JPH03220716A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03220716A JPH03220716A JP1495290A JP1495290A JPH03220716A JP H03220716 A JPH03220716 A JP H03220716A JP 1495290 A JP1495290 A JP 1495290A JP 1495290 A JP1495290 A JP 1495290A JP H03220716 A JPH03220716 A JP H03220716A
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- Japan
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- pressure
- vacuum buffer
- chamber
- quality
- film
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、エツチング装置
等の真空雰囲気で各種処理を行う半導体製造装置に関す
る。
等の真空雰囲気で各種処理を行う半導体製造装置に関す
る。
真空雰囲気で処理を行う半導体製造装置のうち、スパッ
タ装置を例にあげて説明する。
タ装置を例にあげて説明する。
スパッタ装置は、例えば低真空バッファ、高真空バッフ
ァ、スパッタチャンバを有する。従来は、低真空バッフ
ァ内の圧力を管理して高真空バッファにウェハを搬送し
ていた。次に、高真空バッファからスパッタチャンバに
ウェハを搬送する場合、高真空バッファよりもスパッタ
チャンバの方が圧力が高いため、圧力の管理はしていな
かった。
ァ、スパッタチャンバを有する。従来は、低真空バッフ
ァ内の圧力を管理して高真空バッファにウェハを搬送し
ていた。次に、高真空バッファからスパッタチャンバに
ウェハを搬送する場合、高真空バッファよりもスパッタ
チャンバの方が圧力が高いため、圧力の管理はしていな
かった。
なお、スパッタリング装置は、例えば、電子材料別冊、
超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック、１９８４年工業
調査会発行、１２９〜１３３頁、「真空蒸着・スパッタ
リング装置」で知られている。
超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック、１９８４年工業
調査会発行、１２９〜１３３頁、「真空蒸着・スパッタ
リング装置」で知られている。
〔発明が解決しようとする課題］
従って、高真空バッファからスパッタチャンバへのウェ
ハの搬送時に、拡散作用により高真空バッファ内に存在
するＮ、などの残留ガスがスパッタチャンバへ廻り込み
、スパッタ膜の膜質が不安定になる問題があった。
ハの搬送時に、拡散作用により高真空バッファ内に存在
するＮ、などの残留ガスがスパッタチャンバへ廻り込み
、スパッタ膜の膜質が不安定になる問題があった。
本発明の目的は、残留ガスの真空処理チャンバ内への廻
り込みを防止し、膜質を安定化できる半導体製造装置を
提供することにある。
り込みを防止し、膜質を安定化できる半導体製造装置を
提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明は、真空雰囲気で
各種処理を行う真空処理チャンバと真空バッファを有す
る半導体製造装置において、」１記真空処理チャンバに
隣接する」１記真空バッファ内の圧力の測定手段と、該
圧力の調節手段を有し、該圧力を管理して制御すること
を特徴とする。
各種処理を行う真空処理チャンバと真空バッファを有す
る半導体製造装置において、」１記真空処理チャンバに
隣接する」１記真空バッファ内の圧力の測定手段と、該
圧力の調節手段を有し、該圧力を管理して制御すること
を特徴とする。
Ｃ作用〕
残留ガスに起因する膜質の低下を防止するためには、真
空処理チャンバに隣接する真空バッファの残留ガスのチ
エツクをしなければならない。しかし、残留ガスの分析
は簡単にできないので、残留ガスのチエツクのため圧力
を利用した。真空処理チャンバに隣接する真空バッファ
内の圧力を測定し、規定の圧力に到達してから搬送する
ことにより、膜質の低下を防止でき、膜質を安定化でき
る。
空処理チャンバに隣接する真空バッファの残留ガスのチ
エツクをしなければならない。しかし、残留ガスの分析
は簡単にできないので、残留ガスのチエツクのため圧力
を利用した。真空処理チャンバに隣接する真空バッファ
内の圧力を測定し、規定の圧力に到達してから搬送する
ことにより、膜質の低下を防止でき、膜質を安定化でき
る。
〔実施例〕
第１図は、本発明の半導体製造装置の一実施例であるマ
ルチチャンバ方式のスパッタ装置の模式図である。
ルチチャンバ方式のスパッタ装置の模式図である。
１はロード側の低真空バッファ、２はロード側の高真空
バッファ、３．４はスパッタ処理を行う＝３ スパッタチャンバ、５はアンロード側の高真空バッファ
、６はアンロード側の低真空バッファ、７はロータリポ
ンプ、８はクライオポンプ、９は圧力を測定するための
イオンゲージ、１０はコントローラ、Ｊｌは搬送用バル
ブ、１２はウェハである。
バッファ、３．４はスパッタ処理を行う＝３ スパッタチャンバ、５はアンロード側の高真空バッファ
、６はアンロード側の低真空バッファ、７はロータリポ
ンプ、８はクライオポンプ、９は圧力を測定するための
イオンゲージ、１０はコントローラ、Ｊｌは搬送用バル
ブ、１２はウェハである。
スパッタ装置は、低真空バッファ１．６、高真空バッフ
ァ２．５、スパッタチャンバ３．４により構成され、そ
れぞれ独立した排気系と圧力測定系を有する。低真空バ
ッファ１．６の排気系はロータリポンプ７で構成され、
高真空バッファ２．５およびスパッタチャンバ３．４の
排気系は、図示していないロータリポンプとクライオポ
ンプ８で構成され、各チャンバの圧力測定系はイオンゲ
ージ９で構成されている。
ァ２．５、スパッタチャンバ３．４により構成され、そ
れぞれ独立した排気系と圧力測定系を有する。低真空バ
ッファ１．６の排気系はロータリポンプ７で構成され、
高真空バッファ２．５およびスパッタチャンバ３．４の
排気系は、図示していないロータリポンプとクライオポ
ンプ８で構成され、各チャンバの圧力測定系はイオンゲ
ージ９で構成されている。
ウェハ１２のスパッタ処理について説明する。
まず、低真空バッファ１の搬送用バルブ１１を開け、処
理すべきウェハ１２を図示しない搬入手段により低真空
バッファ１に搬入する。次に、ウェハ１２を図示しない
搬送手段により低真空バッフ一 ァ１から高真空バッファ２に搬送する。次に、高真空バ
ッファ２の圧力をイオンゲージ９により測定し、コント
ローラ１０により圧ツノが規定値（例えば１０−’Ｐａ
）に到達しているかどうかを判断する。到達していれば
、高真空バッファ２とスパッタチャンバ３との境の搬送
用バルブ１１を開け、ウェハ１２を高真空バッファ２か
らスパッタチャンバ３へ搬送し、該搬送用バルブ１１を
閉める。
理すべきウェハ１２を図示しない搬入手段により低真空
バッファ１に搬入する。次に、ウェハ１２を図示しない
搬送手段により低真空バッフ一 ァ１から高真空バッファ２に搬送する。次に、高真空バ
ッファ２の圧力をイオンゲージ９により測定し、コント
ローラ１０により圧ツノが規定値（例えば１０−’Ｐａ
）に到達しているかどうかを判断する。到達していれば
、高真空バッファ２とスパッタチャンバ３との境の搬送
用バルブ１１を開け、ウェハ１２を高真空バッファ２か
らスパッタチャンバ３へ搬送し、該搬送用バルブ１１を
閉める。
次に、スパッタチャンバ３におけるスパッタ処理が終了
したら、スパッタチャンバ４に搬送し、スパッタ処理を
終了する。次に、高真空バッファ５の圧力をイオンゲー
ジ９により測定し、コントローラ１０により圧力が規定
値に到達しているかどうかを判断する。到達していれば
、スパッタチャンバ４と高真空バッファ５との境の搬送
用バルブ１１を開け、ウェハ１２をスパッタチャンバ４
から高真空バッファ５へ搬送し、該搬送用バルブ１１を
閉める。最後に、ウェハ１２を高真空バッファ５から低
真空バッファ６に搬送し、高真空バッファ５と低真空バ
ッファ６との境の搬送用バルブ１１を閉め、低真空バッ
ファ６の出口側の搬送用バルブ１１を開け、ウェハ１２
を外部に搬出する。このような手順で複数のウェハ１２
を連続的にスパッタ処理する。
したら、スパッタチャンバ４に搬送し、スパッタ処理を
終了する。次に、高真空バッファ５の圧力をイオンゲー
ジ９により測定し、コントローラ１０により圧力が規定
値に到達しているかどうかを判断する。到達していれば
、スパッタチャンバ４と高真空バッファ５との境の搬送
用バルブ１１を開け、ウェハ１２をスパッタチャンバ４
から高真空バッファ５へ搬送し、該搬送用バルブ１１を
閉める。最後に、ウェハ１２を高真空バッファ５から低
真空バッファ６に搬送し、高真空バッファ５と低真空バ
ッファ６との境の搬送用バルブ１１を閉め、低真空バッ
ファ６の出口側の搬送用バルブ１１を開け、ウェハ１２
を外部に搬出する。このような手順で複数のウェハ１２
を連続的にスパッタ処理する。
なお、高真空バッファ２．５の圧力が規定値に到達して
いないときは、排気を続け、到達するまで搬送用バルブ
１１は開かず、ウェハ１２は搬送されない。ある一定時
間以上排気しても、規定値に到達しないときは、「時間
切れ」となり、エラー表示をする。
いないときは、排気を続け、到達するまで搬送用バルブ
１１は開かず、ウェハ１２は搬送されない。ある一定時
間以上排気しても、規定値に到達しないときは、「時間
切れ」となり、エラー表示をする。
本実施例では、スパッタチャンバ３．４に隣接する高真
空バッファ２．５の圧力をイオンゲージ９により測定し
、コントローラ１０により規定の圧力に到達したかどう
かを判断してから搬送するので、雰囲気ガスであるＮ２
等の残留ガスがスパッタチャンバ３．４へ廻り込むのを
防止できる。
空バッファ２．５の圧力をイオンゲージ９により測定し
、コントローラ１０により規定の圧力に到達したかどう
かを判断してから搬送するので、雰囲気ガスであるＮ２
等の残留ガスがスパッタチャンバ３．４へ廻り込むのを
防止できる。
従って、スパッタ膜質の低下を防止でき、安定した膜質
を得ることができる。また、ハードウェアの大きな変更
無しに、ソフトウェアのプログラムを変更することによ
り実現できる。
を得ることができる。また、ハードウェアの大きな変更
無しに、ソフトウェアのプログラムを変更することによ
り実現できる。
以上、本発明の実施例を具体的に説明したが、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。例えば、上記実施例では、スパッタ装置を例にあげ
て説明したが、ＣＶＤ装置、エツチング装置等の真空雰
囲気で各種処理を行う他の半導体製造装置に適用しても
効果があるのは言うまでもない。
上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。例えば、上記実施例では、スパッタ装置を例にあげ
て説明したが、ＣＶＤ装置、エツチング装置等の真空雰
囲気で各種処理を行う他の半導体製造装置に適用しても
効果があるのは言うまでもない。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明の半導体製造装置によれば、
真空処理チャンバに隣接する真空バッファ内の圧力を管
理することにより、残留ガスの悪影響を防止できるので
、膜の品質を向上できる。
真空処理チャンバに隣接する真空バッファ内の圧力を管
理することにより、残留ガスの悪影響を防止できるので
、膜の品質を向上できる。
第１図は、本発明の半導体装置の一実施例のマルチチャ
ンバ方式のスパッタ装置の模式図である。 ｌ・・・ロード側の低真空バッファ ２・・・ロード側の高真空バッファ ３．４・・・スパッタチャンバ ５・・・アンロード側の高真空バッファ＝７− ６・・・アンロード側の低真空バッファ７・・・ロータ
リポンプ ８・・・クライオポンプ ９・・・イオンゲージ Ｏ・・・コンドローラ ド・・搬送用バルブ ２・・・ウェハ −
ンバ方式のスパッタ装置の模式図である。 ｌ・・・ロード側の低真空バッファ ２・・・ロード側の高真空バッファ ３．４・・・スパッタチャンバ ５・・・アンロード側の高真空バッファ＝７− ６・・・アンロード側の低真空バッファ７・・・ロータ
リポンプ ８・・・クライオポンプ ９・・・イオンゲージ Ｏ・・・コンドローラ ド・・搬送用バルブ ２・・・ウェハ −
Claims (1)
- １、真空処理チャンバと真空バッファを有する半導体製
造装置において、上記真空処理チャンバに隣接する上記
真空バッファ内の圧力の測定手段と、該圧力の調節手段
を有し、該圧力を管理して制御することを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1495290A JPH03220716A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1495290A JPH03220716A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220716A true JPH03220716A (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=11875313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1495290A Pending JPH03220716A (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03220716A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246347A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Applied Materials Inc | マルチチャンバウェハ処理システム |
| KR100364089B1 (ko) * | 2000-08-03 | 2002-12-12 | 주식회사 아펙스 | 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치 |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1495290A patent/JPH03220716A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246347A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Applied Materials Inc | マルチチャンバウェハ処理システム |
| KR100364089B1 (ko) * | 2000-08-03 | 2002-12-12 | 주식회사 아펙스 | 진공 버퍼 챔버를 구비한 핫플레이트 장치 |
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