JPH03215670A - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
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- JPH03215670A JPH03215670A JP2008226A JP822690A JPH03215670A JP H03215670 A JPH03215670 A JP H03215670A JP 2008226 A JP2008226 A JP 2008226A JP 822690 A JP822690 A JP 822690A JP H03215670 A JPH03215670 A JP H03215670A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any of groups F27B1/00 - F27B15/00
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造における基板加熱装置に関す
る。
る。
（従来の技術）
半導体装置の製造工程で用いる種々の薄膜を基板上に形
成する方法の１つとして、化学的気相堆積法（ＣＶＤ法
）がある。
成する方法の１つとして、化学的気相堆積法（ＣＶＤ法
）がある。
このＣＶＤ法は、基板表面に原料ガスを輸送し、基板表
面での化学反応により薄膜を形成する方法である。ここ
で前記化学反応をすみやかに進行させるために、熱エネ
ルギー，電気エネルギー または光エネルギーなどを利
用する。
面での化学反応により薄膜を形成する方法である。ここ
で前記化学反応をすみやかに進行させるために、熱エネ
ルギー，電気エネルギー または光エネルギーなどを利
用する。
そしてこのようなＣＶＤ法により薄膜を形成する際、堆
積速度向上、膜質向上のための基板を所望の温度まで加
熱することが多い。ここで、基板の加熱方法には、，抵
抗加熱，高周波誘導加熱，赤外線ランプ加熱などが用い
られている。
積速度向上、膜質向上のための基板を所望の温度まで加
熱することが多い。ここで、基板の加熱方法には、，抵
抗加熱，高周波誘導加熱，赤外線ランプ加熱などが用い
られている。
しかしながら、このような基板の加熱を行う場合、加熱
体からの熱は試料台や、基板固定治具へも伝わり、それ
らの表面温度は、基板と同程度の温度となる。従って前
記試料台．基板固定治具表面にも原料ガスから薄膜が形
成され、基板付近の原料ガス濃度が低下し、基板表面で
の薄膜形成速度は低下する。
体からの熱は試料台や、基板固定治具へも伝わり、それ
らの表面温度は、基板と同程度の温度となる。従って前
記試料台．基板固定治具表面にも原料ガスから薄膜が形
成され、基板付近の原料ガス濃度が低下し、基板表面で
の薄膜形成速度は低下する。
また、前記試料台や基板固定治具表面での薄膜形成が繰
り返されると形成される前記薄膜は厚みが増し、ついに
は前記試料台や基板固定治具から剥離し、ゴミの原因に
なる。
り返されると形成される前記薄膜は厚みが増し、ついに
は前記試料台や基板固定治具から剥離し、ゴミの原因に
なる。
このような傾向は、ガスの制御性を高めるために減圧下
で行なうＣＶＤ法で特に顕著である。すなわち、第７図
は、加熱体の上に基板を載置し、基板を加熱した時の加
熱体と基板の表面温度の圧力に対する関係を示す特性図
である。Ｉは加熱体、■は基板の表面温度の特性であり
、測定は前記加？体表面温度を一定として、圧力を変え
た時の前記基板表面温度の温度変化を調べたものである
。
で行なうＣＶＤ法で特に顕著である。すなわち、第７図
は、加熱体の上に基板を載置し、基板を加熱した時の加
熱体と基板の表面温度の圧力に対する関係を示す特性図
である。Ｉは加熱体、■は基板の表面温度の特性であり
、測定は前記加？体表面温度を一定として、圧力を変え
た時の前記基板表面温度の温度変化を調べたものである
。
この図からわかるように、大気圧程度では、加熱体と基
板間の気相の対流による熱伝導により基板と加熱体間の
温度差は小さいが、減圧下では対流が生じず、基板への
電熱は、輻射のみとなるため、効率が悪く前記加熱体表
面温度と前記基板表面温度との温度差は大きい。従って
、基板を所定の温度まで昇温するには、加熱体の温度を
より高めねばならないので、前述したような問題点は特
に顕著である。
板間の気相の対流による熱伝導により基板と加熱体間の
温度差は小さいが、減圧下では対流が生じず、基板への
電熱は、輻射のみとなるため、効率が悪く前記加熱体表
面温度と前記基板表面温度との温度差は大きい。従って
、基板を所定の温度まで昇温するには、加熱体の温度を
より高めねばならないので、前述したような問題点は特
に顕著である。
以上の問題を解決するため本件出願人が基板のまわりの
基板支持部あるいは容器表面部を石英製のカバ一部材で
覆う方法及び装置（特開昭６３−１８０７９号公報参照
）を提案した。
基板支持部あるいは容器表面部を石英製のカバ一部材で
覆う方法及び装置（特開昭６３−１８０７９号公報参照
）を提案した。
しかしながら、前述したような石英製カバ一部材だけで
は加熱体からの伝熱を基板以外に薄膜が形成されない程
度に十分抑えることはできない。
は加熱体からの伝熱を基板以外に薄膜が形成されない程
度に十分抑えることはできない。
従ってカバ一部材表面の昇温は避けられず、前述したよ
うな薄膜形成速度の低下、ゴミの剥■離といった問題が
生じていた。
うな薄膜形成速度の低下、ゴミの剥■離といった問題が
生じていた。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来の基板の加熱装置では基板のみならず前
記試料台や基板固定治具の表面温度は加熱体によってか
なり昇温しでしまうため、前記試料台や基板固定治具表
面にも薄膜が形成され、基板表面での薄膜形成速度は低
下するという問題があった。
記試料台や基板固定治具の表面温度は加熱体によってか
なり昇温しでしまうため、前記試料台や基板固定治具表
面にも薄膜が形成され、基板表面での薄膜形成速度は低
下するという問題があった。
また、前記基板固定治具表面での薄膜形成が繰り返され
ると形成される前記薄膜は、前記基板固定治具から剥離
しゴミの原因になる問題もあった。
ると形成される前記薄膜は、前記基板固定治具から剥離
しゴミの原因になる問題もあった。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたもので以上述べた
ような問題を解決した基板加熱装置を提供することを目
的とする。
ような問題を解決した基板加熱装置を提供することを目
的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために、基板を収納する容
器と、前記基板を載置する試料台と、前記基板を加熱す
る加熱手段と、前記基板を前記試料台に固定する固定治
具と、前記固定治具に設けられ、前記加熱手段の熱を反
射する熱反射手段とを有することを特徴とする基板加熱
装置を提供する。
器と、前記基板を載置する試料台と、前記基板を加熱す
る加熱手段と、前記基板を前記試料台に固定する固定治
具と、前記固定治具に設けられ、前記加熱手段の熱を反
射する熱反射手段とを有することを特徴とする基板加熱
装置を提供する。
また、基板を収納する容器と、前記基板を載置する試料
台と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記試料台の前
記基板を載置する部分を除く部分に設けられた前記加熱
手段の熱を反射する熱反射手段とを有することを特徴と
する基板加熱装置を提供する。
台と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記試料台の前
記基板を載置する部分を除く部分に設けられた前記加熱
手段の熱を反射する熱反射手段とを有することを特徴と
する基板加熱装置を提供する。
（作 用）
本発明の基板加熱装置であれば熱反射手段を固定治具あ
るいは、試料台の基板を載置する部分を除く部分に熱反
射手段を設けるので、加熱手段から供給される熱のうち
、基板以外への熱は前記熱反射手段で反射するようにで
き、これか基板へも供給されるため、基板への電熱の効
率が良い。
るいは、試料台の基板を載置する部分を除く部分に熱反
射手段を設けるので、加熱手段から供給される熱のうち
、基板以外への熱は前記熱反射手段で反射するようにで
き、これか基板へも供給されるため、基板への電熱の効
率が良い。
さらに、前記熱反射手段により固定治具や試料台の昇温
を抑えることができるので、これらの部分に薄膜が形成
されず、それによるゴミの発生もない。
を抑えることができるので、これらの部分に薄膜が形成
されず、それによるゴミの発生もない。
（実施例）
次に、本発明による実施例を図面を用いて詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例を示す抵抗加熱体を
組み込んだ枚葉式減圧ＣＶＤ装置の構成を示す概略断面
図である。第１図（ｂ）は、上面図である。
組み込んだ枚葉式減圧ＣＶＤ装置の構成を示す概略断面
図である。第１図（ｂ）は、上面図である。
第１図（ａ）において、容器１はアルミニウム合金製で
あり、この容器１の壁は冷却パイプ２により水冷されて
いる。容器１内部は減圧ＣＶＤ法により薄膜形成を行う
ための反応室３となっている。
あり、この容器１の壁は冷却パイプ２により水冷されて
いる。容器１内部は減圧ＣＶＤ法により薄膜形成を行う
ための反応室３となっている。
この反応室３に原料ガス供給パイブ４により原料ガスを
供給できるようになっている。前記反応室３の底部には
、図示しない排気系に接続される排気口５が形成され、
前記反応室３内部を減圧状態にすることができるように
なっている。
供給できるようになっている。前記反応室３の底部には
、図示しない排気系に接続される排気口５が形成され、
前記反応室３内部を減圧状態にすることができるように
なっている。
また、前記反応室３底部には、石英サセブタ６が配置さ
れておりこの上に基板７を加熱するための加熱器８が固
定されている。前記石英サセブタ６は断熱体として作用
し、前記加熱器８の熱が外部へ逃げないようにしている
。
れておりこの上に基板７を加熱するための加熱器８が固
定されている。前記石英サセブタ６は断熱体として作用
し、前記加熱器８の熱が外部へ逃げないようにしている
。
また前記加熱器８は、タングステン線９の周囲をアルミ
ナ１０で覆った構造になっている。前記タングステン線
９は、電圧をかけて電流を流すことにより加熱体となり
、これにより基板の加熱を行う。前記タングステン線９
は、銀ロウで銅線１１と接続し、図示しない電源に接続
され、前記基板７の温度を一定に保つように電圧を制御
している。
ナ１０で覆った構造になっている。前記タングステン線
９は、電圧をかけて電流を流すことにより加熱体となり
、これにより基板の加熱を行う。前記タングステン線９
は、銀ロウで銅線１１と接続し、図示しない電源に接続
され、前記基板７の温度を一定に保つように電圧を制御
している。
ここで、前記石英サセブタ６及び加熱器８が試料台を構
成している。
成している。
また、前記加熱器８及び石英サセブタ６の側壁部は、基
板固定時前記基板７の石英製固定治具１２で覆われる。
板固定時前記基板７の石英製固定治具１２で覆われる。
この固定治具１２の前記加熱器８側の表面にはアルミニ
ウム膜１３が加熱器８からの熱反射手段として蒸着され
ている。この固定治具１２には、基板７を固定、解除す
るための上下への昇降機構が備えられており、前記基板
７を搬送する場合には上方に移動し、前記基板７を加熱
体の上に載置し、加熱する場合には第１図（ａ）に示す
ように下方に移動し、前記石英サセブタ６、加熱器８に
密着しながら、前記基板７を固定する。
ウム膜１３が加熱器８からの熱反射手段として蒸着され
ている。この固定治具１２には、基板７を固定、解除す
るための上下への昇降機構が備えられており、前記基板
７を搬送する場合には上方に移動し、前記基板７を加熱
体の上に載置し、加熱する場合には第１図（ａ）に示す
ように下方に移動し、前記石英サセブタ６、加熱器８に
密着しながら、前記基板７を固定する。
次に、上記装置を用いて、実際にシリコン基板を加熱し
た時の昇温デー夕を第２図に示す。
た時の昇温デー夕を第２図に示す。
第２図では、上記装置において前記固定治具１２に前記
アルミニウム膜１３を蒸着した場合と蒸着しない場合の
加熱体への入力電力と基板表面温度の関係を示す。測定
圧力は１ ０−３Ｔｏｒｒである。
アルミニウム膜１３を蒸着した場合と蒸着しない場合の
加熱体への入力電力と基板表面温度の関係を示す。測定
圧力は１ ０−３Ｔｏｒｒである。
前記治具１２に前記アルミニウム膜を蒸着することによ
り明らかに伝熱の効率が上がっているのがわかる。これ
は前記アルミニウム膜が前記加熱体８から放射される赤
外線を反射し、基板を加熱する以外の部分へ熱が逃げな
くなった効果と前記アルミニウム膜１３により反射され
た赤外線が基板に供給され、吸収される多重反射の効果
によると考えられる。また、加熱体への人力電力を変化
させたときの基板表面温度，加熱体表面温度，固定治具
１２の表面温度を測定したところ、第３図の特性図に示
すようになった。前記固定治具１２に前記アルミニウム
膜１３を蒸着することにより前記石英治具１２の表面温
度を前記加熱器８の表面温度の約半分にすることができ
た。
り明らかに伝熱の効率が上がっているのがわかる。これ
は前記アルミニウム膜が前記加熱体８から放射される赤
外線を反射し、基板を加熱する以外の部分へ熱が逃げな
くなった効果と前記アルミニウム膜１３により反射され
た赤外線が基板に供給され、吸収される多重反射の効果
によると考えられる。また、加熱体への人力電力を変化
させたときの基板表面温度，加熱体表面温度，固定治具
１２の表面温度を測定したところ、第３図の特性図に示
すようになった。前記固定治具１２に前記アルミニウム
膜１３を蒸着することにより前記石英治具１２の表面温
度を前記加熱器８の表面温度の約半分にすることができ
た。
次に上記第１図に示した装置を用いて、部分的にシリコ
ン酸化膜で覆われたシリコン基板の前記シリコン上に選
択的にタングステン膜を堆積せしめた例により、この実
施例の効果を説明する。
ン酸化膜で覆われたシリコン基板の前記シリコン上に選
択的にタングステン膜を堆積せしめた例により、この実
施例の効果を説明する。
第１図の装置の前記加熱器８を用いて、基板７を２６０
℃に加熱した後、前記反応室３内に原料ガスとして六フ
ッ化タングステンを１ ０ ｓｅｃｍ， シランを１
０ｓｅｃ層それぞれ導入し、前記反応室３の圧力を０．
００５Ｔｏｒｒにした。次にシリコン基板７上のシ、リ
コン酸化膜で覆われていない部分に選択的にタングステ
ン膜を堆積した。
℃に加熱した後、前記反応室３内に原料ガスとして六フ
ッ化タングステンを１ ０ ｓｅｃｍ， シランを１
０ｓｅｃ層それぞれ導入し、前記反応室３の圧力を０．
００５Ｔｏｒｒにした。次にシリコン基板７上のシ、リ
コン酸化膜で覆われていない部分に選択的にタングステ
ン膜を堆積した。
第４図は、累積堆積時間と前記タングステン膜堆積速度
の関係を示したものでＩは固定治具１２にアルミニウム
膜１３を設けた本発明の実施例の装置を用い堆積を行っ
た場合のデータであり、■はアルミニウム膜１３を設け
ない従来装置の場合のデータである。アルミニウム膜１
３を設けない従来装置の場合に固定治具の表面温度が高
くなり、この固定治具表面にタングステン膜が堆積しは
じめ、これにより原料ガスが消費され、基板表面での堆
積速度が除々に減少する。前記固定治具表面が一様にタ
ングステンで覆われると基板表面の堆積速度が低いとこ
ろで一定値−になる。この実施例のように固定治具１２
にアルミニウム膜１３を設けた場合、原料ガスはそこで
は消費されずアルミニウム膜１３を設けない場合よりも
高い一定の堆積速度を示し、また前記固定治具１２への
薄膜の形成も全く生じなかった。
の関係を示したものでＩは固定治具１２にアルミニウム
膜１３を設けた本発明の実施例の装置を用い堆積を行っ
た場合のデータであり、■はアルミニウム膜１３を設け
ない従来装置の場合のデータである。アルミニウム膜１
３を設けない従来装置の場合に固定治具の表面温度が高
くなり、この固定治具表面にタングステン膜が堆積しは
じめ、これにより原料ガスが消費され、基板表面での堆
積速度が除々に減少する。前記固定治具表面が一様にタ
ングステンで覆われると基板表面の堆積速度が低いとこ
ろで一定値−になる。この実施例のように固定治具１２
にアルミニウム膜１３を設けた場合、原料ガスはそこで
は消費されずアルミニウム膜１３を設けない場合よりも
高い一定の堆積速度を示し、また前記固定治具１２への
薄膜の形成も全く生じなかった。
次に、本発明による他の実施例を示す。
第５図は、第１図に示した装置構成と同様抵抗加熱体を
組み込んだ枚葉式減圧ＣＶＤ装置の構成を示す断面図で
ある。
組み込んだ枚葉式減圧ＣＶＤ装置の構成を示す断面図で
ある。
同図において、第１図と同一の部分には同一の符号を付
して示し、詳細な説明は省略する。この図で第１図と異
なる点は、固定治具５０の形状である。すなわち、固定
治具５０には第１図の実施例と同様に、加熱器８側の表
面にアルミニウム膜５１が設けられており、かつこのア
ルミニウム膜５１は、水冷された容器１と接したものと
なっている。
して示し、詳細な説明は省略する。この図で第１図と異
なる点は、固定治具５０の形状である。すなわち、固定
治具５０には第１図の実施例と同様に、加熱器８側の表
面にアルミニウム膜５１が設けられており、かつこのア
ルミニウム膜５１は、水冷された容器１と接したものと
なっている。
このような構造であれば前記アルミニウム膜５１は前記
固定治具５０へ伝わろうとする熱を反射するだけでなく
、水冷された前記容器とも接触しているため、前記固定
治具５０の表面温度は、基板７の表面温度より、大幅に
低く抑えることができる。従って前記固定治具５０上で
の薄膜の形成をより確実に抑えることができる。
固定治具５０へ伝わろうとする熱を反射するだけでなく
、水冷された前記容器とも接触しているため、前記固定
治具５０の表面温度は、基板７の表面温度より、大幅に
低く抑えることができる。従って前記固定治具５０上で
の薄膜の形成をより確実に抑えることができる。
本発明のさらに別の実施例を第６図により説明する。こ
の実施例も第１図の装置と概略は同じであるので、同一
の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
の実施例も第１図の装置と概略は同じであるので、同一
の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
この実施例が第１図で示した実施例と異なるのは基板固
定治具６０自体を熱反射手段となるアルミニウム材とし
た点である。
定治具６０自体を熱反射手段となるアルミニウム材とし
た点である。
このアルミニウム製固定治具６０の表面には、図に示す
ようにアルミナ膜６１が形成されており、基板装着時に
前記治具６０を構成しているアルミ二′ウムの表面が反
応室３の雰囲気と接触しないようになっている。この場
合、前記アルミニウム製治具６０の加熱器８側の表面で
前記加熱器８からの熱が反射される。
ようにアルミナ膜６１が形成されており、基板装着時に
前記治具６０を構成しているアルミ二′ウムの表面が反
応室３の雰囲気と接触しないようになっている。この場
合、前記アルミニウム製治具６０の加熱器８側の表面で
前記加熱器８からの熱が反射される。
このように前記アルミニウム製治具６０の表面にアルミ
ナ膜６１を形成するのはタングステンの選択ＣＶＤ法等
ではアルミニウムよりも薄膜が形成されにくいからであ
る。
ナ膜６１を形成するのはタングステンの選択ＣＶＤ法等
ではアルミニウムよりも薄膜が形成されにくいからであ
る。
またこの実施例において、第５図に示した実施例で述べ
たように前記アルミニウム製治具６０を容器１と接触さ
せてもよい。
たように前記アルミニウム製治具６０を容器１と接触さ
せてもよい。
さらに、第１図，第５図及び第６図の実施例において、
石英サセブタと加熱体の間にアルミニウム膜等の熱反射
手段を設けてもよい。これによれば、加熱体からの熱が
外部に逃げないようにできるので、基板の加熱の効率を
さらに向上することができる。さらに別の実施例として
基板を載置する試料台の部分例えば、石英サセブタ６、
加熱器８の側壁に、アルミニウム膜等の熱反射手段を設
けてもよく、この場合も前述した第１図，第５図及び第
６図の実施例と同様の効果がある。このように、熱反射
手段は基板固定治具を有しない装置であれば、試料台側
に設けることができる。さらに前記熱反射手段を冷却す
るようにしてもよい。
石英サセブタと加熱体の間にアルミニウム膜等の熱反射
手段を設けてもよい。これによれば、加熱体からの熱が
外部に逃げないようにできるので、基板の加熱の効率を
さらに向上することができる。さらに別の実施例として
基板を載置する試料台の部分例えば、石英サセブタ６、
加熱器８の側壁に、アルミニウム膜等の熱反射手段を設
けてもよく、この場合も前述した第１図，第５図及び第
６図の実施例と同様の効果がある。このように、熱反射
手段は基板固定治具を有しない装置であれば、試料台側
に設けることができる。さらに前記熱反射手段を冷却す
るようにしてもよい。
また、試料台の一部としてカバ一部材が設けられる場合
も、前記部材をアルミニウム等の部材にしてもよいし、
前記部材にアルミニウム等の熱反射手段を設けてもよく
、この場合も同様の効果がある。
も、前記部材をアルミニウム等の部材にしてもよいし、
前記部材にアルミニウム等の熱反射手段を設けてもよく
、この場合も同様の効果がある。
さらに、前述した固定治具表面の石英サセブタと加熱体
との間に設ける熱反射手段はアルミニウムに限らず、熱
すなわち主に赤外線を反射する材料であれば何でもよい
。アルミニウムは融点が低いので特にＣＶＤ法によるＳ
ｉＣ薄膜の形成（約１０００℃）など高温で処理を行な
う場合にはより融点の高いニッケルやチタンナイトライ
ド等が有効である。その他、金，銀，銅，白金，亜鉛や
これらの合金等も用いることができる。
との間に設ける熱反射手段はアルミニウムに限らず、熱
すなわち主に赤外線を反射する材料であれば何でもよい
。アルミニウムは融点が低いので特にＣＶＤ法によるＳ
ｉＣ薄膜の形成（約１０００℃）など高温で処理を行な
う場合にはより融点の高いニッケルやチタンナイトライ
ド等が有効である。その他、金，銀，銅，白金，亜鉛や
これらの合金等も用いることができる。
また前述した固定治具１２，５０やアルミニウム製固定
治具６０の表面に形成されているアルミナ膜６１の材料
も酸化物，ガラスであれば何でもよい。例えば、ＡＭ，
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｓ ｉ，Ｔｈ，Ｔｉの酸化物や石英ガラス
を用いることができる。
治具６０の表面に形成されているアルミナ膜６１の材料
も酸化物，ガラスであれば何でもよい。例えば、ＡＭ，
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｓ ｉ，Ｔｈ，Ｔｉの酸化物や石英ガラス
を用いることができる。
さらに加熱体による加熱方式は何でもよいほか容器の冷
却方式も何でもよい。さらに、前記実施例で説明したシ
リコン基板表面にタングステンを選択的に堆積する方法
はあくまでも一例であり、本発明はＣＶＤ法等により薄
膜を加熱しながら形成する用途全般に適用することがで
きる。その他、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施することが可能である。
却方式も何でもよい。さらに、前記実施例で説明したシ
リコン基板表面にタングステンを選択的に堆積する方法
はあくまでも一例であり、本発明はＣＶＤ法等により薄
膜を加熱しながら形成する用途全般に適用することがで
きる。その他、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施することが可能である。
し発明の効果］
本発明の基板の加熱装置によれば基板を加熱する場合、
試料台あるいは、基板固定治具の表面温度を基板の表面
温度より大幅に低くすることができるため、前記基板固
定治具表面での薄膜形成を抑えることができる。従って
、該部分での原料ガスの消費は少なくなり、基板表面で
の薄膜形成速度は低下しない。
試料台あるいは、基板固定治具の表面温度を基板の表面
温度より大幅に低くすることができるため、前記基板固
定治具表面での薄膜形成を抑えることができる。従って
、該部分での原料ガスの消費は少なくなり、基板表面で
の薄膜形成速度は低下しない。
さらに、前記基板固定治具から剥離して生ずるゴミの問
題もない。
題もない。
第１図（ａ） ， （ｂ）は、本発明の実施例に係る基
板加熱装置の概略図、第２図，第３図は本発明の実施例
の効果を説明する特性図、第４図は、本発明による実施
例装置でタングステンの堆積を行った場合の堆積速度の
経時変化を示す特性図、第５図及び第６図は本発明によ
る他の実施例に係る基板加熱装置の概略図、第７図は基
板を加熱した時の加熱体表面温度と基板表面温度との関
係を示す特性図である。 １・・・容器、２・・・冷却バイブ、３・・・反応室、
４・・・原料ガス供給パイプ、５・・・排気口、６・・
・石英サセブタ、７・・・基板、８・・・加熱器、９・
・・タングステン線、１０・・・アルミナ、１１・・・
銅線、１２．５０・・・固定治具、６０・・・アルミニ
ウム製固定治具、１３，５１・・・アルミニウム膜、６
１・・・アルミナ膜。
板加熱装置の概略図、第２図，第３図は本発明の実施例
の効果を説明する特性図、第４図は、本発明による実施
例装置でタングステンの堆積を行った場合の堆積速度の
経時変化を示す特性図、第５図及び第６図は本発明によ
る他の実施例に係る基板加熱装置の概略図、第７図は基
板を加熱した時の加熱体表面温度と基板表面温度との関
係を示す特性図である。 １・・・容器、２・・・冷却バイブ、３・・・反応室、
４・・・原料ガス供給パイプ、５・・・排気口、６・・
・石英サセブタ、７・・・基板、８・・・加熱器、９・
・・タングステン線、１０・・・アルミナ、１１・・・
銅線、１２．５０・・・固定治具、６０・・・アルミニ
ウム製固定治具、１３，５１・・・アルミニウム膜、６
１・・・アルミナ膜。
Claims (5)
- （１） 基板を収納する容器と、前記基板を載置する試
料台と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記基板を前
記試料台に固定する固定治具と、前記固定治具に設けら
れ、前記加熱手段の熱を反射する熱反射手段とを有する
ことを特徴とする基板加熱装置。 - （２） 前記固定治具は冷却されてなることを特徴とす
る請求項（１）記載の基板加熱装置。 - （３） 基板を収納する容器と、前記基板を載置する試
料台と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記試料台の
前記基板を載置する部分を除く部分に設けられた前記加
熱手段の熱を反射する熱反射手段とを有することを特徴
とする基板加熱装置。 - （４） 前記熱反射手段は、前記加熱手段と基板間の試
料台部分を除く部分に設けられたものであることを特徴
とする請求項（３）記載の基板加熱装置。 - （５） 前記試料台の前記基板を載置する部分を除く部
分は、冷却されてなることを特徴とする請求項（３）記
載の基板加熱装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2008226A JP2927857B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 基板加熱装置 |
| US07/632,082 US5119761A (en) | 1990-01-19 | 1990-12-21 | Substrate heating apparatus for forming thin films on substrate surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008226A JP2927857B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 基板加熱装置 |
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|---|---|
| JPH03215670A true JPH03215670A (ja) | 1991-09-20 |
| JP2927857B2 JP2927857B2 (ja) | 1999-07-28 |
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ID=11687255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008226A Expired - Fee Related JP2927857B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 基板加熱装置 |
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| GB201513339D0 (en) * | 2015-07-29 | 2015-09-09 | Pilkington Group Ltd | Coating apparatus |
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| JPS6372877A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2008226A patent/JP2927857B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-21 US US07/632,082 patent/US5119761A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2927857B2 (ja) | 1999-07-28 |
| US5119761A (en) | 1992-06-09 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |