JPH03225995A - 配線板 - Google Patents
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- JPH03225995A JPH03225995A JP2143690A JP2143690A JPH03225995A JP H03225995 A JPH03225995 A JP H03225995A JP 2143690 A JP2143690 A JP 2143690A JP 2143690 A JP2143690 A JP 2143690A JP H03225995 A JPH03225995 A JP H03225995A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、耐電食性に優れた配線板に関する。
(従来の技術)
従来、配線板の耐電食性を改善する目的で、重金属除去
剤あるいは防錆剤である、例えばベンゾトリアゾール、
ビニルトリアジン及びトリアジントリチオールなどの有
機化合物を配線板用高分子絶縁月利に分散させたものが
あった。
剤あるいは防錆剤である、例えばベンゾトリアゾール、
ビニルトリアジン及びトリアジントリチオールなどの有
機化合物を配線板用高分子絶縁月利に分散させたものが
あった。
また、配線パターンを形成した後、上記有機化合物を含
む溶液に配線パターンを浸漬、乾燥することにより配線
パターン表面に有機化合物の皮膜を形成したものもあっ
た。
む溶液に配線パターンを浸漬、乾燥することにより配線
パターン表面に有機化合物の皮膜を形成したものもあっ
た。
その他、配線パターン表面(配線パターンの側壁部及び
下部を含む)に無電解めっき法でニッケル皮膜を形成し
た配線構造のものも提案されている。
下部を含む)に無電解めっき法でニッケル皮膜を形成し
た配線構造のものも提案されている。
(発明が解決しようとする課題)
有機化合物を使用する方法では、耐電食性は改善される
のの、有機化合物自体の耐熱性が低いために、絶縁層の
耐熱性が低下すること、あるいは、特に後者の場合に於
いては、配線パターン(−殻内には銅配線)に対する溶
液の濡れ性が悪いと均一な皮膜が形成されないことなど
の問題があった。
のの、有機化合物自体の耐熱性が低いために、絶縁層の
耐熱性が低下すること、あるいは、特に後者の場合に於
いては、配線パターン(−殻内には銅配線)に対する溶
液の濡れ性が悪いと均一な皮膜が形成されないことなど
の問題があった。
一方、配線表面にニッケル皮膜を形成する方法は、ニッ
ケル、あるいは、ニッケル表面に生成したニッケル酸化
物の高安定性のため、耐熱性をそこなわずに耐電食性を
改善できるが、この方法に於いても、配線と基板との接
着力を確保するために、基板表面を物理的に粗化させる
工程(例えば銅張り積層板の銅箔をエツチング除去して
銅箔の粗化形状を転写する工程)が必要なこと、粗化面
に於ける配線形成用レジストパターンの解像度が低下す
ること及びレジストの現像残りなどの問題があった。
ケル、あるいは、ニッケル表面に生成したニッケル酸化
物の高安定性のため、耐熱性をそこなわずに耐電食性を
改善できるが、この方法に於いても、配線と基板との接
着力を確保するために、基板表面を物理的に粗化させる
工程(例えば銅張り積層板の銅箔をエツチング除去して
銅箔の粗化形状を転写する工程)が必要なこと、粗化面
に於ける配線形成用レジストパターンの解像度が低下す
ること及びレジストの現像残りなどの問題があった。
本発明は、耐電食性、配線パターンの基板に対する密着
性に優れる配線板を提供するものである。
性に優れる配線板を提供するものである。
(課題を解決するための手段)
上記の問題を解決するためには、配線パターン下部に於
いて、ニッケル層〜基板間の接着力を確保しつつ、基板
表面をロープロファイル化することが効果的である。
いて、ニッケル層〜基板間の接着力を確保しつつ、基板
表面をロープロファイル化することが効果的である。
本発明は、耐電食性に優れたニッケル被覆配線構造を達
成するものであり、平滑な表面を有するポリイミド系フ
ィルム上にスパッタリングなどの真空成膜法でニッケル
薄層を形成し、以下公知のセミアデイティブ法で銅等の
配線パターンを形成した後、無電解めっき法で配線パタ
ーンの上部、側壁部の表面をニッケル被覆するものであ
る。
成するものであり、平滑な表面を有するポリイミド系フ
ィルム上にスパッタリングなどの真空成膜法でニッケル
薄層を形成し、以下公知のセミアデイティブ法で銅等の
配線パターンを形成した後、無電解めっき法で配線パタ
ーンの上部、側壁部の表面をニッケル被覆するものであ
る。
ポリイミド系フィルムに、真空成膜法で形成する金属薄
層の材料としては、化学的に安定な酸化皮膜を形成し、
配線金属である銅よりもイオン化傾向が大きく、かつ基
板に対して良好な接着力を示すニッケルが好ましく、単
一金属に限るものでなく、クロムとの併用さらには、そ
れらの金属化合物やアルミナなどのセラミックス等の使
用も可能である。
層の材料としては、化学的に安定な酸化皮膜を形成し、
配線金属である銅よりもイオン化傾向が大きく、かつ基
板に対して良好な接着力を示すニッケルが好ましく、単
一金属に限るものでなく、クロムとの併用さらには、そ
れらの金属化合物やアルミナなどのセラミックス等の使
用も可能である。
成膜手段としては、蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法、クラスターイオンピム法など通常の
真空成膜法が使用できる。
ブレーティング法、クラスターイオンピム法など通常の
真空成膜法が使用できる。
なお、本発明に於ける配線下部材料は、単一金属に限る
ものでなく、それらの金属化合物やアルミナなどのセラ
ミックスの適用も可能である。更に、必要であれば、該
配線下部層にニッケルや金属化合物層)を形成した後、
銅などの金属薄層を続けて形成した多層薄膜を適用する
こともできる。
ものでなく、それらの金属化合物やアルミナなどのセラ
ミックスの適用も可能である。更に、必要であれば、該
配線下部層にニッケルや金属化合物層)を形成した後、
銅などの金属薄層を続けて形成した多層薄膜を適用する
こともできる。
ニッケルはポリイミド系フィルムに対して良好な接着性
を示すが、より高い接着力を得るためにポリイミド系フ
ィルムの表面処理として、低温プラズマ処理や反応性イ
オンエツチング処理を施しても良い。
を示すが、より高い接着力を得るためにポリイミド系フ
ィルムの表面処理として、低温プラズマ処理や反応性イ
オンエツチング処理を施しても良い。
またポリイミド系フィルムとニッケル間の接着性はニッ
ケルのポリイミド中への拡散量の影響も受けるため、3
0A以上ニッケルがポリイミド系フェルム中へ拡散して
いることが好ましい。拡散は例えば加熱により行なうこ
とができる。
ケルのポリイミド中への拡散量の影響も受けるため、3
0A以上ニッケルがポリイミド系フェルム中へ拡散して
いることが好ましい。拡散は例えば加熱により行なうこ
とができる。
本発明に於いては、ポリイミド系フエルム上に形成され
るニッケルは完全に層状である必要はなく島状構造の形
態でも良い。
るニッケルは完全に層状である必要はなく島状構造の形
態でも良い。
配線パターンの形成手段は、無電解めっきと電気めっき
を併用するセミアデイティブ法が、また要求される配線
厚さが数ミクロン程度の場合には、真空蒸着法で配線金
属層を形成した後、サブトラクト法で配線形成しても良
い。
を併用するセミアデイティブ法が、また要求される配線
厚さが数ミクロン程度の場合には、真空蒸着法で配線金
属層を形成した後、サブトラクト法で配線形成しても良
い。
配線パターン上部、側壁部(配線パターン下部は含まな
い)にニッケル皮膜を形成する方法としては、電気めっ
きや無電解めっきを用いることができる。
い)にニッケル皮膜を形成する方法としては、電気めっ
きや無電解めっきを用いることができる。
本発明の一実施例を図面によって説明する。
第1図(a)〜(C)は、本発明の一実施例を示す断面
図である。
図である。
所定の位置に直径0 、4mmの貫通孔2を有する厚さ
50μmのポリイミドフィルムUPILEX 5−Ty
pe(宇部興産(株)裂開品名)1上に厚さ5000A
のニッケル層3を真空蒸着装置(日本真空技術(株)製
EBV−6DA型)を用いて電子ビーム蒸着した((a
)参照)。蒸着条件を以下に示す。
50μmのポリイミドフィルムUPILEX 5−Ty
pe(宇部興産(株)裂開品名)1上に厚さ5000A
のニッケル層3を真空蒸着装置(日本真空技術(株)製
EBV−6DA型)を用いて電子ビーム蒸着した((a
)参照)。蒸着条件を以下に示す。
加速電圧 10kV
EB雷電流 8A
圧 力 I X10 Torr成膜温
度 270°C 成膜速度 10A/分 次に、ドライフィルムホトレジスト(日立化成工業(株
)製5R−3000)をニッケル層の両面にラミネート
した。ラミネート条件は、ロール温度、送り速度、ロー
ル圧力がそれぞれ、120℃、0.8m/分、30ps
iである。
度 270°C 成膜速度 10A/分 次に、ドライフィルムホトレジスト(日立化成工業(株
)製5R−3000)をニッケル層の両面にラミネート
した。ラミネート条件は、ロール温度、送り速度、ロー
ル圧力がそれぞれ、120℃、0.8m/分、30ps
iである。
続いてマスクアライメント機構付き紫外線露光機(ミカ
サ(株)製M−3L型)により、所定のフォトマスクを
用いて露光量120mJ/cm′L で露光し、トリク
ロロエタン現像により所望するレジストパタン4を得た
後、以下に示した条件の無電解銅めっきで厚さ18μm
のパターンめっき5を行った((b)参照)。
サ(株)製M−3L型)により、所定のフォトマスクを
用いて露光量120mJ/cm′L で露光し、トリク
ロロエタン現像により所望するレジストパタン4を得た
後、以下に示した条件の無電解銅めっきで厚さ18μm
のパターンめっき5を行った((b)参照)。
硫酸銅 10g/I
EDTA ・4Na 40g/lpn
12.4 37%ホルマリン 3ml/1 添加物 少 量 めっき液温 70℃ 塩化メチレンでレジストパターン4を除去した後、ニッ
ケル層の所望する部分をエツチング除去し、以下に示し
た条件の無電解ニッケルめっきを行い、配線パターン5
の表面(配線下部を除く)を厚さ3.0μmのニッケル
6被覆した((C)参照)。
12.4 37%ホルマリン 3ml/1 添加物 少 量 めっき液温 70℃ 塩化メチレンでレジストパターン4を除去した後、ニッ
ケル層の所望する部分をエツチング除去し、以下に示し
た条件の無電解ニッケルめっきを行い、配線パターン5
の表面(配線下部を除く)を厚さ3.0μmのニッケル
6被覆した((C)参照)。
塩化ニッケル 30g/l
酢酸ナトリウム 10g/l
燐酸二水素ナトリウム 10g/1
pH5
めっき液温 80°C
次にワイヤーボンディング用パッドとなる部分以外に金
めつき用ソルダーレジストパターンをスクリーン印刷法
で形成した後、厚さ1.5μmの金めつきを施した。
めつき用ソルダーレジストパターンをスクリーン印刷法
で形成した後、厚さ1.5μmの金めつきを施した。
以上の実施例は、本発明をワイヤーボンド対応のチップ
オンボード用フレキシブル配線板に適用したものである
が、一般の多層配線板及び多層板用内層板の作成に適用
しても良い。
オンボード用フレキシブル配線板に適用したものである
が、一般の多層配線板及び多層板用内層板の作成に適用
しても良い。
(発明の効果)
本発明の効果は、以下に示す通りである。
(1)ポリイミドフィルムの表面粗さは、接着力向上処
理として反応性イオンエツチング等の表面処理を施した
場合でも2.0μm以下のため、パターンめっき用レジ
ストパターン形成工程に於けるポリイミド表面での乱反
射の影響がほとんどなく、安定して、ライン線幅、スペ
ースが20μm程度の微細配線を形成可能になった。
理として反応性イオンエツチング等の表面処理を施した
場合でも2.0μm以下のため、パターンめっき用レジ
ストパターン形成工程に於けるポリイミド表面での乱反
射の影響がほとんどなく、安定して、ライン線幅、スペ
ースが20μm程度の微細配線を形成可能になった。
(2)ポリイミドのような低誘電率材料を使用できるた
め、従来のゴム系接着剤を用いたフレキシブル配線板や
ガラス布プリプレグのみを用いて製造された配線板に比
べ、信号の伝送速度などの電気特性が著しく向上した。
め、従来のゴム系接着剤を用いたフレキシブル配線板や
ガラス布プリプレグのみを用いて製造された配線板に比
べ、信号の伝送速度などの電気特性が著しく向上した。
(3)本発明に於ける絶縁フィルム上への成膜は連続化
が可能であり、かつ、従来の粗化形状転写法に於ける銅
箔粗化処理−銅箔積層→銅箔エツチングなどの工程を省
くことができ、生産性の点で向上を図ることができた。
が可能であり、かつ、従来の粗化形状転写法に於ける銅
箔粗化処理−銅箔積層→銅箔エツチングなどの工程を省
くことができ、生産性の点で向上を図ることができた。
第1図(a)〜(c)は本発明の配線板の製造法を示す
断面図である。 符号の説明 1、ポリイミドフィルム 2、貫通孔 3、ニッケル層 4、レジストパターン 5、パターンめっき 6、無電解ニッケル層 ・′ べ
断面図である。 符号の説明 1、ポリイミドフィルム 2、貫通孔 3、ニッケル層 4、レジストパターン 5、パターンめっき 6、無電解ニッケル層 ・′ べ
Claims (2)
- 1.絶縁基板上に形成された配線パターンの上部、側壁
部及び下部をニッケル層で被覆した配線構造を有する配
線板に於いて、絶縁基板がポリイミド系フィルムであり
、配線パターン下部のニッケル層が真空成膜法で形成さ
れたものであることを特徴とする配線板。 - 2.ニッケル層がポリイミド系フィルム中に30A以上
拡散している請求項1記載の配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143690A JPH03225995A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143690A JPH03225995A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225995A true JPH03225995A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12054924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143690A Pending JPH03225995A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225995A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317566A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| KR100736146B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2007-07-06 | 산양전기주식회사 | 플렉서블 회로기판의 제조방법 |
| JP2012144791A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 無電解ニッケル合金膜のパターニング方法 |
| JPWO2014199774A1 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-02-23 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビアシリンダーの全自動製造システム及びそれを用いたグラビアシリンダーの製造方法 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2143690A patent/JPH03225995A/ja active Pending
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