JPH03223200A - ＧａＡｓ単結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

、−産業上の利用分野つ 本発明は、横型ゾーンメルト法による不純物（Ｃｒ、Ｓ
ｉ）濃度の均一な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法に
関するものである。 ［従来の技術］ ボート法による半絶縁性ＧａＡｓ単結晶は、通常、水平
ブリッジマン法（ＨＢ法）および温度傾斜法（ＧＦ法）
によって製造されている。これらの方法は、−旦、ボー
ト内の種結晶を除＜ＧａＡｓ全体を融液にし、シード付
けを行った後、シード付は部分から結晶化させる、いわ
ゆるノーマルフリージングによる。 ところで、ＧａＡｓ単結晶の半絶縁性を実現するために
、一般には、不純物であるＣｒや０をドープすることが
行われる。ところか、上述した方法はノーマルフリー／
フグによるため、特に偏析係数の小さいＣｒの場合は結
晶の長さ方向に沿って極端な濃度の変化をもたらす（例
えば固化率０゜９まてて１０〜１００倍変化する）。 これに対して、残留不純物であるＳｉの場合は５倍程度
変化する。すなわち、石英ボートから混入する残留Ｓｉ
ａ度に関しては、通常の偏析現象を伴わない。残留５ｉ
７ＩＩは、（１）式に示す化学反応により融液中の酸素
濃度に対応して決定される。 ５ｉｆｔ−３ｉ（ｉｎ　ＧａＡｓ　ｍｅｌｔ）＋２０　
（ｉｎ　ＧａＡｓ　ｍｅｌｔ）−（１）ｋ（定数）＝　
［Ｓ　ｉ　］［０］” つまり、ＧａＡｓ融液中の酸素濃度が高ければＳｉ濃度
が低減し、逆に酸素濃度が低ければ、Ｓｉ濃度が高くな
る。このことは、０をドープすることで残留Ｓｉ濃度を
減らすことができることを意味する。、故に、ＨＢ法、
ＧＦ法においては、融液中の酸素も結晶の長さ方向に沿
って濃度の変化をもたらし後端に酸素が凝縮されるため
、偏析係数が約０１４にもかかわらず、５ｉ７１１度は
結晶後端程低くなる。 そこで、上記偏析による不純物濃度の変化を緩和する目
的で水平ゾーンメルト法が考えられている（参考、特公
昭４９−１４３８２号公報）。ゾーンメルト法は一般的
には、ポートもしくは結晶の長さよりも極力小さい幅の
メルトゾーンを設け、このゾーン幅を保ったまま一旦結
晶後端から種結晶方向へ移動させた後、シード付けを行
い、その後シード付は部から後端方向へ向かって移動さ
せて単結晶を製造している。この方法は、通常の偏析を
生じる不純物（例えばＣｒ）であれば、メルト幅Ｘ、結
晶長さＱとすればシード付は部からＱ−ｘの部分まで、
すなわちメルト幅に相当する長さの結晶後端を残した部
分までの不純物濃度を一定に保つことができる。 ［発明が解決しようとする課題］ さて、Ｃｒトープ半絶縁性結晶の電気特性を一定に保つ
にはＣｒ濃度たけてなく残留Ｓｉ濃度も一定に保つ必要
があるが、前述の通常のゾーンメルト法によると、メル
トゾーン幅を狭くしているため、融液中に酸素を溶かし
込んでも、種結晶部から成長するにつれて、この成長し
た単結晶部に偏析により酸素か取り込まれ、しかも、後
端方向へ移動する融液中への新たな供給が期待できない
ため、結晶後端へ行くに従って酸素濃度が低くなり、逆
にＳｉＪ度か高くなってしまう。 つまり、Ｃｒ濃度は均一に出来ても残留Ｓｉ濃度か結晶
の長さ方向に沿って不均一な結晶しか得られないことに
なる。 そこで、このような欠点を解決するために、故意に酸素
または酸化物をドープすると共に、種結晶を除いたボー
ト内のＧａＡｓ全体を幅広なメルトゾーン内に入れて、
ＧａＡｓ全体を融液にする。 そして、その融液状態で所定時間放置し、その後、種結
晶とは反対側から徐々にメルトゾーン幅を狭くして行く
ことにより融液を固化させ、種結晶側て所定のメルトゾ
ーン幅となった時にシード付けを行い、その後、ゾーン
幅を保ったまま種結晶の反対方向へメルトゾーンを移動
させて結晶固化させる単結晶の製造方法が提案されてい
る（特開昭６４−６５０９９号公報）。 しかしながら、この方法は、ゾーン幅を狭くすればする
程、シード付は時の融液中に酸素が濃縮され過ぎ、ポー
トと結晶後端とが焼き付いてしまう現象、いわゆる「ぬ
れ」が新たに発生し、石英ボートを破壊しなければ、単
結晶を取り出すことができな（なってしまう。通常、石
英ボートは３〜５回再使用が可能であるから、「ぬれ」
か発生する上記の方法は石英ボートの寿命の点からはな
はだ不経済であるという欠点を有する。 本発明の目的は、前記した従来の横型ゾーンメルト法の
欠点を解消し、石英ボートと結晶との「ぬれ」がなく、
しかもＣｒ等の添加不純物のみならず、残留Ｓｉ濃度も
結晶の長さ方向に沿って均一な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶
の製造方法を提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 本発明は、石英ボートを用いて故意に酸素をドープしな
いＣｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を製造する方法に
おいて、石英アンプル内の一端側に種結晶、原料として
のＧａ或はＧａＡｓ多結晶並びにドーパントとしてのＣ
ｒを入れた石英ボートを配置し、前記石英アンプル内の
他端側にＡｓを配置した後、前記石英アンプル全体を加
熱しながら真空引き処理し、その後、前記石英アンプル
内圧力かほぼＧａＡｓの解離圧（１ａｔｍ）になるよう
に前記Ａｓを加熱すると共に、前記種結晶を除く部分の
前記石英ボートをメルトゾーン内にいれて均一に加熱し
て、前記Ｇａと前記Ａ　ｓの蒸気を合成反応させること
により、若しくは前記ＧａＡｓ多結晶を融解することに
より、前記石英ボート内にＧａＡｓ融液を形成する。 そして、この石英ボート内にＧａＡｓ融液を形成してい
る状態で、前記真空引き処理では除去できずに前記石英
アンプル内に残存している酸素もしくは酸化物を前記Ｇ
ａＡｓ融液中に十分溶解させるのに十分な時間放置し１
、その後、前記ＧａＡｓ融液を形成する前記メルトゾー
ンが所定幅に狭められるまで前記種結晶の反対側から種
結晶に向けてメルトゾーンを移動することにより、前記
ＧａＡｓ＠液を８０ｍｍ／ｈｒ以下の速度で徐々に多結
晶として冷却固化させて、融液中に溶け込んでいた酸素
をメルトゾーン中に濃縮し、前記種結晶側で所定のメル
トゾーン幅になったときにノート付けを行い、その後、
前記メルト・ノーンのゾーン幅を保持した状態で該メル
トゾーンを前記種結晶の反対方向へ移動させてＧａＡｓ
単結晶を成長させるようにしたものである。 嘗作用］ 本発明方法が特開昭６４−６５０９９号公報記載の発明
と異なる点は、公報記載の発明では故意に酸素または酸
化物を添加するのに対し、本発明では酸素または酸化物
を添加せずに、石英ボートを入れた石英アンプルを封じ
切る前に行われる真空引き処理では完全に排除できずに
、石英アンプル内壁面１五英ボート＋　ＧａＡｓ原料表
面等に自然に存在している酸素をメルトゾーン中に濃縮
させるようにした点である。故意に酸素をドープすると
、前述した様に、メルトゾーン幅を狭くするにつれて酸
素が濃縮され過きて「ぬれ、が発生しやすくなるからで
ある。 なお、アンプル内の真空引き処理は、通常、温度か１３
０〜２５００Ｃ，圧力が５　Ｘ　１’Ｏ−’ｔｏｒｒで
、少なくとも１時間行われる。温度が１５００Ｃより低
いと、アンプル内に吸着している水分を功￥よく排除で
きす、また温度が２５０°Ｃより高くなるとアンプル内
雰囲気圧力を制御するために入れられたＡｓの損失か増
大するため、加熱温度は１５０〜２５０’ｃが望ましい
。 また、−旦ボート内のＧａＡｓ全体を融液とした後、ボ
ート後端側から固化させる速度は、偏析で融液中の酸素
を濃縮させる必要があるため、少なくとも、８０ｍｍ／
ｈよりも遅い速度で固化させなければならない。これ以
上速いと、偏析効果が少なくなり、酸素が融液中に濃縮
されないことから、Ｓｉ濃度を均一にする効果がなくな
ってしまい、しかも結晶中のＳｉ濃度が高くなり、半絶
縁性でなくなってしまうからである。 ［実施例。 以下、本発明の好適実施例を添付図面を用いて説明する
。 第１図〜第４図はそれぞれ本実施例のＧ　ａ　、Ａ、　
ｓ単結晶の製造工程を示す図である。 第１図〜第３図において、１は石英ボート、２はＧａＡ
ｓ種結晶、３はＧ　ａ　Ａ　Ｓ融液、４はＧａＡ　ｓ単
結晶または多結晶を示し、Ｔ、〜Ｔ３は石英ボートｌの
位置に対応した炉内の温度分布を示し、Ｍ３．Ｍ３は温
度分布または炉の移動方向を示す。 Ａ　ｌｉ分布Ｔ、−Ｔ３内に入る領域かメルトゾーンで
あり、またその幅かメルトゾーン幅となる。 第４図において、１２は石英ボート１及び雰囲気内圧力
を約１　ａｔｍに保つためのＡｓ１Ｏを収容した石英ア
ンプル、１４は水平ゾーンメルト装置、１４ａは高温炉
、１４ｂは低温炉、１６はメルト形成部である。 まず、一方のアンプル片１２ａにＧａＡｓ種結晶２．Ｇ
ａＡｓ原ｔ４原人４た石英ボート１と拡散障壁１７とを
セットし、アンプル片１２ａの開口部とＡｓ１Ｏを入れ
た他方のアンフル片＋２ｂの開口部とを−Ｆね合わせて
、その中央部１２Ｃで溶接する。 次に、一方のアンプル片１２ａの端部の小径開口部１２
　ｄに真空ポンプ（図示せず）をつないておき、アンプ
ル１２全体を１５０〜２５０°Ｃの温度で１時間程度加
熱し、その１品度を保ちながら少なくとも１時間、３　
Ｘ　Ｉ　Ｏ−’ｔｏｒｒ以下て真空引き処理する。 この後、小径開口部１２ｄは封し切られ、アンプル１２
の内壁面に吸着していた水分や酸素、及びＧａＡｓ原料
の表面、例えばＧａＡｓ、ＧａＡｓの表面に存在するＧ
　ａ　ｔｏｌ、　　Ａ　Ｓ　２０８等の酸化物のほとん
どを排除した密封アンプル１２が準備される。 しかし、ここで重要なことは、上述の真空引き処理では
、アンプル１２内に存在する酸素及び酸化物を完全に除
去することは不可能であり、アンプル１２内には、微量
の酸素又は酸化物か残在していることである。なお、第
４図に示した温度分布については、後に具体的な実施例
と共に説明する。 上記の如く密封アンプル１２を準備した後、第１図に示
すように石英ボート１には、石英ボート１の一端１ａに
設けられた種結晶２から他端１ｂにかけて図示の１島度
分布Ｔ、て示すように、ＧａＡｓか融点以上（１２４５
〜１２５５°Ｃ好ましくよ１２５０’Ｃンにされて融液
３とされる。このとき、上述の石英アンプル１２内、例
えばアンプル内壁面１石英ボート内、ＧａＡｓ融液表面
には、真空引き処理では完全に排除できなかった酸素。 酸化物か存在している。そこで本実施例においては、自
然に混入したこの微量な酸素、酸化物を融液３内に溶か
し込むために、融液３の状態で、少なくとも３０分以上
好ましくは５時間程度放置する。 次に第２図に示すように、それまでの温度分布Ｔ、から
図示の矢印ｘ４２で示すように、後端１ｂ側から種結晶
２に向かってメルトゾーン幅を挟めること：こより、１
余々に炉の温度を下げて（結晶温度で４０００〜１２０
００Ｃ）いく。このようにして１、温度分布Ｔ２て示す
ように後端１ｂから種結晶２近くまてＧ　ａ　Ａｓ融液
３を固化させて多結晶４ｂとしていく。そして、種結晶
２側の融液３のメルト／−７幅か所定幅Ｘとｔっだとき
、／−ト付けを行って種結晶２から単結晶を形成してい
く。 即ち、第３図に示すように種結晶２とプ対方向こ図示の
温度分布Ｔ３となるように、前記メルトゾーン幅Ｘを保
持しつつメルトゾーンを移動させることにより、その融
液３を矢印Ｍ、て示すように移動しなから長さＱの単結
晶４ａを形成していく。このメルトゾーン幅Ｘは長さに
対してｘ／Ｑ＝１／３〜１／２０、好ましくはｌ／１０
とする。 また、移動速度は４〜１５ｍｍ／ｈとする。 このようにＧａＡｓ単結晶を形成することで、Ｓｉａ度
および、ドーパントとしてＣｒを用いた場合のＣｒ濃度
が種結晶２から固化率（１−ｘ／Ｑ）の間で一定の分布
となり、且つＳｉ及びＣｒの不純物のｌｓ度変化はその
固化率（１−ｘ／１２）間ては±５０％以下となる。 以下、本発明の具体的実施例および比較例とを併せて説
明する。 （実施例１） 第４図に示すように、一方の石英アンプル片１２ａに、
種結晶２．Ｇａ２，５００ｇ、　　ドーパントとしての
Ｃｒ５００ｒｒ＋９を乗せた石英ボート１と、拡散障壁
１７とをセットし、他方の石英アンプル片＋　２　ｂに
Ａｓ　１０を２．７９０ｇを入れ、これらの開口部を重
ね合わせ、その中央部１２ｃて溶接する。 次に、アンプル１２全体を２００’Ｃに加熱して１時間
保持した後、アンプル片１２　ａ　（Ｄ小径開口部１２
ｄにっないた真空ポンプ（図示せず）により５　Ｘ　１
０−”Ｔｏｒｒ以下で、１時間真空引きした後、小径開
口部１２ｄを封じ切り、密封された石英アンプル１２を
準備した。このアンプル１２を水平ゾーンメルト装置１
４にセットした後、高温炉１４ａでは融液形成部１６の
温度ｔ０を１，２５０’Ｃ１それ以外の温度ｔ１は１，
２０００Ｃに調整した。低温炉１４ｂは、アンプル１２
内のＡｓ圧をＩ　ａｔｍに保つため温度ｔ、を約６００
’Ｃに調整した。 次に、成長開始前に種結晶２を除くポート１の全体温度

【６を１．２５０°Ｃに上げてＧａＡｓ融ｌ夜３を形成
させた後、この状態で５時間放置し、その後、後端側か
ら全体温度ｔ６を保持したメルトゾーン幅を狭めて行っ
て炉の温度を徐々に下げることにより、ノーマルフリー
ンングめ形て２゜ｍｍ／ｈの速度で多結晶状に固化させ
た。たたし、種結晶近傍の融液、長さ６０ｍｍは残した
。 次にシード付けを行った後、５　ｍ　ｍ　／　ｈの速度
でメルトゾーン幅を保持したまま、メルト装置１４ある
いはアンプル１２のいずれかを移動させることにより、
前記ゾーンを反対側へ移動して最終的には６００ｍｍの
単結晶を成長させて、その後１００　ｄｅｇ／ｈて室温
まで冷却した。 結晶とボートとの間に「ぬれ」は起こっておらず、また
結晶の前端および後端をｆｌｏｏ１面でスライスし、研
磨した後、溶融ＫＯＨによる工、チングにより、転位密
度（Ｅ　Ｄ　Ｐ　：Ｅｔｃｈ　Ｐｉｔ　Ｄｅｎｓｉｔｙ
）を調べた結果、ＦＤＰ≦５，０００ｃｍ−’の良好な
結晶であった。 この単結晶の長さ方向のＣｒおよび５ｌａＩｊを、ＣＤ
ＭＳで測定した結果を第５図の濃度分布５６に示す。Ｃ
ｒＬｆａ度分布５は、約５４ｃｍ（ｙ−１−ｘ／Ｑ＝０
．９）まてほぼ一定濃度４０Ｘ１０１６ｃｍ−３を保ち
、また同様Ｓｉ濃度分布６も約５４ｃｍ（ｉｔ　＝０．
９）までほぼ一定ｔｓ度０．６Ｘ１０　”ｃ　ｍ〜３を
保つと共に全体の不純物量（Ｃｒ−８１）に対して９＝
０．９の間では５０％以下となった。 （実施例２） Ｃｒドープしないアンドープ半絶縁性結晶を実施例１と
同様に製造したところ、ｓ１濃度分布は実施例１と同じ
結果が得られた。なお、「ぬれ」の発生はなかった。 （実施例３） 実施例１において、融液をポート後端から多結晶状に固
化させる速度を８０ｍｍ／ｈとしたとき、Ｓｉ４度はｇ
＝ｏ、Ｉで０．８Ｘ　Ｉ　Ｏ”ｃｍｇ＝０．９で０．９
ｘ　１０”ｃｍ−３であった。「ぬれ−の発生はなかっ
た。 （実施例４） 実施例１において、融液をポート後端から多結晶状１こ
固化させる速度を５０ｍｍ／ｈとしたとき、Ｓ”ｒＩ度
はｇ＝（’）、１で０．６Ｘ１０１６ｃｍｇ−０９で０
．７ｘ　１０”ｃｍ−’であった。：ぬれ−はなかった
。 （比較例１） 実施例１と同様のアンプルを準備し、結晶長６００ｍｍ
に対し、メルトゾーン幅か６０ｍｍになるようメルトゾ
ーン幅以外の部分の融液全体を急激に温度を下げて一度
に固化させた。 次に、シード付けを行い、５ｍｍ／ｈの速度で反対側へ
移動させることにより、最終的にハロ００ｍｍの単結晶
を成長させた。その後、１１００ｄｅ／ｈで室温まで冷
却した。 結晶とポートとの「ぬれ」は発生しなかったが、結晶を
取り出して特性測定したところ、実施例１の結晶と比較
して転位密度およびＣｒａ度の際立った差は見られなか
ったが、Ｓｉ７＄ｉは、結晶先端では２．　　ＯＸ　１
０１６ｃｍ−３であり、第５図の分布７が示すように後
端へ行くに従って更に高（なり、ｇ＝０９ては１０Ｘ　
１０１６ｃｍ−３でアラた。そのため結晶の長さ方向に
おいて比抵抗値に差が出ることが分かる。 （比較例２） 実施例１と同じ条件で、但し、Ｇ　ａ　、Ａ　ｓ全体か
融液状態での放置時間を３０分間にしたところ、／−ド
付部０．　８ｘ　ｌ　０１６ｃｍ−３に対し、約５４ｃ
ｍ（ｇ＝０．９）成長した結晶のＳｉ濃度は約１５倍の
１．２ＸＩＯ”ｃｍ−３になっていた。なお、ぬれ号の
発生はなかった。 また、放置時間が３０分間以下の場合は、それ以上の濃
度差か現れることがわかった。 （比較例３） ＧａＡｓ＠１ｆｆｌをボート後端から固化させる速度を
１００ｍｍ／ｈにした以外は実施例１と同じ方法で結晶
成長させたところ、／−ト付は部のＳ】ＬＲＶ　ｌ　、
　　ＯＸ　１０　”Ｃｍ−’か、実施例１に対し、約１
．５倍になり、得られた結晶は、一応手絶縁性結晶であ
ったか、アニール後の特性は、不安定な部分か存在した
。「ぬれヨの発生はなかった。 （比較例４） Ｇ　ａ　Ａ　Ｓ融液をボート後端から固化させる速度を
１５０ｍｍ／ｈにした以外は、実施例１と同し方法で結
晶成長させたところ、／−ト付は部のＳ濃度か約２倍以
上のｌ　、　　５×１０１６ｃ　ｍ−３になり、また結
晶後端（ｇ＝０．９）では５．０Ｘ１０”ｃｍ−３にな
り、得られた結晶は長さ方向のほぼ全体にわたり半絶縁
性ではなくなってしまった。 「ぬれ」の発生はなかった。 （比較例５） 実施例１において、石英ボートにＧａｔ０３５０ｍｇを
入れて成長させたところ、Ｓｉ濃度はｇ＝０９までほぼ
一定濃度０．　　Ｉ　Ｘ　１０　”ｃ　ｍ−’となった
が、結晶とボートとか全体的に焼き付いてしまった。 （比較例６） 実施例１において、真空引き処理するときの加熱ｍＷを
１２０’Ｃにしたところ、Ｓｉ濃度はｇ−０９までほぼ
一定濃度０．２Ｘ１０１８ｃｍとなったか、結晶とボー
トとか全体的に焼き付いてしまった。 丁発明の効果１ 以上説明してきたように、本発明によれば、次の如き優
れた効果を発揮する。 （１）故意に酸素または酸化物をドープをすることなく
、自然にｌ凡人している酸素を結晶成長を行う前のゾー
ンメルト甲に濃縮するようにしたので、／−ド付は部か
ら結晶後端近傍の位置まで、Ｃｒおよび残留Ｓ１のｌａ
度がほぼ一定で、しかもボートと結晶との焼付きが全く
ないＧａＡｓ半絶縁性結晶を得ることかできる。 （２）また、同時に抵抗値等の特性のばらつきがなくな
り、半絶縁性結晶にとって重要なウェハ面内の高抵抗性
を一様にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明のＧａＡｓ単結晶の製造方法の
実施例を示す概略工程図であって、第１図はＧ　ａ　Ａ
ｓ全体を融液状態で所定時間放置している説明図、第２
図は種結晶の反対側から所定速実以下の速度でｆ余ケに
冷却固化させている説明図、第３図はメルトゾーン幅を
保持したまま種結晶の叉対方同ヘメルトゾーンを移動さ
せて固化させて（・る説明図、第４図は本実施例による
か軸方向の温度分布特性図、第５図は本発明の製法例お
よび々東方法によって得られた結晶の長さ方向のＣｒお
よびＳｉ濃度分布を表す特性図である。 １は石英ボート、２は種結晶、３はＧ　ａ　、Ａ　ｓ融
液、４ａは単結晶、４ｂは多結晶、Ｘはメルトゾーンの
幅、Ｑは結晶の長さである。 １　石英本゛−ト 本実施例による放置説明図 第　】　図 第２図 本実施例による後端方向への結品固化 本実施例による炉軸方向の温度特性 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 石英ボートを用いて故意に酸素をドープしないＣｒドー
   プ半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を製造する方法において、 （ａ）石英アンプル内の一端側に種結晶、原料としての
   Ｇａ或はＧａＡｓ多結晶並びにドーパントとしてのＣｒ
   を入れた石英ボートを配置し、前記石英アンプル内の他
   端側にＡｓを配置した後、 （ｂ）前記石英アンプル全体を加熱しながら真空引き処
   理し、その後、 （ｃ）前記石英アンプル内圧力かほぼＧａＡｓの解離圧
   になるように前記Ａｓを加熱すると共に、前記種結晶を
   除く部分の前記石英ボートをメルトゾーン内に入れて均
   一に加熱して、前記Ｇａと前記Ａｓの蒸気を合成反応さ
   せることにより、若しくは前記ＧａＡｓ多結晶を融解す
   ることにより、前記石英ボート内にＧａＡｓ融液を形成
   せしめ、（ｄ）その状態で前記真空引き処理では除去で
   きずに前記石英アンプル内に残存している酸素もしくは
   酸化物を前記ＧａＡｓ融液中に十分溶解させるのに十分
   な時間放置し、 （ｅ）放置後、前記ＧａＡｓ融液を形成するメルトゾー
   ン幅が所定値に狭められるまで前記種結晶の反対側から
   種結晶に向けてメルトゾーンを移動することにより、前
   記ＧａＡｓ融液を８０ｍｍ／ｈｒ以下の速度で徐々に多
   結晶として冷却固化させて、融液中に溶け込んでいた酸
   素をメルトゾーン中に濃縮し、 （ｆ）前記種結晶側で所定のメルトゾーン幅になったと
   きにシード付けを行い、 （ｇ）しかる後に、前記メルトゾーンのゾーン幅を保持
   した状態で該メルトゾーンを前記種結晶の反対方向へ移
   動させてＧａＡｓ単結晶を成長させる ことを特徴とするＧａＡｓ単結晶の製造方法。