JPH03214621A - 化合物半導体基板の熱処理装置 - Google Patents
化合物半導体基板の熱処理装置Info
- Publication number
- JPH03214621A JPH03214621A JP1014390A JP1014390A JPH03214621A JP H03214621 A JPH03214621 A JP H03214621A JP 1014390 A JP1014390 A JP 1014390A JP 1014390 A JP1014390 A JP 1014390A JP H03214621 A JPH03214621 A JP H03214621A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- container
- compound semiconductor
- semiconductor substrate
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
化合物半導体基板の熱処理装置に関し、熱処理後の化合
物半導体基板が平衡状態を凍結するために栄、激に冷却
される装置を目的とし、熱処理用ガスを供給するソース
の収容容器と、熱処理すべき化合物半導体基板とを所定
の距離を隔てて封入する容器を有し、 前記容器を加熱して蒸発したソースを前記基板内に導入
して該基板のキャリア濃度を所定の値に制御する装置で
あって、 前記化合物半導体基板の設置領域を、前記容器の長手方
向の管軸に沿って切断した平坦面上としたことで構成す
る。または前記化合物半導体基板を設置する治具を設け
、該治具の断面が半円形状で前記封管に内接し、かつ熱
良導性部材で形成されていることで構成する。
物半導体基板が平衡状態を凍結するために栄、激に冷却
される装置を目的とし、熱処理用ガスを供給するソース
の収容容器と、熱処理すべき化合物半導体基板とを所定
の距離を隔てて封入する容器を有し、 前記容器を加熱して蒸発したソースを前記基板内に導入
して該基板のキャリア濃度を所定の値に制御する装置で
あって、 前記化合物半導体基板の設置領域を、前記容器の長手方
向の管軸に沿って切断した平坦面上としたことで構成す
る。または前記化合物半導体基板を設置する治具を設け
、該治具の断面が半円形状で前記封管に内接し、かつ熱
良導性部材で形成されていることで構成する。
？産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体基板の熱処理装置に係り、特に水
銀を含む化合物半導体基板の熱処理装置に関する。
銀を含む化合物半導体基板の熱処理装置に関する。
赤外線検知素子のような光検知素子に於いては、エネル
ギーハンドギャソブの狭い水銀・カドミウム・テルル（
｝Ｉｇ＋−ＸｃｄＸＴｅ）のような化合物半導体結晶が
用いられている。
ギーハンドギャソブの狭い水銀・カドミウム・テルル（
｝Ｉｇ＋−ＸｃｄＸＴｅ）のような化合物半導体結晶が
用いられている。
このようなＩｌｇ ＋ − ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶は、
結晶成長時点で通常Ｐ゛型１１ｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ
結晶であり、光検知素子を形成する場合には、このＰ＋
Ｈｇ，■ＣｄＸＴｅ結晶を水銀（Ｉｌｇ）雰囲気内で加
熱処理して、該Ｈｇ原子を拡散してＰ ” Ｈｇ＋−ｘ
ｃａＸＴｅ結晶の空格子点を埋める。そして該ｔｌｇ
＋−ｘ ＣｄＸＴｅ結晶のキャリア濃度を所定の値に制
御してＮ型Ｈｌ’！ｌ−Ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶とずる。
結晶成長時点で通常Ｐ゛型１１ｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ
結晶であり、光検知素子を形成する場合には、このＰ＋
Ｈｇ，■ＣｄＸＴｅ結晶を水銀（Ｉｌｇ）雰囲気内で加
熱処理して、該Ｈｇ原子を拡散してＰ ” Ｈｇ＋−ｘ
ｃａＸＴｅ結晶の空格子点を埋める。そして該ｔｌｇ
＋−ｘ ＣｄＸＴｅ結晶のキャリア濃度を所定の値に制
御してＮ型Ｈｌ’！ｌ−Ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶とずる。
そしてこのＮ型ｔｌｇ＋−ｘ Ｃｄ．． Ｔｅ結晶に電
極を形成して赤外線検知素子とする。
極を形成して赤外線検知素子とする。
［従来の技術］
従来、このようなｕｇ，−、Ｃｄ， Ｔｅの熱処理装置
として第５図、および第５図のｖ−ｖ ′線断面図に示
すように、一端が有底の管状の容器１内の一端部に石英
板よりなる基板設置治具２に熱処理すべきＨｇ，−ｘ
ＣｄＸＴｅ基板３を設置し、該容器１内の他端部に水銀
よりなるソース４を収容したソースの収容容器５を設置
し、該容器１内を排気した後、他端部を有底の石英管６
にて封止する。
として第５図、および第５図のｖ−ｖ ′線断面図に示
すように、一端が有底の管状の容器１内の一端部に石英
板よりなる基板設置治具２に熱処理すべきＨｇ，−ｘ
ＣｄＸＴｅ基板３を設置し、該容器１内の他端部に水銀
よりなるソース４を収容したソースの収容容器５を設置
し、該容器１内を排気した後、他端部を有底の石英管６
にて封止する。
この基板設置治具２ば図示しないが一端部に開口部を有
し、この基板設置治具に熱処理すべきｌｌｇｘ Ｃｄｘ
Ｔ（４基板を設置した状態で、この開口部に石芙棒の
一端に設けた突起を通して容器】の内部に挿入すると該
容器の内壁に基板設置治具の縁が接触して固定される。
し、この基板設置治具に熱処理すべきｌｌｇｘ Ｃｄｘ
Ｔ（４基板を設置した状態で、この開口部に石芙棒の
一端に設けた突起を通して容器】の内部に挿入すると該
容器の内壁に基板設置治具の縁が接触して固定される。
そして上記容器１の温度が２７０゜Ｃとなるような温度
分布曲線を有する加熱炉（図示せず）内に導入し、該容
器を２４時間加熱した後、該容器を加熱炉より取り出し
、該容器のｌｌｇ．ＸＣｄウＴｅ基板を設置している側
より冷却水に浸漬する。そしてｌｌｇＣｄＸＴｅ基板を
急冷して、該結晶内のキャリア濃度が平衡状態を保って
いる状態を凍結してＮ型に変換ざれたｔｌｇ＋−ｘ Ｃ
ｄＸＴｅのキャリア濃度を所定の値に制１卸している。
分布曲線を有する加熱炉（図示せず）内に導入し、該容
器を２４時間加熱した後、該容器を加熱炉より取り出し
、該容器のｌｌｇ．ＸＣｄウＴｅ基板を設置している側
より冷却水に浸漬する。そしてｌｌｇＣｄＸＴｅ基板を
急冷して、該結晶内のキャリア濃度が平衡状態を保って
いる状態を凍結してＮ型に変換ざれたｔｌｇ＋−ｘ Ｃ
ｄＸＴｅのキャリア濃度を所定の値に制１卸している。
然し、上記した従来の熱処理装置では、基板設置治具２
と容器１との接触面積が小さく、かつ該容器１内は真空
であるために熱が伝達し難く、該容器を冷却水に浸漬し
て熱処理後のＮ型のＨｇｆ−ｘＣｄＸＴｅ基板３を急冷
しようとしても、該基板より熱が奪われ難いために基板
を急速に冷却することが困難である。
と容器１との接触面積が小さく、かつ該容器１内は真空
であるために熱が伝達し難く、該容器を冷却水に浸漬し
て熱処理後のＮ型のＨｇｆ−ｘＣｄＸＴｅ基板３を急冷
しようとしても、該基板より熱が奪われ難いために基板
を急速に冷却することが困難である。
本発明は上記した問題点を除去し、熱処理後の基板が急
速に冷却されるようにした化合物半導体基板の熱処理装
置の提供を目的とする。
速に冷却されるようにした化合物半導体基板の熱処理装
置の提供を目的とする。
５
Ｃ課題を解決するための手段〕
上記した目的を達成する木発明の化合物半導体基板の熱
処理装置は、熱処理用ガスを供給するソースの収容容器
と、熱処理すべき化合物半導体基板とを所定の距離を隔
てて封入する容器を存し、前記容器を加熱して蒸発した
ソースを前記基板内に導入して該基板のキャリア濃度を
所定の値に制御する装置であって、 前記化合物半導体基板を設置する容器の領域を、前記容
器の長手方向の管軸に沿って切断した平坦面上として構
成する。または前記化合物半導体基板を設置する治具を
設け、該治具の断面が半円形状で前記容器に内接し、か
つ熱良導性部材で形成されていることで構成する。
処理装置は、熱処理用ガスを供給するソースの収容容器
と、熱処理すべき化合物半導体基板とを所定の距離を隔
てて封入する容器を存し、前記容器を加熱して蒸発した
ソースを前記基板内に導入して該基板のキャリア濃度を
所定の値に制御する装置であって、 前記化合物半導体基板を設置する容器の領域を、前記容
器の長手方向の管軸に沿って切断した平坦面上として構
成する。または前記化合物半導体基板を設置する治具を
設け、該治具の断面が半円形状で前記容器に内接し、か
つ熱良導性部材で形成されていることで構成する。
？作 用〕
熱処理ずべきＨｇ＋■ＣｄＸＴｅの基板の設置領域の管
状の容器の部分を、該管状の容器の長手方向の軸に沿っ
て切断した平坦面上とすることで、基板と容器の接触面
積が大きく成るようにして、該容６ 器を冷却水で冷却した際の基板の冷却効果を高める。
状の容器の部分を、該管状の容器の長手方向の軸に沿っ
て切断した平坦面上とすることで、基板と容器の接触面
積が大きく成るようにして、該容６ 器を冷却水で冷却した際の基板の冷却効果を高める。
また上記基板を設置する治具を熱伝導性の良いサファイ
ア、或いはカーボンにて形成するとともに、該治具の断
面を半円形状にして容器の内面に沿わずことで基板設置
治具と容器の接触面積を高め、暴板の冷却効果を高める
ことで、その上に設置される基板の冷却効果を高め、熱
処理後の基板が急速に冷却されるようにする。
ア、或いはカーボンにて形成するとともに、該治具の断
面を半円形状にして容器の内面に沿わずことで基板設置
治具と容器の接触面積を高め、暴板の冷却効果を高める
ことで、その上に設置される基板の冷却効果を高め、熱
処理後の基板が急速に冷却されるようにする。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の化合物半導体基板の熱処理装置の第１
実施例を示す模式図である。
実施例を示す模式図である。
第１図に図示するように本発明の容器１１は、熱処理す
べきＨｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅの基板１２の設”ｆｉｌ
Ｔｉｌ域の部分を、該容器の長手方向の管軸１３に沿
って切断した平坦面１４上とする。
べきＨｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅの基板１２の設”ｆｉｌ
Ｔｉｌ域の部分を、該容器の長手方向の管軸１３に沿
って切断した平坦面１４上とする。
この平坦面１４の上に熱処理すべきｌｌｇ＋−ｘ Ｃｄ
ｘ Ｔｅ一７ の基板１２を設置し、該容器の他端部に２グラムの水銀
を収容したソースの収容容器１６を設置した状態で該容
器内を真空に排気した後、該容器の他端部を有底の石英
管１７を用いて封止する。
ｘ Ｔｅ一７ の基板１２を設置し、該容器の他端部に２グラムの水銀
を収容したソースの収容容器１６を設置した状態で該容
器内を真空に排気した後、該容器の他端部を有底の石英
管１７を用いて封止する。
そしてこの容器１１を第２図の２１に示す温度分布曲線
を有する加熱炉（図示せず）内に挿入し、前記容器を２
７０ ’Ｃの温度で２４時間加熱処理した後、該容器１
１を加熱炉より取り出して、該容器を基板が設置されて
いる側より冷却水内に浸漬して象，速冷却する。
を有する加熱炉（図示せず）内に挿入し、前記容器を２
７０ ’Ｃの温度で２４時間加熱処理した後、該容器１
１を加熱炉より取り出して、該容器を基板が設置されて
いる側より冷却水内に浸漬して象，速冷却する。
このようにすれば、基板の容器に接触する面積が、従来
の装置に比してはるかに大きくなるので、基板の冷却時
間が短縮され、かつ冷却時のキャリア濃度の変動が少な
《なり、結晶面内に於Ｕるキャリア濃度のばらつきや、
加熱処理ロフト間のキャリアのばらつきも従来の装置に
比べて減少するようになった。
の装置に比してはるかに大きくなるので、基板の冷却時
間が短縮され、かつ冷却時のキャリア濃度の変動が少な
《なり、結晶面内に於Ｕるキャリア濃度のばらつきや、
加熱処理ロフト間のキャリアのばらつきも従来の装置に
比べて減少するようになった。
また本発明の第２実施例として、第３図に示すように前
記したように熱処理の容器を変形する代わりに、熱処理
の容器の材料の石英ガラスよりも−８ 熱伝導率の良いカーボン、或いはサファイア基板を用い
て基板設置治具２２を形成する。
記したように熱処理の容器を変形する代わりに、熱処理
の容器の材料の石英ガラスよりも−８ 熱伝導率の良いカーボン、或いはサファイア基板を用い
て基板設置治具２２を形成する。
そして第４図（ａ）の平面図、第４図（ａｌＩＶ−ＩＶ
′線断面図の第４図ｆｂ）に示すように、この断面構造
を熱処理の容器２３の内面に沿って接触するような半円
形状とすることで、熱処理容器に対する接触面積が大き
くなり、容器を冷却水に浸漬した際に、熱処理された基
板より急速に熱が奪われるようにしても良い。
′線断面図の第４図ｆｂ）に示すように、この断面構造
を熱処理の容器２３の内面に沿って接触するような半円
形状とすることで、熱処理容器に対する接触面積が大き
くなり、容器を冷却水に浸漬した際に、熱処理された基
板より急速に熱が奪われるようにしても良い。
以上述べたように、本発明の化合物半導体基板の熱処理
装置によれば、熱処理後の基板が急速に冷却されるため
に、熱処理時に平衡状態となっているキャリア濃度が、
熱処理後の冷却過程で変動しなくなるので、基板面内、
および熱処理ロフトに対してキャリア濃度の変動しない
高品質のＮ型のＨｇ＋−ｘ Ｃｄ）（ Ｔｅ結晶が得ら
れる。
装置によれば、熱処理後の基板が急速に冷却されるため
に、熱処理時に平衡状態となっているキャリア濃度が、
熱処理後の冷却過程で変動しなくなるので、基板面内、
および熱処理ロフトに対してキャリア濃度の変動しない
高品質のＮ型のＨｇ＋−ｘ Ｃｄ）（ Ｔｅ結晶が得ら
れる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、キャリ
ア濃度の安定したＮ型Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶が
一９一 得られ、該結晶を用いて光検知素子を形成すると高品質
な光検知素子が得られる効果がある。
ア濃度の安定したＮ型Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶が
一９一 得られ、該結晶を用いて光検知素子を形成すると高品質
な光検知素子が得られる効果がある。
なお、本実施例ではＨｇ＋−ＸＣｄｘ Ｔｅ基板の熱処
理について述べたが、ＧａＡｓ基板の熱処理にも本発明
の装置は適用できる。
理について述べたが、ＧａＡｓ基板の熱処理にも本発明
の装置は適用できる。
第１図は本発明の第１実施例を示す模式図、第２図は加
熱炉の温度分布図、 第３図は本発明の第２実施例を示す模式図、第４図は第
２実施例の基板設置治具の平面図および断面図、 第５図は従来の装置の正面図、 第６図は第５図のＶ〜Ｖ′線断面図である。 図において、 １１．２３は容器、１２ばｌＩｇ＋−ｘ ＣｄＸＴ６基
板、１３は管軸、１４は平坦面、１５はソース、１６は
ソースの収容容器、１７は石英管、２１は加熱炉の温度
分布曲線、２２は基板設置治具を示す。
熱炉の温度分布図、 第３図は本発明の第２実施例を示す模式図、第４図は第
２実施例の基板設置治具の平面図および断面図、 第５図は従来の装置の正面図、 第６図は第５図のＶ〜Ｖ′線断面図である。 図において、 １１．２３は容器、１２ばｌＩｇ＋−ｘ ＣｄＸＴ６基
板、１３は管軸、１４は平坦面、１５はソース、１６は
ソースの収容容器、１７は石英管、２１は加熱炉の温度
分布曲線、２２は基板設置治具を示す。
Claims (2)
- （１）熱処理用ガスを供給するソースの収容容器（１６
と、熱処理すべき化合物半導体基板（１２）とを所定の
距離を隔てて封入する容器（１１）を有し、前記容器（
１１）を加熱して蒸発したソースを前記化合物半導体基
板内に導入して該基板のキャリア濃度を所定の値に制御
する装置に於いて、 前記化合物半導体基板（１２）の設置領域を、前記容器
（１１）の長手方向の管軸（１３）に沿って切断した平
坦面（１４）上としたことを特徴とする化合物半導体基
板の熱処理装置。 - （２）熱処理用ガスを供給するソースの収容容器（１６
と、熱処理すべき化合物半導体基板（１２）とを所定の
距離を隔てて封入する容器（２３）を有し、前記容器（
２３）を加熱して蒸発したソースを前記化合物半導体基
板（１２）内に導入して該基板のキャリア濃度を所定の
値に制御する装置に於いて、前記容器（２３）内の端部
に、断面が半円形状で前記容器（２３）に内接し、かつ
熱良導性部材で形成されている化合物半導体基板（１２
）を設置する基板設置治具（２２）を設け、該基板設置
治具上に熱処理すべき化合物半導体基板を設置したこと
を特徴とする化合物半導体基板の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014390A JP2751516B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 化合物半導体基板の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014390A JP2751516B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 化合物半導体基板の熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214621A true JPH03214621A (ja) | 1991-09-19 |
| JP2751516B2 JP2751516B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=11742063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1014390A Expired - Fee Related JP2751516B2 (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 化合物半導体基板の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751516B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104716027B (zh) * | 2013-12-13 | 2017-08-01 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器Zn杂质源扩散的装置及其应用 |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP1014390A patent/JP2751516B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751516B2 (ja) | 1998-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5279973A (en) | Rapid thermal annealing for semiconductor substrate by using incoherent light | |
| CA1124409A (en) | Semiconductor plasma oxidation | |
| KR940016544A (ko) | 반도체기판의 작성방법 및 고체촬상장치의 제조방법 | |
| Pinizzotto et al. | Subgrain boundaries in laterally seeded silicon‐on‐oxide formed by graphite strip heater recrystallization | |
| US5933751A (en) | Method for the heat treatment of II-VI semiconductors | |
| KR20030019471A (ko) | 디누디드 존을 갖는 실리콘 웨이퍼를 형성하는 방법 및장치 | |
| US4492852A (en) | Growth substrate heating arrangement for UHV silicon MBE | |
| KR20030019472A (ko) | 디누디드 존을 갖는 에피택셜 실리콘 웨이퍼를 형성하는방법 및 장치 | |
| JPH03214621A (ja) | 化合物半導体基板の熱処理装置 | |
| US5174854A (en) | Crystal growth of group II-VI compound semiconductor | |
| US6149728A (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| US5944891A (en) | Method for the heat treatment of ZnSe crystal | |
| US4468258A (en) | Method of controlling the partial pressure of at least one substance mixture or mixture of substances | |
| JP2758770B2 (ja) | 半導体基板熱処理用治具 | |
| JPH0480880B2 (ja) | ||
| JPS59139624A (ja) | 試料の加熱方法 | |
| US4421479A (en) | Process for treating a semiconductor material by blackbody radiation source with constant planar energy flux | |
| JPH0697180A (ja) | 化合物半導体基板の熱処理方法 | |
| Fan et al. | Transient heating with graphite heaters for semiconductor processing | |
| JP3735881B2 (ja) | 結晶製造方法 | |
| KR100488830B1 (ko) | Ii-vi족화합물반도체의열처리방법 | |
| JPH02192722A (ja) | 半導体デバイス材料の製造方法 | |
| JPH0480878B2 (ja) | ||
| JPH0521367A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH026385A (ja) | 薄膜の形成方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |