JPH03225947A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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Publication number
JPH03225947A
JPH03225947A JP2101690A JP2101690A JPH03225947A JP H03225947 A JPH03225947 A JP H03225947A JP 2101690 A JP2101690 A JP 2101690A JP 2101690 A JP2101690 A JP 2101690A JP H03225947 A JPH03225947 A JP H03225947A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating film
tin
plated film
palladium
nickel
Prior art date
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Pending
Application number
JP2101690A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiko Murata
明彦 村田
Norio Wakabayashi
若林 則男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2101690A priority Critical patent/JPH03225947A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は耐蝕性に優れるリードフレームに関する。
(従来の技術) パラジウムめっき皮膜は、ワイヤポンディング性もよく
、またはんだ付は性にも優れるので、リードフレームの
外装めっきとして有利である。すなわち、リードフレー
ムのインナーリードに対するワイヤボンディング性を向
上させるため、インナーリードに金または銀を部分めっ
きするものにおいては、アウターリードのはんだ付は性
を向上させるため、樹脂封止後にアウターリードにめっ
きあるいは浸漬のウェットプロセスによりはんだ皮膜を
形成するようにしているが、パラジウムめっき皮膜をあ
らかじめ全面に形成しておけば、樹脂封止後におけるウ
ェットプロセスが必要なくなるので、湿気の侵入などが
防止でき、信頼性の高い半導体装置を提供できる利点が
ある。
このようにパラジウムめっき皮膜は優れた特性を有し、
リードフレームの外装めっき皮膜として有用であるが、
リードフレーム素材との間で電位差を有するので、素材
金属の耐蝕性に問題があった。
そこでこの耐蝕性を向上させるため、従来においては、
特公昭63−49382号公報に示されるように素材金
属とパラジウムめっき皮膜との間にニッケルめっき皮膜
を介在させるか、または米国特許公報4628165号
に示されるように、パラジウム−ニッケルあるいはパラ
ジウム−コバルトの合金めっき皮膜を介在させるように
してい(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記従来の方法には次のような問題点があ
る。
すなわち、ニッケルめっき皮膜を介在させるときは、ニ
ッケルめっき皮膜はそれ程緻密でなく、多少ともポーラ
スであることから、素材金属と外装めっきのパラジウム
めっき皮膜との間に電気的通路が形成され、したがって
耐蝕性が不十分となる。この場合にニッケルめっき皮膜
を例えば3μm程度に厚く形成すれば耐蝕性は比較的解
消されるが、ニッケルめっき皮膜は非常に硬いため、ア
ウターリードの折り曲げによりめっき皮膜にクランクが
発生し、これにより耐蝕性が阻害される。
このため高価なパラジウムを用いたパラジウムめっき皮
膜を厚くして耐蝕性を向上させる必要がありコストが高
くなるという問題点がある。
また中間めっき層としてパラジウム−ニッケルあるいは
パラジウム−コバルトの合金めっき皮膜を介在させると
きは、耐蝕性を向上させることができるが、これらの高
価なパラジウムを含むめっきはコストが高くなるという
問題点を有する。
そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもので
、その目的とするところは、コスト的にも安く、かつ耐
蝕性にも優れるリードフレームを提供するにある。
(課題を解決するための手段) 上記目的による本発明では、パラジウムめっき皮膜を外
装めっき皮膜とするリードフレームにおいて、パラジウ
ムめっき皮膜の下地に錫−ニッケル合金めっき皮膜また
は錫−コバルト合金めっき皮膜を形成したことを特徴と
している。
(作用) 錫−ニッケル合金めっき皮膜または錫−コバルト合金め
っき皮膜はニッケルめっき皮膜に比して緻密であるので
、素材金属と外装めっきのパラジウムめっき皮膜との間
の電気的通路がなくなり、パラジウムめっき皮膜の厚さ
を薄<シても素材金属の腐蝕を有効に防止できる。また
錫−ニッケル合金めっき皮膜または錫−コバルト合金め
っき皮膜を厚付けしなくとも十分に腐蝕防止の効果があ
るから、めっき皮膜にクランクを発生させることなく、
アウターリードの折り曲げが行なえる。
(実施例) 以下に添付図面に基づいて実施例を詳細に説明する。
本実施例では、第1図に示すように、リードフレーム1
0の全面にまず錫−ニッケル合金めっき皮膜または錫−
コバルト合金めっき皮膜12を形成し、この錫−ニッケ
ル合金めっき皮膜または錫コバルト合金めっき皮膜12
上に外装めっきとしてパラジウムめっき皮膜14を形成
する。
リードフレーム10素材としては、銅、銅合金、427
0イ(鉄−ニッケル合金)などを用いる。
外装めっきのパラジウムめっき皮膜14の厚さは特に限
定されないが、インナーリードにおけるワイヤポンディ
ング性、アウターリードにおけるはんだ付は性を考慮し
て決定され、0.03μm〜0.5μm、通常0.1t
Im程度で十分である。
錫−ニッケル合金めっき皮膜または錫−コバルト合金め
っき皮膜12の厚さは0.18m〜1.5μm、好まし
くは0.3 μm〜0.7 μmとする。錫ニッケル合
金めっき皮膜または錫−コバルト合金めっき皮膜はニッ
ケルめっき皮膜に比して緻密であり、錫−ニッケル合金
めっき皮膜または錫−コバルト合金めっき皮膜12を介
在させることによって、リードフレーム10とパラジウ
ムめっき皮膜14との間に直接的な電気的通路がなくな
り、もって素材金属の腐蝕を防止でき、耐蝕性が向上す
るのである。腐蝕を防止する上で、錫−ニッケル合金め
っき皮膜または錫−コバルト合金めっき皮膜12の厚さ
は前記のように最低でも0.1 μm、好ましくは0.
3μm以上とする。一方、錫−ニッケル合金めっき皮膜
あるいは錫−コバルト合金めっき皮膜12の硬度はニッ
ケルめっき皮膜と同様に高い。したがって錫−ニッケル
合金めっき皮膜または錫−コバルト合金めっき皮膜12
の厚さをあまり厚くするとリードフレーム10のアウタ
ーリードの折り曲げ加工の際にめっき皮膜にクラックが
入るおそれがあるので、錫−ニッケル合金めっき皮膜ま
たは錫−コバルト合金めっき皮膜12の厚さの上限を1
.5 μmとする。このようなめっき厚であっても、ニ
ッケルめっき皮膜であれば外層めっきのパラジウムめっ
き皮膜を0゜5μm程度以上の厚さにしなければ耐蝕性
が不十分であったが、錫−ニッケル合金めっき皮膜また
は錫−コバルト合金めっき皮膜12とすることで、パラ
ジウムめっき皮膜の厚さを0.1 μm程度と薄くシて
も素材金属の腐蝕を十分に防止できる。
表1に比較例と実施例の耐蝕性のデータを示す。
表1 (試験条件:塩水噴霧テスト 8H ) 第2図は他の実施例を示す。
本実施例では、リードフレーム10と錫−ニッケル合金
めっき皮膜または錫−コバルト合金めっき皮膜12との
間にさらにニッケルめっき皮膜16を介在させている。
本実施例ではニッケルめっき皮膜16を介在させている
ので、錫−ニッケル合金めっき皮膜または錫−コバルト
合金めっき皮膜12を若干薄くすることができる。ニッ
ケルめっき皮膜16の厚さは0.2 μm〜0.5μm
程度とする。このとき、錫−ニッケル合金皮膜または錫
コバルト合金めっき皮膜12の厚さを0.1 μm〜1
.5 μm、好適には0.1 μm〜0.3 μmとす
る。
本実施例でも素材金属の腐蝕を防止でき、耐蝕性が向上
した。
表2に耐蝕性のデータを示す。
=8 表2 (試験条件:塩水噴霧テス)48H) 以上、本発明の好適な実施例について種々述べて来たが
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはも
ちろんである。
(発明の効果) 以上のように本発明に係るリードフレームによれば、素
材金属の腐蝕を防止でき、耐蝕性に優れると共に、アウ
ターリードの折り曲げの際にめっき皮膜にクランクを発
生させるおそれを解消できた。また錫−ニッケル合金め
っき皮膜または錫コバルト合金めっき皮膜をパラジウム
めっきの下地に形成することで高価なパラジウムめっき
皮膜の厚さを大幅に薄くできるので、コストの低いリー
ドフレームを提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はそれぞれリードフレームの部分断
面図を示す。 10・ ・ ・リードフレーム、 12・・・錫−ニッケル合金めっき皮膜、錫−コバルト
合金めっき皮膜、 14・・・パラジウムめっき皮膜、 16・・・ニッケルめっき皮膜。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、パラジウムめっき皮膜を外装めっき皮膜とするリー
    ドフレームにおいて、 パラジウムめっき皮膜の下地に錫−ニッケ ル合金めっき皮膜または錫−コバルト合金めっき皮膜を
    形成したことを特徴とするリードフレーム。
JP2101690A 1990-01-31 1990-01-31 リードフレーム Pending JPH03225947A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2101690A JPH03225947A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 リードフレーム

Applications Claiming Priority (1)

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JP2101690A JPH03225947A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 リードフレーム

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JPH03225947A true JPH03225947A (ja) 1991-10-04

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ID=12043249

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JP2101690A Pending JPH03225947A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 リードフレーム

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JP (1) JPH03225947A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0538019A3 (ja) * 1991-10-17 1994-03-09 Shinko Electric Ind Co
EP0621633A3 (de) * 1993-04-10 1995-01-11 Heraeus Gmbh W C Leiterrahmen für integrierte Schaltungen.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0538019A3 (ja) * 1991-10-17 1994-03-09 Shinko Electric Ind Co
EP0621633A3 (de) * 1993-04-10 1995-01-11 Heraeus Gmbh W C Leiterrahmen für integrierte Schaltungen.
US5486721A (en) * 1993-04-10 1996-01-23 W.C. Heraeus Gmbh Lead frame for integrated circuits

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