JPH0322337A - 荷電粒子ビームの平行走査評価モニタ装置 - Google Patents
荷電粒子ビームの平行走査評価モニタ装置Info
- Publication number
- JPH0322337A JPH0322337A JP1154675A JP15467589A JPH0322337A JP H0322337 A JPH0322337 A JP H0322337A JP 1154675 A JP1154675 A JP 1154675A JP 15467589 A JP15467589 A JP 15467589A JP H0322337 A JPH0322337 A JP H0322337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- mask plate
- beam current
- slits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 abstract 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 abstract 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、イオンビームや電子ビーム等の荷電粒子ビー
ムをターゲットに入射させる際のビームの平行走査用の
評価モニタ装置に関するものであり、特に平行走査型イ
オン注入装置に有利に利用される. [従来の技術] 先に特願昭63− 75834号において平行走査用の
評価モニタ装置として添附図面の第6図に示すように、
平行走査型イオン注入装置のエンドステーションに配置
されたプラテンAに装着したウエハBの手前に、ビーム
の軸線方向に対して垂直な作動位置と点線で略示した退
避位置との間で動き得るようにされているファラデーフ
ラグCを設け、このファラデーフラグCの中心に中心開
口Caを備え、またその周囲部の左右上下部分には、そ
れぞれ隣接して同心円状に対を成して円弧状スリッ}C
bを形成してビーム透過開口を構或し、ファラデーフラ
グCの中心開口Caの後1則にはこの中心開口Caを通
過してきたイオンビームの集束性を検出する検出電極D
を設け、またファラデーフラグCの左右上下部分に設け
られた各ビーム透過開口の後側には、各ビーム透過開口
を通過してきたイオンビームのビーム電流を検出するビ
ーム電流検出電i#71Eを設け、これらの検出電極D
,Eで検出したビーム電流をビーム電流測定手段Fで測
定するように構成した荷電粒子ビームの平行走査評価モ
ニタ装置を提案した. このモニタ装置においては、ファラデーフラグCにおけ
る各ビーム透過開口に対応した位置にビーム電流検出電
極を配置し、隣り合うビーム電流検出電極又は対称位置
にある電極のビーム電流強度を測定することによってビ
ーム平行度を判定している. [発明が解決しようとする課題] 先に提案したビームモニタ装置では、ファラデーフラグ
の周縁部に沿って設けられた各ビーム透過開口に対応し
た位置にそれぞれビーム電流検出電極を近接して配置し
ているため、ビームの測定箇所が制限され、ターゲット
全体に渡るビームをモニタできないという問題がある. そこで、本発明は上記の問題を解決してイオンビームや
電子ビーム等の荷電粒子ビームがターゲットに打ち込ま
れる位置で実際に平行になっているかどうかを多点でモ
ニタできるようにした荷電粒子ビームの平行走査評価モ
ニタ装置を提供することにある. [課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するために、本発明による荷電粒子ビ
ームの平行走査評価モニタ装置は、荷電粒子ビームを平
行走査する電極組立体と荷電粒子ビームで照射されるタ
ーゲットとの間で荷電粒子ビームの通過領域を横切って
マスク板を設け、このマスク板がその全面に多数の荷電
粒子ビーム透過スリットを備え、またマスク板の各荷電
粒子ビーム透過スリットを通過してきた荷電粒子ビーム
のビーム電流をビーム走査信号に同期させて検出する検
出電極をマスク板と一体的に設け、マスク板とビーム電
流検出電極との組立体を荷電粒子ビームの中心軸線に垂
直な位置と荷電粒子ビームの通路からはずれた退避位置
との間で可動としたことを特徴としている. 本発明において、マスク板とビーム電流検出電極との組
立体は測定時にターゲット位置に設定することができる
.また、マスク板に設けられる各スリットは行列を成し
て形成され得、更に各スリットの形状も丸孔、長孔等任
意の形状にすることができる. またビーム電流検出電極には二次電子を抑制するため負
のバイアス電圧を印加する電極を前面に設けることもで
きる. さらに、二次電子を抑制する目的でビーム電流検出電極
に正の電圧を印加するようにしてもよい.[作 用
] このように梢成した本発明による荷電粒子ビームの平行
走査評価モニタ装置においては、マスク板全面にスリッ
トを設け、これら全てのスリットに共通にビーム電流検
出電極を設けているので、ターゲット全域におけるビー
ムをモニタすることができ、ビームの平行度の判定はマ
スク板のスリットを通過するビームのビーム電流値を測
定することによって行われる. [実 施 例] 以下添付図面を参照して本発明の実麹例について説明す
る. 第1図には本発明を平行走査型イオン注入装置に適用し
た実施例を示し、1はエンドステーションを表し、その
中にターゲットを成ずウエハ2を支持するプラテン3が
設けられ、このプラテン3は図示したイオン打ち込み位
置と点線で略示する準備位置との間で回動できるように
されている.ウエハ2の手前にはマスク板4が配置され
、このマスク板4の後側には絶縁物質から成るスベーサ
5を介してビーム電流検出電極6が一体的に取り付けら
れている. マスク板4とビーム電流検出電極6とから戒る組立体は
回動移動機構7によりビームの軸線方向に対して垂直な
作動位置と点線で略示した退避位置との間で動き得るよ
うにされている.ビーム電流検出電極6は導線8を介し
て外部のビーム電流測定装置9に接続され、このビーム
電流測定装置9には走査電源10が接続されている.な
お、図面には示してないが先に提案したものと同様にマ
スク板4の手前にはイオン源からのイオンビームを平行
走査する電極組立体、ウエハ2へ通すイオンビームの範
囲を決めるマスク、このマスク4をx,y方向に位置調
整するマスク位置調整手段等が配列されている. マスク板4は第2図に示すように多数の長孔状のスリッ
ト4aが行列を成して設けられている.この場合、設け
られるスリット4aの数及び形状並びに配列は必要によ
り適宜設計され得る.このように横成した図示装置の動
作において、イオンビームは走査電源10によってラス
クスキャンされ、マスク板4に設けられたスリット4a
を通過してビーム電流検出電4fi6に入る.このビー
ム電流検出Th極6では走査信号と同期してどのスリッ
ト4aを通過してきたビーム電流値かが判別され、その
ビーム電流値は外部のビーム電流測定手段7によって測
定される. すなわち、この測定プロセスにおいては第2図及び第3
図に示すように、マスク板4の各スリッ}−4aに対し
て順番に走査同期信号S1、S2、S3・・・・・・s
n−1、snが割り当てられ、それに応じたビーム電流
値が得られるようにされている.例えば第3図に示すよ
うにスリット位置snにおいてビーム電流値が小さくな
っている場合にはイオンビームのラスタースキャンが異
常であることが認められる.すなわちイオンビームが平
行である場合には第4図に示すように検出され測定され
る電流は予定の同じ高レベルの値として得られるが、イ
オンビームが傾きをもって入射してきた場合には第5図
に示すようにビーム電流値は低くなる.そして、マスク
板4の周縁部の一部におけるスリット4aを通過するイ
オンビームのビーム電流値が他に比べて低いレベルで現
れる場合にはイオンビームの中心がずれて入射してきて
いることがわかる.また、各スリット位置でのビーム電
流値を比較することによりビーム平行度を全体的に評価
することができる.このようにして全体としてはマスク
板4における全てのスリット4aを通過ずるイオンビー
ムのビームt流値が全て等しい場合に、イオンビームは
平行に入射していると同時に中心軸線に対して予定の範
囲内で片寄りなしに平行走査が行われていると判定でき
る. また、ビーム電流検出電極6にあるレベル以上のビーム
電流がきているかどうか及びビーム電流検出電極6にお
けるそれぞれのビーム電流レベルが揃っているかどうか
をチェックして、異常の場合にはマスク板4の回動移動
R構7の動作を阻止してマスク板4の組立体が退避位置
に削れないようにしイオン注入を阻止させると共に再J
[を命ずるアラームを発生してオペレータに知らせるよ
うにされ得る. さらに、ドーズIは通常のようにマスク板4に当たる全
ビーム電流を測定して決められ得る。
ムをターゲットに入射させる際のビームの平行走査用の
評価モニタ装置に関するものであり、特に平行走査型イ
オン注入装置に有利に利用される. [従来の技術] 先に特願昭63− 75834号において平行走査用の
評価モニタ装置として添附図面の第6図に示すように、
平行走査型イオン注入装置のエンドステーションに配置
されたプラテンAに装着したウエハBの手前に、ビーム
の軸線方向に対して垂直な作動位置と点線で略示した退
避位置との間で動き得るようにされているファラデーフ
ラグCを設け、このファラデーフラグCの中心に中心開
口Caを備え、またその周囲部の左右上下部分には、そ
れぞれ隣接して同心円状に対を成して円弧状スリッ}C
bを形成してビーム透過開口を構或し、ファラデーフラ
グCの中心開口Caの後1則にはこの中心開口Caを通
過してきたイオンビームの集束性を検出する検出電極D
を設け、またファラデーフラグCの左右上下部分に設け
られた各ビーム透過開口の後側には、各ビーム透過開口
を通過してきたイオンビームのビーム電流を検出するビ
ーム電流検出電i#71Eを設け、これらの検出電極D
,Eで検出したビーム電流をビーム電流測定手段Fで測
定するように構成した荷電粒子ビームの平行走査評価モ
ニタ装置を提案した. このモニタ装置においては、ファラデーフラグCにおけ
る各ビーム透過開口に対応した位置にビーム電流検出電
極を配置し、隣り合うビーム電流検出電極又は対称位置
にある電極のビーム電流強度を測定することによってビ
ーム平行度を判定している. [発明が解決しようとする課題] 先に提案したビームモニタ装置では、ファラデーフラグ
の周縁部に沿って設けられた各ビーム透過開口に対応し
た位置にそれぞれビーム電流検出電極を近接して配置し
ているため、ビームの測定箇所が制限され、ターゲット
全体に渡るビームをモニタできないという問題がある. そこで、本発明は上記の問題を解決してイオンビームや
電子ビーム等の荷電粒子ビームがターゲットに打ち込ま
れる位置で実際に平行になっているかどうかを多点でモ
ニタできるようにした荷電粒子ビームの平行走査評価モ
ニタ装置を提供することにある. [課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するために、本発明による荷電粒子ビ
ームの平行走査評価モニタ装置は、荷電粒子ビームを平
行走査する電極組立体と荷電粒子ビームで照射されるタ
ーゲットとの間で荷電粒子ビームの通過領域を横切って
マスク板を設け、このマスク板がその全面に多数の荷電
粒子ビーム透過スリットを備え、またマスク板の各荷電
粒子ビーム透過スリットを通過してきた荷電粒子ビーム
のビーム電流をビーム走査信号に同期させて検出する検
出電極をマスク板と一体的に設け、マスク板とビーム電
流検出電極との組立体を荷電粒子ビームの中心軸線に垂
直な位置と荷電粒子ビームの通路からはずれた退避位置
との間で可動としたことを特徴としている. 本発明において、マスク板とビーム電流検出電極との組
立体は測定時にターゲット位置に設定することができる
.また、マスク板に設けられる各スリットは行列を成し
て形成され得、更に各スリットの形状も丸孔、長孔等任
意の形状にすることができる. またビーム電流検出電極には二次電子を抑制するため負
のバイアス電圧を印加する電極を前面に設けることもで
きる. さらに、二次電子を抑制する目的でビーム電流検出電極
に正の電圧を印加するようにしてもよい.[作 用
] このように梢成した本発明による荷電粒子ビームの平行
走査評価モニタ装置においては、マスク板全面にスリッ
トを設け、これら全てのスリットに共通にビーム電流検
出電極を設けているので、ターゲット全域におけるビー
ムをモニタすることができ、ビームの平行度の判定はマ
スク板のスリットを通過するビームのビーム電流値を測
定することによって行われる. [実 施 例] 以下添付図面を参照して本発明の実麹例について説明す
る. 第1図には本発明を平行走査型イオン注入装置に適用し
た実施例を示し、1はエンドステーションを表し、その
中にターゲットを成ずウエハ2を支持するプラテン3が
設けられ、このプラテン3は図示したイオン打ち込み位
置と点線で略示する準備位置との間で回動できるように
されている.ウエハ2の手前にはマスク板4が配置され
、このマスク板4の後側には絶縁物質から成るスベーサ
5を介してビーム電流検出電極6が一体的に取り付けら
れている. マスク板4とビーム電流検出電極6とから戒る組立体は
回動移動機構7によりビームの軸線方向に対して垂直な
作動位置と点線で略示した退避位置との間で動き得るよ
うにされている.ビーム電流検出電極6は導線8を介し
て外部のビーム電流測定装置9に接続され、このビーム
電流測定装置9には走査電源10が接続されている.な
お、図面には示してないが先に提案したものと同様にマ
スク板4の手前にはイオン源からのイオンビームを平行
走査する電極組立体、ウエハ2へ通すイオンビームの範
囲を決めるマスク、このマスク4をx,y方向に位置調
整するマスク位置調整手段等が配列されている. マスク板4は第2図に示すように多数の長孔状のスリッ
ト4aが行列を成して設けられている.この場合、設け
られるスリット4aの数及び形状並びに配列は必要によ
り適宜設計され得る.このように横成した図示装置の動
作において、イオンビームは走査電源10によってラス
クスキャンされ、マスク板4に設けられたスリット4a
を通過してビーム電流検出電4fi6に入る.このビー
ム電流検出Th極6では走査信号と同期してどのスリッ
ト4aを通過してきたビーム電流値かが判別され、その
ビーム電流値は外部のビーム電流測定手段7によって測
定される. すなわち、この測定プロセスにおいては第2図及び第3
図に示すように、マスク板4の各スリッ}−4aに対し
て順番に走査同期信号S1、S2、S3・・・・・・s
n−1、snが割り当てられ、それに応じたビーム電流
値が得られるようにされている.例えば第3図に示すよ
うにスリット位置snにおいてビーム電流値が小さくな
っている場合にはイオンビームのラスタースキャンが異
常であることが認められる.すなわちイオンビームが平
行である場合には第4図に示すように検出され測定され
る電流は予定の同じ高レベルの値として得られるが、イ
オンビームが傾きをもって入射してきた場合には第5図
に示すようにビーム電流値は低くなる.そして、マスク
板4の周縁部の一部におけるスリット4aを通過するイ
オンビームのビーム電流値が他に比べて低いレベルで現
れる場合にはイオンビームの中心がずれて入射してきて
いることがわかる.また、各スリット位置でのビーム電
流値を比較することによりビーム平行度を全体的に評価
することができる.このようにして全体としてはマスク
板4における全てのスリット4aを通過ずるイオンビー
ムのビームt流値が全て等しい場合に、イオンビームは
平行に入射していると同時に中心軸線に対して予定の範
囲内で片寄りなしに平行走査が行われていると判定でき
る. また、ビーム電流検出電極6にあるレベル以上のビーム
電流がきているかどうか及びビーム電流検出電極6にお
けるそれぞれのビーム電流レベルが揃っているかどうか
をチェックして、異常の場合にはマスク板4の回動移動
R構7の動作を阻止してマスク板4の組立体が退避位置
に削れないようにしイオン注入を阻止させると共に再J
[を命ずるアラームを発生してオペレータに知らせるよ
うにされ得る. さらに、ドーズIは通常のようにマスク板4に当たる全
ビーム電流を測定して決められ得る。
ところで、図示実施例において、ビーム電流検出電極の
前面に二次電子を抑制するため負のバイアス電圧を印加
するTh極を設けることもできる.代わりにビーム電流
検出t極に正の電圧を印加して二次電子を抑制するよう
にしてもよい.なお、図示実施例はいずれも平行走査型
イオン注入装置に適用した場合について例示してきたが
、本発明は当然t−7−ビーム露光装置や走査電子顕微
鏡のような電子ビーム応用装置にも同様に適用できる. [発明の効果] 以上説明してきたように、本発明による荷電粒子ビーム
の平行走査評価モニタ装置においては、平行走査する電
極組立体からの荷電粒子ビームをマスク板の全面に設け
たスリットを通してそのビーム電流を全域に渡って測定
するように構成しているので、ビームの平行度をより正
確に評価することができ、またマスク板とビーム電流検
出電極とを一体的に梢成しているので、装置の楕遣が簡
単となり、より実用的で有用なモニタ装置を提供するこ
とができる.
前面に二次電子を抑制するため負のバイアス電圧を印加
するTh極を設けることもできる.代わりにビーム電流
検出t極に正の電圧を印加して二次電子を抑制するよう
にしてもよい.なお、図示実施例はいずれも平行走査型
イオン注入装置に適用した場合について例示してきたが
、本発明は当然t−7−ビーム露光装置や走査電子顕微
鏡のような電子ビーム応用装置にも同様に適用できる. [発明の効果] 以上説明してきたように、本発明による荷電粒子ビーム
の平行走査評価モニタ装置においては、平行走査する電
極組立体からの荷電粒子ビームをマスク板の全面に設け
たスリットを通してそのビーム電流を全域に渡って測定
するように構成しているので、ビームの平行度をより正
確に評価することができ、またマスク板とビーム電流検
出電極とを一体的に梢成しているので、装置の楕遣が簡
単となり、より実用的で有用なモニタ装置を提供するこ
とができる.
第1図は本発明の一実施例を示す部分断面概略線図、第
2図は第1図の装置の要部の正面図、第3図〜第5図は
動作説明図、第6図は先に提案したモニタ装置の要部の
構成を示す概略図である.図 巾 4 :マスク板 6 : ビーム電流検出電極 9 : ビーム測定手段 10:走査電源 第1図 第2図
2図は第1図の装置の要部の正面図、第3図〜第5図は
動作説明図、第6図は先に提案したモニタ装置の要部の
構成を示す概略図である.図 巾 4 :マスク板 6 : ビーム電流検出電極 9 : ビーム測定手段 10:走査電源 第1図 第2図
Claims (1)
- 1、荷電粒子ビームを平行走査する電極組立体と荷電粒
子ビームで照射されるターゲットとの間で荷電粒子ビー
ムの通過領域を横切ってマスク板を設け、このマスク板
がその全面に多数の荷電粒子ビーム透過スリットを備え
、またマスク板の各荷電粒子ビーム透過スリットを通過
してきた荷電粒子ビームのビーム電流をビーム走査信号
に同期させて検出する検出電極をマスク板と一体的に設
け、マスク板とビーム電流検出電極との組立体を荷電粒
子ビームの中心軸線に垂直な位置と荷電粒子ビームの通
路からはずれた退避位置との間で可動としたことを特徴
とする荷電粒子ビームの平行走査評価モニタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154675A JPH0322337A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 荷電粒子ビームの平行走査評価モニタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154675A JPH0322337A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 荷電粒子ビームの平行走査評価モニタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322337A true JPH0322337A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15589450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1154675A Pending JPH0322337A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 荷電粒子ビームの平行走査評価モニタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322337A (ja) |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1154675A patent/JPH0322337A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950001252B1 (ko) | 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법 | |
| EP0328869B1 (en) | Electron beam testing of electronic components | |
| US20020121889A1 (en) | In situ ion beam incidence angle and beam divergence monitor | |
| JP2008519414A (ja) | 2次元のイオンビームプロファイルを取得する装置および方法 | |
| JPS5917499B2 (ja) | 質量分析計 | |
| KR20220011176A (ko) | 하전 입자선 장치 | |
| JP2021018904A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
| KR19980075050A (ko) | 주사 전자 현미경의 가변어퍼쳐 | |
| JPH0322337A (ja) | 荷電粒子ビームの平行走査評価モニタ装置 | |
| JP2008546141A (ja) | 二次元定常ビームの形状と角度のマッピング | |
| KR102075344B1 (ko) | 빔 전류 측정 장치 및 하전 입자 빔 조사 장치 | |
| JPH03146951A (ja) | 集束イオンビーム装置におけるアパーチャー検査方法 | |
| TWI463519B (zh) | 監測離子束的方法與離子佈植機 | |
| US20140158894A1 (en) | Method and device using photoelectrons for in-situ beam power and stability monitoring in euv systems | |
| JPS6016704B2 (ja) | イオン注入装置のビ−ム監視装置 | |
| JPH0613014A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH08115700A (ja) | ビームエネルギーモニタ装置 | |
| JPH02148555A (ja) | イオン注入装置 | |
| GB2149130A (en) | Testing electronic circuits | |
| JPH0627649Y2 (ja) | イオン処理装置 | |
| JPS6415604A (en) | Measuring apparatus for length by electron beam | |
| JP3430806B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH02267847A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2004146146A (ja) | 電子ビーム電流検出器を備えた電子ビーム装置および電子ビーム露光装置 | |
| JPS62269083A (ja) | イオンビ−ムプロフアイルモニタ |