JPH03225812A - Semiconductor manufacturing facility - Google Patents
Semiconductor manufacturing facilityInfo
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- JPH03225812A JPH03225812A JP2019229A JP1922990A JPH03225812A JP H03225812 A JPH03225812 A JP H03225812A JP 2019229 A JP2019229 A JP 2019229A JP 1922990 A JP1922990 A JP 1922990A JP H03225812 A JPH03225812 A JP H03225812A
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- correction
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- semiconductor manufacturing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、IC,LSI等の半導体素子製造用の装置に
関し、特に、その性能を維持するため、誤差要因を自動
的に補正する機能を有し、その補正機能の作動条件を設
定可能にした半導体製造装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an apparatus for manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs, and in particular, to maintain the performance thereof, a function for automatically correcting error factors is provided. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus that has a correction function and is capable of setting operating conditions for its correction function.
[従来の技術]
IC,LSI等の半導体製造用の露光装置には、解像性
能、重ね合せ性能および処理能力という3つの基本的な
性能が要求されている。解像性能とは、半導体基板(以
下「ウェハ」と称す)面上に塗布されたフォトレジスト
面上にいかに微細なパターンを形成するかという能力で
あり、重ね合わせ性能とは、前工程でウニへ面上に形成
されたパターンに対しフォトマスク上のパターンをいか
に正確に位置合せして転写できるかという能力である。[Prior Art] Exposure apparatuses for manufacturing semiconductors such as ICs and LSIs are required to have three basic performances: resolution performance, overlay performance, and processing capacity. Resolution performance refers to the ability to form fine patterns on a photoresist surface applied to a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a "wafer"), and overlay performance refers to the ability to form a fine pattern on a photoresist surface coated on a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a "wafer"). This refers to the ability to accurately align and transfer the pattern on the photomask with the pattern formed on the surface.
また、処理能力とは、一定の時間内にいかに多くのクエ
へにパターンを露光転写できるかという能力である。Furthermore, processing capacity refers to the ability to expose and transfer patterns onto a large number of patterns within a certain amount of time.
一般に半導体製造用の露光装置の解像力は0.8μm近
傍であり、さらには0.5μm近傍を狙う装置も現れは
じめている。一方、重ね合せ精度は、焼き付は最小線巾
の1/3〜115の値が必要とされ、それは0.1μm
以内にもなる。このような領域では、温度、気圧などの
外部環境、部品の摩耗など運用履歴による、微妙な経時
変化は無視できないものとなる。このため、性能を安定
維持するためには定期的に、その誤差要因をチエツクし
補正してやることが必須となる。Generally, the resolving power of exposure equipment for semiconductor manufacturing is around 0.8 μm, and devices aiming at resolution around 0.5 μm are beginning to appear. On the other hand, the overlay accuracy for burn-in requires a value of 1/3 to 115 of the minimum line width, which is 0.1 μm.
It will also be within. In such a region, subtle changes over time due to the external environment such as temperature and pressure, and operational history such as wear of parts cannot be ignored. Therefore, in order to maintain stable performance, it is essential to periodically check and correct the error factors.
この様な補正の対象となる要因として、レンズの投影倍
率、焦点位置、レチクルのアライメント位置、ウェハス
テージの配列座標系、投影レンズ光軸とアライメント光
学系の光軸との距all(これをBa5e Line
という)などがある。Factors that are subject to such correction include the projection magnification of the lens, the focal position, the alignment position of the reticle, the arrangement coordinate system of the wafer stage, and the distance between the optical axis of the projection lens and the optical axis of the alignment optical system. Line
) etc.
−船釣に、維持しようとする性能のレベルが高ければ、
それだけ補正作業の頻度はたかくなり、作業時間も多く
を要し、人手に頼るのは非現実的なものとなる。このよ
うな事情を改善する手段として、補正作業の自動化があ
る。-If the level of performance you are trying to maintain for boat fishing is high,
This increases the frequency of correction work and requires a lot of time, making it impractical to rely on manual labor. One way to improve this situation is to automate the correction work.
例えば、書き込み消去可能な感光材料を用いて、Ba5
e Lineや、ウェハステージの配列座標系を補正
するもの、また一定のウェハ処理枚数毎にレチクルの自
動アライメントをするものなどがある。For example, using a writable and erasable photosensitive material, Ba5
There are methods such as e-line, methods that correct the array coordinate system of the wafer stage, and methods that automatically align the reticle every time a certain number of wafers are processed.
このような、自動補正機能は、通常次のように行なわれ
る。Such an automatic correction function is normally performed as follows.
装置の運用条件、例えば時間、ウェハ処理枚数、温度、
気圧などが、一定の状態に達すると、通常のウェハ処理
ルーチンを、−旦停止し、自動補正動作を行なった後、
また通常のウェハ処理ルーチンを再開する。したがって
、ウニへの処理枚数すなわち装置の処理能力を上げるた
めには、自動補正動作は行なわない方が望ましい。Equipment operating conditions, such as time, number of wafers processed, temperature,
When the atmospheric pressure etc. reach a certain level, the normal wafer processing routine is stopped, automatic correction is performed, and then the normal wafer processing routine is stopped.
It also resumes normal wafer processing routines. Therefore, in order to increase the number of sea urchins processed, that is, the processing capacity of the apparatus, it is preferable not to perform the automatic correction operation.
[発明が解決しようとする課題]
しかし、自動補正機能は、装置の性能維持のためには、
必要欠くべからざるものである。したがって、この点も
考慮して、処理能力を向上させるために、次のような改
善が行なわれる。一つは、自動補正機能そのものの改善
による、補正時間の短縮である。もう一つは、装置の性
能安定性の改善による、補正頻度の減少である。[Problem to be solved by the invention] However, the automatic correction function is not effective in maintaining the performance of the device.
It is indispensable. Therefore, taking this point into consideration, the following improvements are made to improve processing performance. One is to shorten the correction time by improving the automatic correction function itself. The other is a reduction in the frequency of correction due to improved performance stability of the device.
しかしなから、補正動作には必ずそれなりの時間を必要
とするし、ミクロン、サブミクロン単位での装置性能の
経時変化は厳然として存在する。However, the correction operation always requires a certain amount of time, and there are obvious changes in device performance over time in micron or submicron units.
したがって、現実的にはウェハ処理工程からくる必J!
精度、自動補正に必要とする時間、および装置性能の安
定性とから、補正頻度を決定することが、重要な意味を
持つ。Therefore, in reality, there is a need for JJ that comes from the wafer processing process!
It is important to determine the correction frequency based on accuracy, time required for automatic correction, and stability of device performance.
本発明の目的は、このような現実に鑑み、複数の条件を
入力することにより補正頻度を設定することを可能とし
た露光装置を提供することである。In view of this reality, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that allows correction frequency to be set by inputting a plurality of conditions.
[課題を解決するための手段]
前記目的を達成するため本発明では通常のウェハ処理を
実現するプログラムの複数の箇所に、補正条件の発生を
判断し発生しているならば自動補正を実施するシーケン
スを挿入している。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention determines whether a correction condition occurs at multiple locations in a program that implements normal wafer processing, and if it occurs, automatically performs correction. Inserting a sequence.
[作用コ
通常のウェハ処理シーケンスの所定の複数のルーチンの
終了後に自動補正ルーチンが行なわれる。自動補正ルー
チンでは補正の必要性が判断されるとともに補正条件が
設定される。[Operation] An automatic correction routine is performed after completion of a plurality of predetermined routines of a normal wafer processing sequence. In the automatic correction routine, the necessity of correction is determined and correction conditions are set.
[実施例] 以下、図面に従って本発明の詳細な説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
′tS1図は、本発明の一実施例に係る投影露光装置の
外観を示す。同図において、1は集積回路パターンを具
えたマスクで、他にマスクアライメントマークやマスク
・ウエノいアライメントマークを具えるものとする。2
はマスクステージでマスク1を保持してマスク1を平面
内(XY力方向および回転方向(θ方向)に移動させる
。3は縮小投影レンズ、4は感光層を具えるウェハでマ
スク・ウェハ・アライメントマークとテレビ・ウェハア
ライメントマークを具えるものとする。5はウェハステ
ージである。ウェハステージ5はウェハ4を保持してそ
れを平面内および回転方向に移動させるものであり、ま
たウェハ焼付位置(投影視野内)とテレビ・ウェハアラ
イメント位置間を移動する。6はテレビ・ウェハアライ
メント用検知装置の対物レンズ、7は撮像管(または個
体撮像素子)である。9は双眼ユニットで投影レンズ3
を介してウェハ4の表面を観察するために役立つ。10
は照明光学系およびマスク・ウェハ・アライメント用の
検知装置を収容する上部ユニットである。11はモニタ
受像機(コンソールCRT)、12は装置における各種
の動作指令やパラメータを入力するためのキーボードで
ある。Figure 'tS1 shows the external appearance of a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a mask having an integrated circuit pattern, and also includes mask alignment marks and mask-wafer alignment marks. 2
holds the mask 1 on a mask stage and moves the mask 1 in the plane (XY force direction and rotational direction (θ direction). 3 is a reduction projection lens, 4 is a wafer provided with a photosensitive layer, and the mask wafer alignment is performed. 5 is a wafer stage. The wafer stage 5 holds the wafer 4 and moves it in the plane and in the rotational direction, and also has a wafer baking position ( (within the projection field of view) and the TV/wafer alignment position. 6 is the objective lens of the TV/wafer alignment detection device, 7 is the image pickup tube (or solid image sensor). 9 is the binocular unit, and the projection lens 3
This is useful for observing the surface of the wafer 4 through the wafer 4. 10
is the upper unit housing the illumination optics and sensing equipment for mask-wafer alignment. 11 is a monitor receiver (console CRT), and 12 is a keyboard for inputting various operating commands and parameters in the apparatus.
第2図は、第1図の装置の電気回路構成を示す。FIG. 2 shows the electrical circuit configuration of the device of FIG.
同図において、21は装置全体の制御を司る本体CPU
で、マイクロコンピュータまたはミニコンピユータ等の
中央演算処理装置からなる。22はウェハステージ駆動
装置、23はアライメント検出系、24はレチクルステ
ージ駆動装置、25は照明系、26はシャッタ駆動装置
、27はフォーカス検出系、28は2駆動装置で、これ
らは、本体CPU21により制御される。29は搬送系
である。In the figure, 21 is the main body CPU that controls the entire device.
It consists of a central processing unit such as a microcomputer or minicomputer. 22 is a wafer stage drive device, 23 is an alignment detection system, 24 is a reticle stage drive device, 25 is an illumination system, 26 is a shutter drive device, 27 is a focus detection system, and 28 is a 2 drive device, which are controlled by the main CPU 21. controlled. 29 is a conveyance system.
30はコンソールユニットで、本体CPU21にこの露
光装置の動作に関する各種の指令やパラメータを与える
ためのものである。31はコンソールCPυ、32はパ
ラメータ等を記憶する外部メモリである。なお、CRT
IIおよびキーボード12は第1図のものと同一である
。Reference numeral 30 denotes a console unit for giving various commands and parameters regarding the operation of the exposure apparatus to the main body CPU 21. 31 is a console CPυ, and 32 is an external memory for storing parameters and the like. In addition, CRT
II and keyboard 12 are identical to those in FIG.
33は、環境センサーである。温度計、気圧計、湿度計
、加速度計、時計、カウンタなどからなり、後述の自動
補正条件発生の判定に使用される。33 is an environmental sensor. It consists of a thermometer, barometer, hygrometer, accelerometer, clock, counter, etc., and is used to determine the occurrence of automatic correction conditions, which will be described later.
第1図の装置においては、第3図に示すごとく、電源投
入後の初期化が終了したとき(ステップ40)等にコマ
ンド入力待ち状態(ステップ41)となる。つまり、コ
ンソールCPU31はキーボード12におけるキー操作
を待機し、本体CPU21はコンソールCPU31から
の通信待ち状態となる。このとき、CRTIIは例えば
第4図に示す画面を表示する。そして、この状態でキー
ボード12から補正条件設定のためのコマンド(例えば
CC5)が人力されると、コンソールCPU31の制御
のもとに以下の補正条件設定の処理(ステップ42)を
開始する。As shown in FIG. 3, the apparatus shown in FIG. 1 enters a command input waiting state (step 41) when initialization after power-on is completed (step 40). That is, the console CPU 31 waits for a key operation on the keyboard 12, and the main body CPU 21 enters a state of waiting for communication from the console CPU 31. At this time, the CRTII displays the screen shown in FIG. 4, for example. When a command (for example, CC5) for setting correction conditions is entered manually from the keyboard 12 in this state, the following correction condition setting process (step 42) is started under the control of the console CPU 31.
第5図のフローチャートならびに第6図の表示画面例を
参照しながら補正条件設定処理を説明する。第3図ステ
ップ41において、補正条件設定のコマンドが人力され
るとステップ50に進む。ステップ50においては、第
6図(a)に示すように自動補正すべき項目を表示し、
さらにいずれかの項目を番号で選択すべき旨をプロンプ
ト表示する。このいずれかの項目番号が選択されると、
ステップ51へ進み、第6図(b)に示すような表示画
面に切り替わる。ここでは、選択された項目と、変更ま
たは設定すべき条件が表示され、さらにいずれかの条件
を番号で選択すべきプロンプトが表示される。この表示
に応じて、いずれかの条件番号が選択されると、第6図
(C)に示すようにその条件の入力を促すプロンプトメ
ツセージを表示する。ここにおいて、キーボード12か
ら条件が人力されると、これに基づいて補正条件が更新
され、画面は、第6図(d)のようになる。この表示は
、第6図(C)と同じものであるが、更新された条件を
示しているところが異なる。The correction condition setting process will be explained with reference to the flowchart in FIG. 5 and the display screen example in FIG. 6. At step 41 in FIG. 3, when a command for setting correction conditions is entered manually, the process proceeds to step 50. In step 50, items to be automatically corrected are displayed as shown in FIG. 6(a),
Furthermore, a prompt is displayed to indicate that one of the items should be selected by number. When one of these item numbers is selected,
The process advances to step 51, and the display screen is switched to the one shown in FIG. 6(b). Here, the selected item and the conditions to be changed or set are displayed, and a prompt to select one of the conditions by number is also displayed. When any condition number is selected in accordance with this display, a prompt message prompting the user to input the condition is displayed as shown in FIG. 6(C). Here, when the conditions are entered manually from the keyboard 12, the correction conditions are updated based on this, and the screen becomes as shown in FIG. 6(d). This display is the same as that shown in FIG. 6(C), except that it shows updated conditions.
ここで他にも変更または設定したい条件があれば、その
条件番号を入力し、前述と同様にして条件を設定する。If there are any other conditions that you would like to change or set, enter their condition numbers and set the conditions in the same manner as above.
もしこの項目についての条件設定を終了するのであれば
、プロンプトメツセージに応じてキーボード12からr
H,を入力すると、ステップ50に戻る。If you want to finish setting the conditions for this item, press r from keyboard 12 in response to the prompt message.
If H, is input, the process returns to step 50.
ここでさらに他の項目についても条件変更または設定す
るのであれば、前述と同様にする。また、条件設定を終
了する場合は、キーボード12よりr E Jを入力し
、コマンド入力待ち状態ステップ41へ戻る。If conditions are to be changed or set for other items, the same steps as described above are made. Further, to end the condition setting, input r E J from the keyboard 12 and return to step 41 in the command input waiting state.
次に第7図、′t%8図を参照して通常のウェハ処理の
途中で自動補正する例を示す。Next, an example of automatic correction during normal wafer processing will be shown with reference to FIGS. 7 and 8.
第7図は、通常のウェハ処理を実行するシーケンス中の
複数の箇所に、自動補正処理を組み込んだフローチャー
トである。図中、PiからPl2の言己号を付した部分
が自動補正処理をする部分である。ia図における記号
Pnは、このPlからPl2のいずれかに対応するもの
である。FIG. 7 is a flowchart in which automatic correction processing is incorporated at multiple locations in a sequence for performing normal wafer processing. In the figure, the parts labeled Pi to Pl2 are the parts that undergo automatic correction processing. The symbol Pn in the ia diagram corresponds to any one of Pl to Pl2.
コマンド人力待ち状態(ステップ41)において、ウェ
ハ処理を起動させるコマンド(たとえばST)を人力す
る。これにより347図に示すウェハ処理シーケンスが
開始する。In the command waiting state (step 41), a command (for example, ST) for starting wafer processing is manually input. This starts the wafer processing sequence shown in FIG. 347.
まず最初の自動補正部分P1が実行される。Plでの処
理は、第8図に示す処理が行なわれる。First, the first automatic correction portion P1 is executed. The processing at Pl is shown in FIG. 8.
ステップ91において自動補正の対象となる項目がある
か判断する。第6図(a)の例によれば、Plにおいて
補正の対象になるのは、ベースラインとウェハ配列座標
系がある。したがフて、補正条件の発生を判断するステ
ップ92へ進む。ここで第6図(d)において示したご
とく補正条件として、起動時に補正、すなわちat
5tartの条件がYesと指定されているものとする
。とすれば、この場合補正条件が発生していることにな
るので補正シーケンスの実行ステップ93へ進む、この
場合の補正シーケンスとしては、例えば、書き込み消去
可能な感光材料を用いるものがある。この処理が終了す
るとステップ60とステップ70へ向けてウェハ処理が
再開される。In step 91, it is determined whether there are any items to be automatically corrected. According to the example of FIG. 6(a), the objects to be corrected in Pl are the baseline and the wafer arrangement coordinate system. Therefore, the process proceeds to step 92 in which it is determined whether a correction condition has occurred. Here, as shown in FIG. 6(d), the correction condition is correction at startup, that is, at
It is assumed that the condition for 5tart is specified as Yes. In this case, it means that the correction condition has occurred, so the process proceeds to correction sequence execution step 93.The correction sequence in this case may be, for example, one using a writable and erasable photosensitive material. When this process is completed, wafer processing is restarted toward steps 60 and 70.
以下第7図フローチャートに示す処理を実行し、記号P
1からPl2で示した自動補正実行部分に達すると第8
図に示した自動補正処理を実行する。例えば、第6図(
d)に示した補正項目ベースラインの場合、PlとP3
の部分において補正項目となっている。したがって、シ
ーケンスがp3の部分に達するとステップ91からステ
ップ92へ進み、補正条件発生の判断が行われる。この
例では補正条件が、ウェハ処理20枚ごと、または最終
補正後から1時間経過となっているので、このどちらか
の条件が発生していればステップ93へ進み自動補正(
ベースラインの補正)を行った後、ウェハ処理(ステッ
プ62)を再開する。もし、どちらの条件も発生してい
なければ、ステップ62へ進む、以後の自動補正部分に
おいては、ベースラインは補正項目となっていないので
、補正は行われない。ウェハ処理シーケンスが、Plの
部分に戻ると、条件にしたがって、ベースラインの補正
を行うことになる。以後、同様にしてウェハ処理と自動
補正とを繰り返す。The process shown in the flowchart in FIG. 7 is executed below, and the symbol P
1 to the automatic correction execution part indicated by Pl2, the 8th
Execute the automatic correction process shown in the figure. For example, in Figure 6 (
In the case of the correction item baseline shown in d), Pl and P3
This section is a correction item. Therefore, when the sequence reaches part p3, the process proceeds from step 91 to step 92, where it is determined whether a correction condition has occurred. In this example, the correction conditions are every 20 wafers processed or one hour has passed since the last correction, so if either of these conditions occurs, the process advances to step 93 and automatic correction is performed.
After performing the baseline correction), wafer processing (step 62) is restarted. If neither condition occurs, the process proceeds to step 62. In the subsequent automatic correction portion, the baseline is not a correction item, so no correction is performed. When the wafer processing sequence returns to the Pl portion, baseline correction will be performed according to the conditions. Thereafter, wafer processing and automatic correction are repeated in the same manner.
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、補正実施条件が設
定可能となるので、処理工程からくる必要精度、自動補
正に要する時間、装置性能の安定性の観点から、最適な
補正頻度を設定することが出来る。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the correction execution conditions can be set, so that the optimum conditions can be set from the viewpoints of the necessary accuracy resulting from the processing process, the time required for automatic correction, and the stability of device performance. You can set the correction frequency.
第1図は、本発明の実施例に係る投影露光装置の概観図
、
第2図は、上記実施例の投影露光装置の制御回路を示す
ブロック図、
第3図は、上記実施例の動作を説明するためのフローチ
ャート、
第4図は、第3図の1ステツプでのCRT画面の表示画
面、
第5図は、上記実施例における自動補正条件の設定を説
明するためのフローチャート、第6図(a)〜(d)は
、第5図のフローにおける各別の表示画面、
第7図は、上記実施例における自動補正の実行を説明す
るためのウェハ処理全体のフローチャー第8図は、第7
図のフローにおける自動補正シーケンス部分のフローチ
ャートである。
1
2
1
0
3
:CRT。
:キーボード、
二本体cpu。
:コンソールユニット、
:環境センサーFIG. 1 is an overview diagram of a projection exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a control circuit of the projection exposure apparatus of the above embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing the operation of the above embodiment. FIG. 4 is a CRT screen display screen in one step of FIG. 3. FIG. 5 is a flowchart for explaining the setting of automatic correction conditions in the above embodiment. a) to (d) are each display screen in the flow of FIG. 5, FIG. 7 is a flowchart of the entire wafer processing for explaining the execution of automatic correction in the above embodiment, and FIG. 8 is a flow chart of the entire wafer processing. 7
3 is a flowchart of an automatic correction sequence portion in the flowchart of the figure. 1 2 1 0 3: CRT. : Keyboard, two CPUs. :Console unit, :Environmental sensor
Claims (2)
実行するCPUと、複数の補正項目を選択的に実行する
補正機構と、複数の補正条件の検出手段とを具備し、前
記ウェハ処理シーケンスの必要なステップ間に自動補正
ステップを設け、該自動補正ステップにおいて、補正項
目の有無および補正条件を判別し判別結果に応じて補正
動作を行なうことを特徴とする半導体製造装置。(1) A CPU that executes a wafer processing sequence consisting of a plurality of steps, a correction mechanism that selectively executes a plurality of correction items, and a detection means for a plurality of correction conditions; A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that an automatic correction step is provided between the steps, and in the automatic correction step, presence or absence of a correction item and correction conditions are determined, and a correction operation is performed according to the determination result.
行前にCPUに入力可能であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の半導体製造装置。(2) The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the correction items and correction conditions can be input to the CPU before executing the sequence.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019229A JPH03225812A (en) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Semiconductor manufacturing facility |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019229A JPH03225812A (en) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Semiconductor manufacturing facility |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225812A true JPH03225812A (en) | 1991-10-04 |
Family
ID=11993551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019229A Pending JPH03225812A (en) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Semiconductor manufacturing facility |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225812A (en) |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2019229A patent/JPH03225812A/en active Pending
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