JPH0322533A - 噴霧式処理装置 - Google Patents
噴霧式処理装置Info
- Publication number
- JPH0322533A JPH0322533A JP1158581A JP15858189A JPH0322533A JP H0322533 A JPH0322533 A JP H0322533A JP 1158581 A JP1158581 A JP 1158581A JP 15858189 A JP15858189 A JP 15858189A JP H0322533 A JPH0322533 A JP H0322533A
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- JP
- Japan
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- atomizer
- wafer
- spray
- processing
- wafers
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造工程に使用される半導体基板
（半導体ウェハー：以下、ウェハーと称す）の薬液処理
に関し、特に剥離・洗浄に用いられる半導体基板処理装
置に関するものである。
（半導体ウェハー：以下、ウェハーと称す）の薬液処理
に関し、特に剥離・洗浄に用いられる半導体基板処理装
置に関するものである。
従来、この種の噴霧式処理装置は、処理物を回転させな
がら、噴霧状態にした処理液を吹きかけて処理するもの
であった。
がら、噴霧状態にした処理液を吹きかけて処理するもの
であった。
以下に、図面に添って従来技術の説明を行う。
第８図は、従来の処理装置の側面図である。密閉型のボ
ウル１６−の内に設けたローター１７に、複数のウェハ
ーを収納したカセット１８をセットし、ローター１７を
回転させながらボウル１６内に設けられたスプレーポス
｝１９から濾過された薬液を噴霧状態にし、吹き付ける
ものであった。
ウル１６−の内に設けたローター１７に、複数のウェハ
ーを収納したカセット１８をセットし、ローター１７を
回転させながらボウル１６内に設けられたスプレーポス
｝１９から濾過された薬液を噴霧状態にし、吹き付ける
ものであった。
例えば特公昭６１−４２３５２号公報は、従来技術のボ
ウルの特許であり、特公昭６１−２１７５６号公報は、
スプレポストの特許である。
ウルの特許であり、特公昭６１−２１７５６号公報は、
スプレポストの特許である。
上述した従来の噴霧式処理装置は、ウェハーを収納した
キャリアを回転させながら処理するため、キャリアを回
転させる機構部が必要となる。
キャリアを回転させながら処理するため、キャリアを回
転させる機構部が必要となる。
従って、回転部からの発塵が避けられない、ウェハーの
破損率が高い回転機構部の故障による稼働率低下及びメ
ンテナンスの必要性がある等の欠点がある。
破損率が高い回転機構部の故障による稼働率低下及びメ
ンテナンスの必要性がある等の欠点がある。
本発明は、前記問題点を解消し、ＩＣ製造上の歩留り向
上生産性向上をもたらすものである。すなわち本発明の
目的は、ウェハーを回転することなく処理できそれによ
りウェハーの破損および発塵をなくしＩＣ製造歩留を向
上し、回転をなくすことによる装置の故障による稼働率
低下を低減でき、メンテナンス費用及び工数削減による
コスト低下を実現できる噴霧式処理装置を提供するとと
にある。
上生産性向上をもたらすものである。すなわち本発明の
目的は、ウェハーを回転することなく処理できそれによ
りウェハーの破損および発塵をなくしＩＣ製造歩留を向
上し、回転をなくすことによる装置の故障による稼働率
低下を低減でき、メンテナンス費用及び工数削減による
コスト低下を実現できる噴霧式処理装置を提供するとと
にある。
本発明の噴霧式処理装置は、密閉式のチャンバーと、チ
ャンバー内に複数の並列したウェハーを保持し、かつあ
るウェハーの上端とそれに隣接するウェハーの下端が垂
直方向で重ならない角度まで全ウェハーを一方向に傾け
るガイドと、薬液を噴霧するアトマイザーの噴霧口の中
心線が整列した複数枚のウェハーの上端から円周方向に
同一距離離れた点を結んだ線と直交し、かつ、整列した
複数枚のウェハー面の中心点を結んだ線と直交する位置
に配置したアトマイザーと、噴霧状態を乱さないように
チャンバー内の排気・排液を行なう排気孔と、アトマイ
ザーに薬液を供給する手段を有する。
ャンバー内に複数の並列したウェハーを保持し、かつあ
るウェハーの上端とそれに隣接するウェハーの下端が垂
直方向で重ならない角度まで全ウェハーを一方向に傾け
るガイドと、薬液を噴霧するアトマイザーの噴霧口の中
心線が整列した複数枚のウェハーの上端から円周方向に
同一距離離れた点を結んだ線と直交し、かつ、整列した
複数枚のウェハー面の中心点を結んだ線と直交する位置
に配置したアトマイザーと、噴霧状態を乱さないように
チャンバー内の排気・排液を行なう排気孔と、アトマイ
ザーに薬液を供給する手段を有する。
さらに本発明の噴霧式処理装置は、処理液を噴霧状にし
、かつ処理物にむらなく照射できるように配置したアト
マイザーと、処理液を貯液し、かつ液温を制御する機能
を有する貯液槽と、該貯液槽内の処理液を前記アトマイ
ザーに濾過供給する５一 機能と、前記アトマイザーにより作られた噴霧状態をみ
ださないような密閉型で、かつ排出口を有する処理槽と
、その排出口に接続され薬液と空気を分離し、それぞれ
排出するミストセパレータと、処理槽内に配置し処理物
を固定するガイドとを有し、処理物を複数枚同時に処理
し、かつ処理中に処理物が動かないことを特徴として構
或される。
、かつ処理物にむらなく照射できるように配置したアト
マイザーと、処理液を貯液し、かつ液温を制御する機能
を有する貯液槽と、該貯液槽内の処理液を前記アトマイ
ザーに濾過供給する５一 機能と、前記アトマイザーにより作られた噴霧状態をみ
ださないような密閉型で、かつ排出口を有する処理槽と
、その排出口に接続され薬液と空気を分離し、それぞれ
排出するミストセパレータと、処理槽内に配置し処理物
を固定するガイドとを有し、処理物を複数枚同時に処理
し、かつ処理中に処理物が動かないことを特徴として構
或される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例の構戒図である。薬液
供給バルブ１は、調合槽２に薬液を供給するものであり
、フィルター３は調合槽２に供給される薬液の塵埃を除
去するものであり、温調器４は、調合槽２の薬液温度を
任意の設定値に保つためのものである。
供給バルブ１は、調合槽２に薬液を供給するものであり
、フィルター３は調合槽２に供給される薬液の塵埃を除
去するものであり、温調器４は、調合槽２の薬液温度を
任意の設定値に保つためのものである。
供給ポンプ５は、調合槽２の薬液をアトマイザ−６に供
給し、かつ、噴霧するに必要な吐出圧及び吐出流量を出
しうるものであり、ファイナルフィルター７は、アトマ
イザー６に供給される薬液を完全に濾過された状態にす
るものであり、アー６一 トマイザ−６は、カセット８内に収納したウェハー９に
薬液を均一に噴霧照射するためのものである。
給し、かつ、噴霧するに必要な吐出圧及び吐出流量を出
しうるものであり、ファイナルフィルター７は、アトマ
イザー６に供給される薬液を完全に濾過された状態にす
るものであり、アー６一 トマイザ−６は、カセット８内に収納したウェハー９に
薬液を均一に噴霧照射するためのものである。
チャンバー１０は噴霧化された薬液が外部にリークしな
いように蓋１１とリッドシール１２で密閉されており、
チャンバ１０内の雰囲気を排出するための排出口１３を
有している。
いように蓋１１とリッドシール１２で密閉されており、
チャンバ１０内の雰囲気を排出するための排出口１３を
有している。
カセットガイドｌ４は、チャンバー１０内にカセット８
を入れたときの位置決め及び固定するためのものであり
、カセット８をウェハー９の面に対して垂直方向に傾斜
するように傾けてある。
を入れたときの位置決め及び固定するためのものであり
、カセット８をウェハー９の面に対して垂直方向に傾斜
するように傾けてある。
次に第２図及び第３図はウェハー９とアトマイザー６の
位置関係のみを表わした図であり、それぞれウェハー９
の面を正面からみた図と側面からみた部分図である。
位置関係のみを表わした図であり、それぞれウェハー９
の面を正面からみた図と側面からみた部分図である。
これらの図には、アトマイザ−６とウェハー９の位置関
係を明確にするためカセット８を除いた形で表わしてあ
る。アトマイザー６は、ウェノ１一９の直径方向に対し
て、ウェ／％−９の直径以上でかつカセット８の幅以上
の範囲をカバーできる。
係を明確にするためカセット８を除いた形で表わしてあ
る。アトマイザー６は、ウェノ１一９の直径方向に対し
て、ウェ／％−９の直径以上でかつカセット８の幅以上
の範囲をカバーできる。
スプレーパターンのものを使い、ウエノ）−９の厚さ方
向では、１枚分以上の範囲をカバーできるものとする。
向では、１枚分以上の範囲をカバーできるものとする。
第３図では、３枚のウェ／％−９ａ，９ｂ，９ｃをカバ
ーする場合を例として揚げた。ここでウェハー９ａの上
端とウェハー９ｂの下端，ウェハー９ｂの上端とウェハ
ー９０の下端が鉛直方向で重ならないようにウェハー９
ａ，９ｂ，９Ｃの全てを同一方向に、同一角度傾けるた
めに、カセットガイド１４を傾斜させてある。この傾斜
角を第３図上でθと表わし、例えばウェ／％−が４る。
ーする場合を例として揚げた。ここでウェハー９ａの上
端とウェハー９ｂの下端，ウェハー９ｂの上端とウェハ
ー９０の下端が鉛直方向で重ならないようにウェハー９
ａ，９ｂ，９Ｃの全てを同一方向に、同一角度傾けるた
めに、カセットガイド１４を傾斜させてある。この傾斜
角を第３図上でθと表わし、例えばウェ／％−が４る。
第４図は、第１図に於いて、液を噴霧した状態の図であ
り、その際カセット８とカセットガイド１４は、噴霧状
態とウェハーの関係を明確にするため省いた。
り、その際カセット８とカセットガイド１４は、噴霧状
態とウェハーの関係を明確にするため省いた。
次に動作について説明する。薬液バルブ１を開けること
により、複数の濾過された薬液が調合槽２に供給される
。調合槽２で温調された薬液は供給ポンプ５によりファ
イナルフィルター７を通り、アトマイザ−６により、ア
トマイズされる。そのアトマイズ状の薬液がウェハー９
の処理したい面に効率良く触れることにより処理がなさ
れる。
により、複数の濾過された薬液が調合槽２に供給される
。調合槽２で温調された薬液は供給ポンプ５によりファ
イナルフィルター７を通り、アトマイザ−６により、ア
トマイズされる。そのアトマイズ状の薬液がウェハー９
の処理したい面に効率良く触れることにより処理がなさ
れる。
第５図は、本発明の第２の実施例の処理部の断面図であ
る。
る。
ウェハーホルダー１５は、任意のウェハー９の上端とそ
れに隣接するウェハーの下端が鉛直方向で重ならないだ
けの角度を有した溝を有しており、ウェハー９がそれ以
上傾斜しないようにかつ、下方向に落下しないように保
持するものである。この実施例では、カセットを使用し
ないため、実施例１では考えられた、カセットによるウ
ェハーの死角がなく、死角となる面積を最小限にとどめ
ることかできるという利点がある。
れに隣接するウェハーの下端が鉛直方向で重ならないだ
けの角度を有した溝を有しており、ウェハー９がそれ以
上傾斜しないようにかつ、下方向に落下しないように保
持するものである。この実施例では、カセットを使用し
ないため、実施例１では考えられた、カセットによるウ
ェハーの死角がなく、死角となる面積を最小限にとどめ
ることかできるという利点がある。
第６図は第３の実施例を示す横成図である。
第６図において、薬液供給バルブ３１は、恒温貯液槽３
２に薬液を供給するものであり、フィルター３は、恒温
貯液槽３２に供給する薬液の塵埃量を低減するものであ
り、温調器３４は、恒温貯リー 液槽３２内の薬液の温度を設定値に保つためのものであ
る。供給ポンプ３５は、恒温貯液槽３２の薬液を超音波
アトマイザー３６に供給するためのものであり、ファイ
ナルフィルター３７は、超音波アトマイザー３６に供給
される薬液を１００％濾過された状態にするものであり
、ファイナルフィルター３７は、超音波アトマイザ−３
６は、ウェハー３８に無駄なく、均一に薬液を噴霧状に
照射するためのものである。処理槽３９は、ウェハー３
８を噴霧処理するための密閉型構造であり、槽内の雰囲
気を排出するための排出口４０を有している。ミストセ
パレータ４１は、排出口４０から排出された雰囲気を薬
液と空気に分離するためのものであり、排気口４２と排
気口４３を有している。ガイド４４は、ウェハー３８を
固定するものである。
２に薬液を供給するものであり、フィルター３は、恒温
貯液槽３２に供給する薬液の塵埃量を低減するものであ
り、温調器３４は、恒温貯リー 液槽３２内の薬液の温度を設定値に保つためのものであ
る。供給ポンプ３５は、恒温貯液槽３２の薬液を超音波
アトマイザー３６に供給するためのものであり、ファイ
ナルフィルター３７は、超音波アトマイザー３６に供給
される薬液を１００％濾過された状態にするものであり
、ファイナルフィルター３７は、超音波アトマイザ−３
６は、ウェハー３８に無駄なく、均一に薬液を噴霧状に
照射するためのものである。処理槽３９は、ウェハー３
８を噴霧処理するための密閉型構造であり、槽内の雰囲
気を排出するための排出口４０を有している。ミストセ
パレータ４１は、排出口４０から排出された雰囲気を薬
液と空気に分離するためのものであり、排気口４２と排
気口４３を有している。ガイド４４は、ウェハー３８を
固定するものである。
次に、基本的動作について説明する。フィルター３３及
びファイナルフィルターにより濾過され温調器３４によ
り温調された薬液を超音波アトマイザ−３６により無駄
なく均一に噴霧状にして、−１０一 ウェハー３８の処理に用いる。そして、処理後の噴霧状
薬液〜は、ミストセパレータ４１にヨリ、薬液と空気に
分離されそれぞれ排出されるものである。
びファイナルフィルターにより濾過され温調器３４によ
り温調された薬液を超音波アトマイザ−３６により無駄
なく均一に噴霧状にして、−１０一 ウェハー３８の処理に用いる。そして、処理後の噴霧状
薬液〜は、ミストセパレータ４１にヨリ、薬液と空気に
分離されそれぞれ排出されるものである。
第７図は本発明の第４の実施例を説明するための構造図
である。エアー供給バルブ４５はアスピレータ４６にエ
アーを供給するものであり、アスピレータ４６は、エア
ーの流速により恒温貯液槽３２の内の薬液を吸い上げノ
ズル４７に供給するものである。ノズル４７は、送られ
てきた気体・薬液混合物の流速によりアトマイズするも
のである。
である。エアー供給バルブ４５はアスピレータ４６にエ
アーを供給するものであり、アスピレータ４６は、エア
ーの流速により恒温貯液槽３２の内の薬液を吸い上げノ
ズル４７に供給するものである。ノズル４７は、送られ
てきた気体・薬液混合物の流速によりアトマイズするも
のである。
この実施例では、アトマイザーに摺動部がないためユー
スポイントでの発塵要素が皆無であるという利点がある
。
スポイントでの発塵要素が皆無であるという利点がある
。
以上説明したように本発明は、薬液を噴霧するアトマイ
ザーに対して、ウェハーの処理したい面の死角が完全に
無く、複数のウェハーが均一に処理でき、かつ、処理し
たくない面の影響をなくす・ことができる効果がある。
ザーに対して、ウェハーの処理したい面の死角が完全に
無く、複数のウェハーが均一に処理でき、かつ、処理し
たくない面の影響をなくす・ことができる効果がある。
さらに、ウェハー及びカセットを処理中に動かすことが
ないため、発塵及び故障の可能性がない。
ないため、発塵及び故障の可能性がない。
又、本発明は、処理液を超音波アトマイザー等の噴霧装
置により微細な噴霧状態にしてむらなく均一にウェハー
表面に照射することにより、ウェハーを静止したままで
処理できる。従って、ウェハーを回転させることによる
破損が解消できる上、発塵部が皆無になるため、ＩＣ製
造上の歩留りが向上する効果がある。
置により微細な噴霧状態にしてむらなく均一にウェハー
表面に照射することにより、ウェハーを静止したままで
処理できる。従って、ウェハーを回転させることによる
破損が解消できる上、発塵部が皆無になるため、ＩＣ製
造上の歩留りが向上する効果がある。
このように本発明は、回転機構部がないため、故障によ
る稼働率低下の発生を低減し、メンテナンス費用及び工
数の削減の実現をもたらすという効果もある。
る稼働率低下の発生を低減し、メンテナンス費用及び工
数の削減の実現をもたらすという効果もある。
第１図は本発明の第１の実施例の構或図、第２図及び第
３図はアトマイザーとウェハーの位置関係を示した側面
図及び正面図の部分図であり、第４図は第１図に於いて
液を噴霧した状態を示す図である。第５図は本発明の第
２の実施例の処理部だけを示す断面図である。第６図は
本発明の第３の実施例を示す構威図である。第７図は本
発明の第４の実施例を示す構成図である。第８図は従来
の処理装置の一例を示す側面構威図である。 尚、図において、 １・・・・・・薬液供給バルブ、２・・・・・・調合槽
、３・・・・・・フィルター ４・・・・・・温調器、
５・・・・・・供給ポンプ、６・・・・・・アトマイザ
ヲ、７・・・・・・ファイナルフィルター ８ ．
１ ８−−−−・−カセット、９．９ａ，９ｂ，９ｃ・
・・・・・ウェハー １０・・・・・・チャンバー １
１・・・・・・蓋、１２・・・・・・リッドシール、１
３・・・・・・排出口、１４・・・・・・カセットガイ
ド、１５・・・・・・ウェハーホルダー １６・・・・
・・ボウル、１７・・・・・・ローター １９・・・・
・・スプレーポスト、３１・・・・・・薬液供給バルブ
、３２・・・・・・恒温貯液槽、３３・・・・・・フィ
ルター ３４・・・・・・温調器、３５・・・・・・ポ
ンプ、３６・・・・・・超音波アトマイザー ３７・・
・・・・ファイナルフィルター、３８・・・・・・ウェ
ハー ３９・・・・・・処理槽、４０・・・・・・排出
口、４１・・・・・・ミストセパレータ、４２・・・・
・・排気１３ 口、４３・・・・・・排液口、４４・・・・・・ガイド
、４５・・・・・エアー供給ハルフ、４６・・・・・ア
スプレータ、４７・・・ノズルである。
３図はアトマイザーとウェハーの位置関係を示した側面
図及び正面図の部分図であり、第４図は第１図に於いて
液を噴霧した状態を示す図である。第５図は本発明の第
２の実施例の処理部だけを示す断面図である。第６図は
本発明の第３の実施例を示す構威図である。第７図は本
発明の第４の実施例を示す構成図である。第８図は従来
の処理装置の一例を示す側面構威図である。 尚、図において、 １・・・・・・薬液供給バルブ、２・・・・・・調合槽
、３・・・・・・フィルター ４・・・・・・温調器、
５・・・・・・供給ポンプ、６・・・・・・アトマイザ
ヲ、７・・・・・・ファイナルフィルター ８ ．
１ ８−−−−・−カセット、９．９ａ，９ｂ，９ｃ・
・・・・・ウェハー １０・・・・・・チャンバー １
１・・・・・・蓋、１２・・・・・・リッドシール、１
３・・・・・・排出口、１４・・・・・・カセットガイ
ド、１５・・・・・・ウェハーホルダー １６・・・・
・・ボウル、１７・・・・・・ローター １９・・・・
・・スプレーポスト、３１・・・・・・薬液供給バルブ
、３２・・・・・・恒温貯液槽、３３・・・・・・フィ
ルター ３４・・・・・・温調器、３５・・・・・・ポ
ンプ、３６・・・・・・超音波アトマイザー ３７・・
・・・・ファイナルフィルター、３８・・・・・・ウェ
ハー ３９・・・・・・処理槽、４０・・・・・・排出
口、４１・・・・・・ミストセパレータ、４２・・・・
・・排気１３ 口、４３・・・・・・排液口、４４・・・・・・ガイド
、４５・・・・・エアー供給ハルフ、４６・・・・・ア
スプレータ、４７・・・ノズルである。
Claims (6)
- （１）処理中に、平面状処理物が静止し、かつ複数の並
列した平面状処理物を同時処理する噴霧式処理装置に於
いて、ある平面状処理物の上端部と該平面状処理物に隣
接する平面状処理物の下端部が垂直方向で重なり合わな
いように前記平面状処理物を一方向に傾けたことを特徴
とする噴霧式処理装置。 - （２）前記平面状処理物が、半導体ウェハーであること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の噴霧式処
理装置。 - （３）処理液を噴霧するアトマイザーの噴霧口の中心線
が、整列した複数枚の半導体ウェハーの上端を結んだ線
と交わり、かつ鉛直方向となる位置に配置したことを特
徴とする特許請求の範囲第（２）項記載の噴霧式処理装
置。 - （４）前記アトマイザーの噴霧口の中心線が、整列した
複数枚の半導体ウェハーの上端から円周上に同一方向で
同一距離離れた点を結んだ線と直交し、かつ、整列した
複数枚の半導体ウェハーの中心を結んだ線と交わるよう
に前記アトマイザーを配置したことを特徴とする特許請
求の範囲第（２）項記載の噴霧式処理装置。 - （５）前記アトマイザーが複数であることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項、第（２）項、第（３）項又
は第（４）項記載の噴霧式処理装置。 - （６）処理液を噴霧状にし、かつ処理物にむらなく照射
できるように配置したアトマイザーと、処理液を貯液し
、かつ液温を制御する機能を有する貯液槽と、該貯液槽
内の処理液を前記アトマイザーに濾過供給する機能と、
前記アトマイザーにより作られた噴霧状態をみださない
ような密閉型で、かつ排出口を有する処理槽と、該排出
口に接続され薬液と空気を分離し、それぞれ排出するミ
ストセパレータと、処理槽内に配置し、処理物を固定す
るガイドとを有し、処理物を複数枚同時処理し、かつ処
理中に処理物が動かないことを特徴とする噴霧式処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158581A JPH0793286B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 噴霧式処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158581A JPH0793286B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 噴霧式処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322533A true JPH0322533A (ja) | 1991-01-30 |
| JPH0793286B2 JPH0793286B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=15674818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1158581A Expired - Lifetime JPH0793286B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 噴霧式処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793286B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669176A (ja) * | 1992-01-17 | 1994-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ洗浄装置 |
| US7314054B2 (en) | 2000-02-29 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus with nozzle having planar ejecting orifices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149446U (ja) * | 1980-04-08 | 1981-11-10 | ||
| JPS6030535U (ja) * | 1983-08-09 | 1985-03-01 | 富士通株式会社 | 洗浄ホ−ルダ− |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP1158581A patent/JPH0793286B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149446U (ja) * | 1980-04-08 | 1981-11-10 | ||
| JPS6030535U (ja) * | 1983-08-09 | 1985-03-01 | 富士通株式会社 | 洗浄ホ−ルダ− |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669176A (ja) * | 1992-01-17 | 1994-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ洗浄装置 |
| US7314054B2 (en) | 2000-02-29 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus with nozzle having planar ejecting orifices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793286B2 (ja) | 1995-10-09 |
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