JPH03218908A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH03218908A JPH03218908A JP2015289A JP1528990A JPH03218908A JP H03218908 A JPH03218908 A JP H03218908A JP 2015289 A JP2015289 A JP 2015289A JP 1528990 A JP1528990 A JP 1528990A JP H03218908 A JPH03218908 A JP H03218908A
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- Japan
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- oxide superconductor
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- base material
- laser
- gas
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の｛り用分野
こ、つ定明は、酸化物超電導体の膜を作製する方去の改
良に関すらちので、酸化物超電導体の構成・己素−）化
合物を原料とし、紫外域短波長レーザを使用して酸化物
超電導体の膜を作成する装置に関する。
良に関すらちので、酸化物超電導体の構成・己素−）化
合物を原料とし、紫外域短波長レーザを使用して酸化物
超電導体の膜を作成する装置に関する。
従宋Ｑ）技術
従来から、酸化物超電導体の膜を作製する方法に採用さ
れてきた方法として、スパソタリング法、真空蒸着法、
化学気相蒸着法（Ｃ Ｖ Ｄ法）などが知られているが
、これらの方法では、いずれも基材を５００〜７００℃
に加熱することによって結晶化した膜を作製することが
できるものであった。
れてきた方法として、スパソタリング法、真空蒸着法、
化学気相蒸着法（Ｃ Ｖ Ｄ法）などが知られているが
、これらの方法では、いずれも基材を５００〜７００℃
に加熱することによって結晶化した膜を作製することが
できるものであった。
「発明が解決しようとする課題」
ところが、シリコンウエハや金属基材上にこの種の酸化
物超電導体の膜を作製する場合、基材を５００〜７００
℃の高；益に長時間加熱すると、基材と酸化物超電導体
の膜との間に相互拡散反応が生じ、基材構成元索の一部
が酸化物超電導体の膜の内部に拡散するか、酸化物超電
導体の膜の構成元素の一部が基材側に拡散するなとの相
互拡散反応か進行し、加熱後に得らメｔた膜の超電導特
性が劣化する問題かあっｆ二。
物超電導体の膜を作製する場合、基材を５００〜７００
℃の高；益に長時間加熱すると、基材と酸化物超電導体
の膜との間に相互拡散反応が生じ、基材構成元索の一部
が酸化物超電導体の膜の内部に拡散するか、酸化物超電
導体の膜の構成元素の一部が基材側に拡散するなとの相
互拡散反応か進行し、加熱後に得らメｔた膜の超電導特
性が劣化する問題かあっｆ二。
まｆ二、前記相互拡散反応の問題を解消する目的で基材
と酸化物超電導体の膜との間に、拡散防止用の中間層を
介在させることか行ナメつれているが、基材と酸化物超
電導体の膜と○間に適当な中間層を介挿しても、成膜時
に５００〜７００℃もの高温に長時間加熱されることが
あると、基材と酸化物超電導体の膜との間に相互拡散反
応が生じる結果、酸化物超電導体の膜の組成かくずれ、
超電導特性が劣化する傾向があった。
と酸化物超電導体の膜との間に、拡散防止用の中間層を
介在させることか行ナメつれているが、基材と酸化物超
電導体の膜と○間に適当な中間層を介挿しても、成膜時
に５００〜７００℃もの高温に長時間加熱されることが
あると、基材と酸化物超電導体の膜との間に相互拡散反
応が生じる結果、酸化物超電導体の膜の組成かくずれ、
超電導特性が劣化する傾向があった。
そこで、このような相互拡散反応の問題を解消すろ目的
で、得られる酸化物超電導体の膜を可能な限り厚く形成
し、相互拡散により影響を受ける部分が多少生しても膜
全体の超電導特性か劣化しないようにすること、あるい
は、成膜速度を速くして高温に加熱さ４−，ろ時間を短
縮し、相互拡散反応を抑えるなどの手段が講しられてい
るが、厚い膜を形成したり、成膜速度を速くすると、膜
質が低下し、超電導特性の優秀な均一な膜が得られない
問題かあった。
で、得られる酸化物超電導体の膜を可能な限り厚く形成
し、相互拡散により影響を受ける部分が多少生しても膜
全体の超電導特性か劣化しないようにすること、あるい
は、成膜速度を速くして高温に加熱さ４−，ろ時間を短
縮し、相互拡散反応を抑えるなどの手段が講しられてい
るが、厚い膜を形成したり、成膜速度を速くすると、膜
質が低下し、超電導特性の優秀な均一な膜が得られない
問題かあった。
本発明は前記課題を解決するためになされたものて、基
材を５００゜Ｃ以下の温度に加熱することてら良質な酸
化物超電導体の膜を形成することができる酸化物超電導
体の製造方法の提供を目的とする。
材を５００゜Ｃ以下の温度に加熱することてら良質な酸
化物超電導体の膜を形成することができる酸化物超電導
体の製造方法の提供を目的とする。
「課題を解決するための手段づ
本発明は前記課題を解決するために、酸化物超電導体を
構成する各元素の化合物から個々に発生させた原料ガス
を混合し、混合ガスをリアクタの内部の基材周囲に導く
とともに、基材をエキノマレーザで加熱しつつ基材上に
酸化物超電導体の膜を形成するものである。
構成する各元素の化合物から個々に発生させた原料ガス
を混合し、混合ガスをリアクタの内部の基材周囲に導く
とともに、基材をエキノマレーザで加熱しつつ基材上に
酸化物超電導体の膜を形成するものである。
「作用」
エキノマレーザなどの紫外域短波長レーザによって基材
を加熱することで基材の上で活性化された原料ガスの混
合ガスが反応する結果、結晶化された酸化物超電導体の
膜が生成する。紫外域短波長レーザによって混合ガスを
基材上面において活性化するので、５００゜Ｃ以下の低
温に加熱しながら成膜する場合であっても、結晶化され
た均質な良質の酸化物超電導体の膜が生成する。
を加熱することで基材の上で活性化された原料ガスの混
合ガスが反応する結果、結晶化された酸化物超電導体の
膜が生成する。紫外域短波長レーザによって混合ガスを
基材上面において活性化するので、５００゜Ｃ以下の低
温に加熱しながら成膜する場合であっても、結晶化され
た均質な良質の酸化物超電導体の膜が生成する。
こ実旌例」
第１図は、本発明の一実施例を示すしので、図中符号１
０．ｌ１．１２は、原料を気化するためのバブラを示し
ていろ。これらのハブラ１０１１ｌ２の内部には酸化物
超電導体製造用の原料０１Ｇ ？ ， Ｇ ３が収納さ
れている。
０．ｌ１．１２は、原料を気化するためのバブラを示し
ていろ。これらのハブラ１０１１ｌ２の内部には酸化物
超電導体製造用の原料０１Ｇ ？ ， Ｇ ３が収納さ
れている。
前記原料Ｇ ＋ ． Ｇ − ， Ｇ ｓは、各々酸化
物超電導体を構成する元素の化合物であって、Ｙ −Ｂ
ａ−Ｃ ｕＯ系の酸化物超電導体を製造する場合、原
料Ｇ，としてＣｕの気相源、原料Ｇ２としてＹの気相源
、原料Ｇ３としてＢａの気相源を用いる。
物超電導体を構成する元素の化合物であって、Ｙ −Ｂ
ａ−Ｃ ｕＯ系の酸化物超電導体を製造する場合、原
料Ｇ，としてＣｕの気相源、原料Ｇ２としてＹの気相源
、原料Ｇ３としてＢａの気相源を用いる。
より具体的には各気相源として、前記各元素のアセチル
アセトノ化合物、ヘキサフルオロアセチルアセトン化合
物などのノケトン化合物、ノクロペンタノエニル化合物
などの粉末を使用する。また、ＢａソースとしてＢａ−
ビス−２．２，６，６テトラメチル−３，５−ヘプタン
ノオナート「略称Ｂ ａ（Ｄ Ｐ Ｍ）２ＪＢａ−ヒス
−１．１．ｌ，２．２−ペンタフル才ロー６．６−ジメ
ヂル−３．５−ヘブタンノオン：略称Ｂ ａ（Ｐ Ｐ
Ｍ ）２ｊ、Ｂａ−ビス−１．１．１．５，５．５−ヘ
キサフル才ロー２４−ヘプタンノオンこ略祢Ｂ ａ（Ｈ
Ｆ Ａ ＬＪなとのβ−ノケトノキレート錯体なとか
使用される。なお、この実施例の装置にあっては、ハブ
ラ１０にＣｕの錯体を収納し、バブラＩＩにＹの錯体を
収納し、ハブラｌ２にＢａの錯体を収納している。
アセトノ化合物、ヘキサフルオロアセチルアセトン化合
物などのノケトン化合物、ノクロペンタノエニル化合物
などの粉末を使用する。また、ＢａソースとしてＢａ−
ビス−２．２，６，６テトラメチル−３，５−ヘプタン
ノオナート「略称Ｂ ａ（Ｄ Ｐ Ｍ）２ＪＢａ−ヒス
−１．１．ｌ，２．２−ペンタフル才ロー６．６−ジメ
ヂル−３．５−ヘブタンノオン：略称Ｂ ａ（Ｐ Ｐ
Ｍ ）２ｊ、Ｂａ−ビス−１．１．１．５，５．５−ヘ
キサフル才ロー２４−ヘプタンノオンこ略祢Ｂ ａ（Ｈ
Ｆ Ａ ＬＪなとのβ−ノケトノキレート錯体なとか
使用される。なお、この実施例の装置にあっては、ハブ
ラ１０にＣｕの錯体を収納し、バブラＩＩにＹの錯体を
収納し、ハブラｌ２にＢａの錯体を収納している。
また、各バブラ１０，１１．１２には、キャリアガスの
供給管１ ０ａ．，１ １ ａ，１ ２ａが接続されて
いる。なお、各バブラ１０，１１．１２に導入するキャ
リアガスはＡｒガスなどの不活性ガスあるいは不活性ガ
スにＯ，ガスを混合したものなどが好適に用いられる。
供給管１ ０ａ．，１ １ ａ，１ ２ａが接続されて
いる。なお、各バブラ１０，１１．１２に導入するキャ
リアガスはＡｒガスなどの不活性ガスあるいは不活性ガ
スにＯ，ガスを混合したものなどが好適に用いられる。
また、各バブラ１０．１１．１２は連通管ｌ３によって
混合器１４に接続され、混合器ｌ４は供給管ｌ５によっ
てリアクタｌ６に接続されるとともに、供給管ｌ５は、
リアクタｌ６の側壁を貫通してリアクタｌ６の中央底部
側に向けられている。
混合器１４に接続され、混合器ｌ４は供給管ｌ５によっ
てリアクタｌ６に接続されるとともに、供給管ｌ５は、
リアクタｌ６の側壁を貫通してリアクタｌ６の中央底部
側に向けられている。
而記混合器ｌ４は各バブラ１０．＋１ １２から発生
されｆこ原料ガスを混合してリアクタ１６に送るもので
ある。リアクタｌ６は、内部を真空排気可能な容器状の
もので、中央部には支持基盤１７が設置され、この支持
基盤ｌ７には、加軌ヒータｌ８が付設されていて、支持
基盤ｌ７の上面に設置されｆこ基材Ａを加熱てきるよう
になっている。
されｆこ原料ガスを混合してリアクタ１６に送るもので
ある。リアクタｌ６は、内部を真空排気可能な容器状の
もので、中央部には支持基盤１７が設置され、この支持
基盤ｌ７には、加軌ヒータｌ８が付設されていて、支持
基盤ｌ７の上面に設置されｆこ基材Ａを加熱てきるよう
になっている。
また、リアクタ！６に接続された供給Ｗ１５の先端の供
給口１５ａは支持基盤ｌ７の上面に近接されている。
給口１５ａは支持基盤ｌ７の上面に近接されている。
また、リアクタ１６の側壁には透孔が形成され、この透
孔には、プリズム２０が嵌着されるとともに、リアクク
ｌ６の外方には、プリズム２０にレーザ光を照射する発
光装置２ｌが設置されている。
孔には、プリズム２０が嵌着されるとともに、リアクク
ｌ６の外方には、プリズム２０にレーザ光を照射する発
光装置２ｌが設置されている。
曲記プリズムｌ６は、発光装置２ｌから照射さＪｔたエ
キノマレーザのビームを支持基盤ｌ７の上面に照射でき
ろように設置されていろ。なお、前記発光装置２１は、
．へｒＦ．ＫｒＦ，ＸｅＣｌなどのエキノマレーザを照
射する公知のものである。
キノマレーザのビームを支持基盤ｌ７の上面に照射でき
ろように設置されていろ。なお、前記発光装置２１は、
．へｒＦ．ＫｒＦ，ＸｅＣｌなどのエキノマレーザを照
射する公知のものである。
次に前記構成の裟置を用いて基板Ａ上に酸化物＃ｉ３ｉ
導体の膜を杉成する場合について説明する。
導体の膜を杉成する場合について説明する。
まず、リアクタ１６の内部に基板Ａをセノトし、ノアタ
タ１６の内郎の排気を開始するとともに、加軌装置１８
て基盤Ａを加鳩する。続いて各バブラ１０１１，＋２に
、それぞれの供給管１０ａ，１ｌａ．ｌ２ａから各々キ
ャリアガスを送り、バブラ１０ １＋ １２の内部
を加熱する。この操作によってバブラ１０．１１ １
２の内部では化合物か気化して原料ガスが発生し、各バ
ブラｌ Ｏ，１ １．１ ２から連通管１３に出された
各原料ガスは混合器ｌ４で混合されるとともに、酸素ガ
スと混合された後に供給管ｌ５の供給０１５ａからりア
クタｌ６の内部に噴出して基材Ａに吹き付けられる。
タ１６の内郎の排気を開始するとともに、加軌装置１８
て基盤Ａを加鳩する。続いて各バブラ１０１１，＋２に
、それぞれの供給管１０ａ，１ｌａ．ｌ２ａから各々キ
ャリアガスを送り、バブラ１０ １＋ １２の内部
を加熱する。この操作によってバブラ１０．１１ １
２の内部では化合物か気化して原料ガスが発生し、各バ
ブラｌ Ｏ，１ １．１ ２から連通管１３に出された
各原料ガスは混合器ｌ４で混合されるとともに、酸素ガ
スと混合された後に供給管ｌ５の供給０１５ａからりア
クタｌ６の内部に噴出して基材Ａに吹き付けられる。
また、発光装置２ｌからプリズム２０にエキシマレーザ
を照射すると、エキノマレーザはプリズム２０によって
光路を折り曲げられて支持基盤ｌ７上の基材Ａの上面に
照射される。
を照射すると、エキノマレーザはプリズム２０によって
光路を折り曲げられて支持基盤ｌ７上の基材Ａの上面に
照射される。
以上のように基材Ａにエキシマレーザを照射するとと乙
に、加軌ヒータｌ８の熱によって基材Ａを加熱し、基材
Ａを５００℃に加熱する。基材Ａが５００゜Ｃ程度に加
熱された状態で基材Ａの上面では、供給口１５ａから噴
射された原料ガスがエキノマレーザにより光分解され、
活性化されて反応し、結晶化された酸化物超電導体の膜
が生成される。以上のようにエキノマレーザで活性化さ
れた，昆合ガスは、５００℃程度の温度であっても有機
金属ガスの分解反応およびＹ −Ｂ ａ＝Ｃ ｕ−０の
結晶化反応が十分に進行して基材Ａの上面に緻密て均一
なＹ −Ｂ ａ−Ｃ ｕ−０系の酸化物超電導体の膜が
生成する。
に、加軌ヒータｌ８の熱によって基材Ａを加熱し、基材
Ａを５００℃に加熱する。基材Ａが５００゜Ｃ程度に加
熱された状態で基材Ａの上面では、供給口１５ａから噴
射された原料ガスがエキノマレーザにより光分解され、
活性化されて反応し、結晶化された酸化物超電導体の膜
が生成される。以上のようにエキノマレーザで活性化さ
れた，昆合ガスは、５００℃程度の温度であっても有機
金属ガスの分解反応およびＹ −Ｂ ａ＝Ｃ ｕ−０の
結晶化反応が十分に進行して基材Ａの上面に緻密て均一
なＹ −Ｂ ａ−Ｃ ｕ−０系の酸化物超電導体の膜が
生成する。
なお、基材Ａの加熱温度の最低温度は４００℃、より好
ましくは４６０℃に設定し、最高温度は５２０゜Ｃ、よ
り好ましくは５００℃に設定する。加熱温度が４００℃
以下ではエキノマレーザによる原料ガスの活性化があっ
ても結晶化した膜が得られｔ、６００゜Ｃ以」二では膜
と基材との相互拡散反応か問題になるので好ましくない
。
ましくは４６０℃に設定し、最高温度は５２０゜Ｃ、よ
り好ましくは５００℃に設定する。加熱温度が４００℃
以下ではエキノマレーザによる原料ガスの活性化があっ
ても結晶化した膜が得られｔ、６００゜Ｃ以」二では膜
と基材との相互拡散反応か問題になるので好ましくない
。
以」二説明しｒこように前記構成の装置によれば、リア
クタｌ６に送る混合ガスをエキシマレーザで活性化し、
５００℃以下の基材温度で基材Ａ上に成膜するので、基
材との相互拡散か少なく、欠陥Ｊつ少ない酸化物超電導
体の膜を製造することができろ。
クタｌ６に送る混合ガスをエキシマレーザで活性化し、
５００℃以下の基材温度で基材Ａ上に成膜するので、基
材との相互拡散か少なく、欠陥Ｊつ少ない酸化物超電導
体の膜を製造することができろ。
なお、この実泡例では、リアクタｌ６の内部に設けろ基
材として板状の堪材Ａを設けたか、基材Ａのかわりにテ
ープ状の基材とその繰出装置と巻取装置を設け、テープ
状の基材をリアタタｌ６の内郎で繰り出し移動させつつ
その上面に蒸着することでテープ状の酸化物超電導体を
製造することができる。
材として板状の堪材Ａを設けたか、基材Ａのかわりにテ
ープ状の基材とその繰出装置と巻取装置を設け、テープ
状の基材をリアタタｌ６の内郎で繰り出し移動させつつ
その上面に蒸着することでテープ状の酸化物超電導体を
製造することができる。
「製造例」
第１図に示す構成の装置を用いてＹ −Ｂ ａ−Ｃ ｕ
Ｏ系の酸化物超電導体の膜を製造した。
Ｏ系の酸化物超電導体の膜を製造した。
ＣｕソースにＣｕのアセチルアセトン化合物、Ｙのソー
スとしてＹのノクロペンタノエニル化合物、Ｂａソース
にＢ ａ（Ｈ Ｆ Ａ ）２を用い、キャリアガスとし
てＡｒガスを用いた。
スとしてＹのノクロペンタノエニル化合物、Ｂａソース
にＢ ａ（Ｈ Ｆ Ａ ）２を用い、キャリアガスとし
てＡｒガスを用いた。
Ｃｕソースを収納した気化筒の温度を１８０°Ｃに、Ｙ
ソースを収納した気化簡の温度を１８０°Ｃに、Ｂａソ
ースを収納した気化簡の温度を２０００Ｃにそれぞれ加
熱して気化させ、各原料ガスを発生させた。また、リア
クタの内部を真空引きするとともに、エキノマレーザを
ハステロイ製の基材上に照射するとともに、基材を４８
０゜Ｃに加熱し、基材上に成膜を行っｆ二。
ソースを収納した気化簡の温度を１８０°Ｃに、Ｂａソ
ースを収納した気化簡の温度を２０００Ｃにそれぞれ加
熱して気化させ、各原料ガスを発生させた。また、リア
クタの内部を真空引きするとともに、エキノマレーザを
ハステロイ製の基材上に照射するとともに、基材を４８
０゜Ｃに加熱し、基材上に成膜を行っｆ二。
得られｔ二Ｙ −Ｂ ａ−Ｃ ｕ−０系の酸化物超電導
体の膜は、厚さｌμｍ、臨界温度８８Ｋ、臨界電流密度
５ ０ ０ ０ ０ Ａ／ｃｍ２を示し１二。
体の膜は、厚さｌμｍ、臨界温度８８Ｋ、臨界電流密度
５ ０ ０ ０ ０ Ａ／ｃｍ２を示し１二。
「比較例」
比較のために、第１図に示す装置を用い、基材を６５０
℃で高温加熱し、その他の条件は前記と同等の条件で酸
化物超電導体の膜を形成した。得られた膜は臨界温度７
９Ｋ、臨界電流密度ｉｏＯＡ ／ ｃｍ”を示し、本発
明の膜の超電導特性よりも劣っていることが判明した。
℃で高温加熱し、その他の条件は前記と同等の条件で酸
化物超電導体の膜を形成した。得られた膜は臨界温度７
９Ｋ、臨界電流密度ｉｏＯＡ ／ ｃｍ”を示し、本発
明の膜の超電導特性よりも劣っていることが判明した。
更に、第１図に示す装置を用い、基材を３００℃で低温
加熱し、その他の条件は前記と同等の条件で酸化物超電
導体の膜を形成した。得られた膜は、臨界温度６０Ｋ、
臨界電流密度Ｏ Ａ ／ ａｍ２（液体窒素温度）を示
し、本発明の膜の超電導特性よＣＯも劣っていることか
判明した。
加熱し、その他の条件は前記と同等の条件で酸化物超電
導体の膜を形成した。得られた膜は、臨界温度６０Ｋ、
臨界電流密度Ｏ Ａ ／ ａｍ２（液体窒素温度）を示
し、本発明の膜の超電導特性よＣＯも劣っていることか
判明した。
以上の結果から、前記構造の装置を使用することによっ
て．１６０〜５２０°Ｃに基材を加熱することて漫れた
超電導特性を発揮する酸化物超電導体の膜を生成できろ
ことか判明した。
て．１６０〜５２０°Ｃに基材を加熱することて漫れた
超電導特性を発揮する酸化物超電導体の膜を生成できろ
ことか判明した。
「発明の効果」
以上説明したように本発明は、各バブラから発生させた
原料ガスをリアクタに送り、リアクタ内で加熱された基
材にエキノマレーザなどの紫外域短波長レーザを照射し
て基材上に成膜するので、レーザによって加熱活性化さ
れた原料ガスか基板上で反応して酸化物超電導体の膜が
生成する。また、レーザによって混合ガスが活性化する
ので、基材を従来の加熱温度よりも低い５００゜Ｃ程度
に加熱することによって結晶化した酸化物超電導体の膜
が生成する。このため、基材と酸化物超電導体の膜との
間に生しる相互拡散反応か少なくなり、酸化物超電導体
の膜の特性劣化が生しないので、特性の良好な酸化物超
電導体の膜が得られる。
原料ガスをリアクタに送り、リアクタ内で加熱された基
材にエキノマレーザなどの紫外域短波長レーザを照射し
て基材上に成膜するので、レーザによって加熱活性化さ
れた原料ガスか基板上で反応して酸化物超電導体の膜が
生成する。また、レーザによって混合ガスが活性化する
ので、基材を従来の加熱温度よりも低い５００゜Ｃ程度
に加熱することによって結晶化した酸化物超電導体の膜
が生成する。このため、基材と酸化物超電導体の膜との
間に生しる相互拡散反応か少なくなり、酸化物超電導体
の膜の特性劣化が生しないので、特性の良好な酸化物超
電導体の膜が得られる。
第１図は本発明方法を実施するために使用する装置の一
例を示す構成図である。 ＋０．１１．１２ バブラ、＋３一連通管、１５・供
給管、ｌ６ リアクタ、ｌ７ ・支持基盤、８−・加熱
ヒータ、２０ ・プリズム、２１ ・発光装置。
例を示す構成図である。 ＋０．１１．１２ バブラ、＋３一連通管、１５・供
給管、ｌ６ リアクタ、ｌ７ ・支持基盤、８−・加熱
ヒータ、２０ ・プリズム、２１ ・発光装置。
Claims (1)
- 酸化物超電導体を構成する各元素の化合物から個々に発
生させた原料ガスを混合し、混合ガスをリアクタの内部
の基材周囲に導くとともに、基材にエキシマレーザ等の
紫外域短波長レーザを照射し、基材をレーザで加熱しつ
つ基材上に酸化物超電導体の膜を形成することを特徴と
する酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015289A JPH03218908A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015289A JPH03218908A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218908A true JPH03218908A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=11884687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015289A Pending JPH03218908A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218908A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03243779A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-30 | Fuyuutec Fuaanesu:Kk | 酸化物超電導薄膜製造装置 |
| US6576302B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-06-10 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing a metal oxide and method for forming a minute pattern |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2015289A patent/JPH03218908A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03243779A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-30 | Fuyuutec Fuaanesu:Kk | 酸化物超電導薄膜製造装置 |
| US6576302B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-06-10 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing a metal oxide and method for forming a minute pattern |
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