JPH0321988Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0321988Y2 JPH0321988Y2 JP1982032151U JP3215182U JPH0321988Y2 JP H0321988 Y2 JPH0321988 Y2 JP H0321988Y2 JP 1982032151 U JP1982032151 U JP 1982032151U JP 3215182 U JP3215182 U JP 3215182U JP H0321988 Y2 JPH0321988 Y2 JP H0321988Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- card
- metal thin
- melting point
- low melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Credit Cards Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、カードに関するものであり、更に詳
しくはレーザー記録用カードに関するものであ
る。
しくはレーザー記録用カードに関するものであ
る。
従来、カードに任意情報を記録するために光記
録材料として銀塩写真、ジアゾ写真、フリーラジ
カル写真等の材料を応用することが試みられてい
る。かかる記録材料を用いて任意情報を記録した
後、通常は透明プラスチツクフイルムを用いて被
覆しており、単なる保護のみならず偽造防止をも
兼ねている。特にカードが銀行キヤツシユカー
ド、身分証明証、クレジツトカード、機密を要す
る場所への入出をチエツクするための入門カード
等のIDカードにおいては偽造防止は非常に重要
である。
録材料として銀塩写真、ジアゾ写真、フリーラジ
カル写真等の材料を応用することが試みられてい
る。かかる記録材料を用いて任意情報を記録した
後、通常は透明プラスチツクフイルムを用いて被
覆しており、単なる保護のみならず偽造防止をも
兼ねている。特にカードが銀行キヤツシユカー
ド、身分証明証、クレジツトカード、機密を要す
る場所への入出をチエツクするための入門カード
等のIDカードにおいては偽造防止は非常に重要
である。
しかしながら上記従来のカードにおいては、現
像処理が必要な上、現像後に透明プラスチツクフ
イルムを用いて被覆する煩雑さが避けられず、
又、記録前に透明プラスチツクフイルムを被覆す
ると記録及び現像が困難になり、なおかつ、一旦
任意情報を記録したカードはその表面の透明プラ
スチツクフイルムを取り除く事は非常に面倒であ
つても不可能と言う程のものではなく、従つて偽
装防止は完全ではない等の欠点が免れ得ないもの
である。
像処理が必要な上、現像後に透明プラスチツクフ
イルムを用いて被覆する煩雑さが避けられず、
又、記録前に透明プラスチツクフイルムを被覆す
ると記録及び現像が困難になり、なおかつ、一旦
任意情報を記録したカードはその表面の透明プラ
スチツクフイルムを取り除く事は非常に面倒であ
つても不可能と言う程のものではなく、従つて偽
装防止は完全ではない等の欠点が免れ得ないもの
である。
本考案者は、上記の問題点を解決せんがため各
種の材料を検討した結果、レーザー記録材料を予
め、透明プラスチツクフイルム等で被覆しておい
ても、機能性能を損なわず、しかも偽造を試みて
プラスチツクフイルムを剥がそうとすると記録層
そのものが損なわれ、偽造が不可能であることを
見出し、本考案に到達したものであつて、即ち、
本考案はカード基材表面に厚み100〜1000Åの低
融点金属薄膜層が設けられており、更に該金属薄
膜層表面には厚み10〜2000μｍの透明合成樹脂保
護層が積層されていることを特徴とするものであ
る。
種の材料を検討した結果、レーザー記録材料を予
め、透明プラスチツクフイルム等で被覆しておい
ても、機能性能を損なわず、しかも偽造を試みて
プラスチツクフイルムを剥がそうとすると記録層
そのものが損なわれ、偽造が不可能であることを
見出し、本考案に到達したものであつて、即ち、
本考案はカード基材表面に厚み100〜1000Åの低
融点金属薄膜層が設けられており、更に該金属薄
膜層表面には厚み10〜2000μｍの透明合成樹脂保
護層が積層されていることを特徴とするものであ
る。
本考案のカードは、基材表面に厚み100〜1000
Åの低融点金属薄膜層が設けられており、更に低
融点金属薄膜層表面には厚み10〜2000μｍの透明
合成樹脂保護層が積層されているので、低融点金
属薄膜層を予め、透明合成樹脂保護層で被覆して
おいても、機能性能を損なわず、しかも偽造を試
みて透明合成樹脂保護層を剥がそうとすると記録
層である低融点金属薄膜層そのものが損なわれ、
偽造が不可能である。また低融点金属薄膜層の厚
みが100〜1000Åに限定されているので、レーザ
ー記録後の読取りが容易であり、更に透明合成樹
脂保護層の厚みが10〜2000μｍに限定されている
ので、透明合成樹脂保護層の上からのレーザー記
録を可能にすることができる。
Åの低融点金属薄膜層が設けられており、更に低
融点金属薄膜層表面には厚み10〜2000μｍの透明
合成樹脂保護層が積層されているので、低融点金
属薄膜層を予め、透明合成樹脂保護層で被覆して
おいても、機能性能を損なわず、しかも偽造を試
みて透明合成樹脂保護層を剥がそうとすると記録
層である低融点金属薄膜層そのものが損なわれ、
偽造が不可能である。また低融点金属薄膜層の厚
みが100〜1000Åに限定されているので、レーザ
ー記録後の読取りが容易であり、更に透明合成樹
脂保護層の厚みが10〜2000μｍに限定されている
ので、透明合成樹脂保護層の上からのレーザー記
録を可能にすることができる。
以下、図面を用いて本考案を更に詳しく説明す
ると、第１図は本考案のカードの一実施例の構成
を示す断面図である。第１図に示すカード１はカ
ード基材２の表面に低融点金属薄膜層３を有し、
更に低融点金属薄膜層３を有する基材の全面に透
明合成樹脂保護層４を有している。
ると、第１図は本考案のカードの一実施例の構成
を示す断面図である。第１図に示すカード１はカ
ード基材２の表面に低融点金属薄膜層３を有し、
更に低融点金属薄膜層３を有する基材の全面に透
明合成樹脂保護層４を有している。
第２図は低融点金属薄膜層３をカード基材２の
全面に設けたカード５を示す断面図である。
全面に設けたカード５を示す断面図である。
第３図は本考案の使用状態を示す正面図であつ
てカード６に低融点金属薄膜層３及び記録７を有
するものである。又、第３図は正面図であるので
明らかでないが、カード６の全面に透明合成樹脂
保護層を有する。カードにはこの他第３図に示す
ように磁気記録層８や写真、彫刻による画像９を
有してもよく、更に図示しないが、その他の文字
やインクプリントと称される浮出し文字等を設け
ても差し支えない。
てカード６に低融点金属薄膜層３及び記録７を有
するものである。又、第３図は正面図であるので
明らかでないが、カード６の全面に透明合成樹脂
保護層を有する。カードにはこの他第３図に示す
ように磁気記録層８や写真、彫刻による画像９を
有してもよく、更に図示しないが、その他の文字
やインクプリントと称される浮出し文字等を設け
ても差し支えない。
第４図は第３図に用いたカードの記録前の状態
を示す。
を示す。
以上のような構造のカードの各構成及び製造法
について以下説明する。
について以下説明する。
カード基材としては剛性を有し、かつ、熱融着
や各種の印刷等の加工に適したものであればいず
れでもよいが、通常、塩化ビニル樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン樹
脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ビニルブチラ
ール樹脂、アセチルセルロース樹脂、スチレン−
ブタジエン共重合樹脂、ポリエチレン樹脂、フツ
素樹脂等の合成樹脂が使用でき、なかでも塩化ビ
ニル樹脂が加工の容易さの点で用いられる。この
他、紙、金属箔等、及び以上の各材料の複合体も
使用しうる。
や各種の印刷等の加工に適したものであればいず
れでもよいが、通常、塩化ビニル樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン樹
脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ビニルブチラ
ール樹脂、アセチルセルロース樹脂、スチレン−
ブタジエン共重合樹脂、ポリエチレン樹脂、フツ
素樹脂等の合成樹脂が使用でき、なかでも塩化ビ
ニル樹脂が加工の容易さの点で用いられる。この
他、紙、金属箔等、及び以上の各材料の複合体も
使用しうる。
以上のカード基材に低融点金属薄膜層を設け
る。
る。
低融点金属薄膜層を構成する金属としては、
Te，Bi，In，Sn，Zn，Pb，Ge，Ga，Rh，Alな
どが使用でき、なかでもTe，Bi，Sn，In等の低
融点金属は記録に必要なエネルギー密度が少なく
ても記録でき好ましい。なお、上記の金属は単独
若しくは２種以上混合して用いてもよい。以上の
金属を用いて低融点金属薄膜層を形成するには真
空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイン
グ、プラズマ蒸着、電気めつき、無電解めつき等
の公知の方法により行える。
Te，Bi，In，Sn，Zn，Pb，Ge，Ga，Rh，Alな
どが使用でき、なかでもTe，Bi，Sn，In等の低
融点金属は記録に必要なエネルギー密度が少なく
ても記録でき好ましい。なお、上記の金属は単独
若しくは２種以上混合して用いてもよい。以上の
金属を用いて低融点金属薄膜層を形成するには真
空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイン
グ、プラズマ蒸着、電気めつき、無電解めつき等
の公知の方法により行える。
低融点金属薄膜層の厚みは100〜1000Å、好ま
しくは200〜500Åである。前記において100Å未
満では、レーザー光照射による記録部分と未記録
部分との光学濃度の差が極度に小さくなつて読取
りが困難となり、1000Åを越えると記録エネルギ
ー閾値も高くなり、記録部分のピツト形状が悪く
なり読取りが困難となり好ましくない。なお、以
上のようにして低融点金属薄膜層を設ける際にカ
ード基材の所望の部分にのみ設けたいときは適宜
なマスクを用いるとよい。
しくは200〜500Åである。前記において100Å未
満では、レーザー光照射による記録部分と未記録
部分との光学濃度の差が極度に小さくなつて読取
りが困難となり、1000Åを越えると記録エネルギ
ー閾値も高くなり、記録部分のピツト形状が悪く
なり読取りが困難となり好ましくない。なお、以
上のようにして低融点金属薄膜層を設ける際にカ
ード基材の所望の部分にのみ設けたいときは適宜
なマスクを用いるとよい。
次に、低融点金属薄膜層の上に透明合成樹脂保
護層を設ける。
護層を設ける。
透明合成樹脂保護層の厚みとしては10〜2000μ
ｍ、好ましくは200〜1500μｍである。10μｍ未満
では保護層としての強度に不足であり、また、
2000μｍを越えるとレーザー光が低融点金属薄膜
層に到達しがたくなり、好ましくない。また、特
に1000〜1500μｍでは透明合成樹脂保護膜の表面
に付着した指紋やゴミなどによるレーザー光への
妨害を免れる効果がある。
ｍ、好ましくは200〜1500μｍである。10μｍ未満
では保護層としての強度に不足であり、また、
2000μｍを越えるとレーザー光が低融点金属薄膜
層に到達しがたくなり、好ましくない。また、特
に1000〜1500μｍでは透明合成樹脂保護膜の表面
に付着した指紋やゴミなどによるレーザー光への
妨害を免れる効果がある。
透明合成樹脂保護層は本考案では低融点金属薄
膜層の保護及び透明合成樹脂保護層の上からのレ
ーザー記録を主眼とするので低融点金属薄膜層の
表面のみを覆えばこと足りるが、通常のカードで
は全面に設けるため、本考案においても全面に設
けても差し支えない。透明合成樹脂保護層は公知
の透明合成樹脂塗料を用いて塗布、印刷して乾燥
するか、または透明合成樹脂フイルム若しくは透
明合成樹脂板を接着若しくは熱融着することによ
り設けることができる。透明合成樹脂フイルム若
しくは板としては、カード基材として前記した合
成樹脂のフイルム若しくはシートを用いることが
でき、熱融着の条件は、100〜300℃、40〜400
Kg／cm2である。
膜層の保護及び透明合成樹脂保護層の上からのレ
ーザー記録を主眼とするので低融点金属薄膜層の
表面のみを覆えばこと足りるが、通常のカードで
は全面に設けるため、本考案においても全面に設
けても差し支えない。透明合成樹脂保護層は公知
の透明合成樹脂塗料を用いて塗布、印刷して乾燥
するか、または透明合成樹脂フイルム若しくは透
明合成樹脂板を接着若しくは熱融着することによ
り設けることができる。透明合成樹脂フイルム若
しくは板としては、カード基材として前記した合
成樹脂のフイルム若しくはシートを用いることが
でき、熱融着の条件は、100〜300℃、40〜400
Kg／cm2である。
なお基材上に低融点金属薄膜層及び透明合成樹
脂保護層を部分的に設けるには、以上の説明とは
逆に透明合成樹脂保護層上に予め低融点金属薄膜
層を設けておき、接着剤を介してカード基材に貼
付する熱融着する、或いは更に剥離性基体に透明
合成樹脂保護層及び低融点金属薄膜層を設け、更
に所望により接着剤を塗布しておいてカード基材
上に転写する等の方法によつてもよい。
脂保護層を部分的に設けるには、以上の説明とは
逆に透明合成樹脂保護層上に予め低融点金属薄膜
層を設けておき、接着剤を介してカード基材に貼
付する熱融着する、或いは更に剥離性基体に透明
合成樹脂保護層及び低融点金属薄膜層を設け、更
に所望により接着剤を塗布しておいてカード基材
上に転写する等の方法によつてもよい。
本考案のカードの記録はレーザービーム等によ
り行える。
り行える。
具体例
厚み0.4mmの白色の塩化ビニル樹脂シートの表
面にTeを厚み500Åになるように蒸着した。更に
蒸着面に厚み0.4mmの透明塩化ビニルシートを重
ね合わせた後、プレス機を用いて150℃、120Kg／
cm2の条件で30分間加熱・加圧して一体化させ、裁
断してカード状とした。
面にTeを厚み500Åになるように蒸着した。更に
蒸着面に厚み0.4mmの透明塩化ビニルシートを重
ね合わせた後、プレス機を用いて150℃、120Kg／
cm2の条件で30分間加熱・加圧して一体化させ、裁
断してカード状とした。
得られたカードの透明シート側からHe−Neレ
ーザー（2mW）を集光し100msecのパルス光を
変調して照射したところ10μの径のスポツトが生
じており、以上のようにして記録したカードの記
録部に0.5mWのHe−Neレーザーを集光させ、そ
の反射光をビームスプリツターを介してフオトダ
イオードーで読みとることができた。
ーザー（2mW）を集光し100msecのパルス光を
変調して照射したところ10μの径のスポツトが生
じており、以上のようにして記録したカードの記
録部に0.5mWのHe−Neレーザーを集光させ、そ
の反射光をビームスプリツターを介してフオトダ
イオードーで読みとることができた。
又、以上のようなカードの透明シートのみを剥
がそうとしたところ、Teの蒸着層が破壊されて
しまい偽造は不可能であつた。
がそうとしたところ、Teの蒸着層が破壊されて
しまい偽造は不可能であつた。
本考案のカードは、基材表面に厚み100〜1000
Åの低融点金属薄膜層が設けられており、更に低
融点金属薄膜層表面には厚み10〜2000μｍの透明
合成樹脂保護層が積層されているので、低融点金
属薄膜層を予め、透明合成樹脂保護層で被覆して
おいても、機能性能を損なわず、しかも偽造を試
みて透明合成樹脂保護層を剥がそうとすると記録
層である低融点金属薄膜層そのものが損なわれ、
偽造が不可能である。また低融点金属薄膜層の厚
みが100〜1000Åに限定されているので、レーザ
ー記録後の読取りが容易であり、更に透明合成樹
脂保護層の厚みが10〜2000μｍに限定されている
ので、透明合成樹脂保護層の上からのレーザー記
録を可能にすることができる。
Åの低融点金属薄膜層が設けられており、更に低
融点金属薄膜層表面には厚み10〜2000μｍの透明
合成樹脂保護層が積層されているので、低融点金
属薄膜層を予め、透明合成樹脂保護層で被覆して
おいても、機能性能を損なわず、しかも偽造を試
みて透明合成樹脂保護層を剥がそうとすると記録
層である低融点金属薄膜層そのものが損なわれ、
偽造が不可能である。また低融点金属薄膜層の厚
みが100〜1000Åに限定されているので、レーザ
ー記録後の読取りが容易であり、更に透明合成樹
脂保護層の厚みが10〜2000μｍに限定されている
ので、透明合成樹脂保護層の上からのレーザー記
録を可能にすることができる。
第１図及び第２図は本考案のカードの一実施例
の断面図、第３図は本考案の実施態様を示す正面
図、第４図は第３図のカードの記録前の状態を示
す正面図である。 １……カード、２……カード基材、３……低融
点金属薄膜層、４……透明合成樹脂保護層、７…
…記録。
の断面図、第３図は本考案の実施態様を示す正面
図、第４図は第３図のカードの記録前の状態を示
す正面図である。 １……カード、２……カード基材、３……低融
点金属薄膜層、４……透明合成樹脂保護層、７…
…記録。
Claims (1)
- カード基材表面に厚み100〜1000Åの低融点金
属薄膜層が設けられており、更に該金属薄膜層表
面には厚み10〜2000μｍの透明合成樹脂保護層が
積層されていることを特徴とするレーザー記録用
カード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3215182U JPS58136369U (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | カ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3215182U JPS58136369U (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | カ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136369U JPS58136369U (ja) | 1983-09-13 |
| JPH0321988Y2 true JPH0321988Y2 (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=30043784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3215182U Granted JPS58136369U (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | カ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58136369U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07107756B2 (ja) * | 1987-02-12 | 1995-11-15 | 凸版印刷株式会社 | 光カ−ド |
| JPH0737187B2 (ja) * | 1988-06-16 | 1995-04-26 | 本州製紙株式会社 | 感熱記録体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623798Y2 (ja) * | 1976-10-21 | 1981-06-04 | ||
| JPS5470399U (ja) * | 1977-10-28 | 1979-05-18 |
-
1982
- 1982-03-08 JP JP3215182U patent/JPS58136369U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58136369U (ja) | 1983-09-13 |
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