JPH0322414A - 常圧気相成長装置 - Google Patents
常圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0322414A JPH0322414A JP15771589A JP15771589A JPH0322414A JP H0322414 A JPH0322414 A JP H0322414A JP 15771589 A JP15771589 A JP 15771589A JP 15771589 A JP15771589 A JP 15771589A JP H0322414 A JPH0322414 A JP H0322414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit plate
- gas
- inert gas
- reaction
- pressure vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は常圧気相成長装置に関する。
従来の常圧気相成長装置のガス導入機構は、第２図の様
な構造となっており、外部より導入される反応ガスはス
リット板７内で分配され、第１反応ガス１と第２反応ガ
ス２が交互に流れ、ウェーハ４上で反応し、反応残ガス
は両側の排気ダクト５で排気される様な構造となってい
た。
な構造となっており、外部より導入される反応ガスはス
リット板７内で分配され、第１反応ガス１と第２反応ガ
ス２が交互に流れ、ウェーハ４上で反応し、反応残ガス
は両側の排気ダクト５で排気される様な構造となってい
た。
上述した従来のガス導入機構は、反応残ガスが両側の排
気ダクト５で引かれる様な構造となっている為に、両側
のダクト中間部分ではよどみができ、第１反応ガスと第
２反応ガスとの反応生戒物が中間部分のスリットに堆積
し、対向する位置にあるウェーハにごみとして付着し歩
留りを悪くするという欠点がある。
気ダクト５で引かれる様な構造となっている為に、両側
のダクト中間部分ではよどみができ、第１反応ガスと第
２反応ガスとの反応生戒物が中間部分のスリットに堆積
し、対向する位置にあるウェーハにごみとして付着し歩
留りを悪くするという欠点がある。
本発明は、断面が櫛状に形成され櫛の歯と歯の間から種
類の異なる反応ガスを噴出する導通路が櫛の柄部分に設
けられたスリット板が反応室入口部分に設けられ、前記
スリット板と反応室の壁との間に反応済ガスを排出する
ための排気ダクトが設けられている常圧気相成長装置に
おいて、前記スリット板の中央部分の歯と歯の間に不括
性ガスを噴出させるための導通路が設けられていること
を特徴とする。
類の異なる反応ガスを噴出する導通路が櫛の柄部分に設
けられたスリット板が反応室入口部分に設けられ、前記
スリット板と反応室の壁との間に反応済ガスを排出する
ための排気ダクトが設けられている常圧気相成長装置に
おいて、前記スリット板の中央部分の歯と歯の間に不括
性ガスを噴出させるための導通路が設けられていること
を特徴とする。
第１図は本発明の一実施例の主要部の断面模式図である
。
。
第１反応ガス１と第２反応ガス２は、それぞれ混じらな
い棟に分離されたスリット板３内を通り、ウェーハ４表
面上で混じり、気相成長膜を生威し、反応残ガスはスリ
ット板３の両側に設けられた排気ダクト５に引かれてい
く。一方、スリット板３の中央部分より導入された不活
性ガス６は両側の排気ダクト５へそれぞれ引かれていく
様にする。
い棟に分離されたスリット板３内を通り、ウェーハ４表
面上で混じり、気相成長膜を生威し、反応残ガスはスリ
ット板３の両側に設けられた排気ダクト５に引かれてい
く。一方、スリット板３の中央部分より導入された不活
性ガス６は両側の排気ダクト５へそれぞれ引かれていく
様にする。
このように、スリット板３に不活性ガスを導入するため
の導通路を設けたことがこの発明の主要事項である。
の導通路を設けたことがこの発明の主要事項である。
以上説明した様に、本発明は、両側の中間部分のスリッ
ト板より不活性ガスを導入することにより、スリット板
の中央部分のよどむ所は不活性ガスとなる為に、反応生
成物が異常堆積することがなくなるという効果を有する
。
ト板より不活性ガスを導入することにより、スリット板
の中央部分のよどむ所は不活性ガスとなる為に、反応生
成物が異常堆積することがなくなるという効果を有する
。
第１図は本発明の一実施例の主要部の断面模式図、第２
図は従来の常圧気相成長装置のガス導入部分の断面模式
図である。 １・・・第１反応ガス、２・・・第２反応ガス、３・・
・スリット板、４・・・ウェーハ、５・・・排気ダクト
、６・・・不活性ガス、７・・・スリット板。
図は従来の常圧気相成長装置のガス導入部分の断面模式
図である。 １・・・第１反応ガス、２・・・第２反応ガス、３・・
・スリット板、４・・・ウェーハ、５・・・排気ダクト
、６・・・不活性ガス、７・・・スリット板。
Claims (1)
- 断面が櫛状に形成され櫛の歯と歯の間から種類の異なる
反応ガスを噴出する導通路が櫛の柄部分に設けられたス
リット板が反応室入口部分に設けられ、前記スリット板
と反応室の壁との間に反応済ガスを排出するための排気
ダクトが設けられている常圧気相成長装置において、前
記スリット板の中央部分の歯と歯の間に不活性ガスを噴
出させるための導通路が設けられていることを特徴とす
る常圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15771589A JPH0322414A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 常圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15771589A JPH0322414A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 常圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322414A true JPH0322414A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15655796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15771589A Pending JPH0322414A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 常圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322414A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5888907A (en) * | 1996-04-26 | 1999-03-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
| WO2017090490A1 (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 愛知製鋼株式会社 | 界磁用永久磁石 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15771589A patent/JPH0322414A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5888907A (en) * | 1996-04-26 | 1999-03-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
| WO2017090490A1 (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 愛知製鋼株式会社 | 界磁用永久磁石 |
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