JPH03217161A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は、マイクロフィルムや３Ｅｖ＋ｍフイルム等の
透過原稿を読み取って電気信号に変換する画像読取装置
に関し、特にカラーネガフィルムの画像を読み取ってプ
リントアウトする際の照明光源の最適光量の制御技術に
関する。 〔従来の技術〕 従来、ネガフィルム画像をプロジエクタ（投影装置）に
より原稿台ガラスに投影し、そのフィルム画像の投影像
をミラー及びレンズによってイメージセンサヘ結像して
フィルム画像を読み取り、あるいはネガフィルムを照明
してその透過画像をイメージセンサヘ結像して読み取る
フイルムスキャナ等と呼ばれる画像読取装置が提供され
ている。 これらの装置は一般に撮影時の露出の過不足を補正する
為に、あらかじめ決められた電圧レベルで画像を読み取
り、この時の信号の出力レベルによってフィルム照明光
源（以下、ランプと称する。）の点灯電圧を変え、最適
の光量になる様にしていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記のような従来例では、ランプの光量
を変化させて露出の過不足を補正出来る範囲は、例えば
ＩＳＯ（国際標準規格）１００のフィルムでたかだか露
出オーバー側＋１．５から露出アンダー側−２ぐらいま
でである。 一方、銀塩写真においては露出オーバー側＋３から露出
アンダー側−２ぐらいまでの範囲の露出特性があるので
、銀塩写真のプリントならば可視化出来るのに、複写が
取れないという場合が有った。 本発明の目的は、上述の点に鑑み、従来装置で複写が不
可能であった＋１．５以上のオーバー露光フィルムから
も良質な複写をとることができる画像読取装置を提供す
ることにある。

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するため、本発明は、光源により照明さ
れた透過原稿の透過光像な読取り走査する固体撮像素子
からなるイメージセンサを有する画像読取装置において
、前記イメージセンサの出力から得られる前記透過原稿
の画像濃度レベルから該透過原稿の読取り走査に必要な
最適光量を算出する算出手段と、該算出手段で算出され
た該最適光量に基いて前記光源の発光量を制御する光量
制御手段と、該最適光量が前記光源の最大光量を超過す
ると判断したときは、該超過量に対応して前記イメージ
センサの電荷蓄積時間を長く設定する蓄積時間制御手段
とを具備したことを特徴とする． また、本発明の一態様として、前記蓄積時間制御手段が
前記電荷蓄積時間を長《設定したときには、これに応じ
て前記イメージセンサの読取り走査速度を遅くする制御
を行う走査速度制御手段を有することを特徴とする。 また、本発明の他の態様として、前記走査速度制御手段
が前記読取り走査速度を遅くした時には、これに応じて
前記イメージセンサからの出力信号を画像メモリに格納
するライト信号の周期を長くし、リード信号の周期をラ
イト信号よりも短くする制御を行うメモリ制御手段を有
することを特徴とする。 また、本発明の他の態様として、前記蓄積時間制御手段
が前記電荷蓄積時間を長く設定したときには、これに応
じて前記透過原稿の画像記録を行う配録装置の記録走査
時間を長く設定する制御を行う記録速度制御手段を有す
ることを特徴とする。 〔作　用〕 本発明では、ネガフィルムの投影画像を読み取る動作に
先立って、当該ネガフィルムの複数画素の出力レベルを
サンプリングし、その画素の出力レベルに基いてネガフ
ィルム画像の露出状況を判別し、その判別結果に基いて
ランプをフル点灯しても光量が不足する場合は、イメー
ジセンサの電荷蓄積時間を長くするようにしたので、ラ
ンプ光量が不足して従来装置では複写が不可能だった＋
１．５以上のオーバー露光フィルムからも良質の複写を
取ることができる。 〔実施例〕 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。 似五本里見 第１図は本発明実施例の基本構成を示す。同図において
、Ａは光源、Ｂは透過原稿、Ｃは光源Ａにより照明され
た透過原稿Ｂの透過光像な読取り走査する固体撮像素子
からなるイメージセンサである。 ＤはイメージセンサＣの出力から得られる透過原稿Ｂの
画像濃度レベルから透過原稿の読取り走査に必要な最適
光量を算出する算出手段である。 Ｅは算出手段Ｄで算出された該最適光量に基いて光源Ａ
の発光量を制御する光量制御手段である。 Ｆは最適光量が光源Ａの最大光量を超過すると判断した
ときは、超過量に対応してイメージセンサＣの電荷蓄積
時間を長く設定する蓄積時間制御手段である。 また、一例として、蓄積時間制御手段Ｆが電荷蓄積時間
を長く設定したときには、これに応じてイメージセンサ
Ｃの読取り走査速度を遅くする制御を行う走査速度制御
手段Ｇを有する。 また、一例として、走査速度制御手段Ｇが読取り走査速
度を遅くした時には、これに応じてイメージセンサＣか
らの出力信号を画像メモリＫに格納するライト信号の周
期を長くし、リード信号の周期をライト信号よりも短《
する制御を行うメモリ制御手段Ｈを有する。 また、一例として、蓄積時間制御手段Ｆが電荷蓄積時間
を長く設定したときには、これに応じて透過原稿Ｂの画
像記録を行う記録装置の記録走査時間を長く設定する制
御を行う記録速度制御手段工を有する。 Ａ策上叉１週 第２図は本発明の一実施例（第１実施例）の画像読取装
置（フィルムスキャナ）の回路構成を示す。同図におい
て、１０１は画像入力用のＣＯＤ　（電荷結合素子）ラ
インセンサであり、このＣＣＤアレイの上に第３図に示
す様にＲ（レッド），Ｇ（グリーン），Ｂ（ブルー）の
３色の色分解フィルタが画素毎に塗布されて線状に配列
されている。ＣＣＤラインセンサ１０１はＣＣＤドライ
バ（駆動回路）１１４で生成された水平同期信号（ＳＨ
）１１５やクロック信号（φＩＡ，Ｉ１）１１６，　　
．（φ＊ｈ．　ｍ）　１１７を入力することにより入射
光量に比例した出力信号（ＯＳ）１１８を出力する。 ＣＣＤラインセンサ１０１から出力された画像信号はサ
ンプルホールド回路１０２でサンプルホールドされ、Ａ
／Ｄ　（アナログ／デジタル）変換器１０３でＲ．Ｇ，
Ｂの各々のデジタル信号に変換されて、エライン分の時
系列信号となる。１０６〜１０ｇはＣＣＤラインセンサ
１０１の感度のばらつきや原稿照明光源３０７の光量む
らを補正するためのＣＣＤ　１ライン分のＲ，　Ｇ，　
Ｈの各々のデータ（以後、シエーディングデー夕と呼ぶ
）を画素毎に記憶するラインメモリであって、ＲＡＭ（
ランダムアクセスメモリ》により構成されている（以後
、シエーディングＲＡＭと呼ぶ）。１０４はＡ／Ｄ変換
器１０３からのデジタル信号が画像信号であるときはそ
の信号の出力を乗算器１０５へ切り換え、そのデジタル
信号がシエーディングデー夕の信号であるときはその信
号の出力をシェーディングＲＡＭ１０６〜１０８へ切り
換えるセレクタである。セレクタ１０４への切り換え信
号はＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）　１１１か
ら供給される。 第４図は本発明実施例の画像読取装置（フィルムスキャ
ナ）の内部構成例を示す。シエーディングデー夕の取り
込みは、次のように行われる。すなわち、読みとり原稿
がカラーネガフィルムである場合には、ＣＣＤラインセ
ンサ１０１を支持するＣＣＤユニットを第４図の符号３
１４で示す位置へ移動し、第４図の符号３０８で示す位
置にネガフィルムのベース部（画像記録の成されていな
いフィルム，以下ベースフィルムと称する）をセットし
、照明ライン３０７を基準電圧■。で点灯し、ベースフ
ィルムを原稿台ガラス３０１上に投影させたときのＣＣ
Ｄ　１ライン分のデータが上述のシェーディングＲＡＭ
１０６〜１０８に書き込まれる。 また、第２図において乗算器１０５は画像信号とシェー
ディングデー夕との間で演算を行ない、その演算に基い
て画像信号のＣＣＤ主走査方向の出力変動の補正及びＲ
，Ｇ，Ｂホワイトバランスの補正を行なう。具体的な演
算は画像信号（ＳＬ）８ビット、シェーディングデータ
（Ｓｓ）　８ビットを用いて、８ビットの補正信号を出
力する場合に、補正後の信号をＳｃ（以後、規格化輝度
信号と呼ぶ）とすると、Ｓｃは次式（１）で得られる。 Ｓｃ＝　２５５　Ｘ　Ｓｉ／Ｓｓ　　　・＝　（１）こ
の乗算器１０５はＲＯＭ，（リードオンリメモリ）等の
メモリを用いて例えばＳＬ，　Ｓｓを入力（読み出しア
ドレス）とするルックアップテーブル参照方式により実
現することができる。 １０９は以上の様にして乗算器１０５で補正されたＲ，
　Ｇ，　Ｂ画像信号を対数変換して、印刷色のＹ（イエ
ロー），Ｍ（マゼンタ）．Ｃ（シアン）の濃度信号へ変
換１ １ する対数変換テーブルであり、１１０は対数変換テーブ
ル１０９から出力されるＹ，　Ｍ，　Ｃ信号にマスキン
グ補正，墨入れ，　ＯＣＲ（下色除去）等の周知の色処
理を加えて、例えばレーザープリンタ（図示せず）の様
な画像出力装置へのＹ，　Ｍ，　Ｃ，　Ｋ　（ブラック
）信号を生成する色処理回路である。 ＭＰＵ１１１はシェーディングＲＡＭ１０６〜１０８に
直接アクセス可能であり、第７図に示すような後述のア
ルゴリズムを実行して投影機光源（ランプ光源）３０７
の点灯電圧を決定する。１１２はシエーデイングＲＡＭ
　１０６〜１０８に記憶・されているシエーディングデ
ー夕を一旦退避させるシエーデイングデータ退避ＲＡＭ
である。また、１１３は後述のアルゴリズムにより作成
されるヒストグラムを記憶するヒストグラムＲＡＭであ
る。両ＲＡＭ１１２，１１３．の双方ともＭＰＵＩＩＩ
でアクセスする構成となっている。 次に、本発明実施例における投影機ランブ３０７の点灯
電圧の決定方法について説明する。 一般にカラーネガフィルムの階調記録特性は、このフィ
ルムへの入射光量をＥ、現像処理後の１ ２ フィルムの透過率をＴとすると、次式（２）の関係式で
表わされる。 −ρｏｌＴ　＝　ａ　＋　γｎ　ｏｇ　Ｅ　　　・・・
（２）ここで、ａは所定の定数、γは使用するネガフィ
ルムによって決まる正の定数（以後「γ値」と呼ぶ）で
ある。 第５図に上記のフィルム入射光量Ｅを規格化濃度信号Ｓ
ｃに変換して行く様子を示す。上式（２）の関係式は第
５図の曲線４０１の直線領域に相当する。今、適正露光
で撮影したネガフィルムにおいて、黒い被写体に対応す
るフィルム入射光量をＥｌｌ＋，白い被写体に対応する
光量をＥＷＩとすると、ネガフィルム上に記録される透
過濃度Ｄ（＝β。、Ｔ）はそれぞれＤ＋＋＋，Ｄｗ＋と
なる。第５図の曲線４０２はフィルム透過濃度Ｄをフィ
ルム透過率Ｔに変換する曲線であり、上記の透過濃度［
］ｓ＋，Ｄｗ＋に対応する透過率はＴＩｌｌ，Ｔｗ＋で
あることがわかる。 第４図の構成でフィルム画像を読みとる場合において、
ＣＣＤラインセンサ１０１から出力される信号Ｆ　Ｂ　
Ｉ　＋　ＰＷ　ｌは投影ランブ３０７の光量εとフィル
ムの透過率Ｔ＋＋１，Ｔｗｌの積に比例する。即ち、α
をある定数とすると、 Ｐ　Ｂｌ＝αＴＢＩε，　　　ＰＷｌ＝αＴＷＩε・（
３）となる。信号ＰＢＩＩＰＷＩはＡ／Ｄ変換後に（１
）式により乗算器１０５で補正演算され、規格化輝度信
号ＳＢＩ，Ｓｗ＋　となる。定数αに（１）式でかかる
係数も含めておき、更に（２）式を用いると、表わして
いる。今、規格化輝度信号ＳＲＩ，ＳＷＩが８ビットで
あるものとすると、第５図から明らかな様にＳＢＩがＴ
度２５５の値となる様に．　Ａ／Ｄ変換器１０３の設定
及びランプ光量εの設定を行なえば、効率の良いデジタ
ルデータを得ることができる。 この様にして得たデジタルデータは対数変換テーブル１
０９において第５図の符号４ｆｌ５で示す曲線により対
数変換されて、例えば８ビットの濃度？号に変換される
。即ち、曲線４０５は対数変換テーブル１０９で実行さ
れる変換データであって被写体の反射濃度が得られる。 次に、読み取り原稿フィルムが適正露出で撮影されてい
ない場合について考える。 即ち、撮影時のフィルム入射量が適正露光時よりも大き
く、基準黒，基準白に対して例えば第５図のＥｍｘ及び
Ｅｗ＊で示される値であったとする。この場合は、投影
機ランプ光量Ｃを変えないとすると、規格化輝度信号Ｓ
ａｇ，Ｓ■は（４）式により、 となる。 ここで、 Ｅａｔ／Ｅａｔ ＝Ｅｗ＋／Ｅｗ＊ であるの ｌ ５ で、この値を１／ｋとおくと、 ・・・（７） 即ち、（７）式で再びＳａｗ　＝　２５５，　Ｓｗｔ＝
　Ｃｐとなる様にするためには、ランプ光量Ｃをｋεと
すれば良いことになる。これは第５図で符号４０３の直
線を符号４０４の直線に置き替えることに相当し、結局
撮影時のフィルム入射光量が適正露出に対してｋ倍とな
った場合、投影機ランブ３０７の光量をｋ′ＹＰ１にす
れば常に基準黒を２５５，基準白をＣ，とする規格化輝
度信号が出力され、更に曲線４０５により被写体の濃度
信号を得ることができるということになる。 しかし、撮影時の露出倍数は実際には未知であるので、
フィルム上の画像濃度をサンプリングして、ランプ光量
を決定しなければならない。次に、このランプ光量の決
定手順について第２図の回路構成と第７図のフローチャ
ートを参照して説明する。 まず、ネガフィルム読取りモードが外部装置ま１ ６ たは操作卓（図示せず）から選択されると、対数変換テ
ーブル１０９が第６図の曲線５０１から曲線４０５へ切
り換えられ、また色処理回路１１０の種々のバラメータ
ーの設定の切り換えが行なわれる（ステップＳｌ）。 次にシェーディングデー夕の取り込みを行なう。即ち、
第４図の３０８の位置に使用するフィルムの未露光部（
ベースフィルム）またはそれに相当するフィルタを挿入
し（ステップＳ２）、投影機ランプ３０７をランプ電源
１２１を介して基準電圧Ｖａで点灯し、セレクタ１０４
をシェーディングＲＡＭ１０６，　１０７，　１０８側
へ切り換えて、ＣＣＯセンサユニットを投影画像領域の
中央部へ移動させ（ステップＳ３）　、ＣＣＤ　１ライ
ン分のデータをシエーディングＲＡＭ１０６〜１０ｇへ
書きこむ。このシェーディングデー夕の取り込みが終了
したら、ＣＣＤセンサユニットを所定のホームポジショ
ンへ戻し、投影機ランブ３０７を一旦消灯させる（ステ
ップＳ４）。 次に、実際に読取る画像フィルムを第４図の３０８の位
置にセットし（ステップＳ５）、フィルムの露出状態を
判別するためのサンプリングを行なう。そのためまず、
シェーディングＲＡＭ１０６〜１０８の内容をＭＰＵＩ
ＩＩによりシェーディングデータ退避ＲＡＭ１１２へ退
避させる。次いで投影機ランプ３０７を上記の基準電圧
Ｖａで点灯し（ステップＳ６）　、ＣＣＤセンサユニッ
ト投影画像部の所定位置まで移動させ（ステップＳ７）
、シェーディングＲＡＭ１０６〜１０８にＲ，　Ｇ，　
Ｂ，の１ライン分の画像データを取り込む（ステップｓ
ｇ）。 このようにしてシェーディングＲＡＭ１［１６〜１０ｇ
に取り込まれた画像データはＭＰＵＩＩＩがシェーディ
ング退避ＲＡＭｌ１２に退避させてあるシェーディング
デー夕により、画素毎にＲ，　Ｇ，　Ｂの各々について
順次（１）式の補正演算が乗算器１０５実行され、画素
毎に補正されたＲ，　Ｇ，　Ｂの規格化輝度信号値Ｓ＊
，　Ｓａ，Ｓｌｌを求め（ステップＳ９）、この信号値
Ｓ＊，Ｓａ，Ｓａが後に述べる条件を満足する場合に限
り、Ｓ，ｌに対応するアドレスのヒストグラムＲＡＭ１
１３のデータに１を加算し、１ライン分のデータが終了
するまで繰り返す（ステップＳ１０）。投影画像の読取
りはあらかじめ決められた複数ラインについて行ない、
この複数ラインの全ラインが終了するまで上記のステッ
プＳ７〜ＳＩＯの演算処理を繰り返す。 この全ラインの読み取りが終了したら（ステップＳｌｌ
）、上記のヒストグラムＲＡＭ１１３の内容をＭＰＵＩ
１１が参照し、投影画像を適切に読み取るために必要な
投影ランプ光量が得られる様なランプ点灯電圧ｖｌを決
定する。このとき、同時にＣＣＤセンサユニット（３０
３，　３０４，　１０１）はホームボジシ目ンへ戻り、
投影ランプ３０７は一旦消灯される（ステップＳｌ２）
。 ステップＳｌ２において、ランプ点灯電圧Ｖ，は次の様
に決定をする。 すなわち、ヒストグラムＲＡＭ１１３には、第８図に示
す様な画像信号値の発生頻度が記憶されているごとにな
るが、ヒストグラムの山の左端に対応する信号値が《４
》式のＳｗ＋＋右端に対応する信号値が８１に相当する
ものと考えられる．そこで、雑音の影響等を取除くため
、第８図に示す様に、発生１ ９ ？度の最大値Ｈ。ＩＩＸを例えば１／ｌ６倍した値でヒ
ストグラムを切断し、ヒストグラムとの交点を与える信
号値をＳｍ＋ｎ＋Ｓｍａｘとして抽出すれば、８１．１
が基準白レベル、Ｓｍａ＋＋が基準黒レベルを表わす値
となるわけである。既に述べた通り、 Ｓ．．．＝２５５，Ｓ．ｌ．＝ＣＩ　　　−（８）とな
る様にランプ点灯電圧Ｖ，を決定すれば良いのであるが
、一般的なカラーネガフイルム画像に対するヒストグラ
ムは、第８図に示した様に、Ｓｌｌｌｌ１の近傍の立上
がりの方がＳｆｆｉヮ。の近傍の立ち下がりよりも急峻
であるので、Ｓイｌｔｌ値の方がヒストグラムを切断す
る値にあまり敏感でなく、信頼性の高い値を得ることが
できる。そこで、 β＝＝Ｃｐ／　Ｓｍｌｎ　　　　　　　・・・（９）で
表される倍数βを求め、ランプ光量がβ倍となる様な点
灯電圧値Ｖ，が求める値となる．このとき８■つは自動
的に２５５となることが第５図から分かる。 第９図は基準点灯電圧ｖ０のときのランプ光量に対して
点灯電圧Ｖを変化させた場合の相対光量比を示すグラフ
である。この光量はおよそ電圧の３．５乗に比例する。 この第９図の曲線のデータはあらかじめＭＰＵＩＩＩに
内蔵のＲＯＭエリアに格納しておき、《９》式のβの値
をＶに変換して出力する様にすれば良い。ここで、■は
デジタル値であり、この値はＤ／Ａ変換器（不図示）を
介して投影機ランプ３０７の可変電圧電源１２１へ供給
され、読取り動作開始時に投影機ランブ３０７に電圧Ｖ
（ボルト）が印加される。 ところが、この可変電圧電源１２１の出力電圧は有限で
ある。この出力電圧が仮に２４Ｖが上限であった場合に
それ以上の電圧でランブ３０７を点灯しないと、ランプ
光量が不足するようなネガフィルムの場合には、ランプ
３０７を２４Ｖ以下で点灯し、そのかわりＣＣＯライン
センサ１０１の電荷蓄積時間を長くしてやれば良い。ラ
ンブ３０７の光量とセンサ１０１の出力電圧は比例関係
に有り、センサ１０１の電荷蓄積時間とセンサ１０１の
出力電圧も比例関係に有る。従って、センサ１０１の電
荷蓄積時間を２倍にすれば、ランブ３０７の光量を２倍
にしたのと同様の効果が得られるわけである．次に、上
記の電荷蓄積時間の決定方法を説明する。 上述のステップＳ１２で求めた倍数βの値が点灯電圧に
換算してランプ電源１２１の上限の２４Ｖ以上であった
時には（ステップＳ１３）、ＭＰＵＩＩＩは電荷蓄積時
間を２倍にする指示信号１１９をＣＣＤドライバ１１４
へ出力してＣＯＤラインセンサ１０１の電荷蓄積時間を
長くしてやれば良い（ステップＳ１４）。 例えば、基準点灯電圧が１８Ｖとし、この時の相対光量
比βを１とする。そして、複写を取りたいカラーネガフ
ィルムが２６．７Ｖでランブ３０７を点灯しないと光量
が不足する場合を考えてみる。 この時、電荷蓄積時間を第１０図の標準時（通常時）に
比べて、第１１図に示す様に２倍にしてやれば、相対光
量は２６．７Ｖの時の約％で良い事になる。この時のラ
ンプ３０７の点灯電圧は第９図により、または下記の演
算により約２２Ｖと求められる（ステップＳｌ４）。 ２６．　７Ｖ÷　”Ｊ２　＝２１．９Ｖ上記のランプ点
燈電圧はＭＰＵＩＩＩの指示信号１２０によりランプ電
源１２１が出力電圧を１２Ｖから２４Ｖまで可変にして
行う。 殴皿五叉１虜 上述した本発明の第１実施例ではカラーネガフィルムに
対して光量の不足する場合にＣＣＤラインセンサ１０１
の電荷蓄積時間を２倍にした例で説明したが、本発明は
この２倍に限度されるものでないことは勿論である。 また、第４図の構成の場合にＣＣＤラインセンサ１０１
はレンズ３０３，　３０４とともに同図の矢印方向（副
走査方向）に移動しながら、プラテンガラス３０１上に
投影されたカラーネガフィルムの画像を読み取るため、
電荷蓄積時間を長くすると、読み取り画像の解像度がだ
んだん悪《なってしまうということがある。この不都合
を防ぐには電荷蓄積時間を長くするのに応じてＣＣＤセ
ンサユニットの走査スピードを遅くすれば良い。すなわ
ち、電荷蓄積時間を２倍にしたら、画像読取の走査スピ
ードを坏にする制御をＭＰＵＩＩＩで行う。 ２　３ この場合、このフィルムイメージスキャナーに接続され
るプリンタもこれと同期して、その記録走査速度を落と
す必要がある。 プリンタの種類によっては、記録速度を変えることが非
常に難しい機種（例えば、電子写真方式のプリンタ）が
あるが、その場合はＣＣＤラインセンサで読み取った画
像データをページメモリに一旦書き込み、このページメ
モリから画像データを取り出す時に書き込み時よりも早
いクロック周波数で読み出して、プリントすれば、プリ
ンタ速度を遅く変えた場合と実質的に同様な作用効果が
得られる。 〔発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、ネガフィルムの
投影画像を読み取る動作に先立って、当該ネガフィルム
の複数画素の出力レベルをサンプリングし、その画素の
出力レベルに基いてネガフィルム画像の露出状況を判別
し、その判別結果に基いてランプをフル点灯しても光量
が不足する２　４ 場合は、イメージセンサの電荷蓄積時間を長くするよう
にしたので、ランプ光量が不足して従来装置では複写が
不可能だった＋１．５以上のオーバー露光フィルムから
も良質の複写を取ることができる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の基本構成を示すブロック図、 第２図は本発明の一実施例の画像読取装置（フイルムイ
メージスキャナー）の回路構成を示すブロック図、 第３図は第２図の３色色分解ＣＣＤラインセンサの構成
を示す平面図、 第４図は本発明の一実施例の画像読取装置の光学系の配
置構成を示す要部断面図、 第５図はネガフィルム読み取り信号の濃度信号への変換
を説明するグラフ、 第６図はＣＣＤラインセンサの出力を濃度信号へ変換す
るときの規格化輝度信号と濃度信号の関係な示すグラフ
、 第７図は本発明の一実施例の動作手順を示すフローチャ
ート、 第８図は画像信号のヒストグラムの一例を示すグラフ、 第９図は投影ランプ光量と点灯電圧の関係を示すグラフ
、 第ｌθ図は投影ランプの光量が十分な時のＣＣＤ駆動信
号とＣＣＤ出力信号のタイミングを示すタイミングチャ
ート、 第１１図は投影ランプの光量が不足して、電荷蓄積時間
を長くした時のＣＣＤ駆動信号とＣＣＯ出力信号のタイ
ミングを示すタイミングチャートである。 ・・・ＣＣＤラインセンサ、 ・・・サンプルホールド回路、 ・・・Ａ／Ｄ変換器、 ・・・セレクタ、 ・・・乗算器、 〜１０８・・・ラインメモリ、 ・・・対数変換テーブル、 ・・・色処理回路、 ・・・ＭＰＵ　， ・・・シェーディングデータ退避ＲＡＭ・・・ヒストグ
ラムＲＡＭ、 ・・・ＣＣＤ　ドライバ、 ・・・投影ランプ。 −４２１− 特開平３ ２１７１６１（１５） 特開平３ ２１７１６１　（１６）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）光源により照明された透過原稿の透過光像を読取り
   走査する固体撮像素子からなるイメージセンサを有する
   画像読取装置において、 前記イメージセンサの出力から得られる前記透過原稿の
   画像濃度レベルから該透過原稿の読取り走査に必要な最
   適光量を算出する算出手段と、該算出手段で算出された
   該最適光量に基いて前記光源の発光量を制御する光量制
   御手段と、 該最適光量が前記光源の最大光量を超過すると判断した
   ときは、該超過量に対応して前記イメージセンサの電荷
   蓄積時間を長く設定する蓄積時間制御手段と を具備したことを特徴とする画像読取装置。 ２）前記蓄積時間制御手段が前記電荷蓄積時間を長く設
   定したときには、これに応じて前記イメージセンサの読
   取り走査速度を遅くする制御を行う走査速度制御手段を
   有することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置
   。 ３）前記走査速度制御手段が前記読取り走査速度を遅く
   した時には、これに応じて前記イメージセンサからの出
   力信号を画像メモリに格納するライト信号の周期を長く
   し、リード信号の周期をライト信号よりも短くする制御
   を行うメモリ制御手段を有することを特徴とする請求項
   ２に記載の画像読取装置。 ４）前記蓄積時間制御手段が前記電荷蓄積時間を長く設
   定したときには、これに応じて前記透過原稿の画像記録
   を行う記録装置の記録走査時間を長く設定する制御を行
   う記録速度制御手段を有することを特徴とする請求項１
   に記載の画像読取装置。