JPH03212985A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH03212985A JPH03212985A JP911890A JP911890A JPH03212985A JP H03212985 A JPH03212985 A JP H03212985A JP 911890 A JP911890 A JP 911890A JP 911890 A JP911890 A JP 911890A JP H03212985 A JPH03212985 A JP H03212985A
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- Japan
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- light
- laser element
- diffraction grating
- incident
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、発振波長の安定化をはかった波長安定型半導
体レーザ装置に係わり、特にレーザ光のモニタ機能を備
えた波長安定型半導体レーザ装置に関する。
体レーザ装置に係わり、特にレーザ光のモニタ機能を備
えた波長安定型半導体レーザ装置に関する。
(従来の技術)
近年、半導体レーザの発振波長の安定化をはかるために
、レーザ素子からの出射光の一部をレーザ素子にフィー
ドバックする波長安定型半導体レーザ装置が開発されて
いる。例えば、文献(1989年電子情報通信学会、秋
季全国大会。
、レーザ素子からの出射光の一部をレーザ素子にフィー
ドバックする波長安定型半導体レーザ装置が開発されて
いる。例えば、文献(1989年電子情報通信学会、秋
季全国大会。
B−4[i8 )では、レーザ素子からの後方出射光を
コリメートレンズを通して回折格子に導き、この回折格
子からの反射回折光をレンズを通してレーザ素子に戻す
構成が採用されている。そしてこの構成では、回折格子
で選択された波長の光のみがレーザ素子にフィードバッ
クされることになり、これによりレーザ素子の発振波長
を上記選択された波長に制御することが可能となる。
コリメートレンズを通して回折格子に導き、この回折格
子からの反射回折光をレンズを通してレーザ素子に戻す
構成が採用されている。そしてこの構成では、回折格子
で選択された波長の光のみがレーザ素子にフィードバッ
クされることになり、これによりレーザ素子の発振波長
を上記選択された波長に制御することが可能となる。
ところで、半導体レーザ装置においては発振波長の安定
化と共に、光出力の安定化が重要である。光出力の安定
化をはかるには、レーザ素子の後端面側に受光素子等を
設置し、レーザ素子の出力光をモニタして駆動電源等に
フィードバックすればよい。しかしながら、上述した波
長安定型半導体レーザ装置では、発振波長の安定化のた
めにレーザ素子の後端面側にレンズ及び回折格子等を設
けているので、レーザ素子の後端面側に受光素子を設置
することはできない。
化と共に、光出力の安定化が重要である。光出力の安定
化をはかるには、レーザ素子の後端面側に受光素子等を
設置し、レーザ素子の出力光をモニタして駆動電源等に
フィードバックすればよい。しかしながら、上述した波
長安定型半導体レーザ装置では、発振波長の安定化のた
めにレーザ素子の後端面側にレンズ及び回折格子等を設
けているので、レーザ素子の後端面側に受光素子を設置
することはできない。
このため、出力光をモニタすることはできず、モニタ出
力のフィードバック系を構成することはできない。従っ
て、発振波長の安定化をはかることはできても、光出力
の安定化をはかることは困難であった。
力のフィードバック系を構成することはできない。従っ
て、発振波長の安定化をはかることはできても、光出力
の安定化をはかることは困難であった。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来、レーザ素子からの出射光の一部をレー
ザ素子にフィードバックして波長安定化をはかった波長
安定型半導体レーザ装置においては、光出力をモニタし
てフィードバック制御することができず、光出力の安定
化をはかることは困難であった。
ザ素子にフィードバックして波長安定化をはかった波長
安定型半導体レーザ装置においては、光出力をモニタし
てフィードバック制御することができず、光出力の安定
化をはかることは困難であった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、発振波長の安定化をはかるのは勿論
のこと、光出力の安定化をはかり得る波長安定型半導体
レーザ装置を提供することにある。
的とするところは、発振波長の安定化をはかるのは勿論
のこと、光出力の安定化をはかり得る波長安定型半導体
レーザ装置を提供することにある。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明の骨子は、レーザ素子に出射光の一部を戻す回折
格子の回折光を利用して、レーザ素子の光出力をモニタ
することにある。
格子の回折光を利用して、レーザ素子の光出力をモニタ
することにある。
即ち本発明は、発振波長の安定化と共に先出力の安定化
を目的とした半導体レーザ装置において、前方と後方に
レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、このレーザ素
子からの後方出射光を反射回折する回折格子と、レーザ
索子からの後方出射光を回折格子に入射させ、nつ回折
格子からの所定次数の反射回折光をレーザ素子に再入射
させる光学系と、回折格子からのレーザ素子に再入射さ
せる反射回折光とは異なる次数の反射回折光を受光検出
する受光素子とを設けるようにしたものである。
を目的とした半導体レーザ装置において、前方と後方に
レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、このレーザ素
子からの後方出射光を反射回折する回折格子と、レーザ
索子からの後方出射光を回折格子に入射させ、nつ回折
格子からの所定次数の反射回折光をレーザ素子に再入射
させる光学系と、回折格子からのレーザ素子に再入射さ
せる反射回折光とは異なる次数の反射回折光を受光検出
する受光素子とを設けるようにしたものである。
(作用)
本発明によれば、回折格子からの所定の次数(例えば1
次)の反射回折光をレーザ索子に再入射させることによ
り、従来と同様に発振波長の安定化をはかることが可能
であり、これに加えて回折格子からの上記回折光とは異
なる次数(例えば0次)の反射回折光を受光素子に入射
させるようにしているので、光出力安定化のための光出
力モニタを行うことができる。しかも、レーザ索子に戻
す光とモニタする光に回折格子からの異なる次数の反射
回折光を利用しているので、レーザ素子と回折格子とを
結ぶ光路を避けて受光素子を設置することが可能となる
。従って、発振波長の安定化と共に、光出力の安定化を
はかることが可能となる。
次)の反射回折光をレーザ索子に再入射させることによ
り、従来と同様に発振波長の安定化をはかることが可能
であり、これに加えて回折格子からの上記回折光とは異
なる次数(例えば0次)の反射回折光を受光素子に入射
させるようにしているので、光出力安定化のための光出
力モニタを行うことができる。しかも、レーザ索子に戻
す光とモニタする光に回折格子からの異なる次数の反射
回折光を利用しているので、レーザ素子と回折格子とを
結ぶ光路を避けて受光素子を設置することが可能となる
。従って、発振波長の安定化と共に、光出力の安定化を
はかることが可能となる。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の第1の実施例に係わる波長安定型半導
体レーザ装置を示す概略構成図である。図中10は半導
体レーザ素子であり、このレーザ索子10はGaA I
As系やI nGaA I P糸材料から形成されてい
る。そして、レーザ素子10の前端面11から前方出射
光Aが出射され、後端面12から後方出射光Bが出射さ
れるものとなっている。
体レーザ装置を示す概略構成図である。図中10は半導
体レーザ素子であり、このレーザ索子10はGaA I
As系やI nGaA I P糸材料から形成されてい
る。そして、レーザ素子10の前端面11から前方出射
光Aが出射され、後端面12から後方出射光Bが出射さ
れるものとなっている。
レーザ素子10の後方には、コリメートレンズ202回
折格子30及び受光素子40が配置されている。レンズ
20は、レーザ素子10からの後方出射光Bを平行光に
して回折格子30に入射すると共に、回折格子30から
の1次の反射回折光Cをレーザ素子10の後端面に戻す
(再入射)ものである。回折格子30は、発振すべき波
長である1次の回折光Cがレンズ20を介してレーザ素
子10に戻るように、コリメートされた後方出射光Bに
対して直交位置から傾けて設置されている。また、受光
素子40は、例えばフォトダイオードからなるもので、
回折格子30で回折された0次の反射回折光りが向かう
方向に設置されている。そして、この受光素子40にて
反射回折光りが検出され、その検出信号が図示しないレ
ーザ素子駆動電源等に供給されるものとなっている。
折格子30及び受光素子40が配置されている。レンズ
20は、レーザ素子10からの後方出射光Bを平行光に
して回折格子30に入射すると共に、回折格子30から
の1次の反射回折光Cをレーザ素子10の後端面に戻す
(再入射)ものである。回折格子30は、発振すべき波
長である1次の回折光Cがレンズ20を介してレーザ素
子10に戻るように、コリメートされた後方出射光Bに
対して直交位置から傾けて設置されている。また、受光
素子40は、例えばフォトダイオードからなるもので、
回折格子30で回折された0次の反射回折光りが向かう
方向に設置されている。そして、この受光素子40にて
反射回折光りが検出され、その検出信号が図示しないレ
ーザ素子駆動電源等に供給されるものとなっている。
なお、レーザ素子1oは、第2図(a) (b)に示す
如く、放熱を兼ねた基板50上に実装されているが、こ
の基板50はレーザ素子1oがらの出射光の広がりを考
慮して、レーザ素子設置部が突出形成されている。
如く、放熱を兼ねた基板50上に実装されているが、こ
の基板50はレーザ素子1oがらの出射光の広がりを考
慮して、レーザ素子設置部が突出形成されている。
このような構成であれば、レーザ素子1oの後方出射光
Bの一部が回折格子3oにより1次の反射回折光Cとし
てレーザ素子1oにフィードバックされることになり、
レーザ素子1oの発振波長の安定化をはかることができ
る。これに加えて、後方出射光Bの一部が回折格子3゜
により0次の反射回折光りとして受光素子4゜により検
出されることになる。従って、レーザ素子10の光出力
をモニタすることが可能となり、このモニタ信号をレー
ザ素子10の駆動電源等にフィードバックすることによ
り光出力の安定化をはかることができる。
Bの一部が回折格子3oにより1次の反射回折光Cとし
てレーザ素子1oにフィードバックされることになり、
レーザ素子1oの発振波長の安定化をはかることができ
る。これに加えて、後方出射光Bの一部が回折格子3゜
により0次の反射回折光りとして受光素子4゜により検
出されることになる。従って、レーザ素子10の光出力
をモニタすることが可能となり、このモニタ信号をレー
ザ素子10の駆動電源等にフィードバックすることによ
り光出力の安定化をはかることができる。
即ち、光出力が安定した波長安定型半導体レーザ装置を
実現することが可能となる。また、レーザ素子10に戻
す光とモニタする光に回折格子30からの異なる次数の
反射回折光を利用しているので、レーザ素子10と回折
格子3゜とを結ぶ光路を避けて受光素子40を設置する
ことが可能となり、受光素子40の設置が容易になる利
点もある。
実現することが可能となる。また、レーザ素子10に戻
す光とモニタする光に回折格子30からの異なる次数の
反射回折光を利用しているので、レーザ素子10と回折
格子3゜とを結ぶ光路を避けて受光素子40を設置する
ことが可能となり、受光素子40の設置が容易になる利
点もある。
第3図は本発明の第2の実施例を示す概略構成図である
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
この実施例が先に説明した第1の実施例と異なる点は、
回折格子と受光素子を一体形成したことにある。即ち、
受光素子40の一部(中央部)に回折格子30が設けら
れ、受光部は回折格子30を囲むリング状となっている
。そして、レーザ素子10からの後方出射光Bはコリメ
ートレンズ20を通して受光素子40に入射される。回
折格子30に入射したレーザ光は反射され、その1次の
反射回折光Cがレンズ20を通してレーザ索子10に再
入射する。回折格子30以外に入射した光は光出力のモ
ニタに利用される。
回折格子と受光素子を一体形成したことにある。即ち、
受光素子40の一部(中央部)に回折格子30が設けら
れ、受光部は回折格子30を囲むリング状となっている
。そして、レーザ素子10からの後方出射光Bはコリメ
ートレンズ20を通して受光素子40に入射される。回
折格子30に入射したレーザ光は反射され、その1次の
反射回折光Cがレンズ20を通してレーザ索子10に再
入射する。回折格子30以外に入射した光は光出力のモ
ニタに利用される。
このような構成であれば、レーザ素子10の後方出射光
Bを受光素子40で検出することができ、さらに回折格
子30による1次の反射回折光Cをレーザ素子10に戻
すことができる。
Bを受光素子40で検出することができ、さらに回折格
子30による1次の反射回折光Cをレーザ素子10に戻
すことができる。
従って、発振波長の安定化と共に光出力の安定化をはか
ることができ、先の第1の実施例と同様の効果が得られ
る。
ることができ、先の第1の実施例と同様の効果が得られ
る。
第4図は本発明の第3の実施例を示す概略構成図である
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
この実施例が先の第1の実施例と異なる点は、レーザ素
子の前方出射光を利用して波長安定化及び光出力モニタ
を行うことにある。即ち、レーザ素子10は大きな光出
力を取り出すことを目的に構成されたものであり、後端
面に反射膜13が形成されている。これにより、前方の
反射率を下げ、後方の反射率を上げ、前面の光パワー密
度の増大をはかっている。このようなレーザ素子では、
後方での十分なモニタ光を検出することは困難である。
子の前方出射光を利用して波長安定化及び光出力モニタ
を行うことにある。即ち、レーザ素子10は大きな光出
力を取り出すことを目的に構成されたものであり、後端
面に反射膜13が形成されている。これにより、前方の
反射率を下げ、後方の反射率を上げ、前面の光パワー密
度の増大をはかっている。このようなレーザ素子では、
後方での十分なモニタ光を検出することは困難である。
本実施例では、レーザ素子10の前方側にコリメートレ
ンズ20.ビームスプリッタ60゜回折格子30及び受
光素子40が設けられている。レーザ索子10からの前
方出射光Aはコリメートレンズ20を介して平行にされ
、その−部A′はビームスプリッタ60を通して出力さ
れる。また、前方出射光Aの一部はビームスプリッタ6
0で反射され、この反射光A′は回折格子30に入射す
る。回折格子30からの1次の反射回折光Cはビームス
プリッタ60で反射されレーザ素子10に再入射する。
ンズ20.ビームスプリッタ60゜回折格子30及び受
光素子40が設けられている。レーザ索子10からの前
方出射光Aはコリメートレンズ20を介して平行にされ
、その−部A′はビームスプリッタ60を通して出力さ
れる。また、前方出射光Aの一部はビームスプリッタ6
0で反射され、この反射光A′は回折格子30に入射す
る。回折格子30からの1次の反射回折光Cはビームス
プリッタ60で反射されレーザ素子10に再入射する。
また、回折格子30からの0次の反射回折光りは受光素
子40に入射するものとなっている。
子40に入射するものとなっている。
このような構成であれば、レーザ素子10からの前方出
射光Aの一部が回折格子30により1次の反射回折光C
としてレーザ素子10にフィードバックされることにな
り、レーザ素子10の発振波長の安定化をはかることが
できる。
射光Aの一部が回折格子30により1次の反射回折光C
としてレーザ素子10にフィードバックされることにな
り、レーザ素子10の発振波長の安定化をはかることが
できる。
これに加えて、前方出射光Aの一部が回折格子30によ
り0次の反射回折光りとして受光素子40により検出さ
れることになる。従って、発振波長の安定化及び光出力
の安定化をはかることができ、先の第1の実施例と同様
の効果が得られる。
り0次の反射回折光りとして受光素子40により検出さ
れることになる。従って、発振波長の安定化及び光出力
の安定化をはかることができ、先の第1の実施例と同様
の効果が得られる。
第5図は本発明の第4の実施例を示す概略構成図である
。なお、第4図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
。なお、第4図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
この実施例は、先の第3の実施例と異なる点は、回折格
子と受光素子を一体形成したことにある。即ち、受光素
子40は先の第2の実施例で用いたものと同様に、中央
部に回折格子30が設けられ、この回折格子30を囲む
ように受光部がリング状に形成されている。そして、ビ
ームスプリッタ60からの反射光A′は、一部が回折格
子30によりレーザ素子10にフィードバックされ、残
りが受光素子40にて検出されることになる。
子と受光素子を一体形成したことにある。即ち、受光素
子40は先の第2の実施例で用いたものと同様に、中央
部に回折格子30が設けられ、この回折格子30を囲む
ように受光部がリング状に形成されている。そして、ビ
ームスプリッタ60からの反射光A′は、一部が回折格
子30によりレーザ素子10にフィードバックされ、残
りが受光素子40にて検出されることになる。
このような構成であっても、先の第1の実施例と同様の
効果が得られるのは勿論である。なお、第4図及び第5
図の例では反射膜13を設けているが、これは反射膜1
3がなくて後方の反射率が低い場合でも同様の光学系を
用いて波長安定化・出力安定化をはかることができる。
効果が得られるのは勿論である。なお、第4図及び第5
図の例では反射膜13を設けているが、これは反射膜1
3がなくて後方の反射率が低い場合でも同様の光学系を
用いて波長安定化・出力安定化をはかることができる。
第6図は本発明の第5の実施例を示す概略構成図である
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
この実施例が先の第1の実施例と異なる点は、モニタ光
を取り出すためにビームスプリッタを用いたことにある
。即ち、レーザ素子10の後方には、先の第1の実施例
と同様にコリメートレンズ20及び回折格子30が設置
され、これに加えてレンズ20と回折格子30との間に
ビームスプリッタ60が設置されている。ビームスプリ
ッタ60を通過した光B′は回折格子30に入射し、そ
の1次の反射回折光Cがレーザ素子10に再入射する。
を取り出すためにビームスプリッタを用いたことにある
。即ち、レーザ素子10の後方には、先の第1の実施例
と同様にコリメートレンズ20及び回折格子30が設置
され、これに加えてレンズ20と回折格子30との間に
ビームスプリッタ60が設置されている。ビームスプリ
ッタ60を通過した光B′は回折格子30に入射し、そ
の1次の反射回折光Cがレーザ素子10に再入射する。
また、ビームスプリッタ60で反射した光B′は受光索
子40に入射し、受光素子40にて検出される。
子40に入射し、受光素子40にて検出される。
このような構成であっても、先の第1の実施例と同様に
、レーザ素子10からの後方出射光Bの一部を回折格子
30によりレーザ素子10にフィードバックすると共に
、後方出射光Bの一部を受光素子40でモニタすること
ができ、先の第1の実施例と同様の効果が得られる。
、レーザ素子10からの後方出射光Bの一部を回折格子
30によりレーザ素子10にフィードバックすると共に
、後方出射光Bの一部を受光素子40でモニタすること
ができ、先の第1の実施例と同様の効果が得られる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。実施例ではレーザ素子に再入射させる光を1次の
回折光、モニタする光を0次の回折光としたが、それぞ
れの光が異なる次数の回折光であればよい。また、前記
レーザ素子はGaA IAs系やInGaAIP系に限
るものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。
ない。実施例ではレーザ素子に再入射させる光を1次の
回折光、モニタする光を0次の回折光としたが、それぞ
れの光が異なる次数の回折光であればよい。また、前記
レーザ素子はGaA IAs系やInGaAIP系に限
るものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、レーザ素子からの
出射光の一部を回折格子に入射させ、回折格子からの異
なる次数の反射回折光の一方をレーザ素子へ再入射させ
、他方を受光素子に入射させモニタ光を検出する構成と
しているので、発振波長の安定化をはかるのは勿論のこ
と、光出力の安定化をはかり得る波長安定型半導体レー
ザ装置を実現することができる。
出射光の一部を回折格子に入射させ、回折格子からの異
なる次数の反射回折光の一方をレーザ素子へ再入射させ
、他方を受光素子に入射させモニタ光を検出する構成と
しているので、発振波長の安定化をはかるのは勿論のこ
と、光出力の安定化をはかり得る波長安定型半導体レー
ザ装置を実現することができる。
第1図は本発明の第1の実施例に係わる波長安定型半導
体レーザ装置を示す概略構成図、第2図は上記レーザ装
置に用いたマウント基板の構造を示す図、第3図は本発
明の第2の実施例を示す概略構成図、第4図は本発明の
第3の実施例を示す概略構成図、第5図は本発明の第4
の実施例を示す概略構成図、第6図は本発明の第5の実
施例を示す概略構成図である。 10・・・半導体レーザ索子、 11・・・レーザ素子前端面、 12・・・レーザ素子後端面、 13・・・レーザ素子反射膜、 20・・・コリメートレンズ、 30・・・回折格子、 4 0・・・受光素子、 0・・・マウン ト基板、 O・・・ビームスプリ ツタ。
体レーザ装置を示す概略構成図、第2図は上記レーザ装
置に用いたマウント基板の構造を示す図、第3図は本発
明の第2の実施例を示す概略構成図、第4図は本発明の
第3の実施例を示す概略構成図、第5図は本発明の第4
の実施例を示す概略構成図、第6図は本発明の第5の実
施例を示す概略構成図である。 10・・・半導体レーザ索子、 11・・・レーザ素子前端面、 12・・・レーザ素子後端面、 13・・・レーザ素子反射膜、 20・・・コリメートレンズ、 30・・・回折格子、 4 0・・・受光素子、 0・・・マウン ト基板、 O・・・ビームスプリ ツタ。
Claims (1)
- 前方と後方にレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
このレーザ素子からの後方出射光を反射回折する回折格
子と、前記レーザ素子からの後方出射光を前記回折格子
に入射させ、且つ前記回折格子からの所定次数の反射回
折光を前記レーザ素子に再入射させる光学系と、前記回
折格子からの前記レーザ素子に再入射させる反射回折光
とは異なる次数の反射回折光を受光検出する受光素子と
を具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP911890A JPH03212985A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP911890A JPH03212985A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212985A true JPH03212985A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11711721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP911890A Pending JPH03212985A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212985A (ja) |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP911890A patent/JPH03212985A/ja active Pending
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