JPH03217105A - 誘電体共振器の固定構造 - Google Patents
誘電体共振器の固定構造Info
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- JPH03217105A JPH03217105A JP1317490A JP1317490A JPH03217105A JP H03217105 A JPH03217105 A JP H03217105A JP 1317490 A JP1317490 A JP 1317490A JP 1317490 A JP1317490 A JP 1317490A JP H03217105 A JPH03217105 A JP H03217105A
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- Japan
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- dielectric resonator
- circuit board
- microwave circuit
- microstrip line
- resonator
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、相対向する平面部とそれらの平面部を結ぶ外
周部とを備えたTEO.δモードで共振する誘電体共振
器をマイクロストリップラインと磁気的に結合するよう
にしてマイクロ波回路基板に取り付けてなる誘電体共振
器の固定構造に関する。
周部とを備えたTEO.δモードで共振する誘電体共振
器をマイクロストリップラインと磁気的に結合するよう
にしてマイクロ波回路基板に取り付けてなる誘電体共振
器の固定構造に関する。
(従来の技術)
従来、この種のTEO.δモードで共振する誘電体共振
器は、第4図に示すような構成でマイクロ波回路基板に
取り付けられている。
器は、第4図に示すような構成でマイクロ波回路基板に
取り付けられている。
この図において、誘電体共振器l1は、誘電体材料から
なり、かつ相対向する平面部1 1a ,11bとそれ
らの平面部1 1a ,1 1bを結ぶ外周部11cと
を備えた円柱状に形成されている。その相対向する平面
部1 1a ,1 1bを貫く軸線方向はマイクロ波の
進行方向となっている。支持台12は、絶縁体材料で構
成されたものであって、誘電体共振器l1の一方の平面
部11bに接着剤等で固着されており、かつ、マイクロ
波回路基板l3上面に接着剤等で固着されている。誘電
体共振器11は、その平面部1 1a ,I 1bがマ
イクロ波回路基板13の面に相対向するように取り付け
られている。
なり、かつ相対向する平面部1 1a ,11bとそれ
らの平面部1 1a ,1 1bを結ぶ外周部11cと
を備えた円柱状に形成されている。その相対向する平面
部1 1a ,1 1bを貫く軸線方向はマイクロ波の
進行方向となっている。支持台12は、絶縁体材料で構
成されたものであって、誘電体共振器l1の一方の平面
部11bに接着剤等で固着されており、かつ、マイクロ
波回路基板l3上面に接着剤等で固着されている。誘電
体共振器11は、その平面部1 1a ,I 1bがマ
イクロ波回路基板13の面に相対向するように取り付け
られている。
マイクロ波回路基板l3は、誘電体材料からなり、かつ
、その上面にマイクロストリップライン14が形成され
、その下面にアース導体l5が形成されて構成されてい
る。誘電体共振器l1はマイクロストリップライン14
の近傍位置に取り付けられている。
、その上面にマイクロストリップライン14が形成され
、その下面にアース導体l5が形成されて構成されてい
る。誘電体共振器l1はマイクロストリップライン14
の近傍位置に取り付けられている。
上記のような誘電体共振器の固定構造においては、誘電
体共振器11の相対向する平面部11a,11bを貫く
軸線方向に磁界が形成され、第5図に示すようにその磁
界を形成する磁束Fがマイクロストリップラインl4と
鎖交することになる。
体共振器11の相対向する平面部11a,11bを貫く
軸線方向に磁界が形成され、第5図に示すようにその磁
界を形成する磁束Fがマイクロストリップラインl4と
鎖交することになる。
このように誘電体共振器11は、マイクロストリップラ
インl4と磁気的に結合されて共振回路を形成する。し
たがって、誘電体共振器11とマイクロストリップライ
ン14との距離aを調節することにより、両者の結合度
が調節され、その結果、共振回路の特性が調節されるこ
とになる。
インl4と磁気的に結合されて共振回路を形成する。し
たがって、誘電体共振器11とマイクロストリップライ
ン14との距離aを調節することにより、両者の結合度
が調節され、その結果、共振回路の特性が調節されるこ
とになる。
(発明が解決しようと,する課題)
上記のように従来の誘電体共振器の固定構造においては
、支持台12を用いて誘電体共振器11を所定の高さま
で浮かせているが、これは誘電体共振器11の平面部1
1a ,1 1bがマイクロ波回路基板13のアース
導体l5に近付きすぎると、アース導体15に接する磁
束の割合が増大して渦電流による損失が大きくなり、こ
れにより、共振回路のQ値が低下してしまうからである
。
、支持台12を用いて誘電体共振器11を所定の高さま
で浮かせているが、これは誘電体共振器11の平面部1
1a ,1 1bがマイクロ波回路基板13のアース
導体l5に近付きすぎると、アース導体15に接する磁
束の割合が増大して渦電流による損失が大きくなり、こ
れにより、共振回路のQ値が低下してしまうからである
。
そのため、支持台12が不可欠のものとなることから、
構成部材が増大して製造面でのコストアップになるとと
もに、支持台12を誘電体共振器1lに固着する作業も
必要となって製造工程が複雑化するという課題があった
。
構成部材が増大して製造面でのコストアップになるとと
もに、支持台12を誘電体共振器1lに固着する作業も
必要となって製造工程が複雑化するという課題があった
。
また、マイクロ波回路基板13を覆うように金属ケース
がかぶせられるが、この金属ケースが誘電体共振器11
の平面部1 1a ,1 1bに近付きすぎると、上記
のアース導体15の場合と同様に共振回路のQ値が低下
することになる。そのため、支持台l2を用いなければ
ならないことと相まって共振回路の低背化が困難になる
という課題があった。
がかぶせられるが、この金属ケースが誘電体共振器11
の平面部1 1a ,1 1bに近付きすぎると、上記
のアース導体15の場合と同様に共振回路のQ値が低下
することになる。そのため、支持台l2を用いなければ
ならないことと相まって共振回路の低背化が困難になる
という課題があった。
したがって、本発明においては誘電体共振器をマイクロ
波回路基板に取り付けるにあたり、従来のような支持台
を不要にすることによって製造面でのコストダウン化を
可能とし、かつ製造工程の簡素化も図れ、しかもマイロ
ク波回路基板を覆う金属ケースの低背化も可能にするこ
とを目的としている。
波回路基板に取り付けるにあたり、従来のような支持台
を不要にすることによって製造面でのコストダウン化を
可能とし、かつ製造工程の簡素化も図れ、しかもマイロ
ク波回路基板を覆う金属ケースの低背化も可能にするこ
とを目的としている。
(課題を解決するための手段)
このような目的を達成するために、本発明の誘電体共振
器の固定構造においては、誘電体共振器、マイクロ波回
路基板、およびマイクロストリップラインを有し、誘電
体共振器は、TE.lδモードで共振するものであり、
かつ相対向する平面部、および、それらの平面部を結ぶ
外周部を備えており、その外周部には少なくともその一
部に相対向する平面部を貫く軸線方向に沿って平坦部が
形成されており、その平坦部には電極膜が形成され、マ
イクロ波回路基板は誘電体材料からなり、かつ、一面に
マイクロストリップラインが、他面にアース導体がそれ
ぞれ形成されており、マイクロストリップラインは誘電
体共振器と磁気的に結合するものであり、誘電体共振器
は、相対向する平面部がマイクロ波回路基板の前記一面
に対向せず、かつ、当該両平面部を貫く軸線がマイクロ
ストリップラインと交差する方向に配置されており、誘
電体共振器はまたその配置状態でもって電極膜の形成さ
れた平坦部を上方に向けてマイクロ波回路基板の前記一
面に、直接、取り付けられていることを特徴としている
。
器の固定構造においては、誘電体共振器、マイクロ波回
路基板、およびマイクロストリップラインを有し、誘電
体共振器は、TE.lδモードで共振するものであり、
かつ相対向する平面部、および、それらの平面部を結ぶ
外周部を備えており、その外周部には少なくともその一
部に相対向する平面部を貫く軸線方向に沿って平坦部が
形成されており、その平坦部には電極膜が形成され、マ
イクロ波回路基板は誘電体材料からなり、かつ、一面に
マイクロストリップラインが、他面にアース導体がそれ
ぞれ形成されており、マイクロストリップラインは誘電
体共振器と磁気的に結合するものであり、誘電体共振器
は、相対向する平面部がマイクロ波回路基板の前記一面
に対向せず、かつ、当該両平面部を貫く軸線がマイクロ
ストリップラインと交差する方向に配置されており、誘
電体共振器はまたその配置状態でもって電極膜の形成さ
れた平坦部を上方に向けてマイクロ波回路基板の前記一
面に、直接、取り付けられていることを特徴としている
。
(作用)
誘電体共振器は、相対向する平面部がマイクロ波回路基
板の一面に対向せず、かつその相対向する平面部を貫く
軸線がマイクロストリップラインと交差する方向になっ
ていることから、誘電体共振器がマイクロ波回路基板に
近接してもアース導体に接する磁束は、従来のようには
増大ずることはない。そのため、余りQ値を低下させず
に共振回路が形成でき、従来のような支持台を用いるこ
となく、誘電体共振器を、直接、マイクロ波回路基板に
取り付けることが可能となる。
板の一面に対向せず、かつその相対向する平面部を貫く
軸線がマイクロストリップラインと交差する方向になっ
ていることから、誘電体共振器がマイクロ波回路基板に
近接してもアース導体に接する磁束は、従来のようには
増大ずることはない。そのため、余りQ値を低下させず
に共振回路が形成でき、従来のような支持台を用いるこ
となく、誘電体共振器を、直接、マイクロ波回路基板に
取り付けることが可能となる。
また、誘電体共振器は、その外周部に少なくとも一部に
平坦部が形成され、この平坦部に電極膜が形成されると
ともに、この電極膜の形成された平坦部を上方に向けて
マイクロ波回路基板に取り付けられていることから、そ
の平坦部の上方部分にはほとんど磁束が形成されない。
平坦部が形成され、この平坦部に電極膜が形成されると
ともに、この電極膜の形成された平坦部を上方に向けて
マイクロ波回路基板に取り付けられていることから、そ
の平坦部の上方部分にはほとんど磁束が形成されない。
そのため、金属ケースを誘電体共振器に近付けても余り
Q値が低下せず、その結果、支持台が不要になることと
相まって金属ケースの低背化が可能となる。
Q値が低下せず、その結果、支持台が不要になることと
相まって金属ケースの低背化が可能となる。
なお、誘電体共振器の外周部の平坦部には電極膜が形成
されているため、誘電体共振器はその電極膜の上方部分
にも下方部分と対称形状の誘電体があたかも存在するよ
うな特性を呈し、そのため、誘電体共振器の特性が実用
上問題となることはない。
されているため、誘電体共振器はその電極膜の上方部分
にも下方部分と対称形状の誘電体があたかも存在するよ
うな特性を呈し、そのため、誘電体共振器の特性が実用
上問題となることはない。
(実施例)
以下、本発明の実施例を第1図および第2図を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
これらの図において、誘電体共振器1はTE01δモー
ドで共振するものであり、かつ相対向する平面部1a.
1bとそれらの平面部1a,1bを結ぶ外周部1cとで
形成され、その外周郎1cにはその一部に平坦部1dが
形成されている。すなわち、この誘電体共振器1は従来
例に示す真円柱状のものを相対向する平面郎1 1a
,f Ibを貫く軸線方向に沿ってちょうど半分に切断
した半円柱7 状となっており、その切断面に相当する平坦部1dには
電極膜1eが形成されている。
ドで共振するものであり、かつ相対向する平面部1a.
1bとそれらの平面部1a,1bを結ぶ外周部1cとで
形成され、その外周郎1cにはその一部に平坦部1dが
形成されている。すなわち、この誘電体共振器1は従来
例に示す真円柱状のものを相対向する平面郎1 1a
,f Ibを貫く軸線方向に沿ってちょうど半分に切断
した半円柱7 状となっており、その切断面に相当する平坦部1dには
電極膜1eが形成されている。
この誘電体共振器1において、一方の平面部1aはマイ
クロ波回路基板2上のマイクロストリップライン3側に
向いており、かつ外周部1cは電極膜1eの形成された
平坦部1dを上方に向けてマイクロ波回路基板2上のマ
イクロストリップライン3の近傍に適宜の接着剤で固着
されている。
クロ波回路基板2上のマイクロストリップライン3側に
向いており、かつ外周部1cは電極膜1eの形成された
平坦部1dを上方に向けてマイクロ波回路基板2上のマ
イクロストリップライン3の近傍に適宜の接着剤で固着
されている。
マイクロ波回路基板2は、従来と同様の構成を有してい
て、かつ下面にアース導体4が形成されている。
て、かつ下面にアース導体4が形成されている。
このような構成を有した本発明の誘電体共振器の固定構
造においては、誘電体共振器lの平面部1a,1bを貫
《軸線方向に磁界が形成されている。この磁界を形成す
る磁束Fは第2図に示すようにマイクロストリップライ
ン3と鎖交している。
造においては、誘電体共振器lの平面部1a,1bを貫
《軸線方向に磁界が形成されている。この磁界を形成す
る磁束Fは第2図に示すようにマイクロストリップライ
ン3と鎖交している。
この場合、平面郎1a ,1bがマイクロ波回路基板2
面に対向していないことから、誘電体共振器lがマイク
ロ波回路基板2に近接していても共振回路のQ値はそれ
ほど低下することはない。
面に対向していないことから、誘電体共振器lがマイク
ロ波回路基板2に近接していても共振回路のQ値はそれ
ほど低下することはない。
8一
また、誘電体共振器1が半円柱状になっており、電極膜
1eの形成された平坦郎1dが上方に向いていることか
ら、その平坦部1dの上方部分にはほとんど磁束が形成
されず、マイクロ波回路基板にかぶせる金属ケースを誘
電体共振器Iに近付けても余りQ値が低下しない。その
ため、従来の支持台が不要になることと相まって金属ケ
ースの低背化が可能となる。
1eの形成された平坦郎1dが上方に向いていることか
ら、その平坦部1dの上方部分にはほとんど磁束が形成
されず、マイクロ波回路基板にかぶせる金属ケースを誘
電体共振器Iに近付けても余りQ値が低下しない。その
ため、従来の支持台が不要になることと相まって金属ケ
ースの低背化が可能となる。
なお、誘電体共振器1は、半円柱状で従来の半分の大き
さしかないが、電極膜1eの存在により、電極膜1eの
上方部分にも下方部分と対称形状の誘電体があたかも存
在しているような特性を呈することになるため、その特
性が実用上問題となることはない。
さしかないが、電極膜1eの存在により、電極膜1eの
上方部分にも下方部分と対称形状の誘電体があたかも存
在しているような特性を呈することになるため、その特
性が実用上問題となることはない。
このように誘電体共振器lは、マイクロストリップライ
ン3と磁気的に結合されて共振回路を形成している。し
たがって、誘電体共振器lとマイクロストリップライン
3との距離Qを従来と同様に調節することにより、両者
の結合度が調節され、その結果共振回路の特性が調節さ
れることになる。
ン3と磁気的に結合されて共振回路を形成している。し
たがって、誘電体共振器lとマイクロストリップライン
3との距離Qを従来と同様に調節することにより、両者
の結合度が調節され、その結果共振回路の特性が調節さ
れることになる。
なお、誘電体共振器lは第3図に示すようにマイクロス
トリップライン3に対して角度θを有するように斜めに
配置するようにしてもよい。要は、誘電体共振器1の平
面部1a ,1bがマイクロ波回路基板2の面に対向せ
ず、かつ、その相対向する平面郎1a,1bを貫く軸線
がマイクロストリップライン3と交差する方向に誘電体
共振器lを配置するようにすれば、両者の磁気的な結合
が保たれることになる。このように誘電体共振器lを斜
めに配置した場合には、その角度θを調節することによ
っても共振回路の特性を調節することができる。
トリップライン3に対して角度θを有するように斜めに
配置するようにしてもよい。要は、誘電体共振器1の平
面部1a ,1bがマイクロ波回路基板2の面に対向せ
ず、かつ、その相対向する平面郎1a,1bを貫く軸線
がマイクロストリップライン3と交差する方向に誘電体
共振器lを配置するようにすれば、両者の磁気的な結合
が保たれることになる。このように誘電体共振器lを斜
めに配置した場合には、その角度θを調節することによ
っても共振回路の特性を調節することができる。
また、誘電体共振器1は、外形が上記実施例のような半
円柱状である必要は必ずしもなく、外周部の少なくとも
一部に平坦部が形成されておれば、角柱状等の他の形状
であってもよい。要は、本来、必要とする形状の誘電体
共振器を、その相対向する平面部を貫く軸線方向に沿っ
て実質的に半分の大きさとなるように切断したような形
状とし、その切断面に相当する、外周部の一部である平
坦郎l1 に電極膜を形成すればよいのである。さらには、誘電体
共振器1はマイクロストリップライン3上に重なるよう
に配置してもよい。
円柱状である必要は必ずしもなく、外周部の少なくとも
一部に平坦部が形成されておれば、角柱状等の他の形状
であってもよい。要は、本来、必要とする形状の誘電体
共振器を、その相対向する平面部を貫く軸線方向に沿っ
て実質的に半分の大きさとなるように切断したような形
状とし、その切断面に相当する、外周部の一部である平
坦郎l1 に電極膜を形成すればよいのである。さらには、誘電体
共振器1はマイクロストリップライン3上に重なるよう
に配置してもよい。
(発明の効果)
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
誘電体共振器の平面部がマイクロ波回路基板の面に対向
せず、かつその相対向する平面部を貫く軸線がマイクロ
ストリップラインと交差する方向に誘電体共振器を配置
したことから、誘電体共振器をマイクロ波回路基板に直
接取り付けることが可能となり、従来のような支持台が
不要となって製造面でのコストダウンを図ることができ
、しかもその作業工程も簡素化することができる。
誘電体共振器の平面部がマイクロ波回路基板の面に対向
せず、かつその相対向する平面部を貫く軸線がマイクロ
ストリップラインと交差する方向に誘電体共振器を配置
したことから、誘電体共振器をマイクロ波回路基板に直
接取り付けることが可能となり、従来のような支持台が
不要となって製造面でのコストダウンを図ることができ
、しかもその作業工程も簡素化することができる。
また、誘電体共振器は、その外周部の少なくとも一部に
平坦部が形成されるとともに、この平坦部に電極膜が形
成され、この電極膜の形成された平坦部を上方に向けて
マイクロ波回路基板に取り付けたことから、マイクロ波
回路基板にかぶせる金属ケースを誘電体共振器に近付け
ることができ、金属ケースの低背化が可能となる。
平坦部が形成されるとともに、この平坦部に電極膜が形
成され、この電極膜の形成された平坦部を上方に向けて
マイクロ波回路基板に取り付けたことから、マイクロ波
回路基板にかぶせる金属ケースを誘電体共振器に近付け
ることができ、金属ケースの低背化が可能となる。
−12一
第1図ないし第3図は本発明の実施例に係り、第1図は
同実施例の誘電体共振器の固定構造を示すマイクロ波回
路基板の要部斜視図、第2図はその側面図、第3図は本
発明の他の実施例の誘電体共振器の固定構造を示すマイ
クロ波回路基板の要部平面図である。 第4図および第5図は従来例に係り、第4図は誘電体共
振器の固定構造を示すマイクロ波回路基板の要部斜視図
、第5図はその側面図である。 1・・・誘電体共振器、2・・・マイクロ波回路基板、
3・・・マイクロストリップライン、4・・・アース導
体。
同実施例の誘電体共振器の固定構造を示すマイクロ波回
路基板の要部斜視図、第2図はその側面図、第3図は本
発明の他の実施例の誘電体共振器の固定構造を示すマイ
クロ波回路基板の要部平面図である。 第4図および第5図は従来例に係り、第4図は誘電体共
振器の固定構造を示すマイクロ波回路基板の要部斜視図
、第5図はその側面図である。 1・・・誘電体共振器、2・・・マイクロ波回路基板、
3・・・マイクロストリップライン、4・・・アース導
体。
Claims (1)
- (1)誘電体共振器(1)、マイクロ波回路基板(2)
、およびマイクロストリップライン(3)を有し、 誘電体共振器(1)は、TE_0_1δモードで共振す
るものであり、かつ相対向する平面部(1a,1b)、
および、それらの平面部(1a.1b)を結ぶ外周部(
1c)を備えており、その外周部(1c)には少なくと
もその一部に相対向する平面部(1a,1b)を貫く軸
線方向に沿って平坦部(1d)が形成されており、その
平坦部(1d)には電極膜(1e)が形成されており、 マイクロ波回路基板(2)は誘電体材料からなり、かつ
、一面にマイクロストリップライン(3)が、他面にア
ース導体(4)がそれぞれ形成されており、 マイクロストリップライン(3)は誘電体共振器(1)
と磁気的に結合するものであり、 誘電体共振器(1)は、相対向する平面部(1a,1b
)がマイクロ波回路基板(2)の前記一面に対向せず、
かつ、当該両平面部(1a,1b)を貫く軸線がマイク
ロストリップライン(3)と交差する方向に配置されて
おり、 誘電体共振器(1)はその配置状態でもって電極膜(1
e)の形成された平坦部(1d)を上方に向けてマイク
ロ波回路基板(2)の前記一面に、直接、取り付けられ
ていることを特徴とする誘電体共振器の固定構造。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317490A JPH03217105A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 誘電体共振器の固定構造 |
| GB9028093A GB2239988B (en) | 1989-12-27 | 1990-12-27 | A fixing arrangement for a dielectric resonator |
| US07/634,733 US5164691A (en) | 1989-12-27 | 1990-12-27 | Fixing structure of dielectric resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317490A JPH03217105A (ja) | 1990-01-22 | 1990-01-22 | 誘電体共振器の固定構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217105A true JPH03217105A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11825821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1317490A Pending JPH03217105A (ja) | 1989-12-27 | 1990-01-22 | 誘電体共振器の固定構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03217105A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160802A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-16 | Hitachi Ltd | 共振回路 |
| JPH01144701A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Fujitsu Ltd | 誘電体共振器 |
| JPH0321103A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-29 | Fujitsu Ltd | 誘電体共振器の基板モジュール |
-
1990
- 1990-01-22 JP JP1317490A patent/JPH03217105A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160802A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-16 | Hitachi Ltd | 共振回路 |
| JPH01144701A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Fujitsu Ltd | 誘電体共振器 |
| JPH0321103A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-29 | Fujitsu Ltd | 誘電体共振器の基板モジュール |
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