JPH03214643A - Vacuum suction jig - Google Patents

Vacuum suction jig

Info

Publication number
JPH03214643A
JPH03214643A JP2008267A JP826790A JPH03214643A JP H03214643 A JPH03214643 A JP H03214643A JP 2008267 A JP2008267 A JP 2008267A JP 826790 A JP826790 A JP 826790A JP H03214643 A JPH03214643 A JP H03214643A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
collet
solder
pellet
vacuum suction
suction jig
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008267A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirohiko Hayakawa
博彦 早川
Sakae Kikuchi
栄 菊地
Haruo Iizuka
春雄 飯塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP2008267A priority Critical patent/JPH03214643A/en
Publication of JPH03214643A publication Critical patent/JPH03214643A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造治具に係わり、特に導電性接
着剤等により支持基板に半導体素子を取付けるものの真
空吸着治具に適用して有効な技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a jig for manufacturing semiconductor devices, and is particularly effective when applied to a vacuum suction jig for attaching a semiconductor element to a support substrate using a conductive adhesive or the like. It is related to technology.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に半導体装置を組み立てる場合、グイボンダの真空
吸着治具(以下、コレットという)により半導体素子を
真空吸着し保持した後、リードフレームに形成されたタ
ブ等の支持基板に半田、Au一Si共晶、Agペースト
等により取付けられる。
Generally, when assembling a semiconductor device, after a semiconductor element is vacuum-adsorbed and held using a Guibonda vacuum suction jig (hereinafter referred to as a collet), solder is applied to a support substrate such as a tab formed on a lead frame, and Au-Si eutectic, etc. It can be attached using Ag paste or the like.

半導体装置の中でもパワートランジスタおよびパワーI
Cと(・った比較的高出力ものについては、低価格化お
よび半導体素子(以下、ベレノトという)の温度変化に
より発生する支持基板とペレノトとの熱膨張係数の相違
から発生するストレスを吸収するために導電性接着剤と
して、例えば半田等が用いられることが多い。このよう
なコレノトはペレットと接触する側に凹部が形成されベ
レノトの周囲で接触するような構造となってし・ろ。
Among semiconductor devices, power transistors and power I
For relatively high-output products such as C and (・), it absorbs the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the support substrate and the Pellenoto, which is caused by lower prices and temperature changes in the semiconductor element (hereinafter referred to as Pellenoto). For this purpose, solder, for example, is often used as a conductive adhesive.Such a recess has a structure in which a concave portion is formed on the side that comes into contact with the pellet, and the contact is made around the periphery of the pellet.

このようなコレットを示した文献としては、工業調査会
発行「集積回路技術」傳田清一著1968年刊143頁
から144貞および日刊工業新聞社発行[工業技術ライ
ブラリー24、ボンディング技術」浅香寿一著昭和45
年刊75自から76負がある。
Documents showing such collets include "Integrated Circuit Technology" by Seiichi Denda, Published by Kogyo Kenkyukai, 1968, pp. 143-144, and "Industrial Technology Library 24, Bonding Technology" by Juichi Asaka, published by Nikkan Kogyo Shimbun. Showa 45
There are 76 negatives from the annual 75 self.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

通常の半導体装置においては、半田量が少ないことから
上記したようなコ1/ットでもよいが、本発明者におい
て目的とする高出力型の半導体装置を従来の構造で用い
ようとすると,半田の厚みが数ミクロンと薄いことから
高出力素子でスイッチング回数が増加するとストレスが
発生し、従来の半田の厚みでは吸収できないほどとなっ
てしまり・、ベレントクラック等の不良を発生すること
があった。
In a normal semiconductor device, since the amount of solder is small, 1/t as described above may be used, but when the present inventor attempts to use a high-output type semiconductor device with a conventional structure, it is difficult to use solder. The thickness of the solder is as thin as several microns, so when the number of switching increases in high-output devices, stress is generated that cannot be absorbed by the thickness of conventional solder, which can lead to defects such as berent cracks. Ta.

本発明者は上記した事項を枚削し、支持基板とペレット
間の厚みを40μm以上とすることで高出力の半導体装
置のクラノク等の不良を防止することができることを発
見した。
The inventors of the present invention have discovered that defects such as cracks in high-output semiconductor devices can be prevented by eliminating the above-mentioned problems and making the thickness between the supporting substrate and the pellet 40 μm or more.

しかし、このような半導体装置は従来に比べ多量の半田
を必要とすることから、銅等の素岐からなるリードフレ
ームに半田層を厚くした半導体装置を形成するために、
立方状に成形した多量の半田をリードフレームに載せ、
前記半田を挾みこむように、コレノトにより保持された
ベレッ1・を支持基板となるタブ等に押しつけると、半
田がベレットの4辺のそれぞれの辺の中央部分からはみ
田し、表面張力により半田がほぼ垂直に盛り上がり、そ
の結果半田がコレットに付着してしまい、付着したコレ
ソトから半田を取り除くことが必要となり、量産には適
さないという問題があることがわかった。
However, such semiconductor devices require a larger amount of solder than conventional ones, so in order to form semiconductor devices with a thick solder layer on a lead frame made of copper or other materials,
A large amount of solder formed into a cube is placed on the lead frame,
When the bellet 1, which is held by a collector, is pressed against a tab that serves as a support substrate so as to sandwich the solder, the solder is squeezed out from the center of each of the four sides of the bellet, and the solder is removed due to surface tension. It was found that there was a problem in that the solder rose almost vertically, and as a result, the solder adhered to the collet, making it necessary to remove the solder from the adhered collet, making it unsuitable for mass production.

また、コレノトが半田により汚れてI−まうと完全に半
田を取り除くことが不可能となり、そのコレットを使用
したベレクトに残留半田が付着し、ベレット上で短絡が
発生してしまうと(・5問題もあった。
In addition, if the collet becomes contaminated with solder, it becomes impossible to completely remove the solder, and residual solder adheres to the collet using the collet, causing a short circuit on the collet (Problem 5). There was also.

さらに、このような盛り上がりを防止するためにリード
フレームにあらかじめ半田等のメッキを行なっておき、
半田との濡れ性を良く(一、半田が盛り上がらないよう
にする方法もあるが、メッキを行なうことで半導体装置
が高価なものとなってしまう。また半田等のメッキでは
導竃性接着剤として銀ペースト等を使用した場合のこと
を考慮すると最適な解決手段とは言えない。
Furthermore, in order to prevent such swelling, the lead frame is plated with solder etc. in advance.
There are methods to improve wettability with solder (1. To prevent solder from swelling, but plating makes semiconductor devices expensive. Also, when plating solder, etc., use a conductive adhesive. Considering the case where silver paste or the like is used, this cannot be said to be an optimal solution.

本発明は、上記したような不良の発生を防止するだめの
厚い半田層を有する半導体装置の量産化に適したコレッ
トを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a collet suitable for mass production of semiconductor devices that has a sufficiently thick solder layer to prevent the occurrence of defects as described above.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次ぎりとおりである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、方形のベレットを真空吸着するコレットにお
いて、前記ペレットとペレットに相対するコレットの4
辺の中央部の外側に溝を設け、ベレットの4隅の近傍で
接触するように構成したコレットである。
That is, in a collet that vacuum-chucks a rectangular pellet, the pellet and the collet 4 facing the pellet are
This is a collet with grooves provided on the outside of the central part of the sides so as to make contact near the four corners of the pellet.

〔作用〕[Effect]

上記したコレットによればペレットを支持基板に押しつ
けることによりペレットの4辺のほぼ中央部からはみだ
した接着剤が治具に付着することがないので、ベレット
に汚れが付かず量産に適したコレットを得ることができ
る。
According to the collet described above, by pressing the pellet against the support substrate, the adhesive protruding from the center of the four sides of the pellet does not adhere to the jig, so the collet is suitable for mass production without staining the pellet. Obtainable.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の真空治具の側面図、第2図はその正面
図、第3図はそのX−X断面図、第4図および第5図は
第1図〜第3図に示したコレットを使用し、製造した場
合を説明丁るための側面断面図である。第6図は第1図
〜第3図に示したコレットでベレットを吸着した場合を
示すための斜視図、第7図および第8図は本発明のコレ
ットを使用し、製造した半導体装置の特性を示す図であ
る。
Figure 1 is a side view of the vacuum jig of the present invention, Figure 2 is its front view, Figure 3 is its XX sectional view, and Figures 4 and 5 are shown in Figures 1 to 3. FIG. 3 is a side cross-sectional view for explaining a case in which the collet is manufactured using the same collet. FIG. 6 is a perspective view showing the case where a pellet is attracted by the collet shown in FIGS. 1 to 3, and FIGS. 7 and 8 are characteristics of a semiconductor device manufactured using the collet of the present invention. FIG.

以下、図面にもとすいて説明する。The explanation will be given below with reference to the drawings.

本実施例に本発明のコレットは第1図〜第3図に示した
ようなコレットが使用される。
In this embodiment, the collets of the present invention as shown in FIGS. 1 to 3 are used.

このコレット1の凹部2は、ほぼ中央部に凹部2を負圧
とするために空気を排出する穴部3が設けられている。
The recess 2 of the collet 1 is provided with a hole 3 approximately in the center thereof for discharging air in order to create a negative pressure in the recess 2.

この凹部2は角錐上に形成されており、その最も深い部
分に前記大部3を有する構成となっている。
The recess 2 is formed in the shape of a pyramid, and has the large portion 3 at its deepest portion.

さら忙コレット1の4辺の中央の部分の外側に溝4か設
けられている。このコレット1の凹部2を形成する最も
外側の部分の一辺の長さはそれぞれ吸着される対象とな
るベレットの一辺とほぼ同等の長さとなっている。
A groove 4 is provided on the outside of the central portion of the four sides of the smooth collet 1. The length of one side of the outermost portion of the collet 1 forming the concave portion 2 is approximately equal to the length of one side of the pellet to be sucked.

次にコレットを用いた半導体装置の製造につぃて説明す
る。
Next, manufacturing of a semiconductor device using a collet will be explained.

まず銅からなるリードフレーム8が用意される。First, a lead frame 8 made of copper is prepared.

次にリードフレーム8のペレット6を取付ける部分に半
田箔7が置かれる。この半田箔7はどのような形状でも
かまわないが立方状K形成されたものが位置関係を決め
る場合好ましい。半田箔7は前記ベレット6の取り付け
の際、方形のベレット6のほぼ中央部に対応する位置関
係に配置される。
Next, solder foil 7 is placed on the portion of lead frame 8 where pellet 6 is to be attached. This solder foil 7 may have any shape, but it is preferable to have a cubic K shape when determining the positional relationship. The solder foil 7 is placed in a positional relationship corresponding to approximately the center of the rectangular bullet 6 when the bullet 6 is attached.

その後、前記半田箔7を加熱し溶融状態としておく。Thereafter, the solder foil 7 is heated and kept in a molten state.

上記したコレットlは、ベレット6を真空吸着し保持す
る。このコレットlは半導体素子の各辺中央部に相対す
る部分の外側に溝が設けられているので、ペレットとは
4隅近傍で接触するような構成となっており、前記溝部
を除いたコレット長1は対象となるペレットの一辺の長
さと同一に形成されると共に、溝部の周囲は対象となる
ベレット6と極めて近接するようになっているため、半
導体素子全面を保護できる。
The above-mentioned collet 1 holds the pellet 6 by vacuum suction. This collet l has a groove on the outside of the part facing the center of each side of the semiconductor element, so it is configured so that it contacts the pellet near the four corners, and the length of the collet excluding the grooves is 1 is formed to have the same length as one side of the target pellet, and the periphery of the groove is very close to the target pellet 6, so that the entire surface of the semiconductor element can be protected.

その後、コレット1に保持されたペレット6はベレット
6の支持基板となるタブに搬送され、前記溶融した状態
の半田箔7をはさみ込んで押しつけられ、支持基板に取
付けられる。この際コレットの4辺の周囲の辺のほぼ中
央から半田7aが上方に向かってはみ出すが、溝4が形
成されているのでコレット1に半田7aが付着すること
はない。
Thereafter, the pellet 6 held by the collet 1 is conveyed to a tab serving as a support substrate of the pellet 6, and the molten solder foil 7 is sandwiched and pressed against the tab to be attached to the support substrate. At this time, the solder 7a protrudes upward from approximately the center of the four sides of the collet, but since the groove 4 is formed, the solder 7a does not adhere to the collet 1.

一旦コレットlによって押しつけられたペレット6はコ
レットlからの真空引きを止めることにより離れ、その
際半田7の表面張力によりその厚みが押しつけられてい
る場合より増加する。
Once the pellet 6 is pressed by the collet 1, it is separated by stopping the evacuation from the collet 1. At this time, the thickness of the pellet 6 increases due to the surface tension of the solder 7 compared to when the pellet 6 is pressed.

この最終的な厚みは本発明者の検討の結果、その半田量
を調整することにより制御することが可能であることが
わかった。本発明者によれば、その厚みは40μm以上
とすることで半導体素子の特性において良い効果が得ら
れた。
As a result of studies conducted by the present inventors, it has been found that this final thickness can be controlled by adjusting the amount of solder. According to the present inventor, by setting the thickness to 40 μm or more, good effects on the characteristics of the semiconductor element were obtained.

このように半導体素子が取り付けられた後、ワイヤボン
デイングおよび樹脂封止工程、さらにリードフレームの
切断等が行われ半田層の厚い半導体装置を得ることがで
きる。
After the semiconductor element is attached in this manner, wire bonding and resin sealing steps, and further cutting of the lead frame, etc., are performed to obtain a semiconductor device with a thick solder layer.

なお、第7図および第8図に示すように本発明の真空吸
着治具を使用することで信頼度の高い半導体装置を得る
ことができた。
Incidentally, as shown in FIGS. 7 and 8, a highly reliable semiconductor device could be obtained by using the vacuum suction jig of the present invention.

以上、本発明を本発明者による実施例K基すいて説明し
たが、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
Although the present invention has been described above based on Example K by the present inventor, the present invention is not limited to the above-mentioned Examples.

例えば、真空吸着治具の形状は対象となる半導体素子の
形状にあわせて4隅で接触するような形状を有していれ
ばどんな形状でもかまわない。さらに本発明の真空吸着
治具を使用する半導体装置の導電性接着剤としては銀ペ
ーストを用いても良いし、他のものを用いても良い。さ
らにリードフレームはどのようなものを使用してもかま
わない、また溝部を除いたコレット長1は、対象となる
ベレットの一辺とほぼ同一に形成したが、半田が接触し
ない範囲で大きくしたり、また小さくしたりしてもかま
わない。
For example, the shape of the vacuum suction jig may be any shape as long as it has a shape that matches the shape of the target semiconductor element and contacts the four corners. Further, as the conductive adhesive for the semiconductor device using the vacuum suction jig of the present invention, silver paste or other materials may be used. Furthermore, any lead frame can be used, and the collet length 1 excluding the groove part was formed to be almost the same as one side of the target pellet, but it may be made larger as long as the solder does not come into contact with it. You can also make it smaller.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によって得られる効果のうち、代表的なものを説
明すれば下記のとおりである。
Among the effects obtained by the present invention, typical effects are as follows.

半導体素子と4隅で接触するような真空吸着治具を使用
するので、多量に導電性接着剤を使用するものにおいて
も接着剤の付着のないコレットを得ることができる。ま
た、接着剤の付着がないので量産に適したコレットを提
供することができる。
Since a vacuum suction jig that contacts the semiconductor element at four corners is used, it is possible to obtain a collet without adhesion of adhesive even when a large amount of conductive adhesive is used. Furthermore, since there is no adhesive, a collet suitable for mass production can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の真空吸着治真の側面図、第2図はその
正面図、 第3図は第2図に示した真空吸着治具のx−x’断面図
、 第4図.第5図は本発明の真空吸着治具を使用しベレッ
トをとりつける場合を説明するための側面断面図、 第6図は本発明の真空吸着治具で半導体素子を吸着した
場合を示すための斜視図、 第7図,第8図は本発明の真空吸着治具を使用し製作し
た半導体装置の特性を示す図である。
Fig. 1 is a side view of the vacuum suction jig of the present invention, Fig. 2 is a front view thereof, Fig. 3 is a sectional view taken along the line xx' of the vacuum suction jig shown in Fig. 2, and Fig. 4. FIG. 5 is a side cross-sectional view for explaining the case of attaching a pellet using the vacuum suction jig of the present invention, and FIG. 6 is a perspective view showing the case of suctioning a semiconductor element using the vacuum suction jig of the present invention. 7 and 8 are diagrams showing the characteristics of a semiconductor device manufactured using the vacuum suction jig of the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、方形の半導体素子を真空吸着する治具において、前
記半導体素子と前記半導体素子の4隅の近傍でのみ接触
することを特徴とする真空吸着治具。 2、方形の半導体素子を真空吸着する治具において、前
記半導体素子の各辺中央部に相対する部分の外側に溝が
形成されてなることを特徴とする真空吸着治具。
[Scope of Claims] 1. A vacuum suction jig for vacuum suctioning a rectangular semiconductor element, characterized in that the semiconductor element contacts only near four corners of the semiconductor element. 2. A vacuum suction jig for vacuum suctioning a rectangular semiconductor element, characterized in that a groove is formed on the outside of a portion facing the center of each side of the semiconductor element.
JP2008267A 1990-01-19 1990-01-19 Vacuum suction jig Pending JPH03214643A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008267A JPH03214643A (en) 1990-01-19 1990-01-19 Vacuum suction jig

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008267A JPH03214643A (en) 1990-01-19 1990-01-19 Vacuum suction jig

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03214643A true JPH03214643A (en) 1991-09-19

Family

ID=11688387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008267A Pending JPH03214643A (en) 1990-01-19 1990-01-19 Vacuum suction jig

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03214643A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1050737A (en) * 1996-08-02 1998-02-20 Nec Corp Collet for mounting semiconductor device and semiconductor element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1050737A (en) * 1996-08-02 1998-02-20 Nec Corp Collet for mounting semiconductor device and semiconductor element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7202107B2 (en) Method for producing a semiconductor component with a plastic housing and carrier plate for performing the method
US6274803B1 (en) Thermoelectric module with improved heat-transfer efficiency and method of manufacturing the same
US6232151B1 (en) Power electronic module packaging
CN101038891B (en) Manufacturing method of semiconductor device
WO1991007776A1 (en) A method for housing a tape-bonded electronic device and the package employed
JP4258367B2 (en) Optical component mounting package and manufacturing method thereof
JPH0222540B2 (en)
CN1061784C (en) Resin sealed semiconductor device
JPH0812890B2 (en) Module sealing method
US20020117762A1 (en) Surface mountable chip type semiconductor device and manufacturing method
JPH03214643A (en) Vacuum suction jig
US7705437B2 (en) Semiconductor device
JP2001077279A (en) Lead frame and method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same
JP3087553B2 (en) Manufacturing method of multilayer lead frame
CN209461487U (en) A LED packaging structure with excellent airtightness
JP2675077B2 (en) Lead frame for semiconductor device
JP2592181B2 (en) Sardip type package for solid-state image sensor
JP3941320B2 (en) Copper strip with heatsink adhesive
JPH0358551B2 (en)
JPH0412682Y2 (en)
JPH056714Y2 (en)
JPS63216365A (en) Semiconductor device
TW202512319A (en) Fan-out package assembly preparation method
JP2574893Y2 (en) Package for storing semiconductor elements
TWI520233B (en) Miniature package of discrete circuit components