JPH03225876A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPH03225876A JPH03225876A JP2019025A JP1902590A JPH03225876A JP H03225876 A JPH03225876 A JP H03225876A JP 2019025 A JP2019025 A JP 2019025A JP 1902590 A JP1902590 A JP 1902590A JP H03225876 A JPH03225876 A JP H03225876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grooves
- axis
- substrate
- regions
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コルゲート型基板を用いた太陽電池用基板の
構造に関する。
構造に関する。
従来は、ｒＴｈｅ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｒｅｃｏｒ
ｄ ｏｆ ｔｈｅ２０ｔｈ ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏ
ｌｔａｉｃ ５ｐｅｃｉａｌｉｓｔｓｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ １９８８ ｐｐ、７９２−７９５Ｊに示す様に基
板の主表面に形成された■溝が同一方向を向いていたた
めそれと直角にクロスビームを設けて機械的強度を高め
ていた。
ｄ ｏｆ ｔｈｅ２０ｔｈ ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏ
ｌｔａｉｃ ５ｐｅｃｉａｌｉｓｔｓｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ １９８８ ｐｐ、７９２−７９５Ｊに示す様に基
板の主表面に形成された■溝が同一方向を向いていたた
めそれと直角にクロスビームを設けて機械的強度を高め
ていた。
上記の様に、従来はクロスビームを付加することにより
該素子の強度を高めていたが、素子特性の向上のために
はクロスビームの面積を大きくすることが出来ないため
、十分な機械的強度を得ることが困難であった。
該素子の強度を高めていたが、素子特性の向上のために
はクロスビームの面積を大きくすることが出来ないため
、十分な機械的強度を得ることが困難であった。
本発明の目的は、素子特性を劣化させることなく、機械
的強度を高めることのできるコルゲート型太陽電池用基
板を提供することにある。
的強度を高めることのできるコルゲート型太陽電池用基
板を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明では、該基板の主表面
に形成された複数のＶ溝の方向の少くとも一部が、他と
異なる方向を有する構造とした。
に形成された複数のＶ溝の方向の少くとも一部が、他と
異なる方向を有する構造とした。
図面を用いて上記手段を説明する。
従来のコルゲート型太陽電池用の基板は、第２図に示す
ように、■溝２０に直交したクロスビーム１００を設け
ることにより同図Ａ−Ａ’方向にかかる応力に対する機
械的強度を保っていた。この構造を用いて強度を高める
ためにはクロスビーム１００の面積を大きくする必要が
ある。しかし、Ｂ−Ｂ’断面図から判るようにクロスビ
ームの部分の基板厚は他の部分に比べて大きくなってい
るためこの面積が多くなると基板の平均の厚みを薄く保
つことが出来なくなる。
ように、■溝２０に直交したクロスビーム１００を設け
ることにより同図Ａ−Ａ’方向にかかる応力に対する機
械的強度を保っていた。この構造を用いて強度を高める
ためにはクロスビーム１００の面積を大きくする必要が
ある。しかし、Ｂ−Ｂ’断面図から判るようにクロスビ
ームの部分の基板厚は他の部分に比べて大きくなってい
るためこの面積が多くなると基板の平均の厚みを薄く保
つことが出来なくなる。
上記の問題点を解決するために、■溝を有する領域を細
分化し、例えば、該領域の配置が第１図に示す構造とし
た。この構造では該基板の主表面を大小二つの正方形に
分けている。このうち大きい方の正方形は例えば図中の
領域１，２．３をＸ軸に平行なＶ溝を持つ領域に、領域
１１．１２をＹ軸に平行な■溝を持つ領域とする。これ
により、例えば該基板の主表面をＹ軸に平行に横断する
いかなる直線上においても、必ずＸ軸に平行なＶ溝を持
つ領域が存在する。また、Ｘ軸に平行に横断する直線に
おいても必ずＹ軸に平行なＶ溝を持つ領域が存在する。
分化し、例えば、該領域の配置が第１図に示す構造とし
た。この構造では該基板の主表面を大小二つの正方形に
分けている。このうち大きい方の正方形は例えば図中の
領域１，２．３をＸ軸に平行なＶ溝を持つ領域に、領域
１１．１２をＹ軸に平行な■溝を持つ領域とする。これ
により、例えば該基板の主表面をＹ軸に平行に横断する
いかなる直線上においても、必ずＸ軸に平行なＶ溝を持
つ領域が存在する。また、Ｘ軸に平行に横断する直線に
おいても必ずＹ軸に平行なＶ溝を持つ領域が存在する。
これにより該基板の主表面に対してＸ軸、またはＹ軸に
平行な方向に応力が加わった場合にも該基板の機械的強
度は十分に大きく保つことが出来る。
平行な方向に応力が加わった場合にも該基板の機械的強
度は十分に大きく保つことが出来る。
上記の説明では各々の領域の最少の繰り返しパターンに
ついて説明したが、このパターンで該基板の主な部分を
覆う必要があることは言うまでもない。また、同図の領
域２，１１および３，１２をそれぞれＸ軸およびＹ軸に
平行なＶ溝をもつ領域としても同様のことが言える。ま
た、小さい正方形の部分はいかなる規則によってＸ軸ま
たはＹ軸に平行なＶ溝をもつ領域に分けられていてもよ
い。更に、上記説明におけるＸ軸、Ｙ軸に平行なＶ溝は
同図のＹ′軸の様な斜めに走る方向を向いていでもよい
。
ついて説明したが、このパターンで該基板の主な部分を
覆う必要があることは言うまでもない。また、同図の領
域２，１１および３，１２をそれぞれＸ軸およびＹ軸に
平行なＶ溝をもつ領域としても同様のことが言える。ま
た、小さい正方形の部分はいかなる規則によってＸ軸ま
たはＹ軸に平行なＶ溝をもつ領域に分けられていてもよ
い。更に、上記説明におけるＸ軸、Ｙ軸に平行なＶ溝は
同図のＹ′軸の様な斜めに走る方向を向いていでもよい
。
ここで最も重要なことは、該基板の主表面を横断する任
意の直線上に少なくとも−ケ所の該直線に実質的に平行
でないＶ溝を持つ領域が存在する事である。
意の直線上に少なくとも−ケ所の該直線に実質的に平行
でないＶ溝を持つ領域が存在する事である。
以下に本発明の応用例を示す。
第３図に長方形と正方形を用いた例を示す。この例では
、例えば領域１，２，３，４．５と領域１１．１２，１
３．１４をそれぞれ異なった方向の■溝を持つ領域とす
る事により上記目的が達せられる。
、例えば領域１，２，３，４．５と領域１１．１２，１
３．１４をそれぞれ異なった方向の■溝を持つ領域とす
る事により上記目的が達せられる。
第４図にはＬ字型を用いた例を示す。この例では、例え
ば領域１，２．３・・・と領域１１゜１２．１３・・・
をそれぞれ異なった方向のＶ溝を持つ領域とする事によ
り上記目的が達せられる。
ば領域１，２．３・・・と領域１１゜１２．１３・・・
をそれぞれ異なった方向のＶ溝を持つ領域とする事によ
り上記目的が達せられる。
第５図には長方形のみを用いた例を示す。この例では、
例えば領域１，２．３・・・と領域１１゜１．２．１３
・・・をそれぞれ異なった方向の■溝を持つ領域とする
事により上記目的が達せられる。
例えば領域１，２．３・・・と領域１１゜１．２．１３
・・・をそれぞれ異なった方向の■溝を持つ領域とする
事により上記目的が達せられる。
第６図にはＴ字型を用いた例を示す。この例では、例え
ば領域１，２．３・・・と領域１１゜１２・・・をそれ
ぞれ異なった方向の■溝を持つ領域とする事により上記
目的が達せられる。
ば領域１，２．３・・・と領域１１゜１２・・・をそれ
ぞれ異なった方向の■溝を持つ領域とする事により上記
目的が達せられる。
第７図には十字型を用いた例を示す。この例では、例え
ば領域１，２・・・と領域１１．１２・・・をそれぞれ
異なった方向のＶ溝を持つ領域とする事により上記目的
が達せられる。
ば領域１，２・・・と領域１１．１２・・・をそれぞれ
異なった方向のＶ溝を持つ領域とする事により上記目的
が達せられる。
第８図には鍵型を用いた例を示す。この例では、例えば
領域１，２・・・と領域１１．１２・・・をそれぞれ異
なった方向のＶ溝を持つ領域とする事により上記目的が
達せられる。
領域１，２・・・と領域１１．１２・・・をそれぞれ異
なった方向のＶ溝を持つ領域とする事により上記目的が
達せられる。
次に、第９図を用いて他の例を示す。この例では該基板
の主な領域１はＹ軸に平行なＶ溝を持ち、領域２はＸ軸
に平行なＶ溝を持つ。この様な構造によっても上記目的
を達成することが出来ることは明らかである。
の主な領域１はＹ軸に平行なＶ溝を持ち、領域２はＸ軸
に平行なＶ溝を持つ。この様な構造によっても上記目的
を達成することが出来ることは明らかである。
第１０図に第９図で説明した例の応用を示す。
この例では第９図での領域２の形状が本図の領域２．３
．４の様な形状に置き変わっている。
．４の様な形状に置き変わっている。
これまで種々の例を挙げて説明したが、該基板の主表面
を横断する直線上に少くとも一ケ所の該直線に平行でな
い■溝を持つ領域が存在する事を満足する組合せならば
どのような組合せであっても本願発明の目的を達するこ
とができる。
を横断する直線上に少くとも一ケ所の該直線に平行でな
い■溝を持つ領域が存在する事を満足する組合せならば
どのような組合せであっても本願発明の目的を達するこ
とができる。
更に、他の応用例として、第１１図に該基板の主表面を
４つの部分に、例えば領域１，３をＸ軸に平行な■溝を
持つ領域に、また領域２，４をＹ軸に平行なＶ溝を持つ
領域に分割した例を示す。
４つの部分に、例えば領域１，３をＸ軸に平行な■溝を
持つ領域に、また領域２，４をＹ軸に平行なＶ溝を持つ
領域に分割した例を示す。
この例においても例えば領域１，２と領域３，４の■溝
の方向を合わせたり、各々の■溝の方向を入れ替えるこ
とにより種々の組合せを得ることが出来る。
の方向を合わせたり、各々の■溝の方向を入れ替えるこ
とにより種々の組合せを得ることが出来る。
また、第１２図に示すように該基板の主表面の領域を分
割し各々の領域のＶ溝の方向を組み合わせることも可能
である。
割し各々の領域のＶ溝の方向を組み合わせることも可能
である。
第１１図や１２図では該基板の主表面をこれら１個で覆
うことを考えたが、これらを複数個組み合わせて該基板
の主表面を覆ってもよい。
うことを考えたが、これらを複数個組み合わせて該基板
の主表面を覆ってもよい。
これまでは、■溝について述べたが、これはＵ溝、矩形
溝等を用いて該コルゲート基板を薄型化している場合に
も有効であることは言うまでもない。また該基板がＳｉ
のみならず、ガラス基板または、化合物半導体等から出
来ている場合も同様の事が言える。
溝等を用いて該コルゲート基板を薄型化している場合に
も有効であることは言うまでもない。また該基板がＳｉ
のみならず、ガラス基板または、化合物半導体等から出
来ている場合も同様の事が言える。
以下、本発明の実施例を第１３図を用いて説明する。
本実施例は第１図で説明した大小２種類で正方形の領域
から成る構造を用いている。各々の領域は図中に破線で
示した様に縦方向および横方向のＶ溝を持つ領域に分か
れている。大きい正方形の一辺ａは２０ｍｍ、小さい正
方形の一辺すは１０ｍｍとした。また、各々の領域の境
界では、■溝は拡大図に示すように交わっており、■溝
のピッチＣは２４０μｍとした。基板には（１００）表
面を持つ２５０μｍ厚のＳｉ単結晶基板を用い、この表
面及び裏面に通常の熱酸化法により１０００人厚の酸化
膜を形成し、表面の酸化膜をホト工程により各々同図の
破線で示した方向に２０μｍ幅を持つ細線に加工した。
から成る構造を用いている。各々の領域は図中に破線で
示した様に縦方向および横方向のＶ溝を持つ領域に分か
れている。大きい正方形の一辺ａは２０ｍｍ、小さい正
方形の一辺すは１０ｍｍとした。また、各々の領域の境
界では、■溝は拡大図に示すように交わっており、■溝
のピッチＣは２４０μｍとした。基板には（１００）表
面を持つ２５０μｍ厚のＳｉ単結晶基板を用い、この表
面及び裏面に通常の熱酸化法により１０００人厚の酸化
膜を形成し、表面の酸化膜をホト工程により各々同図の
破線で示した方向に２０μｍ幅を持つ細線に加工した。
この詳細を同図の拡大図の実線で示す。裏面の酸化膜は
表面の細線パターンに対し半周期ずらして、表面と同様
に形成した。この酸化膜をエツチングマスクに用い、ビ
ドラジン溶液によりＳｉを異方性エツチングし第２図Ａ
Ａ′断面に示す様なコルゲート断面を形成した。これに
より基板厚しは５０μｍとなる。
表面の細線パターンに対し半周期ずらして、表面と同様
に形成した。この酸化膜をエツチングマスクに用い、ビ
ドラジン溶液によりＳｉを異方性エツチングし第２図Ａ
Ａ′断面に示す様なコルゲート断面を形成した。これに
より基板厚しは５０μｍとなる。
第１３図から判るように、縦方向の溝を持つ領域と、横
方向の溝を持つ領域を組み合せることにより、素子のど
の断面も必ず縦の■溝と横のＶ溝を含むため、素子の作
製、取扱いにおける衝撃や、装置に組み込んだ後にかか
る応力に対して非常に高い強度を保つ事が出来た。本実
施例では、■溝を異方性エツチングにより形成する方法
について述へたが、これをダイシングなどの機械加工や
、レーザスクライブ加工を用いてもよい。この場合には
異方性エッチを用いないため（１００）表面以外を持つ
ウェハーを用いてよい。またＶ溝のかわりにＵ溝やその
他の断面形状としていてもよい。
方向の溝を持つ領域を組み合せることにより、素子のど
の断面も必ず縦の■溝と横のＶ溝を含むため、素子の作
製、取扱いにおける衝撃や、装置に組み込んだ後にかか
る応力に対して非常に高い強度を保つ事が出来た。本実
施例では、■溝を異方性エツチングにより形成する方法
について述へたが、これをダイシングなどの機械加工や
、レーザスクライブ加工を用いてもよい。この場合には
異方性エッチを用いないため（１００）表面以外を持つ
ウェハーを用いてよい。またＶ溝のかわりにＵ溝やその
他の断面形状としていてもよい。
また、本実施例ではＳｉ結晶基板について述へたう飄該
基板は、Ｓｉ結晶に限らず、ＧａＡｓやＩｎＰ等の化合
物半導体や、Ｇｅ結晶等でもよい。
基板は、Ｓｉ結晶に限らず、ＧａＡｓやＩｎＰ等の化合
物半導体や、Ｇｅ結晶等でもよい。
またこれらは単結晶に限らず、多結晶基板であってもよ
い。さらに、ガラスやセラミック基板上に単結晶、多結
晶、微結晶またはアモルファス状の光電変換層を形成し
た構造において、該基板を本発明の構造とすることによ
り、該基板を薄くしても強度を高くすることが出来る。
い。さらに、ガラスやセラミック基板上に単結晶、多結
晶、微結晶またはアモルファス状の光電変換層を形成し
た構造において、該基板を本発明の構造とすることによ
り、該基板を薄くしても強度を高くすることが出来る。
非常に薄い基板を用いて比較的大きな面積の太陽電池を
作製する場合に、一方向のＶ溝を持つコルゲート構造で
は特定の方向の機械強度が十分でなかった。しかし、本
発明の構造を採用することにより該太陽電池の機械強度
が全ての方向からの応力に対して非常に高くなった。
作製する場合に、一方向のＶ溝を持つコルゲート構造で
は特定の方向の機械強度が十分でなかった。しかし、本
発明の構造を採用することにより該太陽電池の機械強度
が全ての方向からの応力に対して非常に高くなった。
第１図は本発明の構造の一例。第２図は従来の構造の一
例。第３図は本発明の構造の一例。第４図は本発明の構
造の一例。第５図は本発明の構造の一例。第６図は本発
明の構造の一例。第７図は本発明の構造の一例。第８図
は本発明の構造の−例。第９図は本発明の構造の一例。 第１０図は本発明の構造の一例。第１１図は本発明の構
造の一例。第１２図は本発明の構造の一例。第１３図は
本発明の一実施例。 符号の説明 １．２，３，４，５，６，１１，１２，１３゜１４・・
・■溝形成領域、２０− Ｖ溝、１００・・・クロスビ
ーム。 第 図 第２団 β β′ Ｂ’Ｈ面 ６ ／ρθ ７０ズｔ−ム 第３１１２１ 第４図 Ｖ、Ｑ認 第６回 第′７図 第ｇ図 、ｔＪ ／；、、’、３ ノ々−−−〆 」１形成禎
塔第ｑ図 第１０図 第１１図 第 ２ 図 第１３図
例。第３図は本発明の構造の一例。第４図は本発明の構
造の一例。第５図は本発明の構造の一例。第６図は本発
明の構造の一例。第７図は本発明の構造の一例。第８図
は本発明の構造の−例。第９図は本発明の構造の一例。 第１０図は本発明の構造の一例。第１１図は本発明の構
造の一例。第１２図は本発明の構造の一例。第１３図は
本発明の一実施例。 符号の説明 １．２，３，４，５，６，１１，１２，１３゜１４・・
・■溝形成領域、２０− Ｖ溝、１００・・・クロスビ
ーム。 第 図 第２団 β β′ Ｂ’Ｈ面 ６ ／ρθ ７０ズｔ−ム 第３１１２１ 第４図 Ｖ、Ｑ認 第６回 第′７図 第ｇ図 、ｔＪ ／；、、’、３ ノ々−−−〆 」１形成禎
塔第ｑ図 第１０図 第１１図 第 ２ 図 第１３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の溝を有する基板の主表面を任意に横切る直線
上に、該直線に実質的に平行でない溝が存在する事を特
徴とするコルゲート型太陽電池用基板の構造。 ２、該溝を有する基板において、互いに直交した溝を持
つことを特徴とするコルゲート型太陽電池用基板の構造
。 ３、該溝を有する基板において、互いに異なる方向を持
つ該溝が各々異なった領域で囲まれていることを特徴と
するコルゲート型太陽電池用基板の構造。 ４、該溝を有する基板において、特定の方向を向いた溝
の中にこれと異なった方向を持つ溝の領域を部分的に設
けたことを特徴とするコルゲート型太陽電池用基板の構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019025A JPH073879B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019025A JPH073879B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225876A true JPH03225876A (ja) | 1991-10-04 |
| JPH073879B2 JPH073879B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=11987928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019025A Expired - Fee Related JPH073879B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073879B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8809982B2 (en) | 2008-09-30 | 2014-08-19 | Nxp B.V. | Robust high aspect ratio semiconductor device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55152071U (ja) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | ||
| JPS5676430U (ja) * | 1979-11-19 | 1981-06-22 | ||
| JPS56122091U (ja) * | 1980-02-20 | 1981-09-17 | ||
| JPS61278171A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜光電変換素子 |
| JPS62152736A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | 市川 博夫 | 強化複合コルゲ−ト体およびその製造方法 |
| JPS62184848A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | 市川 博夫 | 強化複合コルゲ−ト体およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2019025A patent/JPH073879B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55152071U (ja) * | 1979-04-18 | 1980-11-01 | ||
| JPS5676430U (ja) * | 1979-11-19 | 1981-06-22 | ||
| JPS56122091U (ja) * | 1980-02-20 | 1981-09-17 | ||
| JPS61278171A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜光電変換素子 |
| JPS62152736A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | 市川 博夫 | 強化複合コルゲ−ト体およびその製造方法 |
| JPS62184848A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | 市川 博夫 | 強化複合コルゲ−ト体およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8809982B2 (en) | 2008-09-30 | 2014-08-19 | Nxp B.V. | Robust high aspect ratio semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH073879B2 (ja) | 1995-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4808260A (en) | Directional aperture etched in silicon | |
| US4108715A (en) | Method for machining surfaces of semiconductor substrates | |
| CN101071790A (zh) | 半导体衬底和半导体器件以及该半导体器件的制造方法 | |
| JPH0834197B2 (ja) | 長い走査アレーに使用する撮影素子チップを製造する方法 | |
| JPH0888201A (ja) | サファイアを基板とする半導体素子 | |
| CN111146320A (zh) | 硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件 | |
| US11092743B2 (en) | Waveguide absorbers | |
| JP2009027176A (ja) | 微小電気機械システムに使用するためのウェーハを製造する方法 | |
| JPH03225876A (ja) | 太陽電池 | |
| AU3718499A (en) | Waveguide end face | |
| JPS6226839A (ja) | 半導体基板 | |
| US6920267B2 (en) | Optical coupling device and manufacturing method thereof | |
| JPH05257018A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JP3019271B2 (ja) | 光導波路形成法 | |
| JP3112114B2 (ja) | 半導体光導波路の製造方法 | |
| US5273807A (en) | Substrate having a V-shaped groove of a special configuration in a substrate | |
| US6674779B2 (en) | Semiconductor laser device and method for producing the same | |
| JP6504978B2 (ja) | サブマウントの製造方法 | |
| KR0141254B1 (ko) | 반도체 레이저장치의 제조방법 | |
| CN121325317A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| JPH04229679A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP4347091B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| CN119322392A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| JPH0230485B2 (ja) | Dohagatahikarimojuuruoyobisonoseizohoho | |
| JP2691667B2 (ja) | 光半導体素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |