JPH03215382A - 結晶製造装置 - Google Patents
結晶製造装置Info
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- JPH03215382A JPH03215382A JP1025490A JP1025490A JPH03215382A JP H03215382 A JPH03215382 A JP H03215382A JP 1025490 A JP1025490 A JP 1025490A JP 1025490 A JP1025490 A JP 1025490A JP H03215382 A JPH03215382 A JP H03215382A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は結晶成長等に利用される結晶製造装置に関し、
特に溶融帯法による結晶製造装置に関する。
特に溶融帯法による結晶製造装置に関する。
結晶製造装置は、回転楕円面からなる反射鏡の第１の焦
点部分に熱源を置き、第２の焦点部分に結晶素材を置い
てその赤外線を集中し、結晶素材を加熱溶融して結晶成
長を行うものである。この装置には、反射鏡が１個の回
転楕円面のみで構成される単楕円型、反射鏡が２個の回
転楕円面の組合せで構成され第２の焦点を共有する構造
の双楕円型、さらに反射鏡が３個以上の回転楕円面の組
合せで構成され第２の焦点を共有する構造の多楕円型が
ある。
点部分に熱源を置き、第２の焦点部分に結晶素材を置い
てその赤外線を集中し、結晶素材を加熱溶融して結晶成
長を行うものである。この装置には、反射鏡が１個の回
転楕円面のみで構成される単楕円型、反射鏡が２個の回
転楕円面の組合せで構成され第２の焦点を共有する構造
の双楕円型、さらに反射鏡が３個以上の回転楕円面の組
合せで構成され第２の焦点を共有する構造の多楕円型が
ある。
次に従来の結晶製造装置について図面を参照して説明す
る。
る。
第２図は特開昭５８−１８１０９４号に示された従来構
造の結晶製造装置の加熱炉部分の断面と熱源の制御シス
テムのブロックダイヤグラムを示す説明図である。
造の結晶製造装置の加熱炉部分の断面と熱源の制御シス
テムのブロックダイヤグラムを示す説明図である。
図において、２００及び２００′は回転楕円反射鏡、２
０１は多結晶素材、２０２は単結晶素材である。これら
の結晶素材はそれぞれ上部のチャック２０３、下部のチ
ャック２０４によって上部のシャフト２０５、下部のシ
ャフト２０６に取り付けられ、キセノンランプまたはハ
ロゲンランプ等の熱源２０７及び２０７′に電力を供給
し、熱源２０７から赤外線を発生させると、多結晶素材
２０１及び単結晶素材２０２との間すなわち結晶製造装
置の第２の焦点部分に溶融帯２０８が形成される。２０
９は、多結晶素材２０１及び単結晶素材２０２から発生
するガスから回転楕円反射鏡を保護し、かつ多結晶素材
２０１及び単結晶素材２０２の周りを真空にしたり不活
性ガス等で満たすための炉芯管である。２１０及び２ｌ
Ｏ′は、それぞれ回転楕円反射鏡２００及び２００′に
あけられた窓であ番ハ２１１及び２１１’は、例えばフ
ォトダイオードのような明るさ検出素子である。また２
１２及び２１２′は、それぞれ明るさ検出素子２１１及
び２１１′の出力を増幅する増幅回路であり、明るさ検
出素子２１１及び２１１′が電流出力型の場合、電圧出
力への変換回路も含む。２１３及び２１３′は、熱源コ
ントローラでそれぞれ明るさ検出素子２＋１及び２１１
’からの信号を増幅回路２１２及び２１２′ を介して
受け、別に入力される明るさ設定値の大きさと比較する
ことにより熱源２０７及び２０７′の明るさが予め設定
する明るさ設定値に一致するように熱源２０７及び２０
７′に供給する電力をそれぞれ独立に制御するコントロ
ーラである。
０１は多結晶素材、２０２は単結晶素材である。これら
の結晶素材はそれぞれ上部のチャック２０３、下部のチ
ャック２０４によって上部のシャフト２０５、下部のシ
ャフト２０６に取り付けられ、キセノンランプまたはハ
ロゲンランプ等の熱源２０７及び２０７′に電力を供給
し、熱源２０７から赤外線を発生させると、多結晶素材
２０１及び単結晶素材２０２との間すなわち結晶製造装
置の第２の焦点部分に溶融帯２０８が形成される。２０
９は、多結晶素材２０１及び単結晶素材２０２から発生
するガスから回転楕円反射鏡を保護し、かつ多結晶素材
２０１及び単結晶素材２０２の周りを真空にしたり不活
性ガス等で満たすための炉芯管である。２１０及び２ｌ
Ｏ′は、それぞれ回転楕円反射鏡２００及び２００′に
あけられた窓であ番ハ２１１及び２１１’は、例えばフ
ォトダイオードのような明るさ検出素子である。また２
１２及び２１２′は、それぞれ明るさ検出素子２１１及
び２１１′の出力を増幅する増幅回路であり、明るさ検
出素子２１１及び２１１′が電流出力型の場合、電圧出
力への変換回路も含む。２１３及び２１３′は、熱源コ
ントローラでそれぞれ明るさ検出素子２＋１及び２１１
’からの信号を増幅回路２１２及び２１２′ を介して
受け、別に入力される明るさ設定値の大きさと比較する
ことにより熱源２０７及び２０７′の明るさが予め設定
する明るさ設定値に一致するように熱源２０７及び２０
７′に供給する電力をそれぞれ独立に制御するコントロ
ーラである。
結晶成長は、移動機構（図示せず）により溶融帯２０８
が多結晶素材２０１の方向に移動、すなわち回転楕円反
射鏡２００及び２００′を多結晶素材２０＋の方向に移
動することによって行われる。上部のシャフト２０５及
び下部のシャフト２０６にそれぞれに取り付けられてい
る回転機構（図示せず）は、チャック２０３及びチャッ
ク２０４を介して多結晶素材２０１及び単結晶素材２０
２を回転させるとともに溶融帯２０８を回転させ、溶融
帯２０８の円周方向の温度分布を均一にしたり溶融帯２
０８内部の撹拌を行うための機構である。結晶成長には
通常１日〜１０日もの長時間を要するが、この間に熱源
の明るさが徐々に低下することがあっても、熱源の明る
さは結晶成長開始時の明るさに維持するように制御され
る。
が多結晶素材２０１の方向に移動、すなわち回転楕円反
射鏡２００及び２００′を多結晶素材２０＋の方向に移
動することによって行われる。上部のシャフト２０５及
び下部のシャフト２０６にそれぞれに取り付けられてい
る回転機構（図示せず）は、チャック２０３及びチャッ
ク２０４を介して多結晶素材２０１及び単結晶素材２０
２を回転させるとともに溶融帯２０８を回転させ、溶融
帯２０８の円周方向の温度分布を均一にしたり溶融帯２
０８内部の撹拌を行うための機構である。結晶成長には
通常１日〜１０日もの長時間を要するが、この間に熱源
の明るさが徐々に低下することがあっても、熱源の明る
さは結晶成長開始時の明るさに維持するように制御され
る。
（発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、単結晶素材及び多結晶素材の形状が、軸
対称の円柱であればこれら素材の表面で反射する熱源か
らの光エネルギは常に一定になるが、四角柱のように角
のあるような単結晶素材及び多結晶素材を用いることも
あり、この場合シャフトの回転に伴って、明るさ検出素
子で計測される熱源からの赤外線の光エネルギは、回転
に同期して強くなったり弱くなったりする。また、単結
晶素材及び多結晶素材ばかりでなく、軸対称でないチャ
ックを用いることもあり、この場合にもシャフトの回転
に同期して、明るさ検出素子で計測される熱源からの赤
外線の光エネルギが強くなったり弱くなったりしていた
。このように、明るさ検出素子で計測される熱源からの
赤外線の光エネルギが変化するが、コントローラでは明
るさ検出素子で計測される熱源からの赤外線の光エネル
ギが一定になるように、熱源に供給する電力を制御する
ため、溶融帯の大きさも変化してしまい、結晶欠陥を生
じることがあった。
対称の円柱であればこれら素材の表面で反射する熱源か
らの光エネルギは常に一定になるが、四角柱のように角
のあるような単結晶素材及び多結晶素材を用いることも
あり、この場合シャフトの回転に伴って、明るさ検出素
子で計測される熱源からの赤外線の光エネルギは、回転
に同期して強くなったり弱くなったりする。また、単結
晶素材及び多結晶素材ばかりでなく、軸対称でないチャ
ックを用いることもあり、この場合にもシャフトの回転
に同期して、明るさ検出素子で計測される熱源からの赤
外線の光エネルギが強くなったり弱くなったりしていた
。このように、明るさ検出素子で計測される熱源からの
赤外線の光エネルギが変化するが、コントローラでは明
るさ検出素子で計測される熱源からの赤外線の光エネル
ギが一定になるように、熱源に供給する電力を制御する
ため、溶融帯の大きさも変化してしまい、結晶欠陥を生
じることがあった。
本発明の目的はこのような従来の欠点を除去し、単結晶
素材，多結晶素材，チャックの形状が軸対称でない場合
でも、熱源に供給する電力が一定となり、結晶欠陥を生
じない結晶製造装置を提供することにある。
素材，多結晶素材，チャックの形状が軸対称でない場合
でも、熱源に供給する電力が一定となり、結晶欠陥を生
じない結晶製造装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係る結晶製造装置に
おいては、移動機構により移動可能な回転楕円反射鏡の
第１の焦点部分に熱源を設け、前記回転楕円反射鏡の第
２の焦点部分に回転可能なシャフトの先端に取り付けら
れた結晶素材を設け、前記熱源から発する赤外線を前記
結晶素材に集中し、明るさ検出素子によって前記赤外線
の光エネルギを計測し、前記赤外線量に応じて熱源に供
給する電力の制御を行い、前記結晶素材を溶融させ結晶
成長を行う溶融帯法による結晶製造装置であって、 前記シャフトが１回転する間の前記明るさ検出素子にお
ける計測値を記録するメモリと、前記メモリに記録され
た計測値が予め設定された値になるように、対応する熱
源に供給する電力の制御を行うコントローラとを有する
ものである。
おいては、移動機構により移動可能な回転楕円反射鏡の
第１の焦点部分に熱源を設け、前記回転楕円反射鏡の第
２の焦点部分に回転可能なシャフトの先端に取り付けら
れた結晶素材を設け、前記熱源から発する赤外線を前記
結晶素材に集中し、明るさ検出素子によって前記赤外線
の光エネルギを計測し、前記赤外線量に応じて熱源に供
給する電力の制御を行い、前記結晶素材を溶融させ結晶
成長を行う溶融帯法による結晶製造装置であって、 前記シャフトが１回転する間の前記明るさ検出素子にお
ける計測値を記録するメモリと、前記メモリに記録され
た計測値が予め設定された値になるように、対応する熱
源に供給する電力の制御を行うコントローラとを有する
ものである。
また、本発明に係る結晶製造装置においては、前記メモ
リはシャフトが１回転する間の明るさ検出素子における
計測値を記録し、前記コントローラは該メモリに記録さ
れた計測値の最小値によって熱源に供給する電力の制御
を行う機能を有するものである。また、本発明に係る結
晶製造装置においては、前記シャフトが１回転する間の
明るさ検出素子における計測値をメモリに記録し、前記
コントローラは該メモリに記録された計測値の平均値に
よって熱源に供給する電力の制御を行う機能を有するも
のである。
リはシャフトが１回転する間の明るさ検出素子における
計測値を記録し、前記コントローラは該メモリに記録さ
れた計測値の最小値によって熱源に供給する電力の制御
を行う機能を有するものである。また、本発明に係る結
晶製造装置においては、前記シャフトが１回転する間の
明るさ検出素子における計測値をメモリに記録し、前記
コントローラは該メモリに記録された計測値の平均値に
よって熱源に供給する電力の制御を行う機能を有するも
のである。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例である結晶製造装置の加熱炉
部分の断面と熱源の制御システムのブロックダイヤグラ
ムを示す説明図である。
部分の断面と熱源の制御システムのブロックダイヤグラ
ムを示す説明図である。
図において、１００及び１００′は回転楕円反射鏡、１
０１は多結晶素材、１０２は単結晶素材である。これら
の結晶素材はそれぞれ、上部のチャック１０３、下部の
チャック＋０４によって上部のシャフト１０５、下部の
シャフト＋０６に取り付けられ、キセノンランプ又はハ
ロゲンランプ等の熱源１０７及び１０７′に電力を供給
し、熱源＋０７から赤外線を発生させると、多結晶素材
１０１及び単結晶素材１０２との間すなわち結晶製造装
置の第２の焦点部分に溶融帯＋０８が形成される。１０
９は、多結晶素材＋０１及び単結晶素材＋０２から発生
するガスから回転楕円反射鏡を保護し、かつ多結晶素材
１０１及び単結晶素材＋０２の周りを真空にしたり不活
性ガス等で満たすための炉芯管である。１１０及び＋１
０’は、それぞれ回転楕円反射鏡＋００及びｔｏｏ’に
あけられた窓であり、Ｉｌｌ及びＩｌｌ′は、例えばフ
ォトダイオードのような明るさ検出素子である。また１
１２及び１１２′は、それぞれ明るさ検出素子＋１１及
びＩｌｌ’の出力を増幅する増幅回路であり、明るさ検
出素子Ｉｌｌ及びＩｌｌ’が電流出力型の場合、電圧出
力への変換回路も含む。＋１３及びｌｌ３′はメモリ回
路で、それぞれシャフト１０６が１回転する間の明るさ
検出素子Ｉｌｌ及び１１１′からの信号を増幅回路＋１
２及び１１２′ を介して受け、これを記録し、最小値
及び平均値を出力するようになっている。１１４及び１
１４′は熱源コントローラで、メモリ回路１１３及び１
１３′からの出力を受け、別に入力される明るさ設定値
と比較することで、熱源１０７及び１０７′の明るさが
予め設定する明るさ設定値に一致するように熱源１０７
及び１０７′に供給する電力をそれぞれ独立に制御する
コントローラである。
０１は多結晶素材、１０２は単結晶素材である。これら
の結晶素材はそれぞれ、上部のチャック１０３、下部の
チャック＋０４によって上部のシャフト１０５、下部の
シャフト＋０６に取り付けられ、キセノンランプ又はハ
ロゲンランプ等の熱源１０７及び１０７′に電力を供給
し、熱源＋０７から赤外線を発生させると、多結晶素材
１０１及び単結晶素材１０２との間すなわち結晶製造装
置の第２の焦点部分に溶融帯＋０８が形成される。１０
９は、多結晶素材＋０１及び単結晶素材＋０２から発生
するガスから回転楕円反射鏡を保護し、かつ多結晶素材
１０１及び単結晶素材＋０２の周りを真空にしたり不活
性ガス等で満たすための炉芯管である。１１０及び＋１
０’は、それぞれ回転楕円反射鏡＋００及びｔｏｏ’に
あけられた窓であり、Ｉｌｌ及びＩｌｌ′は、例えばフ
ォトダイオードのような明るさ検出素子である。また１
１２及び１１２′は、それぞれ明るさ検出素子＋１１及
びＩｌｌ’の出力を増幅する増幅回路であり、明るさ検
出素子Ｉｌｌ及びＩｌｌ’が電流出力型の場合、電圧出
力への変換回路も含む。＋１３及びｌｌ３′はメモリ回
路で、それぞれシャフト１０６が１回転する間の明るさ
検出素子Ｉｌｌ及び１１１′からの信号を増幅回路＋１
２及び１１２′ を介して受け、これを記録し、最小値
及び平均値を出力するようになっている。１１４及び１
１４′は熱源コントローラで、メモリ回路１１３及び１
１３′からの出力を受け、別に入力される明るさ設定値
と比較することで、熱源１０７及び１０７′の明るさが
予め設定する明るさ設定値に一致するように熱源１０７
及び１０７′に供給する電力をそれぞれ独立に制御する
コントローラである。
結晶成長は、移動機構（図示せず）により溶融帯１０８
が多結晶素材ｌｏｔの方向に移動、すなわち回転楕円反
射鏡１００及び１００′を多結晶素材ｌｏｔの方向に移
動することによって行われる。シャフト１０５及びシャ
フト１０６にそれぞれに取り付けられている回転機構（
図示せず）は、チャック１０３及びチャック１０４を介
して多結晶素材ｌｏｔ及び単結晶素材１０２を回転させ
るとともに溶融帯１０８を回転させ、溶融帯１０８の円
周方向の温度分布を均一にしたり溶融帯１０８内部の撹
拌を行う。本発明において、コントローラ１１４，１１
４’はメモリ１１３， １１３′より出力される計測値
すなわち明るさ検出素子における光エネルギのシャフト
が１回転する間の計測値の最小値、又は明るさ検出素子
における光エネルギのシャフトが１回転する間の計測値
の平均値に基づいて熱源をコントロールする。
が多結晶素材ｌｏｔの方向に移動、すなわち回転楕円反
射鏡１００及び１００′を多結晶素材ｌｏｔの方向に移
動することによって行われる。シャフト１０５及びシャ
フト１０６にそれぞれに取り付けられている回転機構（
図示せず）は、チャック１０３及びチャック１０４を介
して多結晶素材ｌｏｔ及び単結晶素材１０２を回転させ
るとともに溶融帯１０８を回転させ、溶融帯１０８の円
周方向の温度分布を均一にしたり溶融帯１０８内部の撹
拌を行う。本発明において、コントローラ１１４，１１
４’はメモリ１１３， １１３′より出力される計測値
すなわち明るさ検出素子における光エネルギのシャフト
が１回転する間の計測値の最小値、又は明るさ検出素子
における光エネルギのシャフトが１回転する間の計測値
の平均値に基づいて熱源をコントロールする。
なお、ここでは回転楕円反射鏡を移動させて結晶成長を
行う型の結晶成長装置について説明してきたが、結晶素
材を取り付けているシャフトを移動させて結晶成長を行
う形式の結晶成長装置についても本発明は同様に実施で
きる。また、ここでは双楕円型の結晶製造装置について
説明してきたが、単楕円型あるいは多楕円型の結晶製造
装置についても本発明は同様に実施できる。
行う型の結晶成長装置について説明してきたが、結晶素
材を取り付けているシャフトを移動させて結晶成長を行
う形式の結晶成長装置についても本発明は同様に実施で
きる。また、ここでは双楕円型の結晶製造装置について
説明してきたが、単楕円型あるいは多楕円型の結晶製造
装置についても本発明は同様に実施できる。
さらに、以上の説明で述べた熱源としては、キセノンラ
ンプ，ハロゲンランプ等の任意の熱源について本発明は
同様に実施できる。
ンプ，ハロゲンランプ等の任意の熱源について本発明は
同様に実施できる。
本発明による結晶製造装置によると、単結晶素材，多結
晶素材及びチャックの形状が軸対称でなく、単結晶素材
，多結晶素材及びチャックの表面で反射して明るさ検出
素子で検出する熱源からの赤外線の光エネルギがある場
合でも、単結晶素材，多結晶素材及びチャックの表面で
の反射の影響を受けないように、明るさ検出素子におけ
る光エネルギのシャフトが１回転する間の計測値の最小
値によって熱源をコントロールするため、熱源へ供給す
る電力も安定し、出来上がる結晶に欠陥を生じることが
なくなり、均一な単結晶を得ることが可能になる。また
、単結晶素材，多結晶素材及びチャックの形状が軸対称
でなく、単結晶素材，多結晶素材及びチャックの表面で
反射して明るさ検出素子で検出する熱源からの赤外線の
光エネルギが変化する場合でも、明るさ検出素子におけ
る光エネルギのシャフトが１回転する間の計測値の平均
値によって熱源をコントロールすることにより熱源へ供
給する電力が安定し、出来上がる結晶に欠陥を生じるこ
とがなくなり、均一な単結晶を得ることが可能になる。
晶素材及びチャックの形状が軸対称でなく、単結晶素材
，多結晶素材及びチャックの表面で反射して明るさ検出
素子で検出する熱源からの赤外線の光エネルギがある場
合でも、単結晶素材，多結晶素材及びチャックの表面で
の反射の影響を受けないように、明るさ検出素子におけ
る光エネルギのシャフトが１回転する間の計測値の最小
値によって熱源をコントロールするため、熱源へ供給す
る電力も安定し、出来上がる結晶に欠陥を生じることが
なくなり、均一な単結晶を得ることが可能になる。また
、単結晶素材，多結晶素材及びチャックの形状が軸対称
でなく、単結晶素材，多結晶素材及びチャックの表面で
反射して明るさ検出素子で検出する熱源からの赤外線の
光エネルギが変化する場合でも、明るさ検出素子におけ
る光エネルギのシャフトが１回転する間の計測値の平均
値によって熱源をコントロールすることにより熱源へ供
給する電力が安定し、出来上がる結晶に欠陥を生じるこ
とがなくなり、均一な単結晶を得ることが可能になる。
制御方法に関しては、熱源への供給電力の制御が、電圧
による制御、電流による制御に置き換えられても、同様
の効果をえられることは明白である。
による制御、電流による制御に置き換えられても、同様
の効果をえられることは明白である。
第１図は本発明による一実施例を示す結晶製造装置の加
熱炉部分の断面と熱源の制御システムのブロックダイヤ
グラムを示す説明図、第２図は従来例の結晶製造装置の
加熱炉部分の断面と熱源の制御システムのブロックダイ
ヤグラムを示す説明図である。 １００， １００’，２００，２００’・・・回転楕円
反射鏡１０７， １０７’，２０７，２０７’・・・熱
源 １０８， ２０８・・・溶融帯Ｉｌｌ， １１１
’，２１１，２１１’・・・明るさ検出素子１１２，
１１２’，２１２，２１２’・・・増幅回路１１３，
１１３’・・・メモリ回路
熱炉部分の断面と熱源の制御システムのブロックダイヤ
グラムを示す説明図、第２図は従来例の結晶製造装置の
加熱炉部分の断面と熱源の制御システムのブロックダイ
ヤグラムを示す説明図である。 １００， １００’，２００，２００’・・・回転楕円
反射鏡１０７， １０７’，２０７，２０７’・・・熱
源 １０８， ２０８・・・溶融帯Ｉｌｌ， １１１
’，２１１，２１１’・・・明るさ検出素子１１２，
１１２’，２１２，２１２’・・・増幅回路１１３，
１１３’・・・メモリ回路
Claims (3)
- （１）移動機構により移動可能な回転楕円反射鏡の第１
の焦点部分に熱源を設け、前記回転楕円反射鏡の第２の
焦点部分に回転可能なシャフトの先端に取り付けられた
結晶素材を設け、前記熱源から発する赤外線を前記結晶
素材に集中し、明るさ検出素子によって前記赤外線の光
エネルギを計測し、前記赤外線量に応じて熱源に供給す
る電力の制御を行い、前記結晶素材を溶融させ結晶成長
を行う溶融帯法による結晶製造装置であって、 前記シャフトが１回転する間の前記明るさ検出素子にお
ける計測値を記録するメモリと、前記メモリに記録され
た計測値が予め設定された値になるように、対応する熱
源に供給する電力の制御を行うコントローラとを有する
ことを特徴とする結晶製造装置。 - （２）前記メモリはシャフトが１回転する間の明るさ検
出素子における計測値を記録し、前記コントローラは該
メモリに記録された計測値の最小値によって熱源に供給
する電力の制御を行う機能を有することを特徴とする請
求項第（１）項に記載の結晶製造装置。 - （３）前記シャフトが１回転する間の明るさ検出素子に
おける計測値をメモリに記録し、前記コントローラは該
メモリに記録された計測値の平均値によって熱源に供給
する電力の制御を行う機能を有することを特徴とする請
求項第（１）項に記載の結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025490A JPH03215382A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1025490A JPH03215382A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 結晶製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215382A true JPH03215382A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11745185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1025490A Pending JPH03215382A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215382A (ja) |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1025490A patent/JPH03215382A/ja active Pending
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