JPH03226115A - パルス発生回路 - Google Patents
パルス発生回路Info
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- JPH03226115A JPH03226115A JP2068090A JP2068090A JPH03226115A JP H03226115 A JPH03226115 A JP H03226115A JP 2068090 A JP2068090 A JP 2068090A JP 2068090 A JP2068090 A JP 2068090A JP H03226115 A JPH03226115 A JP H03226115A
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- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
- H03K3/57—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
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- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野ゴ
この発明は例えばパルスレーザ等に使用されるパルス発
生回路に関するものである。
生回路に関するものである。
第９図は例えばコツパー ベーパ レーザズ カム オ
ブ エージ （ＣＯＰＰＥＲＶＡＰＯＲＬＡＳＥＲ３Ｃ
ＯＭＥ ＯＦ ＡＧＥ）Ｌ／−ザ フォーカス ７
月 １９８２ （ＬＡＳＥＲＦＯＣＵＳ、ＪＵＬＹ、１
９８２） に記載された従来の銅蒸気レーザ用のパルス
発生回路を示す図であり、図において、１は高圧電源、
２は充電用リアクトル、３は充電用ダイオード、４は充
放電を行う主コンデンサ、５は充電用抵抗、６はサイラ
トロンスイッチ、７はガス放電によって内部に収容した
金属（例えば銅）を加熱、気化させてレーザ出力を得る
放電管（レーザチューブ）である。
ブ エージ （ＣＯＰＰＥＲＶＡＰＯＲＬＡＳＥＲ３Ｃ
ＯＭＥ ＯＦ ＡＧＥ）Ｌ／−ザ フォーカス ７
月 １９８２ （ＬＡＳＥＲＦＯＣＵＳ、ＪＵＬＹ、１
９８２） に記載された従来の銅蒸気レーザ用のパルス
発生回路を示す図であり、図において、１は高圧電源、
２は充電用リアクトル、３は充電用ダイオード、４は充
放電を行う主コンデンサ、５は充電用抵抗、６はサイラ
トロンスイッチ、７はガス放電によって内部に収容した
金属（例えば銅）を加熱、気化させてレーザ出力を得る
放電管（レーザチューブ）である。
次に動作について説明する。高圧電源１から発生される
高圧電圧（数ＫＶ〜数＋ＫＶ）は、リアクトル２．ダイ
オード３、充電用抵抗５を介して主コンデンサ４に充電
される。
高圧電圧（数ＫＶ〜数＋ＫＶ）は、リアクトル２．ダイ
オード３、充電用抵抗５を介して主コンデンサ４に充電
される。
この充電状態において、サイラトロンスイッチ６が導通
すると、主コンデンサ４に蓄えられていた電荷は、サイ
ライトロンスイッチ６を通り放電管７に印加され、放電
管７の中にガス放電を形成する。その際、放電管７のイ
ンピーダンスは充電用抵抗５の抵抗値より大幅に小さく
なるため、サイラトロンスイッチ６に流れる電流は主と
して放電管７に流れることで、放電管７は励起されてレ
ーザ発振を生ずる。しかしながら、このようなパルス発
生回路は以上のようにして急峻なパルス電圧を放電管７
に印加して、より高いレーザ出力を得るために、大電力
用で数１０ｎｓｅｃでスイッチングオンが可能なサイラ
トロンスイッチ６が必要であり、一方、このようなサイ
ラトロンスイッチ６は真空管であるため寿命が短く、頻
繁に交換する必要があった。また、サイラトロンスイッ
チ６はレーザ効率に影響する電流の立ち上がりやスイッ
チング時間にバラツキがある等、品質の安定性に問題が
あった。
すると、主コンデンサ４に蓄えられていた電荷は、サイ
ライトロンスイッチ６を通り放電管７に印加され、放電
管７の中にガス放電を形成する。その際、放電管７のイ
ンピーダンスは充電用抵抗５の抵抗値より大幅に小さく
なるため、サイラトロンスイッチ６に流れる電流は主と
して放電管７に流れることで、放電管７は励起されてレ
ーザ発振を生ずる。しかしながら、このようなパルス発
生回路は以上のようにして急峻なパルス電圧を放電管７
に印加して、より高いレーザ出力を得るために、大電力
用で数１０ｎｓｅｃでスイッチングオンが可能なサイラ
トロンスイッチ６が必要であり、一方、このようなサイ
ラトロンスイッチ６は真空管であるため寿命が短く、頻
繁に交換する必要があった。また、サイラトロンスイッ
チ６はレーザ効率に影響する電流の立ち上がりやスイッ
チング時間にバラツキがある等、品質の安定性に問題が
あった。
一方、このようなサイラトロンスイッチの問題に対処す
るため固体スイッチ素子を使った第１０図に示すような
パルス発生回路を１本出願人は提案している。これにつ
いて説明すると、８はパルス発生用スイッチで、固体ス
イッチ素子としての複数個のＦＥＴ９を並列接続したも
のを、さらに多段にわたって直列接続したものからなる
。そして、これによれば全体として数ＫＶ〜数１０ＫＶ
および数１００Ａ〜数ＫＡの電圧、電流のスイッチング
が可能になり、レーザチューブである放電管７を励起す
るに十分なパルスエネルギを発生することができる。
るため固体スイッチ素子を使った第１０図に示すような
パルス発生回路を１本出願人は提案している。これにつ
いて説明すると、８はパルス発生用スイッチで、固体ス
イッチ素子としての複数個のＦＥＴ９を並列接続したも
のを、さらに多段にわたって直列接続したものからなる
。そして、これによれば全体として数ＫＶ〜数１０ＫＶ
および数１００Ａ〜数ＫＡの電圧、電流のスイッチング
が可能になり、レーザチューブである放電管７を励起す
るに十分なパルスエネルギを発生することができる。
従来のパルス発生回路は以上のように構成されているの
で、パルス発生用スイッチ８のオン時に。
で、パルス発生用スイッチ８のオン時に。
主コンデンサ４に蓄えられた電圧を放電管７に供給した
場合に、この放電管７の負荷条件等によっては、放電パ
ルス回路内に振動が発生し、第１１図に示すような振動
電流が放電管７に流れることになる。レーザ光Ｒは一般
に第１１図に示すような位相で出力されるため、このレ
ーザ光Ｒの出力後に出力された、影で示す部分の上記振
動電流は、レーザ光の発振に全く寄与しないばかりか、
過大な入力が放電管７に加わることで、レーザ光の発振
効率の低下を招くなどの課題があった。
場合に、この放電管７の負荷条件等によっては、放電パ
ルス回路内に振動が発生し、第１１図に示すような振動
電流が放電管７に流れることになる。レーザ光Ｒは一般
に第１１図に示すような位相で出力されるため、このレ
ーザ光Ｒの出力後に出力された、影で示す部分の上記振
動電流は、レーザ光の発振に全く寄与しないばかりか、
過大な入力が放電管７に加わることで、レーザ光の発振
効率の低下を招くなどの課題があった。
この第１の請求項に係る発明は上記のような課題を解消
するためになされたものであり、充放電用の主コンデン
サに対してダイオードを直列に挿入することにより、レ
ーザ励起後の振動電流の発生を阻止し、レーザ光の発生
効率を向上することができるパルス発生回路を得ること
を目的とする。
するためになされたものであり、充放電用の主コンデン
サに対してダイオードを直列に挿入することにより、レ
ーザ励起後の振動電流の発生を阻止し、レーザ光の発生
効率を向上することができるパルス発生回路を得ること
を目的とする。
また、この第２の請求項に係る発明は、振動抑制ダイオ
ードが逆電圧を受けて破壊するのを防止することができ
るパルス発生回路を得ることを目的とする。
ードが逆電圧を受けて破壊するのを防止することができ
るパルス発生回路を得ることを目的とする。
さらに、この第３の請求項に係る発明は、レーザ発振後
などの逆電流をｔＡＷすることによってレーザ管などの
負荷の加熱に利用することができるパルス発生回路を得
ることを目的とする。
などの逆電流をｔＡＷすることによってレーザ管などの
負荷の加熱に利用することができるパルス発生回路を得
ることを目的とする。
またさらに、この第４の請求項に係る発明は。
主コンデンサを充電するために振動抑制ダイオードに並
列接続されるバイパス抵抗を省略することができるパル
ス発生回路を得ることを目的とする。
列接続されるバイパス抵抗を省略することができるパル
ス発生回路を得ることを目的とする。
また、この第５の請求項に係る発明は、発振直後に負荷
にかかる逆電流をより確実にカットすることができるパ
ルス発生回路を得ることを目的とする。
にかかる逆電流をより確実にカットすることができるパ
ルス発生回路を得ることを目的とする。
この第１の請求項の発明に係るパルス発生回路は、高圧
電源からの高圧電圧を主コンデンサに充電し、この主コ
ンデンサからの放電電圧をスイッチング手段によりスイ
ッチングして負荷に供給し、上記主コンデンサには振動
抑制ダイオードを直列接続したものである。
電源からの高圧電圧を主コンデンサに充電し、この主コ
ンデンサからの放電電圧をスイッチング手段によりスイ
ッチングして負荷に供給し、上記主コンデンサには振動
抑制ダイオードを直列接続したものである。
この第２の請求項の発明に係るパルス発生回路は、振動
抑制ダイオードに対しダイオードおよびコンデンサの直
列回路を並列接続し、このコンデンサに抵抗を並列接続
したものである。
抑制ダイオードに対しダイオードおよびコンデンサの直
列回路を並列接続し、このコンデンサに抵抗を並列接続
したものである。
この第３の請求項の発明に係るパルス発生回路は、振動
抑制ダイオードに対しダイオードおよびコンデンサの直
列回路を並列接続し、このコンデンサに可変抵抗を並列
接続したものである。
抑制ダイオードに対しダイオードおよびコンデンサの直
列回路を並列接続し、このコンデンサに可変抵抗を並列
接続したものである。
この第４の請求項の発明に係るパルス発生回路は、振動
抑制ダイオードをスイッチ手段と、主コンデンサおよび
高圧電源の接続点との間に接続したものである。
抑制ダイオードをスイッチ手段と、主コンデンサおよび
高圧電源の接続点との間に接続したものである。
この第５の請求項の発明に係るパルス発生回路は、負荷
に逆電流カット用のダイオードを並列接続したものであ
る。
に逆電流カット用のダイオードを並列接続したものであ
る。
この第１の請求項に係る発明における振動抑制ダイオー
ドは、主コンデンサからの放電管などの負荷に対する放
電電流がレーザ発振終了以後に正負に振動する場合に、
その負の電流をカットして、無効の放電電力を負荷に入
力しないようにし、これにより負荷たる放電管のレーザ
発振効率などを向上するように機能する。
ドは、主コンデンサからの放電管などの負荷に対する放
電電流がレーザ発振終了以後に正負に振動する場合に、
その負の電流をカットして、無効の放電電力を負荷に入
力しないようにし、これにより負荷たる放電管のレーザ
発振効率などを向上するように機能する。
この第２の請求項に係る発明におけるダイオードおよび
コンデンサの直列回路と、このコンデンサに並列接続し
た抵抗とは、逆電流を阻止する際に振動抑制ダイオード
を過電圧から保護する。
コンデンサの直列回路と、このコンデンサに並列接続し
た抵抗とは、逆電流を阻止する際に振動抑制ダイオード
を過電圧から保護する。
この第３の請求項に係る発明における可変抵抗は、レー
ザ発振後などの逆電流を調整して、これをレーザ管の加
熱に利用できるようにする。
ザ発振後などの逆電流を調整して、これをレーザ管の加
熱に利用できるようにする。
この第４の請求項に係る発明における振動抑制ダイオー
ドはスイッチ手段と、主コンデンサおよび高電圧源の接
続点との間に接続されるので、主コンデンサを充電する
ためのバイパス抵抗を省略できるようにする。
ドはスイッチ手段と、主コンデンサおよび高電圧源の接
続点との間に接続されるので、主コンデンサを充電する
ためのバイパス抵抗を省略できるようにする。
この第５の請求項に係る発明におけるダイオードは、レ
ーザ発振直後などに負荷にかかる逆電流を有効にカット
する。
ーザ発振直後などに負荷にかかる逆電流を有効にカット
する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１は高圧電源、２は充電用リアクトル、３
は充電用ダイオード、４は充放電用の主コンデンサ、５
は充電用抵抗、７は負荷であるところのレーザチューブ
としての放電管、８はスイッチ手段としてのパルス発生
用スイッチ。
図において、１は高圧電源、２は充電用リアクトル、３
は充電用ダイオード、４は充放電用の主コンデンサ、５
は充電用抵抗、７は負荷であるところのレーザチューブ
としての放電管、８はスイッチ手段としてのパルス発生
用スイッチ。
９はパルス発生用スイッチ８を構成する直並列接続され
た複数の固体スイッチ素子であるＦＥＴ、１０は主コン
デンサ４に直列接続した振動抑制ダイオード、１１はこ
の振動抑制ダイオード１０に対し並列接続したバイパス
抵抗である。
た複数の固体スイッチ素子であるＦＥＴ、１０は主コン
デンサ４に直列接続した振動抑制ダイオード、１１はこ
の振動抑制ダイオード１０に対し並列接続したバイパス
抵抗である。
次に動作について説明する。
まず、図示しないスイッチを投入すると、高圧電源１か
ら充電用リアクトル２．充電用ダイオード３、バイパス
抵抗１１を介して充電用抵抗５に充電電流が流れて、主
コンデンサ４の充電が行われる。ここで、放電管７を作
動してレーザ発振させる場合には、スイッチ手段として
のパルス発生用スイッチ８をオンにする。こうすると、
主コンデンサ４に蓄積された電荷は、このパルス発生用
スイッチ８および振動抑制ダイオード１０を介して放電
管７に供給される。このため、放電管７が励起され、レ
ーザ発振を行う。こうして、レーザ発振が終了した後は
、第１１図に示すような逆電流が振動電流として、放電
管７に入力されようとするが、このうち負の電流は振動
抑制ダイオード１０によって、第２図に示すようにカッ
トされるため、その振動電流が放電管７に入力されるの
を阻止することができる。つまり、放電管７に対して不
必要かつ過大な電流が入力されるのを防止でき、しかも
、レーザ光の発生効率を高めることができる。
ら充電用リアクトル２．充電用ダイオード３、バイパス
抵抗１１を介して充電用抵抗５に充電電流が流れて、主
コンデンサ４の充電が行われる。ここで、放電管７を作
動してレーザ発振させる場合には、スイッチ手段として
のパルス発生用スイッチ８をオンにする。こうすると、
主コンデンサ４に蓄積された電荷は、このパルス発生用
スイッチ８および振動抑制ダイオード１０を介して放電
管７に供給される。このため、放電管７が励起され、レ
ーザ発振を行う。こうして、レーザ発振が終了した後は
、第１１図に示すような逆電流が振動電流として、放電
管７に入力されようとするが、このうち負の電流は振動
抑制ダイオード１０によって、第２図に示すようにカッ
トされるため、その振動電流が放電管７に入力されるの
を阻止することができる。つまり、放電管７に対して不
必要かつ過大な電流が入力されるのを防止でき、しかも
、レーザ光の発生効率を高めることができる。
第３図はこの発明の他の実施例を示し、上記実施例では
パルス発生用スイッチ８をＦＥＴ９にて構成したが、こ
の実施例では磁気スイッチを利用してパルス圧縮回路を
構成し、同等の効果を得るものである。すなわち、１２
はサイリスタ、１３は第１のコンデンサ、１４は昇圧ト
ランス、１５は第２のコンデンサ、１６は第１の磁気ス
イッチ、１７は第２の磁気スイッチである。この実施例
によれば、サイリスタ１２．第１のコンデンサ１３゜昇
圧トランス１４および第２のコンデンサ１５によって発
生された時間幅の長いパルスは、第１の磁気スイッチ１
６によって時間的に圧縮され、主コンデンサ４に電圧を
充電する。第２の磁気スイッチ１７が導通すると、主コ
ンデンサ４の充電電圧が放電管７に供給されるが、仮に
、回路が振動条件にある場合でも、振動抑制ダイオード
１０により逆電流が阻止される。その結果、放電管７に
対する過大入力を防止でき、レーザ効率がアップする。
パルス発生用スイッチ８をＦＥＴ９にて構成したが、こ
の実施例では磁気スイッチを利用してパルス圧縮回路を
構成し、同等の効果を得るものである。すなわち、１２
はサイリスタ、１３は第１のコンデンサ、１４は昇圧ト
ランス、１５は第２のコンデンサ、１６は第１の磁気ス
イッチ、１７は第２の磁気スイッチである。この実施例
によれば、サイリスタ１２．第１のコンデンサ１３゜昇
圧トランス１４および第２のコンデンサ１５によって発
生された時間幅の長いパルスは、第１の磁気スイッチ１
６によって時間的に圧縮され、主コンデンサ４に電圧を
充電する。第２の磁気スイッチ１７が導通すると、主コ
ンデンサ４の充電電圧が放電管７に供給されるが、仮に
、回路が振動条件にある場合でも、振動抑制ダイオード
１０により逆電流が阻止される。その結果、放電管７に
対する過大入力を防止でき、レーザ効率がアップする。
ところで、上記振動抑制ダイオード１０がこのような逆
電流を阻止する際に、これの両端にｄｉ／ｄｔの過電圧
が加わり、これが破壊する場合がある。そこで、このよ
うな破壊から振動抑制ダイオード１０を保護するために
、第４図に示すように、この振動抑制ダイオード１０と
は逆極性のダイオード２０と、抵抗２１およびコンデン
サ２２の並列回路とを直列接続して、この直列接続した
回路を上記振動抑制ダイオード１０に対して並列接続す
る。
電流を阻止する際に、これの両端にｄｉ／ｄｔの過電圧
が加わり、これが破壊する場合がある。そこで、このよ
うな破壊から振動抑制ダイオード１０を保護するために
、第４図に示すように、この振動抑制ダイオード１０と
は逆極性のダイオード２０と、抵抗２１およびコンデン
サ２２の並列回路とを直列接続して、この直列接続した
回路を上記振動抑制ダイオード１０に対して並列接続す
る。
従って、これによれば、パルス発生用スイッチ８のオン
時に、放電管７には第５図（ａ）に示すような電流ｉｚ
が流れ、レーザ発振直後に負電圧ｖ４が第５図（ｂ）の
ように振動抑制ダイオード１０の両端に一瞬加わろうと
するが、これが上記ダイオード２０．抵抗２１．および
コンデンサ２２からなるスナバ回路によって第５図（Ｃ
）のような電圧ＶＢとし、振動抑制ダイオード１ｏに対
する過電圧が弱められる。従って、この振動抑制ダイオ
ード１ｏが上記過電圧を受けて破壊するのを未然に防止
できる。なお、電圧ｖ４のエンベロープＸはコンデンサ
２２と抵抗２１のループで削減する。また、第６図に示
すように抵抗２１を可変抵抗とすることによって、レー
ザ発振後の逆電流を＊＊１．てこの逆電流をレーザ管の
加熱に利用することができる。つまり、放電管７に流れ
る過電流を調整して、電流波形の放電管７とのマツチン
グを図ることができ、このとき、抵抗２１を調整して、
その抵抗値を増加することにより、第５図の矢印に示す
方向に電流ｉ工および電圧ｖ４゜ｖｌｌの各波形が変化
させることができる。
時に、放電管７には第５図（ａ）に示すような電流ｉｚ
が流れ、レーザ発振直後に負電圧ｖ４が第５図（ｂ）の
ように振動抑制ダイオード１０の両端に一瞬加わろうと
するが、これが上記ダイオード２０．抵抗２１．および
コンデンサ２２からなるスナバ回路によって第５図（Ｃ
）のような電圧ＶＢとし、振動抑制ダイオード１ｏに対
する過電圧が弱められる。従って、この振動抑制ダイオ
ード１ｏが上記過電圧を受けて破壊するのを未然に防止
できる。なお、電圧ｖ４のエンベロープＸはコンデンサ
２２と抵抗２１のループで削減する。また、第６図に示
すように抵抗２１を可変抵抗とすることによって、レー
ザ発振後の逆電流を＊＊１．てこの逆電流をレーザ管の
加熱に利用することができる。つまり、放電管７に流れ
る過電流を調整して、電流波形の放電管７とのマツチン
グを図ることができ、このとき、抵抗２１を調整して、
その抵抗値を増加することにより、第５図の矢印に示す
方向に電流ｉ工および電圧ｖ４゜ｖｌｌの各波形が変化
させることができる。
第７図は第１図の振動抑制ダイオード１０を。
パルス発生用スイッチ８とダイオード３および主コンデ
ンサ４の接続点との間に接続したものを示す、これによ
れば、充電時に用いるバイパス抵抗１１を省略できて１
回路構成を簡素化することができるとともに、本来の振
動抑制効果をも同時に得ることができる。
ンサ４の接続点との間に接続したものを示す、これによ
れば、充電時に用いるバイパス抵抗１１を省略できて１
回路構成を簡素化することができるとともに、本来の振
動抑制効果をも同時に得ることができる。
さらに、第８図はレーザ発振直後の第５図（ａ）に示す
ような逆電流を完全にカットするために。
ような逆電流を完全にカットするために。
放電管７に対してダイオード２３を並列接続したものを
示す。このダイオード２３は主コンデンサ４の放電電流
の方向とは逆向きに接続されるため。
示す。このダイオード２３は主コンデンサ４の放電電流
の方向とは逆向きに接続されるため。
上記逆電流を放電管７をバイパスして、充放電用抵抗５
を通じて消失させることができ、逆電流によるガス温度
の上昇およびこれによるレーザ発振効率の低下を防止で
きる。
を通じて消失させることができ、逆電流によるガス温度
の上昇およびこれによるレーザ発振効率の低下を防止で
きる。
以上のように、この第１の請求項に係る発明によれば高
圧電源からの高圧電圧を主コンデンサに充電し、この主
コンデンサからの放電電圧をスイッチング手段によりス
イッチングして負荷に供給し、上記主コンデンサには振
動抑制ダイオードを直列接続するように構成したので、
放電管などの負荷に対する放電電流を、放電終了後に正
負に振動するのを確実に抑制することができ、従って、
負荷に余分な負担を掛けるのを防止できるとともに、負
荷がレーザ発振用の放電管である場合には、レーザ発振
効率を向上することができるものが得られる効果がある
。
圧電源からの高圧電圧を主コンデンサに充電し、この主
コンデンサからの放電電圧をスイッチング手段によりス
イッチングして負荷に供給し、上記主コンデンサには振
動抑制ダイオードを直列接続するように構成したので、
放電管などの負荷に対する放電電流を、放電終了後に正
負に振動するのを確実に抑制することができ、従って、
負荷に余分な負担を掛けるのを防止できるとともに、負
荷がレーザ発振用の放電管である場合には、レーザ発振
効率を向上することができるものが得られる効果がある
。
また、この第２の請求項に係る発明によれば振動抑制ダ
イオードに対し、ダイオードおよびコンデンサの直列回
路を並列接続し、このコンデンサに抵抗を並列接続する
ように構成したので、逆電流を阻止する際に振動抑制ダ
イオードが破壊されるのを防止できるものが得られる効
果がある。
イオードに対し、ダイオードおよびコンデンサの直列回
路を並列接続し、このコンデンサに抵抗を並列接続する
ように構成したので、逆電流を阻止する際に振動抑制ダ
イオードが破壊されるのを防止できるものが得られる効
果がある。
さらに、この第３の請求項に係る発明によれば上記抵抗
を可変抵抗とするように構成したので、レーザ発振後な
どの逆電流を調整することによって、レーザ管などの負
荷の加熱に利用することができるものが得られる効果が
ある。
を可変抵抗とするように構成したので、レーザ発振後な
どの逆電流を調整することによって、レーザ管などの負
荷の加熱に利用することができるものが得られる効果が
ある。
またさらに、この第４の請求項に係る発明によれば振動
抑制ダイオードをスイッチ手段と主コンデンサおよび高
圧電源の接続点との間に接続したので、主コンデンサを
充電するためのバイパス抵抗を省略できるものが得られ
る効果がある。
抑制ダイオードをスイッチ手段と主コンデンサおよび高
圧電源の接続点との間に接続したので、主コンデンサを
充電するためのバイパス抵抗を省略できるものが得られ
る効果がある。
また、この第５の請求項に係る発明によれば負荷にダイ
オードを並列接続することによって、発振直後に負荷に
かかる逆電流を有効にカットできるものが得られる効果
がある。
オードを並列接続することによって、発振直後に負荷に
かかる逆電流を有効にカットできるものが得られる効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例によるパルス発生回路を示
す回路図、第２図は第１図の放電回路に流れる電流を示
す波形図、第３図はこの発明の他の実施例によるパルス
発生回路を示す回路図、第４図は第１図に示す回路要部
の変形例を示す回路図、第Ｓ図は第４図に示す回路の電
流および電圧を示す波形図、第６図は第１図に示す回路
要部の他の変形例を示す回路図、第７図は第１４図を簡
略化した変形例を示す回路図、第８図は第１図に示す回
路要部のさらに他の変形例を示す回路図５第９図は従来
のパルス発生回路を示す回路図、第１０図はパルス発生
回路の他の従来例を示す回路図、第１１図は第９図にお
けるレーザ発振後に生じる逆電流を示す波形図である。 １は高圧電源、４は主コンデンサ、８はスイッチ手段、
１０は振動抑制ダイオード。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 （外２名） 第 図 第 図 第 図 第 図 イ１ 第 ５ 図 第 図 第 図 第 図 （１
す回路図、第２図は第１図の放電回路に流れる電流を示
す波形図、第３図はこの発明の他の実施例によるパルス
発生回路を示す回路図、第４図は第１図に示す回路要部
の変形例を示す回路図、第Ｓ図は第４図に示す回路の電
流および電圧を示す波形図、第６図は第１図に示す回路
要部の他の変形例を示す回路図、第７図は第１４図を簡
略化した変形例を示す回路図、第８図は第１図に示す回
路要部のさらに他の変形例を示す回路図５第９図は従来
のパルス発生回路を示す回路図、第１０図はパルス発生
回路の他の従来例を示す回路図、第１１図は第９図にお
けるレーザ発振後に生じる逆電流を示す波形図である。 １は高圧電源、４は主コンデンサ、８はスイッチ手段、
１０は振動抑制ダイオード。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 （外２名） 第 図 第 図 第 図 第 図 イ１ 第 ５ 図 第 図 第 図 第 図 （１
Claims (5)
- （１）高圧電源からの高圧電圧を充電する主コンデンサ
と、この主コンデンサの電圧をスイッチングして負荷に
供給するスイッチ手段と、上記主コンデンサに対し直列
接続された振動抑制ダイオードとを備えたパルス発生回
路。 - （２）振動抑制ダイオードに対し並列接続されたダイオ
ードおよびコンデンサの直列回路と、このコンデンサに
並列接続された抵抗とを備えた請求項１記載のパルス発
生回路。 - （３）振動抑制ダイオードに対し並列接続されたダイオ
ードおよびコンデンサの直列回路と、このコンデンサに
並列接続された可変抵抗とを備えた請求項１記載のパル
ス発生回路。 - （４）振動抑制ダイオードをスイッチ手段と、主コンデ
ンサおよび高圧電源の接続点との間に接続した請求項１
記載のパルス発生回路。 - （５）負荷に並列接続された逆電流カット用のダイオー
ドを備えた請求項１記載のパルス発生回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068090A JPH03226115A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | パルス発生回路 |
| EP19900313030 EP0431846B1 (en) | 1989-12-04 | 1990-11-30 | Semiconductor switching apparatus |
| EP96201431A EP0735634B1 (en) | 1990-01-31 | 1990-11-30 | Pulse generator circuit |
| US07/621,999 US5122674A (en) | 1989-12-04 | 1990-12-04 | Semiconductor switching apparatus |
| US07/859,903 US5243230A (en) | 1989-12-04 | 1992-03-30 | Semiconductor switching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068090A JPH03226115A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | パルス発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03226115A true JPH03226115A (ja) | 1991-10-07 |
Family
ID=12033894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2068090A Pending JPH03226115A (ja) | 1989-12-04 | 1990-01-31 | パルス発生回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0735634B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03226115A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2410648A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-25 | Vincotech Holdings S.a.r.l. | DC/DC converter circuit and method for controlling a DC/DC converter circuit |
| DE102010052728B4 (de) | 2010-11-26 | 2017-01-26 | Friwo Gerätebau Gmbh | Teilvergossenes Netzteil und Herstellungsverfahren |
| EP3876409A1 (en) | 2020-03-05 | 2021-09-08 | ABB Schweiz AG | Flying capacitor switching cell-system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712333A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature display element |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3651341A (en) * | 1970-05-28 | 1972-03-21 | Charles L Shano | Capacitor discharge pulse source |
| GB8816774D0 (en) * | 1988-07-14 | 1988-08-17 | Bsr Int Plc | Power supplies |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2068090A patent/JPH03226115A/ja active Pending
- 1990-11-30 EP EP96201431A patent/EP0735634B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712333A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Temperature display element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0735634B1 (en) | 2000-07-05 |
| EP0735634A1 (en) | 1996-10-02 |
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