120190A JP H03212726 A JPH03212726 A JP H03212726A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、その記憶素子が例えばRAMまたはEEPR
OM型の半導体メモリを含む保護された大容量電子メモ
リ装置に係わる。特に本発明は、情報処理システムにお
ける大容量メモリサブシステムとして使用することを意
図している。
情報処理システムは、少なくとも1つのメインプロセッ
サ及びこのプロセッサが接続された1つの主記憶装置を
含む中央処理装置と、種々の周辺装置と、記憶装置と種
々の周辺装置との間のデータ交換の制御を保証する入/
出力処理装置とて構成されることが公知である。
周辺制御装置は種々の周辺装置と関係しており、中央処
理装置とこれら種々の制御装置に関係する周辺装置との
間の物理的データ伝送を保証する。
情報処理システムの上記全ての機能的構成エレメントは
、一般的には同じ並列バスに接続された1組のボード上
に編成されており、バスは、種々のボード間のデータ伝
送と種々のボードへの電力供給を保証する。
一般にMultibus[(Intel Corpor
ationの登録商標)として公知のバスは、今日の業
界で最も使用されているバスの1っである。そのアーキ
テクチャは、IEEE(Institute of ’
Electrical and Electronic
Engineers)標準1296に則って標準化され
た並列型のメインバスを中心に構築されている。Mul
tibus■はバックプレーンタイプであるので、情報
処理システムアーキテクチャの物理的構成は、多重論環
ボーFを保持するホードホルダーラックの形態である。
ホードホルダーラックの種々の物理的及び機械的特性は
上記標準によって規定されている。
周辺装置のなかでも、回転式磁気ディスクメモリのよう
な大容量メモリは重要である。磁気ディスクメモリは、
情報処理システム自体を形成するボードとは物理的に分
離しており、^mericanNational 5t
andards In5titute(ΔN5I)によ
り標準化された5C5I/IPI方式のインターフェー
スケーブルによって情報処理システムに接続されている
更に磁気ディスクメモリは、メモリ容量単位当たりのコ
ス1へ(容量単位例えば1キロバイトまたは1メガバイ
ト当たりのコスト)が低いので、広く使用されている。
それにもかかわらず上記回転式磁気ディスクメモリは、
高い精度が要求される大きな機械的部分を包含しており
、従って高価であること(情報を読取るためのヘッド位
置決め装置及びディスクを回転させるためのモータを必
要とする〉、比較的体積が大きいこと、機械的部品を機
能させるのに必要なエネルギ消費は実質的に少なくない
ことなどの欠点を有する。最後に、情報へのアクセス時
間は約10〜数十ミリ秒である。
産業上の大容量メモリの開発の最近の傾向は。
より良いアクセス時間を得ることと、それらの物理的サ
イズを実質的に小さくすることを目指している。このた
めに、半導体メモリを使用する電子メモリまたは電子デ
ィスクとして公知の、またソリッドステートディスクと
しても公知の大容量メモリが開発された。それらのアク
セス時間は1ミリ秒よりはるかに小さく、即ち最も高性
能の回転式ディスクメモリのアクセス時間の数十分の−
であり、しかも回転部分を有さない。しかしこのような
電子メモリの単位メモリ容量コストは尚高く、磁気ディ
スクメモリの約20倍高い。しかしながら、電子メモリ
の単位メモリ容量コストは、回転式磁気ディスクメモリ
のそれよりはるかに急速に低下する傾向にあり、数年以
内にはコストはおおよそ同じになろうことが予想し得る
この種の電子ディスクメモリは最近になって、Impe
rial Technology、Inc、、8315
outh DouglasStreet、EI Seg
undo、カルフォルニア(その製品はMegaram
として公知である)と、National^dvanc
edSystems(そのメモリ装置7990と同時提
供)によって製造されている。それらのメモリ容量は約
数十メガバイトであり、アクセス時間は1ミリ秒の数十
分の−であり、出力は極めて高くて、1秒当たり約数メ
ガヒツトである。
第1八図及び第1B図には、前記会社の1つにより製造
されるような従来公知の上記種類の電子ディスクDE^
を示しである。
このような電子ディスクは形状が平行六面体であって、
複数の論理ボード1〜5を包含するが、第1八図及び第
1B図では簡潔化のために、ボード3のみを示しである
。これら種々の論理ボードは相互に平行であり、例えば
RAM型の複数の半導体メモリのカラムを包含している
。数にしてn個のこれらのカラムをそれぞれ記号R1・
・・Rj・・・Rnで識別する(第1B図においてはn
=4であり、4つのカラムR,,R2、R1、R4が示
されている)。情報は種々のカラムC,〜Cnを含む種
々のRAM内に、データをRAMメモリに書込むのに通
常使用されるのと類似の方法で、情報ブロックが連続ア
ドレスに続けて書込まれるように書き込まれる。
電子ディスクDE^は更に、ボックスの後方部分に見え
る2つのコネクタ6及び7を包含する。これらのコネク
タによって、同じタイプの他の電子ディスクまたはこれ
ら種々の電子ディスクと関係する周辺制御装置のいずれ
かとの接続がインターフェースケーブル8及び9を介し
て可能となる。
ケーブル8及び9は、ΔNSIによって標準化された5
CSI/IP1方式のケーブルである。DEA型の電子
ディスフは、回転式ディスクメモリに使用されるのと同
じタイプのインターフェース接続によって相互に及びそ
れらのコントローラに接続されることが判る。電子メモ
リの物理的形状は回転式磁気ディスクの物理的形状とは
明らかに比較にならないが、この接続に関しての回転式
ディスクメモリとの類似性によって、当業者は電子メモ
リ装置を電子ディスクと呼んでいる。
RAMメモリと受は渡しされる情報(データ及びRAM
内でデータが割り当てられたアドレス)はバスBD^を
介して移送される。このバスは実際には1つのデータバ
スと1つのアドレスバスとを含む(第1B図においては
単純化のためにこれらのバスは単一のバスで表している
)。バスBD^は、RAMカラムに関して、カラムR1
及びR2に応じるブランチBDAと、カラムR1及びR
4に応じるブランチBD^2との2つのブランチに細分
化されている。
DE^のような電子ディスクの物理的容量(bulk)
は回転式磁気ディスクメモリのそれと等価であることに
留意されたい。更に、電子ディスクのボードのいずれか
1つに含まれる情報へのアクセス時間は1ミリ秒の約数
十分の−であるが、情報はコントローラから電子ディス
クへまたはその逆に、リンク8及び9のごときタイプの
インターフェースリンクを介して送られることから、ア
クセス時間は著しく、即ち約1〜2ミリ秒たけ大きくな
る。
本発明は、電子ディスク機能のメモリプレーン(1〜5
のようなボード)を、通常の回転式磁気ディスクメモリ
または従来のタイプの電子ディスクにおけるように情報
処理システムのコントローラ及びプロセッサから遠く離
して置くのてはなく、それ代えて、電子ディスク装置の
メモリプレーンと、そのコントローラと、該電子ディス
ク装置を包含するサブシステムが属する情報処理システ
ムの10セツサの幾つかとを組み合わせる小型集成装置
の内部に置くことにより、前述の欠点を解消することが
できる。この小型集成装置はボードホルダーラックの形
態をとるのが好ましい。
本発明の大容量電子メモリ装置は、その種々のエレメン
トが、該装置が属する情報処理システムの周辺制御装置
に接続された複数の半導体メモリを担持するプリント回
路の形態を各々がとる複数のボードを備えており、少な
くとも1つの中央処理装置と、それ自体のコントローラ
を備えたマザーボードと、2つずつ相互に接続された多
数のメモリプレーンを含む複数の子ボードとを包含して
おり、前記子ボードのうちの最初の子ボードが前記マザ
ーボードに接続されており、前記中央処理装置及び電子
ディスク装置がマザーボードによって、情報移送及びそ
れに接続されているボードにおける電気エネルギを保証
する並列型の第1及び第2のバスに接続されており、該
装置が、それ自体のコントローラ及び2つのバス介して
中央処理装置にアクセス可能であることを特徴とする。
本発明の好ましい実施態様においては大容量電子メモリ
装置は特に、2つのバスが同一であって相互に並列であ
り且つそれらの間に、電子ディスク装置のマザーボード
及び中央処理装置が接続されている重複ゾーンを有する
という特徴を有する。
上記重複ゾーンは、各々が少なくとも1つの電子ディス
ク装置を受容し得る2つの部分に分割され、2つの部分
の各々は、他方への電源とは別個の電源によって電気エ
ネルギを供給されるのが好ましい。
本発明の電子メモリ装置に記憶された情報へのアクセス
の安全保護を増大するために、この電子メモリ装置は、
電子ディスク装置のコントローラ及び中央処理装置に接
続された少なくとも1つのバックアップ回転式ディスク
メモリ装置を包含する。このように実現された本発明の
メモリ装置は、より大きな情報処理システムに属するサ
ブシステムを構成する。
以下、添1寸の図面を参照した実施態様の詳細説明から
、本発明の特性及び長所が明らかとなるてあろう。
及胤舅 第2図は、本発明の電子メモリ装置ONEを示す図であ
る。
装置UMEは、一般にその中央部分がホストシステムH
として公知のより大きな情報処理システムに属する大容
量メモリ情報処理サブシステムであると考えてよい。
装置UMEは2つの部分MG及びMDを包含する。これ
ら2つの部分の各々には別個の供給手段^、及び八、に
よって電気エネルギが供給される。
また装置ONEは、好ましくはMultibusll型
の相互に並列な、B1及びB2で表された2つの同一の
バスを中心に構築されている。
、2つのバスB1及びB2は、相互に完全に向かい合わ
せて配備することもできるし、3つの異なるゾーン、即
ち2つのバスか物理的に相互に向かい合っている1つの
共通ゾーンZCと、2つのバスが相互に向かい合ってい
ない2つのゾーンZ^及び2Bとを包含することもでき
る。
即ち、場合によって2つのバスB1及びB2は全部また
は一部を重複させることができる。装置DMEは、電子
ディスク装置DEI、及び中央処理装置PRを第1の部
分MGに、第2の電子ディスク装置DEI2及び中央処
理装置PR2を第2の部分HDに包含している。
電子ディスク装置DEI 、及び[lEl、と処理装置
PR及びPH1との各々は、2つのバスB、及びB2に
共通重複ゾーンzCにおいて接続されている。第2図(
部分MG内にある処理装置PR,と第1の電子ディスク
装置DE1.との間)に示すように、電子メモリ装置U
MEは、この共通ゾーンZCにおいてホストシステムH
に接続されるのが好ましい。
更に電子メモリ装置t1MEは、その部分NGに追加構
成工しメン1−B3及びB4を包含し且つその部分HD
に追加エレメントE5及びB6を包含することもできる
。エレメントE1、B4、B5及びB6もまた共通ゾー
ンZCにおいて2つのバスB、及びB2の両方に接続さ
れている。エレメントE3及びE、は例えばそれぞれ異
なる中央処理装置及び異なる電子ディスク装置とするこ
とができ、同じことがエレメントE6及びB5にも言え
る。
装置ONHのエレメントの数は、該装置に割り当てられ
るメモリ容量と、更にシステムの使用可態度をいかに重
要と考えるかとに依存する。
重複ゾーンが一部分のみである場合にはゾーンZ^及び
ZBにおいて、かかるゾーンの第1のゾーンにあるEl
及びB2や第2のゾーンにあるB7及びB8のような他
のエレメントを接続することが可能である。エレメント
E1、B2、B7及びB8は2つのバスの一方に、即ち
E、及びB2はB、にのみ、B7及びE、はB2にのみ
接続されている。
以下本発明の装置ONEを、重複ゾーンZCが全域にわ
たる、即ち2つのバスB1及びB2が相互に完全に対面
している場合を第3Δ図、第3B図、第4図、第5A図
及び第5B図に関連させて、また重複ゾーンが一部であ
る場合を第6図に関連させて説明する。
第2図に示した実施態様においては電子ディスク装置D
E1.及びDEl2はそれぞれ、第1の装置に対してマ
ザーボード11と最大2つの子ボード12及び13とを
、また第2の装置に対してマザーボード21と最大2つ
の子ボード22及び23とを包含している。
マザーボード11は子ボード12に接続手段14を介し
て接続されており、更に子ボード12は子ボード13に
接続手段15を介して接続されている。同様に、マザー
ボード21は子ボード22に接続手段24を介して接続
されており、更に子ボード22及び23は接続手段25
を介して相互に接続されている。
DEl、の構成及びDEl2の構成は、子ボードの数(
1つまたは2つ)やRAM及びRAM内のカラムの数に
おいて(従ってそれらのメモリ容量において)、またそ
れらに記録される情報の内容において異なっていてもよ
い。
メモリ装置UMEを構成する種々のニレメン1〜内のデ
ータ記録の安全保護をできるだけ向上させるために(こ
れはデータ保護の目的としても記載される)メモリ装置
は、リンクL1を介してマザーボード11に接続され且
つリンクL2を介して処理装置PR2に接続されている
、記号MDS、で表されたデータ保護(またはバックア
ップ)用の第1の回転式デスクメモリを包含している。
同様に装置ONEは、リンクし、を介してマザーボード
21に接続され且つリンクL、を介して処理装置PR,
に接続されている第2のバックアップ回転式ディスクメ
モリまたはMDS2を包含している。MDS 、及びM
DS2がそれぞれLとL2及びL3とL4に接続される
方法は第3B図に示してあり、次にこの点を説明する。
これらリンクの各々は5CSI/IP1方式のもの、即
ちその端部に50ポインI・のコネクタが与えられてい
る25のライス1〜ペアの組を含むものである。MDS
、及びMDS2のことき回転式ディスクメモリによって
データを保護する必要性は、半導体メモリがRAMであ
る場合にはそこに記録されたデータが、電力を喪失する
や否や失われることに由来する。一方で子ボード12及
び13内に他方で子ボード22及び23内に含まれるデ
ータもそれぞれメモリ14DS 、及びMDS2の回転
式磁気ディスクの円形記録トラック上に、例えばデータ
が子ボード内に書込まれる時点で記録される。
中央処理装置PR+及びPR2はそれぞれ部分MG及び
MDに割り当てられている種々のエレメントの中心機器
である(装置[JMEが単一の中央処理装置及び単一の
電子ディスク装置、例えばPR2及びDEI、のみを包
含する場合には、上記部分MC及びHDに割り当てられ
た全てのエレメントに対して処理装置PR2が中心機器
となる)6中央処理装置は、部分NG及びHD内に含ま
れる種々のエレメントの実行プログラムを該中央処理装
置内に、該実行プログラムかそれらに割り当てられた機
能を実行し得るようにロードする。処理装置PR,及び
PR2は、例えば回転式ディスクメモリMDS、及びM
[lS2内に格納されているこれらのプログラムを検索
する。その場合に回転式ディスクメモリMDS、及びM
DS2は、第1に装置DE1.及びDEI2に格納され
た情報のバックアップをとること、及び第2に前記実行
プログラムを格納することという二重機能を有する。か
かるプログラムは、処理装置PR,及び処理装置PR2
の両方に接続される特定のディスクメモリまたはシステ
ムのディスクメモリ内に格納しておくこともできること
を理解されたい。
第3八図及び第4図には、第2図に示した電子メモリ装
置ONHの物理的構造体の幾つか、特に電子ディスク装
置DEr、及び処理装置PR2と、更にマザーボード2
1(第3八図及び第4図がより容易に理解されるように
マザーボード21に関係する子ボード22及び23は図
示していない)とを含むランクのバックプレーンFPの
一部分を示しである。電子メモリ装置は1つの同じ物理
的構造体、即ちラックPΔを構成するが、第3A図及び
第4図においては簡潔化のためにそのうちのバックプレ
ーンFPのみを示しであることに留意されたい。
バックプレーンFPは、その平面及び長辺に垂直な対称
面PSを有する。バックプレーンはその形状が実質的に
長方形であり、勿論長方形の中心でもある対称中心0を
有する。
対称面PSの両側にはそれぞれ、メモリ装置IJMHの
2つの部分NG及びMllがある。第3八図及び第4図
においてはバス−82はバックプレーンFPの上方部分
に置かれており、バスB1は下方部分に置かれている。
上記図においてバックプレーンFPは、その上方部分に
は左から右に向かって6つの雌コネクタ102〜107
を、その下方部分には右から左に向かって6つの雌コイ
・フタ108〜113(第3A図においてはコネクタ1
08のみが見える)を色素することが判る。
コネクタ102〜107はバスB2に電気的に接続され
ており、コネクタ108〜113はバスB、に電気的に
接続されている。これらのコネクタは、Interna
tionalElectromechanical C
omm1ssion under classific
ation 603−21EC096によって規定され
た標準に基づく96ビンモデル(各々が32個のビンか
らなる3つの平行な列)である。これらコネクタの各々
に対応する雄コネクタは当然のこと同じ標準によって規
定されている。対称面PSはコネクタ104と105の
間及びコネクタ110と111の間を通る。
電子ディスク装置DEI、は2つのバスB2及びB、に
、同じ2つのバスの雌コネクタ102及び113に対応
する2つの雄コネクタ202及び213によって接続さ
れている。マザーボード11のみが2つのバスB2及び
B、に接続されており、従って2つのコネクタ202及
び213を担持している。既に説明したように、2つの
子ボードは接続手段によって相互に接続されており、子
ボード12がマザーボード11に接続手段14によって
接続されている。
接続手段14.15.24及び25は160ポイントの
雄及び雌コネクタを接続することにより作られており、
各子ボードはその2つの面の各々にそれぞれ1つの雄コ
ネクタ及び1つの雌コネクタを有している。
マザーボード11及び子ボード12.13を含む集成装
置に必要なスペースは、2つのバスB1及びB2に直接
接続されている2つの隣接ボード間の標準間隔の2倍、
即ち2x 20.32mm= 40.64n+mである
子ボードは、2つのバスB2及びB1に直接接続され得
るコネクタを持ってはいない。雄コネクタ202〜20
7及び208〜213は同じ型、即ち前述のIEEE標
準1296によって標準化されたP、型のものである。
マザーボード21のみが示されたディスク装置DEI2
はバスB2及びB1に雄コネクタ207及び208と雌
コネクタ107及び108とによって接続されている。
子ボード22及び23(第混図及び第4図ては図示なし
)は実際にはマザーボード21の左側のコネクタ106
と107の間の空間に置かれている。処理装置PR,(
これもまた簡略化のために第3八図及び第4図では図示
なし)は実際にはコネクタ104及び111に接続され
ており、従って処理装置PR2と子ボード13との間で
左側部分NG内に位置している。
マザーボード11はリンクL1に例えば50ポイントコ
ネクタ100(ANSI標準)によって接続されている
コネクタ100はボード11の(f1ボード11をバス
B、及びB2に接続するコネクタを含む部分とは反対側
の)後方部に取付けられている。同様にリンクL2が処
理装置PR2にコネクタ101によって接続されている
コネクタ101はコネクタ100と同一であって、対応
するボードの後方部に同様に取付けられている。
第3B図は、2つのリンクL1及びL2を一緒に接続し
得るコネクタC1の実施態様を示す。C,は雄コネクタ
であり、例えば、バックアップディスクメモリMDS 
、を含むパッケージの後方部に位置する対応する雌コネ
クタ内に挿入される。コネクタC1は、接続パッケージ
(図示なし)内に位置するその後方部分に示しである。
このような1つのコネクタCは、正方形または長方形の
プリント回路CI、と、相互に平行で且つC1,に溶接
されている例えば5ouriau−製の8603型の2
つの自己ストリッピングヘッダB^1及びB^2と、(
例えば3M、^HP、^n5ley他製造の)例えば5
ubD型のコネクタCN、とを包含している。
それぞれリンクL、及びL2を構成する5oのツイスト
ペアワイヤの端部がヘッダB^1及びB^2内に挿入さ
れている。ケーブルL、及びL2を構成する5oワイヤ
の端部とプリント回路CI、の端部の1つに溶接された
50ポイントのコネクタCN、どの間の電気接続を保証
するのは、プリント回路自体のその内部導体によること
を理解されたい。即ち第3B図がち判るように、コネク
タCN、の長さは、プリント回路が正方形であればその
1辺の、また長方形であれはその幅の寸法に等しい。2
つの自己スl〜リッピン・グヘッダBへ、及びBへ2は
、コ才、フタCN、の長さに垂直なプリント回路の辺上
に置かれている。即ち2つの自己ストソツピングヘツダ
は、プリント回路CI、を含む正方形の第3B図では横
方向の辺に平行である。
コネクタ102〜107の組と108〜113の組とは
、相互に且つバックプレーンFPの長さに平行な対称軸
を有することを理解されたい。更に、102〜107の
組の各コネクタと、108〜113の組の対応する各コ
ネクタとは、バックプレーンの小さい方の寸法(長方形
の幅に当たる)に平行な同じ垂直方向対称軸を有する。
2組のコネクタ107〜107及び108〜113の各
々の相対位置は、種々のホード11.12.13.21
.22.23、CR,及びCR2をラックPA内部に正
しく接続し得るために不可欠であることを理解されたい
装置ONHの部分HD内に位置するボードの組はかかる
ボードの集積素子を倉む側から見えており、部分NG内
の位置するボードの組は集積素子を含む側とは反対側、
即ち溶接側から見えている。これは、部分HDに位置す
るボードが部分肛に位置するボードとは逆向きに取付け
られているからである。
即ちボード11.12.13、PR,はそれぞれホード
21.22.23、PR,と、ハックプレーンFPの対
称面PS及び対称中心Oの両方について対称である。
部分MD及びNGのボードの相対位置は、ホードを誤っ
た方向で挿入できないようにする意味がある。
即ち、21のような1つのボードのみが部分MGに挿入
され得、11のような1つのボードのみが部分HDに挿
入され得る。これは、ボード上のコネクタの位置のため
である。実際にバックプレーンを見ると、部分HDに位
置するボードのコネクタはボードの右側にあり、また部
分NGに位置するボードのコネクタはボードの左側にあ
ることが判る。従って正しくは部分M[lに入るべきホ
ードを代わりにNGに挿入したりまたはその逆を行なう
と、ボードのコネクタが隣接するボードのコネクタと当
接し、ホードが更にラック内に挿入されず、従ってその
接続が不可能となる。
次に第5八図について説明する。
マザーボード11は特に、バスB1との連絡のためのイ
ンターフェースIB、と、バスB2との連絡のためのイ
ンターフェースIB2と、電子ディスク装置DEN、の
コントローラCNT、とを包含している。これら種々の
エレメント、即ちIB、及びIB2とCNT 、とはマ
ザーボード11の内部バスv■、を介して情報を交換す
る。
第1のメモリプレーンを含む子ボー・ド12は複数のR
AMメモリカラム、例えばカラム12R,・・・12R
j・・・12Rnを包含している。同様に、電子ディス
ク装置DEI内の第2のメモリプレーンを含む子ボード
13は複数のRAMメモリカラム、即ちカラム13R5
・・・13Rj・・13Rnを包含している。ボード1
2及び13の内部構造は第1図のホード3について説明
したものと同一である。
中央処理装置PR2はそれぞれバスB1及びB2との連
絡のための2つのインターフェースIB、及びIB。
と、連絡バスB12と、中実装置UC2とを包含してい
る。
電子ディスク装置DE1.は処理装置PR2の中実装置
を介してアクセス可能であることが判る。
インターフェースIB、、IB2、IB、及びIB4は
同じ型てあり、IEEE標準1296に従って、電子メ
モリ装置UMHの他の構成機能エレメント及びホストシ
ステムHとメツセージモードによって連絡する例えばV
L 82c389型(Intel製)の双対プロセッサ
を備えている。
ホストシステムHまたは処理装置PR2が情報を電子デ
ィスク装置DEI、内に登録したい場合には、その情報
は、コントローラCNT 、に伝送される前にインター
フェースIII、(In2)を介して2つのバスBまた
はB2の一方に渡される。子ボード12及び13のメモ
リプレーン内で使用可能な領域の関数として、コントロ
ーラはそこに情報を登録する。同時にコントローラは同
じ情報をバックアップディスクメモリMDS、にコネク
タ100及びC1とリンクL1とを介して伝送する。こ
の同じ情報はそこでこのメモリの磁気ディスクの1つの
円形トラック1つ以上に登録される。一方では子ボード
12及び13のメモリプレーン内の、他方ではバックア
ップディスクメモリMDSのディスクの1つのトラック
の1つへの情報の書込みは、半導体メモリへのアクセス
時間と回転式ディスクへのアクセス時間は同じではない
ので、全く同じ瞬間に行われるのではないことを理解さ
れたい。結果として、情報が子ボード12及び13のメ
モリプレーン内に書込まれる時点に対してバックアップ
ディスクメモリMDS 、の磁気ディスクの1つの上に
は、アクセス時間がより長い故に、所定時間だけ遅れて
情報が書込まれる。
装置DEI、についての上記説明は装置DEI2にも等
しく当てはまることを理解されたい。
情報の読取りに関して言えば、これは、コントローラC
NT 、の制御下に子ボード12及び13のメモリプレ
ーン内で直接に、1ミリ秒の数十分の−という極めて短
いアクセス時間で行われる。
第5B図は、ボード12及び13内にデータが記録され
る形態を示す。データは、同数のバイトを含む複数のブ
ロックまたはセクタSi、 Sj、 Skに分割されて
いる。各セクタSj内には、ヘッダHEj、データブロ
ックDOj及びフッタICjが連続的に書込み(または
読込み〉され得る。1つのセクタの情報セットは、アド
レスが連続するメモリ位置、例えば1つのユニットに登
録される。例えば、セクタSiはアドレス301.30
2・・・、305に書込まれ、セクタSjはアドレス3
51〜400に書込まれる等となる。ヘッダは、セクタ
Sjの記録の始めと終わりのアドレスを包含しており、
フッタは、セクタsjの全ての記録バイトが正しいか検
証するためのデータの完全性の検証用の情報を包含する
データは39ビツトフオーマツト、即ち4バイトに分配
される32の有効ビットと更に7つのFCC(エラー訂
正コード)ビットとで書込まれる(このエラー訂正モー
ドは通常はダイナミックRAMメモリにおいて使用され
る)。このように39ビツトがRAMメモリの各アドレ
スに書込まれる。結果として、子ボード12及び13と
受は渡しされる情報を移送する子ボード12及び13の
バスBD^3及びBDA4(これらのバスは第1図のバ
スBD^と同様の役割を果たす)は実際には1つの39
ビツトデータバスと1つのアドレスバスとを備えている
フッタ内にあるデータの完全性を検証するためのデータ
は一般にはチエツク合計(check sum)、従っ
てCKSとして公知であり、セクタSiの部分DOiに
含まれる全ての32バイトワードの数学的論理和を表わ
す。読取りの際に、DOi内に読込まれたバイトの和が
(例えばコントローラCNT 、またはホストシステム
のいずれかによって)再計算され、読取られたCKS値
と比較される。
このセクタごとに情報を書込み且つセクタ内に情報を分
配する編成(ヘッダ、データ、CKSを含むフッタ)は
、通常のディスクメモリの回転式ディスクの円形磁気ト
ラック内の情報の編成によって由来する。この編成であ
ると、 1)4バイト当たり7つのエラー訂正ビットECCが存
在することによるデータ内容におけるエラーに対する保
護、及び 2)(当該セクタの記録の始めと終わりのアドレスを含
む)ヘッダの読取りの際の検証とフッタの内容の読取り
の際の検証によるアドレス割当てエラーに対する保護 によって、取り得る最高の安全保護下に情報を書込み及
び読取りすることが可能である(または換言すれば全て
のデータの保護が可能である)。
ボード12及び13のメモリプレーン内への情報の書込
みが命令されると、コントローラCNT+がホストシス
テムH(中央処理装置)に対して行なう書込み命令の応
答は、 バックアップメモリMDSの磁気ディスクの1つに完全
に記録されるまで待たずに、対応するメモリプレーン内
に情報の記録が行われたとき、または ボード12及び13のメモリプレーン内のみてなくバッ
クアップメモリMDS 、の磁気ディスクの1つにもデ
ータ記録が実行されたときの2つの方法で行われ得る。
アクセス時間の観点からのパフォーマンスの損失は、磁
気ディスクは書込み作業にしか使用されないので考えら
れるほど重要ではなく、これは平均すると電子メモリ装
置UMEの入/出力作業のたった20〜40%しか占め
ない。
使用する応答システムとは無関係に、メモリプレーン内
に既に書き込まれた情報のバ・ンクア・ンプディスクメ
モリ上への登録は各書込み作業の都度に系統的に更新さ
れる。このシステムは、電力における割込みがあった場
合にのみバ・ンクア・ンプテイスクメモリ内にデータを
書込むことを含む現状で多く使用されているものよりも
はるかにすぐれたデータ保護を保証する。また上記バ・
ノクア・ノブ方法は、−RAM型半導体メモリの使用に
伴なうデータ揮発性の問題を、該メモリをバッテリー組
に接続することにより解決する際にも使用されることが
想起される(これは、前述の従来の電子メモリにも当て
はまる)。
本発明の大容量メモリサブシステムUMEの他の長所は
、追加保護を提供する能力を有することである。実際、
特定のバックアップ磁気ディスクメモリが、リンクL2
の故に処理装置PR2によってもアクセス可能である。
このバッファ・ンプメモリMDSへのアクセスは、マザ
ーボード11が故障した場合か、または子ボード12及
び13のメモリプレーンの全部または一部が故障した場
合にのみ使用される。従って、コントローラCNT 、
の完全な故障またはコントローラCNT 、への供給電
圧における割込みの場合には、アクセス時間がより長く
なるのでパフォーマンスは幾分低くなるが、ホストシス
テムHが、通常はコントローラCNT 、によって得ら
れるデータを処理装置PR2によってアクセスすること
ができる。
以上から本発明の長所、即ち、2つのバスB1及びB2
を介して電子ディスク装置DEI、及びDEI2の各々
に含まれるデータへ二重アクセスできるが故に使用可態
度が高いことと、CNT、及びPH1の両方からアクセ
ス可能であるバックアップディスクメモリ(従ってこの
バックアップメモリも二重アクセスを有する)及び回転
式ディスクメモリのものからコピーされるRAMメモリ
内への情報の書込みの編成の両方に起因してデータ保護
が強力であることとが明らかである。
更に本発明の電子メモリ装置は、従来の電子メモリ装置
と比較して体積が小さく、アクセス時間が極めて短く、
しかも低コストであるという主な長所を有する。
第6図は、本発明の電子メモリ装置UMEの他の実施態
様を示す。
この装置は、この実施態様では16個のコネクタを含む
1つの共通重複ゾーンzCと2つのコネクタを含む2つ
のゾーンZΔ及びZBとを有するように相互に平行に且
つずらしてバックプレーンの下方部分及び上方部分にそ
れぞれ設置されたMultibus II型の2つの並
列バスB1及びB2を含むバックプレーンFP、を備え
て表されている。バスB2の延長部にバックプレーンF
P、は、例えばバスB2のコネクタ(即ち102〜10
7、第3八図参照)と同一であり且つ同じ間隔を有する
2つのコネクタ301及び302を有する。
同様にバックプレーンFP2はバスB1の延長部に、バ
スB1のコネクタと同一であり且つ同じ間隔を有する2
つのコネクタ401及び402を有する。従ってハック
プレーンFP、のコネクタの合計数は20である。
第6図には電子ディスク置DE1.を示しである。
この電子ディスク装置は、装置UMEの左側部分NGに
置かれたマザーボード11及び子ボード12及び13と
、接続手段14及び15と、コネクタ202及び213
と、更に左側部分NGに置かれており且つ2つのバスB
2及びB1にコネクタ204及び211を介して接続さ
れている処理装置PR,とを包含している。更に、右側
部分HDに置かれており且つバスB2及びB、にコネク
タ205及び210を介して接続されている処理装置P
R2も図示されている。処理装置PR2には、5CSI
方式の50ポイントツイストペアリンクに接続し得るコ
ネクタ101が備わっている。同様に処理装置PR,に
は、101と同一のコネクタ201が備わっている。
バックプレーンFP、は更に、同じ長さを有し且つ電子
メモリ装置DMHの種々の素子エレメントのバックアッ
プディスクメモリへの接続を可能にする5CS1B式、
即ち50ポイントを包含するまたは換言すれば50の信
号を伝送する2つのバスB、及びB4を包含している(
即ちこれらはプリント回路上に設置されたバスである)
。処理装置PR2はコネクタ101とバスB、とに50
ポイントSCS 1B式線条差動リンクL、を介して接
続されている(ここでリンクL5は当然のこと、そのバ
スB、及びコネクタ101への接続を可能にする50ポ
イントコネクタを両端に備えているものとする)。
同様に中央処理装置PR,は5CS1B式リンクL6に
よってバスB3とコネクタ201とに接続されている。
電子ディスク装置DEI、はコネクタ102によってバ
スB、に接続されている。
第6図に示した本発明の電子メモリ装置ONHの好まし
い実施態様においては、3.5インチの挿入可能な回転
式ディスクメモリのための4つのスロットをバックプレ
ーンFP1の両側に設けることがてきる。これらのディ
スクメモリは市場で益々広く利用可能となっている。バ
ックプレーンFP、の左側には4つの3.5インチディ
スクメモリを受容し得る4つのスロット500〜503
が示されており、同じバックブレーンの右側には4つの
スロット600〜603が示されている。
バスB、はスロット501に50ポイントリンクL7を
介して接続され、バスB、はスロット600に50ポイ
ントリンクL11を介して接続されている。一方でスロ
ット500〜503及び他方でスロット600〜603
には、3.5インチディスクメモリが備えられる場合に
は、それらは、スロット501及び500間はり、、ス
ロット500及び503間はり3、スロット503及び
502間はり、。、また、スロット600及び601間
はり、□、スロット601及び602間はL12、スロ
ット602及び603間はり、といっな50ポイントリ
ンクによって接続されている。一方で種々のリンクL7
〜L+o及び他方でLll〜L14の種々の3.5イン
チディスクメモリへの接続を可能とするコネクタは第3
B図に示した種型のコネクタである。
スロット500〜503及び600〜603内に置くこ
とができる3、5インチディスクメモリはバックアップ
ディスクメモリを構成し得る。その編成は、スロット5
00〜503内に置かれたディスクメモリが電子ディス
ク装置DEI、にのみ割り当てられ、またスロット60
0〜603内に置かれたディスクメモリが電子ディスク
メモリDEI2にのみ割り当てられるか、または、スロ
ット500〜503が、左側部分NG内に接続された種
々の電子ディスク装置のバックアップディスクメモリ用
に使用し得、且つスロット600〜603が、右側部分
HD内に接続された種々の電子ディスク装置のバックア
ップディスクメモリ用に使用し得るようにすることがで
きる。
第6図に示した装置UMEは前述の図面に示したものと
同じ長所を有することを理解されたい。また更に、サイ
ズの点てはより小型化されており、アクセス時間におけ
るパフォーマンスはいっそう優れている。
【図面の簡単な説明】
第1八図及び第1B図は従来の電子ディスク装置の図、
第2図はMultibusII型の2つのバスとこれら
2つのバスに接続された2つの電子ディスク装置とを包
含する本発明の電子メモリ装置の簡略配電図、第3A図
はその電線図が第2図のそれと同様である単一の電子デ
ィスク装置を包含する本発明の2バス電子メモリ装置の
ラックの形態の物理的構造を示す3/4斜視図、第3B
図はバックアップディスクメモリを電子ディスク装置及
び中央処理装置に接続し得るコネクタの例を示す図、第
4図は第混図に示した物理的構造の正面図、第5A図は
第3八図に示した本発明の電子メモリ装置の機能的構造
の詳細を示す図、第5B図は子ボード内にデータが記録
される形態を示す図、第6図はその配電図が第2図に示
したものと同様の単一の電子ディスク装置を包含する電
子メモリ装置の物理的構造の他の実施態様を示す図であ
る。 B、 、B2・・・バス、DEl、、DEl2・・・電
子ディスク装置、PR,、PR2・・処理装置、UME
・・・電子メモリ装置、11,21・・・マザーボード
、12,13,22.23・・・子ボード。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一方で1組の半導体メモリを、他方で少なくとも
    1つのコントローラを備えた少なくとも1つの電子ディ
    スク装置を包含する保護された大容量電子メモリ装置で
    あって、少なくとも1つの中央処理装置を包含しており
    、並列型の第1及び第2のバスが、該大容量メモリ装置
    を少なくとも1つのホストシステムに接続することがで
    き、前記中央処理装置及びディスク装置の各々が前記第
    1及び第2のバスに、該ディスク装置がそれ自体のコン
    トローラ及び中央処理装置を介してホストシステムにア
    クセス可能となるように接続されていることを特徴とす
    るメモリ装置。
  2. (2)前記電子ディスク装置が、コントローラを備えた
    マザーボードと、同数のメモリプレーンを含み且つ2つ
    ずつ相互に接続されている複数の子ボードとを包含して
    おり、前記子ボードのうちの最初の子ボードが前記マザ
    ーボードに接続されており、更にそのマザーボードが前
    記第1及び第2のバスに接続されていることを特徴とす
    る請求項1に記載のメモリ装置。
  3. (3)前記2つのバスが同一であって相互に並列であり
    、且つそれらの間に、該装置の前記マザーボード及び前
    記中央処理装置が接続されている重複ゾーンを有するこ
    とを特徴とする請求項2に記載のメモリ装置。
  4. (4)前記重複ゾーンが、それぞれ少なくとも1つの電
    子ディスク装置を受容し得て且つ相互に独立の2つの電
    力源によって電気エネルギを供給される2つの部分に分
    割されていることを特徴とする請求項3に記載のメモリ
    装置。
  5. (5)前記電子ディスク装置のコントローラと前記中央
    処理装置とに接続されていて、前記子ボードのメモリプ
    レーン内に書込まれた情報と全く同一の情報を包含する
    少なくとも1つのバックアップディスクメモリ装置を包
    含していることを特徴とする請求項1から4のいずれか
    一項に記載のメモリ装置。
  6. (6)その物理的構造が、対称中心とバックプレーンの
    平面及びその長さ寸法に垂直な対称面とを有する実質的
    に長方形のバックプレーンを包含する論理ボードを備え
    たラックであり、前記バックプレーンが第1及び第2の
    バスを担持しており、且つ全てが該バックプレーンの長
    さ寸法に平行な同じ第1の対称軸を有する前記第1のバ
    スの第1列のコネクタと、前記第1の対称軸に平行な第
    2の対称軸を有する前記第2のバスの第2列のコネクタ
    とを包含しており、前記第1列及び第2列のコネクタが
    、前記バックプレーンの幅に平行な同じ直線内で2つず
    つ整列されていることを特徴とする請求項1から4のい
    ずれか一項に記載のメモリ装置。
  7. (7)前記子ボードのメモリプレーン内及び前記バック
    アップメモリの回転式ディスクの円形トラック内におけ
    る情報分配の編成が、各々がセクタの始めと終わりのア
    ドレスを含むヘッダと、データ自体を含む中央部分と、
    データの完全性を検証するための情報を含むフッタとを
    包含する複数の個別セクタの形態であることを特徴とす
    る請求項5に記載のメモリ装置。
  8. (8)更に、前記2つの並列バスの間に、前記電子ディ
    スク装置のマザーボードをそこに接続し得て且つSCS
    I方式リンクによって主処理装置に接続されるように設
    置された少なくとも1つのSCSI方式50パスバスを
    包含しており、このバスが更に少なくとも1つのバック
    アップディスク装置にSCSI方式リンクを介して接続
    されていることを特徴とする請求項5に記載のメモリ装
    置。
  9. (9)前記バックプレーンの両側に、SCSI方式リン
    クを介して相互に接続されており且つ更に同じくSCS
    I方式リンクを介してSCSI方式バスにも接続されて
    いる3.5インチの挿入可能なディスクメモリ用のスロ
    ットを包含していることを特徴とする請求項8に記載の
    メモリ装置。
  10. (10)請求項1から9のいずれか一項に記載のメモリ
    装置を包含することを特徴とする情報処理システム。
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