JPH03225914A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH03225914A JPH03225914A JP2021592A JP2159290A JPH03225914A JP H03225914 A JPH03225914 A JP H03225914A JP 2021592 A JP2021592 A JP 2021592A JP 2159290 A JP2159290 A JP 2159290A JP H03225914 A JPH03225914 A JP H03225914A
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- Japan
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- polarized light
- light
- light source
- plate
- laser
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体露光装置に関するものである。
近年、半導体デバイスは微細化の一途を辿り、回路パタ
ーンの最小線幅がサブミクロンの領域に達しようとして
いる。このため、縮小投影型の露光装置においては開口
数の大きな投影レンズを開発するなどしてきたが、半導
体デバイスの微細化をより一層進めるためには、露光光
の波長を更に短波長化する必要がある。そこで、現在多
用されている水銀ランプのｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線
（３６５ｎｍ）の照明光は今後、更に短波長の光が得ら
れるエキシマレーザ光に代わるものと有望視されている
。このエキシマレーザ光源は発振媒体のガスを変えるこ
とにより異なる波長のレーザ光を発振することができる
が、安定した高い出力が得られる媒体は、塩化キセノン
（ＸｅＣ１）（３０８ｎｍ）、 フッ化クリプトン（
ＫｒＦ）（２４８ｎｍ）及びフッ化アルゴン（ＡｒＦ）
（１９３ｎｍ）であり、このうち、波長の短いフッ化ク
リプトン及びフッ化アルゴンが有利である。
ーンの最小線幅がサブミクロンの領域に達しようとして
いる。このため、縮小投影型の露光装置においては開口
数の大きな投影レンズを開発するなどしてきたが、半導
体デバイスの微細化をより一層進めるためには、露光光
の波長を更に短波長化する必要がある。そこで、現在多
用されている水銀ランプのｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線
（３６５ｎｍ）の照明光は今後、更に短波長の光が得ら
れるエキシマレーザ光に代わるものと有望視されている
。このエキシマレーザ光源は発振媒体のガスを変えるこ
とにより異なる波長のレーザ光を発振することができる
が、安定した高い出力が得られる媒体は、塩化キセノン
（ＸｅＣ１）（３０８ｎｍ）、 フッ化クリプトン（
ＫｒＦ）（２４８ｎｍ）及びフッ化アルゴン（ＡｒＦ）
（１９３ｎｍ）であり、このうち、波長の短いフッ化ク
リプトン及びフッ化アルゴンが有利である。
しかしながら、エキシマレーザの偏光状態には時間変化
があることが開発を重ねていく途中で発見された。露光
装置の照明系には反射鏡も用いられており、偏光状態が
変化するということは反射率の変化、即ちレーザ光源の
偏光状態の変化に対応した光量の変化をもたらすことに
なる。このことは、レーザ光の一部をモニターしてレー
ザ光の出力を一定に制御しようとする際、及びウェハ上
での露光量をレーザ光の出力を制御することで制御しよ
うとする場合にレーザ光の出力と露光量との対応付けが
いい加減なものになることを意味する。
があることが開発を重ねていく途中で発見された。露光
装置の照明系には反射鏡も用いられており、偏光状態が
変化するということは反射率の変化、即ちレーザ光源の
偏光状態の変化に対応した光量の変化をもたらすことに
なる。このことは、レーザ光の一部をモニターしてレー
ザ光の出力を一定に制御しようとする際、及びウェハ上
での露光量をレーザ光の出力を制御することで制御しよ
うとする場合にレーザ光の出力と露光量との対応付けが
いい加減なものになることを意味する。
また、直線偏光の光束でマスクを照明して感光基板を露
光すると、偏光方向（Ｐ偏光とＳ偏光）によって感光剤
表面の反射率に差が生じ、投影されるパターンの線幅が
違ってくる。
光すると、偏光方向（Ｐ偏光とＳ偏光）によって感光剤
表面の反射率に差が生じ、投影されるパターンの線幅が
違ってくる。
本発明は、これらの課題を解決するためになされたもの
である。
である。
上記課題の解決の為に本発明では、所定のパターンが形
成されたマスク１８を照明する光源４と、光源４からの
光をマスク１８上でほぼ均一にするフライ・アイ・レン
ズ１２とを備え、パターンをウェハ２０に露光する露光
装置において、光源４は直線偏光を出力するためのブリ
ュースタ窓３，５を備えたエキシマ、若しくは金属蒸気
のレーザ光源を含み、エキシマ、若しくは金属蒸気のレ
ーザ光源４からの直線偏光を円偏光、若しくは非偏光に
変換するλ／４板、若しくは偏光解消板９を備え、λ／
４板、若しくは偏光解消板９を通過した光でマスク１８
を照明することとした。
成されたマスク１８を照明する光源４と、光源４からの
光をマスク１８上でほぼ均一にするフライ・アイ・レン
ズ１２とを備え、パターンをウェハ２０に露光する露光
装置において、光源４は直線偏光を出力するためのブリ
ュースタ窓３，５を備えたエキシマ、若しくは金属蒸気
のレーザ光源を含み、エキシマ、若しくは金属蒸気のレ
ーザ光源４からの直線偏光を円偏光、若しくは非偏光に
変換するλ／４板、若しくは偏光解消板９を備え、λ／
４板、若しくは偏光解消板９を通過した光でマスク１８
を照明することとした。
また、λ／４板、若しくは偏光解消板９は、フライ・ア
イ・レンズ１２より光源４側の光路中に設けることとす
る。
イ・レンズ１２より光源４側の光路中に設けることとす
る。
本発明によれば、エキシマ、若しくは金属蒸気のレーザ
光源４にブリュースタ窓３，５を設けることにより、経
時変化なく直線偏光を出力することができ、半透過鏡１
０及び反射鏡１１．１６を露光装置の光路中に設けても
反射率が常に一定になる。
光源４にブリュースタ窓３，５を設けることにより、経
時変化なく直線偏光を出力することができ、半透過鏡１
０及び反射鏡１１．１６を露光装置の光路中に設けても
反射率が常に一定になる。
さらに、λ／４板、若しくは偏光解消板９を設けること
により、レーザ光源４から出力された直線偏光を円偏光
、若しくは非偏光に変換することができ、感光剤の屈折
率の影響を受けることがない。
により、レーザ光源４から出力された直線偏光を円偏光
、若しくは非偏光に変換することができ、感光剤の屈折
率の影響を受けることがない。
第１図は、本発明の実施例による露光装置の構成を示す
図である。ＫｒＦエキシマレーザ光源４の自然発振の帯
域幅は３００ｐｍであり、これを３ｐｍに狭帯化するた
めにエタロン２を設ける。
図である。ＫｒＦエキシマレーザ光源４の自然発振の帯
域幅は３００ｐｍであり、これを３ｐｍに狭帯化するた
めにエタロン２を設ける。
尚、ここではエタロン２のみを示したが、グレーティン
グ＋プリズムで狭帯化することも可能である。その場合
、偏光状態の変化が起こりやすいので特に有効である。
グ＋プリズムで狭帯化することも可能である。その場合
、偏光状態の変化が起こりやすいので特に有効である。
また、部材３，５はブリュースタ窓であり、特定の角度
の偏光に対してほぼ無反射となるのでこの偏光成分の光
のみが反射鏡ｌ及び半透過鏡６によって増幅される。そ
の結果としてほぼ直線偏光のレーザビームが半透過鏡６
を通過し、レーザ光源４は直線偏光を出力することにな
る。
の偏光に対してほぼ無反射となるのでこの偏光成分の光
のみが反射鏡ｌ及び半透過鏡６によって増幅される。そ
の結果としてほぼ直線偏光のレーザビームが半透過鏡６
を通過し、レーザ光源４は直線偏光を出力することにな
る。
レーザ光源４からのビームは、シリンドリカル・レンズ
及びビームエキスパンダ等のレンズ系７゜８によって所
望の断面形状の平行光束に整形され、λ／４板９によっ
て直線偏光から円偏光に変換される。
及びビームエキスパンダ等のレンズ系７゜８によって所
望の断面形状の平行光束に整形され、λ／４板９によっ
て直線偏光から円偏光に変換される。
ここで、レーザビームの一部は半透過鏡１０によって分
岐され集光レンズ２３を介して光電変換素子２４上に集
光する。光電変換素子２４は、エキシマレーザ光源４の
出力（パルス発光のピーク）に比例した電圧を発生する
。光電変換素子２４の出力電圧はエキシマレーザ光源４
の電源２５へ入力し、電源２５は光電変換素子２４の出
力電圧が予め定められた値になるようにレーザチャンバ
内の放電電極の印加電圧を制御する。
岐され集光レンズ２３を介して光電変換素子２４上に集
光する。光電変換素子２４は、エキシマレーザ光源４の
出力（パルス発光のピーク）に比例した電圧を発生する
。光電変換素子２４の出力電圧はエキシマレーザ光源４
の電源２５へ入力し、電源２５は光電変換素子２４の出
力電圧が予め定められた値になるようにレーザチャンバ
内の放電電極の印加電圧を制御する。
一方、λ／４板９で円偏光に変換され、半透過鏡１０を
透過したレーザビームは、反射鏡１１で反射され、フラ
イ・アイ・レンズ１２に入射する。
透過したレーザビームは、反射鏡１１で反射され、フラ
イ・アイ・レンズ１２に入射する。
フライ・アイ・レンズ１２の各エレメントレンズからの
レーザ光はコンデンサレンズとしてのレンズ系１３を介
して照明視野絞りとしてのレチクル・ブラインド１４上
で−様な強度分布に重畳される。ブラインド１４を通っ
たビームはレンズ系１５を介して反射鏡１６で反射され
、コンデンサレンズ１７を介してレチクル１８を均一な
照度分布で照射し、レチクルパターンが両側、又は片側
テレセントリックな投影レンズ１９によってウェハ２０
上に投影、露光される。以上の構成において、フライ・
アイ・レンズ１２の射出面（２次光源）と投影レンズ１
９の瞳（入射瞳）面Ｅｐとは共役であり、さらに、レチ
クル・ブラインド１２はレンズ系１５． コンデンサ
レンズ１７によってレチクル１８と共役になっている。
レーザ光はコンデンサレンズとしてのレンズ系１３を介
して照明視野絞りとしてのレチクル・ブラインド１４上
で−様な強度分布に重畳される。ブラインド１４を通っ
たビームはレンズ系１５を介して反射鏡１６で反射され
、コンデンサレンズ１７を介してレチクル１８を均一な
照度分布で照射し、レチクルパターンが両側、又は片側
テレセントリックな投影レンズ１９によってウェハ２０
上に投影、露光される。以上の構成において、フライ・
アイ・レンズ１２の射出面（２次光源）と投影レンズ１
９の瞳（入射瞳）面Ｅｐとは共役であり、さらに、レチ
クル・ブラインド１２はレンズ系１５． コンデンサ
レンズ１７によってレチクル１８と共役になっている。
ところで、露光装置の重要なスペックの一つとしてウェ
ハ２０上の照度ムラがある。照度ムラの測定を第２図に
基づいて説明する。ウェハステ−一 ジ２１上に受光素子２２を設け、受光素子２２が露光領
域全域をスキャンするようにウェハステージ２１を移動
し、干渉計２７で位置座標を読み取る。同時に一定の出
力（一定の放電電圧）でエキシマレーザ光源４を発振さ
せるようにして、受光素子２２の出力Ｐ１を出力すると
ともに、光電検出素子２４でエキシマレーザ光源４の出
力Ｐ。をも検出する。出力Ｐ＋、Ｐｏは夫々ピークホー
ルド回路２８．２９においてピーク値をホールドされ、
割算器３０に入力される。割算器３０では、Ｐ、／ＰＧ
を演算し、その結果を干渉計２７で求めた位置座標に対
応させてメモリ３１で記憶し、表示部３２に表示する。
ハ２０上の照度ムラがある。照度ムラの測定を第２図に
基づいて説明する。ウェハステ−一 ジ２１上に受光素子２２を設け、受光素子２２が露光領
域全域をスキャンするようにウェハステージ２１を移動
し、干渉計２７で位置座標を読み取る。同時に一定の出
力（一定の放電電圧）でエキシマレーザ光源４を発振さ
せるようにして、受光素子２２の出力Ｐ１を出力すると
ともに、光電検出素子２４でエキシマレーザ光源４の出
力Ｐ。をも検出する。出力Ｐ＋、Ｐｏは夫々ピークホー
ルド回路２８．２９においてピーク値をホールドされ、
割算器３０に入力される。割算器３０では、Ｐ、／ＰＧ
を演算し、その結果を干渉計２７で求めた位置座標に対
応させてメモリ３１で記憶し、表示部３２に表示する。
また、パターンをウェハ２０上に露光中は露光量を直接
計測することはできないので、光電変換素子２４の出力
Ｐ０を利用して計測することにする。光電変換素子２４
の出力Ｐ０と受光素子２２の出力Ｐ１とは、その比Ｐ
＋ ／ Ｐ ｏが予め決められており、所定の露光量に
おけるＰ。の値もそれにより決定される。よって、第１
図において、露− 光の際は光電変換素子２４の出力Ｐ。のみを計測し、制
御部２６でＰ。が所定の値になるようにレーザ電源２５
を制御することで露光量を制御する。ただし、ウェハ２
０上の１シヨツトにつき複数のパルスで露光するときは
、そのパルス毎に出力Ｐ。を積分することで１シヨツト
あたりの総露光量を一定のものにする。
計測することはできないので、光電変換素子２４の出力
Ｐ０を利用して計測することにする。光電変換素子２４
の出力Ｐ０と受光素子２２の出力Ｐ１とは、その比Ｐ
＋ ／ Ｐ ｏが予め決められており、所定の露光量に
おけるＰ。の値もそれにより決定される。よって、第１
図において、露− 光の際は光電変換素子２４の出力Ｐ。のみを計測し、制
御部２６でＰ。が所定の値になるようにレーザ電源２５
を制御することで露光量を制御する。ただし、ウェハ２
０上の１シヨツトにつき複数のパルスで露光するときは
、そのパルス毎に出力Ｐ。を積分することで１シヨツト
あたりの総露光量を一定のものにする。
尚、以上の構成において、λ／４板９を半透過鏡１０と
反射鏡１１の間に、若しくは反射鏡１１とフライ・アイ
・レンズ１２の間に設けても同様の効果が得られる。但
し、フライ・アイ・レンズ１２の複数の２次光源がレン
ズ系１３でレチクル・ブラインド１４上に重畳される際
に生じる不要な干渉縞を低減するために、レーザ光の各
パルス毎に反射鏡１１を微小角度ずつ回転させてレーザ
光の複数パルスでｎ ／ ２周期振動させるようにして
露光する構成にした場合は、反射鏡ｌｌとフライ・アイ
・レンズ１２の間にλ／４板９を設けることはできない
。又、これらの場合、半透過鏡１０に照射されるレーザ
光は直線偏光のままである。
反射鏡１１の間に、若しくは反射鏡１１とフライ・アイ
・レンズ１２の間に設けても同様の効果が得られる。但
し、フライ・アイ・レンズ１２の複数の２次光源がレン
ズ系１３でレチクル・ブラインド１４上に重畳される際
に生じる不要な干渉縞を低減するために、レーザ光の各
パルス毎に反射鏡１１を微小角度ずつ回転させてレーザ
光の複数パルスでｎ ／ ２周期振動させるようにして
露光する構成にした場合は、反射鏡ｌｌとフライ・アイ
・レンズ１２の間にλ／４板９を設けることはできない
。又、これらの場合、半透過鏡１０に照射されるレーザ
光は直線偏光のままである。
また、λ／４板９を結晶状水晶等でできた偏光解消板に
代えても同様の効果が得られるが、この場合は、偏光解
消板を通過したレーザ光は円偏光ではなく非偏光である
。
代えても同様の効果が得られるが、この場合は、偏光解
消板を通過したレーザ光は円偏光ではなく非偏光である
。
その他、光源４としては、エキシマレーザの代わりに銅
蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ、若しくはその高調波を
使用した場合にも同様の効果が得られる。
蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ、若しくはその高調波を
使用した場合にも同様の効果が得られる。
次に、本発明の実施例による変形例を第３図及び第４図
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
第３図は、第１図による構成において、レンズ系７，８
で整形されたレーザ光を偏光子３３に照射する。この偏
光子３３は、レーザ光の光軸に対して偏光子３３の入射
面が垂直に且つ回転可能に配置されている。これにより
、偏光面と偏光子３３の偏光面の向きとの角度をθとす
ると、偏光子を通過したレーザ光の光量透過率はＣＯＳ
θで表せ、又、偏光子を回転させることにより連続的に
変化させることができる。
で整形されたレーザ光を偏光子３３に照射する。この偏
光子３３は、レーザ光の光軸に対して偏光子３３の入射
面が垂直に且つ回転可能に配置されている。これにより
、偏光面と偏光子３３の偏光面の向きとの角度をθとす
ると、偏光子を通過したレーザ光の光量透過率はＣＯＳ
θで表せ、又、偏光子を回転させることにより連続的に
変化させることができる。
偏光子３３で光量を制御された直線偏光のレーザ光は、
λ／４板９に照射されて円偏光に変換される。この場合
、偏光子３３によって偏光面の方向が変化しているので
、偏光面の方向に合わせてλ／４板も回転する必要があ
る。
λ／４板９に照射されて円偏光に変換される。この場合
、偏光子３３によって偏光面の方向が変化しているので
、偏光面の方向に合わせてλ／４板も回転する必要があ
る。
また、第４図は、第１図による構成において、レンズ系
７，８で整形されたレーザ光をレーザ光の光軸に対して
回転可能に配置されたλ／２板３４に照射する。このλ
／２板３４を回転させることにより、レーザ光の光量を
変化させず偏光面を回転させることができる。又、レー
ザ光の偏光面とλ／２板３４の光学軸との角度をθとす
ると、λ／２板３４を通過したレーザ光の偏光面の回転
角度は２θで表せる。
７，８で整形されたレーザ光をレーザ光の光軸に対して
回転可能に配置されたλ／２板３４に照射する。このλ
／２板３４を回転させることにより、レーザ光の光量を
変化させず偏光面を回転させることができる。又、レー
ザ光の偏光面とλ／２板３４の光学軸との角度をθとす
ると、λ／２板３４を通過したレーザ光の偏光面の回転
角度は２θで表せる。
さて、λ／２板３４を通過した直線偏光は、固定された
偏光子３３に照射され、ここで光量が制御される。つま
り、λ／２板３４によって２θだけ回転した偏光面が偏
光子３３を通過する際に、レーザ光の光量はｃｏｓ ２
θで表せる透過率で通過する。又、λ／２板３４を回転
させることにより、レーザ光の透過光量は連続的に変化
する。
偏光子３３に照射され、ここで光量が制御される。つま
り、λ／２板３４によって２θだけ回転した偏光面が偏
光子３３を通過する際に、レーザ光の光量はｃｏｓ ２
θで表せる透過率で通過する。又、λ／２板３４を回転
させることにより、レーザ光の透過光量は連続的に変化
する。
１１
偏光子３３を通過した直線偏光のレーザ光は、λ／４板
９で円偏光に変換される。この場合、λ／２板３４を回
転させることにより偏光面が回転されても、偏光子３３
を通過することにより偏光子３３の偏光面の向きにレー
ザ光の偏光面が特定されるので、λ／４板９を回転させ
る必要はない。
９で円偏光に変換される。この場合、λ／２板３４を回
転させることにより偏光面が回転されても、偏光子３３
を通過することにより偏光子３３の偏光面の向きにレー
ザ光の偏光面が特定されるので、λ／４板９を回転させ
る必要はない。
以上、第３図及び第４図に示された構成を採れば、偏光
子、若しくは偏光子とλ／２板を用いて露光量の制御を
することができる他、半透過鏡１０、反射鏡１１に照射
されるレーザ光は円偏光になるのでウェハ上でのパター
ンの解像には影響はない。又、以上の構成の内、λ／４
板９は偏光解消板と置き換えても同様の効果が得られる
が、偏光解消板の場合は設定を適当なものにすれば第３
図の構成でもλ／４板のように回転させる必要はない。
子、若しくは偏光子とλ／２板を用いて露光量の制御を
することができる他、半透過鏡１０、反射鏡１１に照射
されるレーザ光は円偏光になるのでウェハ上でのパター
ンの解像には影響はない。又、以上の構成の内、λ／４
板９は偏光解消板と置き換えても同様の効果が得られる
が、偏光解消板の場合は設定を適当なものにすれば第３
図の構成でもλ／４板のように回転させる必要はない。
以上、本実施例では投影光学系を用いたが、投影光学系
を使用しないプロキシミティ方式等の露光装置にも応用
できることは言うまでもない。
を使用しないプロキシミティ方式等の露光装置にも応用
できることは言うまでもない。
−１２＝
以上の様に本発明によれば、エキシマレーザ光源、若し
くは金属蒸気レーザ光源にブリュースタ窓を設けたので
、偏光状態の時間変化が解消され露光装置の光路中に反
射鏡を設けても常に一定の反射率、即ちレーザ光源の出
力に応じた一定の光量を得ることができる。このため、
照度ムラの計測、露光量の制御が正確に行えるといった
効果が得られる。
くは金属蒸気レーザ光源にブリュースタ窓を設けたので
、偏光状態の時間変化が解消され露光装置の光路中に反
射鏡を設けても常に一定の反射率、即ちレーザ光源の出
力に応じた一定の光量を得ることができる。このため、
照度ムラの計測、露光量の制御が正確に行えるといった
効果が得られる。
また、直線偏光から円偏光、若しくは非偏光に変換した
レーザ光を露光光に用いることにより、ウェハ上の感光
剤表面の反射率の影響を受けることなく鮮明な解像が得
られる。
レーザ光を露光光に用いることにより、ウェハ上の感光
剤表面の反射率の影響を受けることなく鮮明な解像が得
られる。
第１図は、本発明の実施例による露光装置の構成を示す
図、第２図は、本発明の実施例による露光装置の照度ム
ラの測定を表すブロック図、第３図及び第４図は、本発
明の実施例による露光装置の構成の変形例を示す図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 ■・・・反射鏡、２・・・エタロン、３，５・・・ブリ
ュースタ窓、４・・・レーザ光源、６．ｌＯ・・・半透
過鏡、９・・・λ／４板、若しくは偏光解消板、２２−
・・受光素子、２４・・・光電変換素子、２５・・・レ
ーザ電源、３３・・・偏光子、３４・・・λ／２板。
図、第２図は、本発明の実施例による露光装置の照度ム
ラの測定を表すブロック図、第３図及び第４図は、本発
明の実施例による露光装置の構成の変形例を示す図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 ■・・・反射鏡、２・・・エタロン、３，５・・・ブリ
ュースタ窓、４・・・レーザ光源、６．ｌＯ・・・半透
過鏡、９・・・λ／４板、若しくは偏光解消板、２２−
・・受光素子、２４・・・光電変換素子、２５・・・レ
ーザ電源、３３・・・偏光子、３４・・・λ／２板。
Claims (2)
- （１）所定のパターンが形成されたマスクを照明するた
めの照明手段と、該照明手段からの光を前記マスク上で
ほぼ均一にする照度分布均一化手段とを備え、前記パタ
ーンを感光基板に露光する露光装置において、 前記照明手段は、直線偏光を出力するためのブリュース
タ窓を備えたエキシマ、若しくは金属蒸気のレーザ光源
を含み、該レーザ光源からの直線偏光を円偏光、若しく
は非偏光に変換する偏光状態変換手段を備え、該偏光状
態変換手段を通過した光で前記マスクを照明することを
特徴とする露光装置。 - （２）前記偏光状態変換手段は、前記照度分布均一化手
段より光源側の光路中に設けられた波長板、若しくは偏
光解消板を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021592A JP2913725B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-01-31 JP JP2021592A patent/JP2913725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6661499B2 (en) | 1998-06-12 | 2003-12-09 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with a catadioptric projection optical system |
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| EP1903370A1 (en) * | 2000-07-21 | 2008-03-26 | ASML Holding N.V. | An optical reduction system for use in photolithography |
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