JPH03218825A - 積層体 - Google Patents
積層体Info
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- JPH03218825A JPH03218825A JP1250490A JP1250490A JPH03218825A JP H03218825 A JPH03218825 A JP H03218825A JP 1250490 A JP1250490 A JP 1250490A JP 1250490 A JP1250490 A JP 1250490A JP H03218825 A JPH03218825 A JP H03218825A
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- polymer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電気的特性、寸法安定性、耐熱性及びドリル
加工性の優れた低誘電回路基板に好適な積層体に関する
。
加工性の優れた低誘電回路基板に好適な積層体に関する
。
（従来技術及び発明が解決しようとする課題）近年、大
型計算機の高速化、高性能化に伴い、信号伝送遅延時間
を低減させるため、低誘電回路基板の開発が進められて
いる。このような低誘電回路基板としてポリブタジエン
、ポリテトラフルオ口エチレン（ＰＴＦＥ） 、又最近
、フッ素樹脂（ＰＦＡ）を低誘電材として用いたものが
開発されている。
型計算機の高速化、高性能化に伴い、信号伝送遅延時間
を低減させるため、低誘電回路基板の開発が進められて
いる。このような低誘電回路基板としてポリブタジエン
、ポリテトラフルオ口エチレン（ＰＴＦＥ） 、又最近
、フッ素樹脂（ＰＦＡ）を低誘電材として用いたものが
開発されている。
このうち、ポリブタジエンは可燃性であり、吸水率及び
誘電率が高いために低誘電回路基板として充分ではない
。又、ＰＴＦＥ， ＰＦＡは誘電率が低いものの、金属
箔との接着性が悪く、このため積層する前にエッチング
処理等が必要であり、又、スルーホールをつくるための
ドリル加工時、寸法精度よく穴をあけることが難しいこ
と、又、これらの樹脂は熱可塑性であるため寸法安定性
が悪いこと、熱膨張率が大きいこと等の欠点を有してい
る。
誘電率が高いために低誘電回路基板として充分ではない
。又、ＰＴＦＥ， ＰＦＡは誘電率が低いものの、金属
箔との接着性が悪く、このため積層する前にエッチング
処理等が必要であり、又、スルーホールをつくるための
ドリル加工時、寸法精度よく穴をあけることが難しいこ
と、又、これらの樹脂は熱可塑性であるため寸法安定性
が悪いこと、熱膨張率が大きいこと等の欠点を有してい
る。
さらに従来の低誘電回路基板の場合、一度重合して得ら
れる重合体粉末やペレソトをシリカ、アルミナ等の無機
粉末や、ガラス、石英又はポリテトラフルオロエチレン
のファイバーをフィラーとして混合下に加圧・加熱して
成形するか、又は重合体のディスバージョンをガラス、
石英又はテフロン等のクロスに含浸後焼成して補強され
た重合体フィルムをつくり、さらに金属箔との接着性を
向上させるため重合体フィルムをエソチング等の処理を
行って金属箔を片面又は両面に積層して低誘電回路基板
が製造されており、製造に多工程を要するものであった
。
れる重合体粉末やペレソトをシリカ、アルミナ等の無機
粉末や、ガラス、石英又はポリテトラフルオロエチレン
のファイバーをフィラーとして混合下に加圧・加熱して
成形するか、又は重合体のディスバージョンをガラス、
石英又はテフロン等のクロスに含浸後焼成して補強され
た重合体フィルムをつくり、さらに金属箔との接着性を
向上させるため重合体フィルムをエソチング等の処理を
行って金属箔を片面又は両面に積層して低誘電回路基板
が製造されており、製造に多工程を要するものであった
。
（課題を解決するための手段）
本発明者等は上記問題に鑑み、改良された低誘電回路基
板及びその製造方法に関して研究を進めた結果、特定の
構造の含フソ素ジビニルエーテル化合物の単独重合体又
は共重合体が低誘電率を有し、又耐熱性、寸法安定性に
優れ、低熱膨張性であり、さらにドリル加工性が良好で
あること、又該化合物を１枚の金属箔上に流延し又は２
枚の金属箔の間に流延して重合した時、重合体と金属箔
の接着性が良好なことを見出し、本発明を完成させるに
至った。
板及びその製造方法に関して研究を進めた結果、特定の
構造の含フソ素ジビニルエーテル化合物の単独重合体又
は共重合体が低誘電率を有し、又耐熱性、寸法安定性に
優れ、低熱膨張性であり、さらにドリル加工性が良好で
あること、又該化合物を１枚の金属箔上に流延し又は２
枚の金属箔の間に流延して重合した時、重合体と金属箔
の接着性が良好なことを見出し、本発明を完成させるに
至った。
即ち、
本発明は、
一般式（１）
で示される含フッ素ジビニルエーテル化合物の単独重合
体又は共重合体と金属とが積層されてなる積層体である
。
体又は共重合体と金属とが積層されてなる積層体である
。
上記一般式（Ｉ）中、！及びｍは夫々Ｏ以上の整数であ
り、ｎは２以上の整数であればよいが、得られる積層体
を低誘電回路基板として用いる場合には、ｅ及びｍは夫
々Ｏ〜２の整数であり、ｎは２〜６の整数であることが
好ましい。
り、ｎは２以上の整数であればよいが、得られる積層体
を低誘電回路基板として用いる場合には、ｅ及びｍは夫
々Ｏ〜２の整数であり、ｎは２〜６の整数であることが
好ましい。
本発明において好適に用いられる含フ・ノ素ジビニルエ
ーテル化合物を具体的に例示すると、次のとおりである
。
ーテル化合物を具体的に例示すると、次のとおりである
。
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦｚ）ｚ〜６０ＣＦ＝ＣｈＣＦｚ＝
ＣＦＯＣＨｚ（ＣＦｚ）ｚ〜４ｃＨｚＯｃＦ＝ｃＦｚＣ
Ｆ３ ＣＦｓ ＣＦｚ＝ＣＦＯＣＨｚＣＦＯ（ＣＦｚ）ｚ〜ｂＯｃＦｃ
ＨｔＯｃＦ ＝ ＣＦ！ＣＦ． Ｃｈ＝ＣＦＯＣｈＣＦＯ（Ｃｈ）ｚ〜６０ＣＦ＝ｃｐｚ
本発明においては、前記一般式（１）で示される含フッ
素ジビニルエーテル化合物の単独重合体を用いてもよく
、また、共重合体を用いてもよい。
ＣＦＯＣＨｚ（ＣＦｚ）ｚ〜４ｃＨｚＯｃＦ＝ｃＦｚＣ
Ｆ３ ＣＦｓ ＣＦｚ＝ＣＦＯＣＨｚＣＦＯ（ＣＦｚ）ｚ〜ｂＯｃＦｃ
ＨｔＯｃＦ ＝ ＣＦ！ＣＦ． Ｃｈ＝ＣＦＯＣｈＣＦＯ（Ｃｈ）ｚ〜６０ＣＦ＝ｃｐｚ
本発明においては、前記一般式（１）で示される含フッ
素ジビニルエーテル化合物の単独重合体を用いてもよく
、また、共重合体を用いてもよい。
共重合体は、前記一般式（Ｉ）で示される含フッ素ジビ
ニルエーテル化合物同士の共重合体であってもよく、ま
た、他の単量体との共重合体であってもよい。この場合
、前記一般式（Ｉ）で示される含フッ素ジビニルエーテ
ル化合物に基づく単量体単位が５０モル％以上であるこ
とが好ましい。
ニルエーテル化合物同士の共重合体であってもよく、ま
た、他の単量体との共重合体であってもよい。この場合
、前記一般式（Ｉ）で示される含フッ素ジビニルエーテ
ル化合物に基づく単量体単位が５０モル％以上であるこ
とが好ましい。
上記の他の単量体としては、含フン素ジビニルエーテル
化合物と共重合可能な単量体が何ら制限なく採用される
。例えば、テトラフルオ口エチレン、テトラフルオ口プ
ロピレン、フルオロアルキルビニルエーテル等を挙げる
ことができる。これらの中でも、特に下記一般式（ｎ） 但し、ａ及びＣは夫々０又はｌであり、ｂはＯ〜２の整
数であり、ｄは１〜８の整数である。
化合物と共重合可能な単量体が何ら制限なく採用される
。例えば、テトラフルオ口エチレン、テトラフルオ口プ
ロピレン、フルオロアルキルビニルエーテル等を挙げる
ことができる。これらの中でも、特に下記一般式（ｎ） 但し、ａ及びＣは夫々０又はｌであり、ｂはＯ〜２の整
数であり、ｄは１〜８の整数である。
で示されるモノビニルエーテル化合物が好適に用いられ
る。上記一般式（ＩＩ）で示される化合物を具体的に示
せば次のとおりである。
る。上記一般式（ＩＩ）で示される化合物を具体的に示
せば次のとおりである。
ＣＦｚ＝ＣＦＯ（Ｃｈ）ｇ〜．Ｆ
Ｃｈ ＝ ＣＦＯＣＨｚ （ＣＦｚ） ｔ〜，ＦＣＰｓ
ＣＦ ｚ ＝ ＣＦＯＣＨ ！ＣＦＯ （ＣＦ ！）
ｔ〜。ＦＣＦ３ ＣＦｚ＝ＣＦＯＣＦｚＣＦＯ（ＣＦｚ）ｚ−＠Ｆ前記一
般式（Ｉ）で示される含フッ素ジビニルエーテル化合物
の単独重合及びこれと共重合可能な単量体との共重合は
次のような方法で行なわれる。
ｔ〜。ＦＣＦ３ ＣＦｚ＝ＣＦＯＣＦｚＣＦＯ（ＣＦｚ）ｚ−＠Ｆ前記一
般式（Ｉ）で示される含フッ素ジビニルエーテル化合物
の単独重合及びこれと共重合可能な単量体との共重合は
次のような方法で行なわれる。
含フッ素ジビニルエーテル化合物の単独重合及び共重合
に用いる重合開始剤としては有機系のラジカル発生剤が
用いられるが、本発明で得られる重合体の電気的特性を
良好にするため、また、本発明で用いる含フソ素ジビニ
ルエーテル化合物は低沸点を有するものが多いために低
温でラジカルを発生する含フッ素系のジアシルバーオキ
サイドが好適に用いられる。特に本発明においては、次
の一般式で示されるものが好適に用いられる。
に用いる重合開始剤としては有機系のラジカル発生剤が
用いられるが、本発明で得られる重合体の電気的特性を
良好にするため、また、本発明で用いる含フソ素ジビニ
ルエーテル化合物は低沸点を有するものが多いために低
温でラジカルを発生する含フッ素系のジアシルバーオキ
サイドが好適に用いられる。特に本発明においては、次
の一般式で示されるものが好適に用いられる。
Ｘ（Ｃｈ） ｒｃＯＯｃ（ＣＦｚ） ｔＸ１１
００
１１
００
具体的に例示すると、
例えば、
０
０
Ｃ
Ｃ
ＣＦ， ＣＦ．
ＣＦｓＣＦｚＣＦｚＯＣＦＣＯＯＣＣＦＯＣＦｔＣｈＣ
Ｆｘ１１ ００ 等である。これらの重合開始剤の使用量は全単量体に対
してモル比で０． ０ ０ １〜０．１であることが好
ましい。
Ｆｘ１１ ００ 等である。これらの重合開始剤の使用量は全単量体に対
してモル比で０． ０ ０ １〜０．１であることが好
ましい。
重合の条件として重合温度は用いる重合開始剤の半減温
度、必要とする重合速度により概略決められるが、一般
にはＯ℃〜５０℃好ましくは１０℃〜３０℃である。本
発明で用いる含フッ素ジビニルエーテル化合物又は含フ
ッ素ジビニルエーテル化合物と他の単量体との混合物は
重合性が良好で上記した温度範囲で数時間〜ｌＯ時間程
で殆んど重合が完了する。
度、必要とする重合速度により概略決められるが、一般
にはＯ℃〜５０℃好ましくは１０℃〜３０℃である。本
発明で用いる含フッ素ジビニルエーテル化合物又は含フ
ッ素ジビニルエーテル化合物と他の単量体との混合物は
重合性が良好で上記した温度範囲で数時間〜ｌＯ時間程
で殆んど重合が完了する。
又、重合時の圧力は、通常、大気圧でもよいが、低沸点
の含フッ素ジビニルエーテル化合物やこれと共重合可能
な単量体としてモノビニルエーテル化合物を用いた場合
、蒸発による飛散を防止するため、これら化合物をはさ
んだ平板を耐圧容器内に入れ、窒素等の不活性ガスで数
〜ｌＯｋｇ／一の圧力をかけ重合することが好ましい。
の含フッ素ジビニルエーテル化合物やこれと共重合可能
な単量体としてモノビニルエーテル化合物を用いた場合
、蒸発による飛散を防止するため、これら化合物をはさ
んだ平板を耐圧容器内に入れ、窒素等の不活性ガスで数
〜ｌＯｋｇ／一の圧力をかけ重合することが好ましい。
重合が完了した平板の重合板は充分な機械的強度を有し
ているが、さらに１ｏｏ℃〜１５０”Ｃの温度下で数時
間処理し、微量含まれる未重合物の除去や重合時の応力
の除去を行ってもよい。
ているが、さらに１ｏｏ℃〜１５０”Ｃの温度下で数時
間処理し、微量含まれる未重合物の除去や重合時の応力
の除去を行ってもよい。
重合に先立ち、機械的強度の改良の目的でシリカ、アル
ミナ、ＡＪＮ等の無機粉末；ガラス、石英、ポリテトラ
フルオロエチレン等のファイバーやこれらのクロス等の
充填材を加えて重合してもよい。
ミナ、ＡＪＮ等の無機粉末；ガラス、石英、ポリテトラ
フルオロエチレン等のファイバーやこれらのクロス等の
充填材を加えて重合してもよい。
本発明での重合は成形を目的とした塊状重合であるため
、単量体に重合開始剤及び必要により無機粉末、ファイ
バーを加えた混合物又その流動性の初期重合物を２枚の
平板の間にはさみ、重合を進めることにより、平板の重
合体を得ることができる。又、クロスで補強する場合、
２枚の平板の間にクロスをはさみ、混合物又は初期重合
物を流延して重合することによりクロスで補強された平
板の重合体を得ることができる。
、単量体に重合開始剤及び必要により無機粉末、ファイ
バーを加えた混合物又その流動性の初期重合物を２枚の
平板の間にはさみ、重合を進めることにより、平板の重
合体を得ることができる。又、クロスで補強する場合、
２枚の平板の間にクロスをはさみ、混合物又は初期重合
物を流延して重合することによりクロスで補強された平
板の重合体を得ることができる。
本発明の積層体を構成する重合体層の厚みは、低誘電回
路基板として用いる場合には誘電率等を勘案して０．０
５ｎ〜２龍であることが好ましい。
路基板として用いる場合には誘電率等を勘案して０．０
５ｎ〜２龍であることが好ましい。
本発明の積層体を構成する金属の種類及び厚みは特に制
限されないが、本発明の積層体をプリント基板として用
いる場合には、０．１μＩＩｌ〜５０μ一の銅又はアル
ミニウムが好適である。又、重合体との接着性を向上さ
せるため金属の片面を粗面化したものを用いることが好
ましい。
限されないが、本発明の積層体をプリント基板として用
いる場合には、０．１μＩＩｌ〜５０μ一の銅又はアル
ミニウムが好適である。又、重合体との接着性を向上さ
せるため金属の片面を粗面化したものを用いることが好
ましい。
積層体を製造する方法は、任意の方法が採用される。通
常は平板の重合体をつくり、接着剤を用いて金属を接着
する方法を採用することができる。
常は平板の重合体をつくり、接着剤を用いて金属を接着
する方法を採用することができる。
この方法を採用する場合、積層体の特性、特に電気的特
性を損わないような接着剤を用いることが望ましい。
性を損わないような接着剤を用いることが望ましい。
又前記一般式（１）で示される含フン素ジビニルエーテ
ル化合物の重合体は金属との接着性が良好なため、２枚
の金属の間に必要によりクロスをはさみ、単量体の混合
物又はその初期重合物を流延し、さらに重合を進めるこ
とにより重合体平板の両面を金属で積層した積層体を得
ることができる。又、片面を金属で積層した積層体も１
枚の金属の上に必要によりクロスを置いた後、単量体の
混合物又はその初期重合物を流延し、さらに平板の間に
はさんで重合することにより製造することができる。
ル化合物の重合体は金属との接着性が良好なため、２枚
の金属の間に必要によりクロスをはさみ、単量体の混合
物又はその初期重合物を流延し、さらに重合を進めるこ
とにより重合体平板の両面を金属で積層した積層体を得
ることができる。又、片面を金属で積層した積層体も１
枚の金属の上に必要によりクロスを置いた後、単量体の
混合物又はその初期重合物を流延し、さらに平板の間に
はさんで重合することにより製造することができる。
（効果）
本発明で得られる積層体は既に開発されているポリテト
ラフルオ口エチレンを用いた積層″体にくらべ、耐熱性
誘電率は同程度であるが、金属との接着性、寸法安定性
、低熱膨張性を有し、さらにドリル加工性が良好である
という特徴を有しており、しかも製作が容易である。従
って、本発明の積層体は大型計算機等に用いられる低誘
電回路基板、多層基板として用いることができる。
ラフルオ口エチレンを用いた積層″体にくらべ、耐熱性
誘電率は同程度であるが、金属との接着性、寸法安定性
、低熱膨張性を有し、さらにドリル加工性が良好である
という特徴を有しており、しかも製作が容易である。従
って、本発明の積層体は大型計算機等に用いられる低誘
電回路基板、多層基板として用いることができる。
（実施例）
以下に実施例を掲げるが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
定されるものではない。
実施例ｌ
周囲に高さ５鶴、巾約２５鶴の周壁を有する３５１四方
のステンレスよりなる下板と、３０ｃｍ四方、厚さ５ｍ
で下板の周壁との間に約１ｆｉの間隙を形成して下板の
凹部に嵌合し得る上板とよりなる重合反応器を用いた。
のステンレスよりなる下板と、３０ｃｍ四方、厚さ５ｍ
で下板の周壁との間に約１ｆｉの間隙を形成して下板の
凹部に嵌合し得る上板とよりなる重合反応器を用いた。
重合反応器の下板を水平にして厚さ３５μｍの１枚の銅
箔（日鉱グルードホイル社製ＬＰ箔）をシワを伸ばして
敷き、その上に周囲に沿って巾１国厚さ１ ０ ０ ／
ｊ＋＋＋のボリテトラフルオ口エチレンのスペーサーを
入れた。次にＣＦ ｔ ＝ ＣＦＯＣＦ ｚｔｐ ２０
ＣＰ＝ＣＦｔ １ ５ ｇ ＳＣｈ＝ＣＦＯＣＦｚＣ
ｈＣｈ５ ｇと重合開始剤として０． ２ ２ ｇのＣ
Ｆ ３ＣＦ ｚｃＯＯｃｃＦ ｚＣＦ ３を含む混１１ ００ 合物を流延した。さらにシワを伸ばしてもう１枚の銅箔
を置いて上板を閉じた。次に重合反応器を耐圧容器内に
水平に置き、耐圧容器内を窒素で５１ｇ／ａｄに加圧し
、１５℃の温度下に５時間重合を行った。その後、重合
反応器を耐圧容器より取出し、重合体をとり出したとこ
ろ厚さ約１００μｌ積層体が得られた。
箔（日鉱グルードホイル社製ＬＰ箔）をシワを伸ばして
敷き、その上に周囲に沿って巾１国厚さ１ ０ ０ ／
ｊ＋＋＋のボリテトラフルオ口エチレンのスペーサーを
入れた。次にＣＦ ｔ ＝ ＣＦＯＣＦ ｚｔｐ ２０
ＣＰ＝ＣＦｔ １ ５ ｇ ＳＣｈ＝ＣＦＯＣＦｚＣ
ｈＣｈ５ ｇと重合開始剤として０． ２ ２ ｇのＣ
Ｆ ３ＣＦ ｚｃＯＯｃｃＦ ｚＣＦ ３を含む混１１ ００ 合物を流延した。さらにシワを伸ばしてもう１枚の銅箔
を置いて上板を閉じた。次に重合反応器を耐圧容器内に
水平に置き、耐圧容器内を窒素で５１ｇ／ａｄに加圧し
、１５℃の温度下に５時間重合を行った。その後、重合
反応器を耐圧容器より取出し、重合体をとり出したとこ
ろ厚さ約１００μｌ積層体が得られた。
実施例２
実施例１の装置を用い、又実施例１と同様の方法でＣｈ
＝ＣＦＯＣｈＣｈＯＣＦ＝ＣＦｚ １ ３ ｇ １Ｃ
ｈ ＝ ＣＦＯＣＨｚＣｈＣｈ ７ ｇ及び重合開始剤
としてＣｈＣＦ！ＣｈＣＯＯＣＣＦ，ＣＦ．Ｃｈ Ｏ．
９ ｇの混合物を用いて１１ ００ 積層板を製造した。但し、この実施例においては補強の
ため２８ｃｍ四方のガラスクロス（ユニチカ■製１ ０
ＵＦＴ １０４Ｊ）をスペーサーの中に入れ重合を行っ
た。
＝ＣＦＯＣｈＣｈＯＣＦ＝ＣＦｚ １ ３ ｇ １Ｃ
ｈ ＝ ＣＦＯＣＨｚＣｈＣｈ ７ ｇ及び重合開始剤
としてＣｈＣＦ！ＣｈＣＯＯＣＣＦ，ＣＦ．Ｃｈ Ｏ．
９ ｇの混合物を用いて１１ ００ 積層板を製造した。但し、この実施例においては補強の
ため２８ｃｍ四方のガラスクロス（ユニチカ■製１ ０
ＵＦＴ １０４Ｊ）をスペーサーの中に入れ重合を行っ
た。
重合温度は２０℃で１０時間行った。
両面に銅箔を有する約１００μｍの厚さのガラスクロス
で補強した積層体が得られた。
で補強した積層体が得られた。
実施例３
ＣＦｚ ”’ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３ ８ ｇ １Ｃ
Ｆ ３ ＣＦ ３ ＣＦ２＝ＣＦＯＣＨ２ＣＦＯＣｈＣＦＺＯＣＦＣＨ２０
ＣＦ＝Ｃｈ ７ ０ ｇ及び重合開始剤として 物を撹拌機、冷却管で備えた１００ｃｃのフラスコ中に
入れ、フラスコ空間部を窒素で置換した後、２５℃で１
時間重合を行った。内容物は透明液であり、粘度を測定
したところ３０ｃｐであった。
Ｆ ３ ＣＦ ３ ＣＦ２＝ＣＦＯＣＨ２ＣＦＯＣｈＣＦＺＯＣＦＣＨ２０
ＣＦ＝Ｃｈ ７ ０ ｇ及び重合開始剤として 物を撹拌機、冷却管で備えた１００ｃｃのフラスコ中に
入れ、フラスコ空間部を窒素で置換した後、２５℃で１
時間重合を行った。内容物は透明液であり、粘度を測定
したところ３０ｃｐであった。
得られた初期重合物約７０ｇを用い、実施例１で用いた
ポリテトラフルオ口エチレンのスペーサーを３００μ一
にした以外は実施例１の装置方法により積層板を製造し
た。
ポリテトラフルオ口エチレンのスペーサーを３００μ一
にした以外は実施例１の装置方法により積層板を製造し
た。
耐圧容器内の圧力を５ ｋｇ／ｃｄとし、重合温度を２
０℃で８時間重合して両面に銅箔を有する厚み約３００
μ−の積層板を得た。
０℃で８時間重合して両面に銅箔を有する厚み約３００
μ−の積層板を得た。
実施例４
ＣＦｚ＝ＣＦＯＣｈＣＦｚＯＣＰ＝Ｃｈ ７ ｇ １ｃ
ｐ， ＣＦ． ＣＦｚ ＝ＣＦＯＣＨｚＣＦＯＣＦｚＣＦｚＯＣＦＣＴ
ｏＯＣＦ ＝ ＣＦ２ １ ４ ｇ １重合開始剤とし
て ュームドシリカＩｇの混合物を用い、積層板を銅箔の代
りに厚さ５０μｍのアルミ箔を使用してポリテトラフル
オ口エチレンのスペーサーを１鶴とした以外は実施例１
の装置、方法を用いて製造した。耐圧容器の窒素圧を１
ｋｇ／ａｌｌとし、重合温度１５℃で３時間重合して
両面にアルミ箔を有する厚さ約ｌＭＭの積層板を得た。
ｐ， ＣＦ． ＣＦｚ ＝ＣＦＯＣＨｚＣＦＯＣＦｚＣＦｚＯＣＦＣＴ
ｏＯＣＦ ＝ ＣＦ２ １ ４ ｇ １重合開始剤とし
て ュームドシリカＩｇの混合物を用い、積層板を銅箔の代
りに厚さ５０μｍのアルミ箔を使用してポリテトラフル
オ口エチレンのスペーサーを１鶴とした以外は実施例１
の装置、方法を用いて製造した。耐圧容器の窒素圧を１
ｋｇ／ａｌｌとし、重合温度１５℃で３時間重合して
両面にアルミ箔を有する厚さ約ｌＭＭの積層板を得た。
実施例５
ＣＦｚ ＝ＣＦＯＣＨｚ （ＣＦｚ） ４ｃＨｚＯｃＦ
＝ ＣＦｚ ２ ０ ｇ １ＣＦ２ ＝ＣＦＯＣＨｚ
ＣＦ２ＣＦｚＣＦｚＣｈ ５ ｇ及びＣＦ＋ＣＦｚＣｈ
ＣＯＯＣＣＦｚＣｈＣＦ＋ ０． ３ ｇを含む混合液
を１１ ００ 実施例１の装置、方法を用いて２０℃で８時間重合を行
い、片面に銅箔を有する厚さ約１００μｍの積層体を得
た。
＝ ＣＦｚ ２ ０ ｇ １ＣＦ２ ＝ＣＦＯＣＨｚ
ＣＦ２ＣＦｚＣＦｚＣｈ ５ ｇ及びＣＦ＋ＣＦｚＣｈ
ＣＯＯＣＣＦｚＣｈＣＦ＋ ０． ３ ｇを含む混合液
を１１ ００ 実施例１の装置、方法を用いて２０℃で８時間重合を行
い、片面に銅箔を有する厚さ約１００μｍの積層体を得
た。
実施例６
ＣＦｚ＝ＣＦＯＣｈＣＦ＋ ３ ｇ ，ＣＦ＋ＣＦｚ
ＣｈＣＯＯＣＣｈＣｈＣｈ１１ ００ ０． １ ｇの混合物を用い、実施例１の装置、方法を
用いて２０℃で５時間重合し、両面にｔＡ Ｍを有する
厚さ約１００μｍの積層体を得た。
ＣｈＣＯＯＣＣｈＣｈＣｈ１１ ００ ０． １ ｇの混合物を用い、実施例１の装置、方法を
用いて２０℃で５時間重合し、両面にｔＡ Ｍを有する
厚さ約１００μｍの積層体を得た。
実施例７
実施例１〜６で得られた積層体の電気特性、熱的特性及
び接着強度を測定した。結果を下表に示した。
び接着強度を測定した。結果を下表に示した。
実施例８
ドリル加工性を調べるため、金属箔を除去した実施例１
の共重合体及び０．５日厚のポリテトラフルオロエチレ
ンの板に１削φのドリルを用い、室温下６００ｒｐｎ＋
で穴をあけ、それぞれの穴の部分を走査型電子顕微鏡に
より穴のあき具合を調べた。
の共重合体及び０．５日厚のポリテトラフルオロエチレ
ンの板に１削φのドリルを用い、室温下６００ｒｐｎ＋
で穴をあけ、それぞれの穴の部分を走査型電子顕微鏡に
より穴のあき具合を調べた。
その結果ポリテトラフルオ口エチレン板には穴の周りに
盛上りが認められ、板の平坦性が失なわれ、又穴内部に
は樹脂がスジ状に残ったが、実施例１の共重合体では平
坦性は保たれ、又、穴の内部もきれいであった。
盛上りが認められ、板の平坦性が失なわれ、又穴内部に
は樹脂がスジ状に残ったが、実施例１の共重合体では平
坦性は保たれ、又、穴の内部もきれいであった。
Claims (1)
- （１） 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔但し、ｊおよびｋは夫々０又は１であり、ｌおよびｍ
は夫々０以上の整数であり、ｎは２以上の整数であり、
ｋが１のときはｊ、ｌおよびｍはともに０である。〕 で示される含フッ素ジビニルエーテル化合物の単独重合
体又は共重合体と金属とが積層されてなる積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250490A JPH089217B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250490A JPH089217B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218825A true JPH03218825A (ja) | 1991-09-26 |
| JPH089217B2 JPH089217B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=11807187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250490A Expired - Lifetime JPH089217B2 (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089217B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0722173A1 (en) * | 1995-01-11 | 1996-07-17 | Elf Atochem North America, Inc. | Radiation-shielding polymeric compositions |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1250490A patent/JPH089217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0722173A1 (en) * | 1995-01-11 | 1996-07-17 | Elf Atochem North America, Inc. | Radiation-shielding polymeric compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH089217B2 (ja) | 1996-01-31 |
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