JPH0322454A - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
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- JPH0322454A JPH0322454A JP15768989A JP15768989A JPH0322454A JP H0322454 A JPH0322454 A JP H0322454A JP 15768989 A JP15768989 A JP 15768989A JP 15768989 A JP15768989 A JP 15768989A JP H0322454 A JPH0322454 A JP H0322454A
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- JP
- Japan
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- wafer
- semiconductor
- cooler
- wafer mounting
- mounting stage
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- Pending
Links
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハに多数形威された電子回路領域
の電気特性を検査するための半導体検査装置に関する。
の電気特性を検査するための半導体検査装置に関する。
従来、半導体ウェハに多数形成された電子回路量の電気
特性を測定するの検査工程においては、ウェハを間欠的
に順次送りしながら自動的に電気的特性を検査し、良品
不良品の判定を行なうシステムがある。このシステムは
試験装置として通常ＩＣテスターと呼ばれる装置と、ウ
ェハの間欠送りを行ないウェハを検査する為にウェハと
の接触を行なう半導体検査装置（以後プローバと呼ぶ）
とで構成されている。
特性を測定するの検査工程においては、ウェハを間欠的
に順次送りしながら自動的に電気的特性を検査し、良品
不良品の判定を行なうシステムがある。このシステムは
試験装置として通常ＩＣテスターと呼ばれる装置と、ウ
ェハの間欠送りを行ないウェハを検査する為にウェハと
の接触を行なう半導体検査装置（以後プローバと呼ぶ）
とで構成されている。
半導体ウェハの検査方法としては、種々の検査方法があ
り、たとえば、半導体ウェハを任意の温度に加熱し、半
導体装置の検査を行なう方法がある。通常、半導体装置
の生産においては、多品種の生産しており、必ずしも、
半導体ウェハを加熱するとは限らず、１００℃位の高温
に加熱し半導体ウェハの検査をする場合、または、２５
℃位の温度で検査する場合あるいは一数１０℃で検査す
る場合がある。
り、たとえば、半導体ウェハを任意の温度に加熱し、半
導体装置の検査を行なう方法がある。通常、半導体装置
の生産においては、多品種の生産しており、必ずしも、
半導体ウェハを加熱するとは限らず、１００℃位の高温
に加熱し半導体ウェハの検査をする場合、または、２５
℃位の温度で検査する場合あるいは一数１０℃で検査す
る場合がある。
上述した従来のプローバは、高温下でたとえば１００℃
で半導体ウェハの検査を終了後、２５℃付近の温度で半
導体ウェハの検査をしようとした場合特に冷却機構を備
えていないために１００℃から２５℃まで自然冷却する
のに約１００分位プローバを停止していなければならな
いという欠点があった。
で半導体ウェハの検査を終了後、２５℃付近の温度で半
導体ウェハの検査をしようとした場合特に冷却機構を備
えていないために１００℃から２５℃まで自然冷却する
のに約１００分位プローバを停止していなければならな
いという欠点があった。
本発明の目的は、かかる問題を解消する半導体検査装置
を提供することである。
を提供することである。
１．本発明の第１の半導体検査装置は、半導体ウェハを
搭載するウェハ搭載台と、この半導体ウェハの表面に冷
却空気を吹きつける冷却機を有している。
搭載するウェハ搭載台と、この半導体ウェハの表面に冷
却空気を吹きつける冷却機を有している。
２．本発明の第２の半導体検査装置は、半導体ウェハを
搭載するウェハ搭載台と、この搭載台に内蔵されるとと
もに前記半導体ウェハを冷却する冷却機を有している。
搭載するウェハ搭載台と、この搭載台に内蔵されるとと
もに前記半導体ウェハを冷却する冷却機を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体検査装置の模・
式断面図である。この半導体検査装置は、半導体ウェハ
１４を早退し間欠送りするためのウェハ搭載台４と、こ
れを移動させるためのＸＹ駆動部２とＺ駆動部３とがあ
り、これらの各々の駆動部とその他の機能を制御するた
めのコントロール８とがある。また、この半導体検査装
置には、半導体ウェハを冷却するための冷却機６を設け
たことである。
式断面図である。この半導体検査装置は、半導体ウェハ
１４を早退し間欠送りするためのウェハ搭載台４と、こ
れを移動させるためのＸＹ駆動部２とＺ駆動部３とがあ
り、これらの各々の駆動部とその他の機能を制御するた
めのコントロール８とがある。また、この半導体検査装
置には、半導体ウェハを冷却するための冷却機６を設け
たことである。
次に、この冷却機６に関して説明する。半導体ウェハ１
４を加熱しながら検査する方法がら、常温の約２７〜２
３℃の温度に戻し、常温での半導体ウェハ１４の検査を
行なおうとした場合、まず、ウェハ搭載台に向って斜の
上に設置されている冷却機６とウェハ搭載第４の下方斜
めよりウェハ搭載台４に向かって設置されている冷却機
６に高圧空気管７により圧縮空気供給し、この冷却機６
により急激に膨張させ、冷却された空気を噴出させる。
４を加熱しながら検査する方法がら、常温の約２７〜２
３℃の温度に戻し、常温での半導体ウェハ１４の検査を
行なおうとした場合、まず、ウェハ搭載台に向って斜の
上に設置されている冷却機６とウェハ搭載第４の下方斜
めよりウェハ搭載台４に向かって設置されている冷却機
６に高圧空気管７により圧縮空気供給し、この冷却機６
により急激に膨張させ、冷却された空気を噴出させる。
このことは、各冷却機６のジュールトムソン効果を利用
したもので、最高を通して気体を圧力の高いところから
圧力の低いところへゆっくり気体を流す。この時に、圧
力差に比例した気体の温度変化を利用したものである。
したもので、最高を通して気体を圧力の高いところから
圧力の低いところへゆっくり気体を流す。この時に、圧
力差に比例した気体の温度変化を利用したものである。
これによりウェハ搭載台４が冷却される。
第２図は本発明の他の実施例を示す半導体検査装置の模
式断面図である。この半導体検査装置では、冷却機とし
て液体窒素を利用したものである。この冷却機構は、加
熱されているウェハ搭載台４に形成されている細孔１２
に対し、入口１０から出口１１に向かって液体窒素を流
すことによりウェハー搭載台４を冷却するものである。
式断面図である。この半導体検査装置では、冷却機とし
て液体窒素を利用したものである。この冷却機構は、加
熱されているウェハ搭載台４に形成されている細孔１２
に対し、入口１０から出口１１に向かって液体窒素を流
すことによりウェハー搭載台４を冷却するものである。
以上説明したように、本発明によると、ウェハ搭載第を
、例えば、１００℃から２５℃に冷却するのに従来は約
１００分費いやしていたのが、１０数分で冷却すること
が可能となる。このように、半導体ウェハを冷却する冷
却機を設けることによって、試験時間を大巾に短縮出来
る半導体検査装置が得られるという効果がある。
、例えば、１００℃から２５℃に冷却するのに従来は約
１００分費いやしていたのが、１０数分で冷却すること
が可能となる。このように、半導体ウェハを冷却する冷
却機を設けることによって、試験時間を大巾に短縮出来
る半導体検査装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体検査装置の模式
断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す半導体検査
装置の模式断面図である。 ２・・・ＸＹ駆動部、３・・・Ｚ駆動部、４・・・ウェ
ハ搭載台、５・・・顕微鏡、６・・・冷却機、７・・・
高圧空気管、８・・・コントローラ、９・・・ヒータ、
１０・・・入口、１１・・・出口、１２・・・細孔、１
３・・・ＩＣテスタ、１４・・・半導体ウェハ。
断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す半導体検査
装置の模式断面図である。 ２・・・ＸＹ駆動部、３・・・Ｚ駆動部、４・・・ウェ
ハ搭載台、５・・・顕微鏡、６・・・冷却機、７・・・
高圧空気管、８・・・コントローラ、９・・・ヒータ、
１０・・・入口、１１・・・出口、１２・・・細孔、１
３・・・ＩＣテスタ、１４・・・半導体ウェハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハを搭載するウェハ搭載台と、この半導
体ウェハの表面に冷却空気を吹きつける冷却機を有する
ことを特徴とする半導体検査装置。 ２、半導体ウェハを搭載するウェハ搭載台と、この搭載
台に内蔵されるとともに前記半導体ウェハを冷却する冷
却器を有することを特徴とする請求項１の半導体検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15768989A JPH0322454A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15768989A JPH0322454A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322454A true JPH0322454A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15655236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15768989A Pending JPH0322454A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322454A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014145615A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体評価装置および半導体評価方法 |
| JP2021532582A (ja) * | 2018-07-20 | 2021-11-25 | フォームファクター ビーバートン インコーポレイテッド | 試験中の装置の光学画像を収集するためのプローブシステムおよび方法 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15768989A patent/JPH0322454A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014145615A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体評価装置および半導体評価方法 |
| US9335371B2 (en) | 2013-01-28 | 2016-05-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor evaluating device and semiconductor evaluating method |
| JP2021532582A (ja) * | 2018-07-20 | 2021-11-25 | フォームファクター ビーバートン インコーポレイテッド | 試験中の装置の光学画像を収集するためのプローブシステムおよび方法 |
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