JPH03228379A - 太陽電池用基板 - Google Patents
太陽電池用基板Info
- Publication number
- JPH03228379A JPH03228379A JP2024607A JP2460790A JPH03228379A JP H03228379 A JPH03228379 A JP H03228379A JP 2024607 A JP2024607 A JP 2024607A JP 2460790 A JP2460790 A JP 2460790A JP H03228379 A JPH03228379 A JP H03228379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- particles
- solar cell
- silicon
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
- H10F77/147—Shapes of bodies
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、太陽電池用基板に関するものである。
ポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を基板材料に用いた従
来の太陽電池基板の構造およびその製造方法を以下に説
明する。
来の太陽電池基板の構造およびその製造方法を以下に説
明する。
第５図、第６図は、例えば第１回ＰＶＳＥＣ（Ｉｎｔｅ
ｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ５ｃ
ｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎ−ｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏ
ｎｆｅｒｅｎｃｅ）のＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓ
ｔに示されｔ二それぞれρｏｌｙ−Ｓｉのインゴットお
よび基板状態を示したものである。第５図はシリコン粒
（べし・ツ１−）を溶融し、徐冷して形成したｐｏｌｙ
Ｓｉ（ノボ・ソトの斜視図、第６図は、第５図のｐｏｌ
ｙＳｌ インゴットをスライスして形成し／：ｐｏｌｙ
−Ｓｉ基板の斜視図である。これらの図において、３０
はｐｏｌｙ−Ｓｉ インゴット、１２は前記ｐｏｌｙ
−Ｓｉインゴット３０をスライスして形成されたｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ基板である。
ｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ５ｃ
ｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎ−ｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏ
ｎｆｅｒｅｎｃｅ）のＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓ
ｔに示されｔ二それぞれρｏｌｙ−Ｓｉのインゴットお
よび基板状態を示したものである。第５図はシリコン粒
（べし・ツ１−）を溶融し、徐冷して形成したｐｏｌｙ
Ｓｉ（ノボ・ソトの斜視図、第６図は、第５図のｐｏｌ
ｙＳｌ インゴットをスライスして形成し／：ｐｏｌｙ
−Ｓｉ基板の斜視図である。これらの図において、３０
はｐｏｌｙ−Ｓｉ インゴット、１２は前記ｐｏｌｙ
−Ｓｉインゴット３０をスライスして形成されたｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ基板である。
次にρｏｌｙ−Ｓｉ基板１２の製造方法について説明す
る。
る。
第５図のｐｏｌｙ−Ｓｉインゴ：ｙ ｌ・３０は、電気
炉によ−）でシリコンペレ・ソトを溶融し、鋳型に流し
込み徐冷することにより形成される。乙のｐｏｌｙ−Ｓ
ｉインゴット３０を第６図に示すように、スライスして
厚い数百μｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２を形成するが、
この場き最低でも２００μｍ程度の切り代が必要となる
。このとき徐冷のスピードのコノトローノ１および鋳型
の温度分布の制御によってｐｏ ｌ ｙ−５ｉ基板１２
の特性が決定されてしまうので高精度の制御が必要とさ
れるが、ｐｏｎｙ−Ｓｉ インテ？、 Ｉ−３０の不純
物の分布の存在は避けられず、太陽Ｍ池基板として使用
できない部分が形成されてしまう。
炉によ−）でシリコンペレ・ソトを溶融し、鋳型に流し
込み徐冷することにより形成される。乙のｐｏｌｙ−Ｓ
ｉインゴット３０を第６図に示すように、スライスして
厚い数百μｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２を形成するが、
この場き最低でも２００μｍ程度の切り代が必要となる
。このとき徐冷のスピードのコノトローノ１および鋳型
の温度分布の制御によってｐｏ ｌ ｙ−５ｉ基板１２
の特性が決定されてしまうので高精度の制御が必要とさ
れるが、ｐｏｎｙ−Ｓｉ インテ？、 Ｉ−３０の不純
物の分布の存在は避けられず、太陽Ｍ池基板として使用
できない部分が形成されてしまう。
第７図は、第６図のｐｏｌｙ−Ｓｉ基板を用いて形成し
た太陽電池の断面図を示したものである。この図で、１
０は前記ρｏ Ｉ ｙ−５ｉ基板１２のＪＩＩ向に形成
されたｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２と同りィブの高濃度ドピ
ング層、５はこの高濃度ドーピング１ｆ１１０」二に形
成された金属電極、６は的記ｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２表
面に形成されたこのｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２と逆タイプ
のドーピング層（ｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２と逆タイーノ
。
た太陽電池の断面図を示したものである。この図で、１
０は前記ρｏ Ｉ ｙ−５ｉ基板１２のＪＩＩ向に形成
されたｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２と同りィブの高濃度ドピ
ング層、５はこの高濃度ドーピング１ｆ１１０」二に形
成された金属電極、６は的記ｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２表
面に形成されたこのｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２と逆タイプ
のドーピング層（ｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２と逆タイーノ
。
のドーピング層６でｐｎ接合が形成されろ）、８は前記
逆タイプのドーピング層６上に形成された集電極層、１
１は前記逆タイプのドーピングＪｌ！！ｊ６および集電
極層８上に形成された反射防止膜である。
逆タイプのドーピング層６上に形成された集電極層、１
１は前記逆タイプのドーピングＪｌ！！ｊ６および集電
極層８上に形成された反射防止膜である。
次に、第６図のｐｏｌｙ−Ｓｉ基板１２を用いた第７図
の太陽電池の形成工程について説明する。
の太陽電池の形成工程について説明する。
まず、ｐｏｌｙ−Ｓ−基板１２の裏面に、ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ基板１２が１１型であるならば、高濃度ｎ型ドーピン
グ層１０、ｐ型であるならば高濃度ｐ型ドーピノゲ層１
０ｈ（熱拡散もしくはイオン注入によって形成され、高
濃度ドーピング層１０上には、スクリッ印刷もしくは蒸
着などによって金属電極５が形成されろ。次に、ρｏｌ
ｙ−Ｓｉ基板１２の表面に、乙のｐｏｌｙ−Ｓ−基板１
２と逆タイプのドーピング層６が熱拡散などによって形
成されｐｎ接合となる。
ｉ基板１２が１１型であるならば、高濃度ｎ型ドーピン
グ層１０、ｐ型であるならば高濃度ｐ型ドーピノゲ層１
０ｈ（熱拡散もしくはイオン注入によって形成され、高
濃度ドーピング層１０上には、スクリッ印刷もしくは蒸
着などによって金属電極５が形成されろ。次に、ρｏｌ
ｙ−Ｓｉ基板１２の表面に、乙のｐｏｌｙ−Ｓ−基板１
２と逆タイプのドーピング層６が熱拡散などによって形
成されｐｎ接合となる。
さらに、集電極ＮＩ８がスクリーン印刷などによって形
成され、逆タイプのドーピング層６および集電極層８上
に反射防止ｙＡ１１がスパッタなどで形成され太陽電池
が完成する。
成され、逆タイプのドーピング層６および集電極層８上
に反射防止ｙＡ１１がスパッタなどで形成され太陽電池
が完成する。
上記のように、太陽電池に用いる基板としてインテ・ソ
トから形成する従来の単結晶シリコン（ＣＳｉ）も（７
くはρｏｌｙ−Ｓｉ基板１２はこれを形成する工程で、
基板材料であるシリコン粒（ベレット）を溶融させ、ｃ
−Ｓｉの場合は結晶引き上げ法などによってインテ・ソ
トを形成する。また、ｐｏｌｙ−Ｓｉの場合は鋳型に溶
融シリコンを流し込み、インゴットを形成する工程が必
要であり、しかも、不純物が不均一に分布してしまうの
でインゴット全体を使うことは不可能である。また、基
板を板状にするためにはインゴットをスライスずろ工程
が必要であり、１枚の板状ｅ−Ｓｉもしくはｐｏｌｙ−
Ｓｉ基板１２を得るには少なくとも２００μ１１１以上
の切り代が必要であるなどの問題点があった。
トから形成する従来の単結晶シリコン（ＣＳｉ）も（７
くはρｏｌｙ−Ｓｉ基板１２はこれを形成する工程で、
基板材料であるシリコン粒（ベレット）を溶融させ、ｃ
−Ｓｉの場合は結晶引き上げ法などによってインテ・ソ
トを形成する。また、ｐｏｌｙ−Ｓｉの場合は鋳型に溶
融シリコンを流し込み、インゴットを形成する工程が必
要であり、しかも、不純物が不均一に分布してしまうの
でインゴット全体を使うことは不可能である。また、基
板を板状にするためにはインゴットをスライスずろ工程
が必要であり、１枚の板状ｅ−Ｓｉもしくはｐｏｌｙ−
Ｓｉ基板１２を得るには少なくとも２００μ１１１以上
の切り代が必要であるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、太陽電池の基板として用いる基板材料であ
るシリコン粒（イし・ツト）ヲ、ソのまま用いることが
できるようにしたものである。。
れたもので、太陽電池の基板として用いる基板材料であ
るシリコン粒（イし・ツト）ヲ、ソのまま用いることが
できるようにしたものである。。
この発明に係る太陽電池用基板は、平面方向に並び上下
に重ならないよう最密充填された粒径のそろったシリコ
ン粒と、これらのシリコン粒の底部から粒径の２７３程
度までの部分の空隙を埋めシリコン粒を結合せしめる塗
布型酸化膜と、シリコン粒の塗布型酸化膜が形成されて
いない露出しに部分の空隙を埋め焼成された１ルミペー
ストからなろものである。
に重ならないよう最密充填された粒径のそろったシリコ
ン粒と、これらのシリコン粒の底部から粒径の２７３程
度までの部分の空隙を埋めシリコン粒を結合せしめる塗
布型酸化膜と、シリコン粒の塗布型酸化膜が形成されて
いない露出しに部分の空隙を埋め焼成された１ルミペー
ストからなろものである。
乙の発明においては、シリコン粒をそのまま塗布型酸化
膜）３」、びＡｌベーストに、よって板状にして太陽電
池用基板を形成するので、基板中に不純物が不均一に分
布することもなく、投入したシリコン粒のほと／しどが
基板として利用される。
膜）３」、びＡｌベーストに、よって板状にして太陽電
池用基板を形成するので、基板中に不純物が不均一に分
布することもなく、投入したシリコン粒のほと／しどが
基板として利用される。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による太陽電池用基板を示
す断面図である。
す断面図である。
以下、その形成工程について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、グラファイト製支持
台１上に均一に塗布型酸化Ｍ２、例えばシリコンポリ？
（Ｐ Ｐ Ｓ Ｑ ： Ｐｏ１ｙ−Ｐｈｅｎｙｌ Ｓ
ｉ Ｉｓ。
台１上に均一に塗布型酸化Ｍ２、例えばシリコンポリ？
（Ｐ Ｐ Ｓ Ｑ ： Ｐｏ１ｙ−Ｐｈｅｎｙｌ Ｓ
ｉ Ｉｓ。
ｑｕｉｏχＯ他）を塗布する。この状態でその塗布膜厚
は、第１図（ｂ）に示ずように、シリコン粒（べし・ツ
ト）３を２次元方向へ＊Ｗ充填にならべたときに、数十
μｍから数ｎｔｍのシリコン粒（ベレット）３の粒径が
およそ２／３埋まる程度である。
は、第１図（ｂ）に示ずように、シリコン粒（べし・ツ
ト）３を２次元方向へ＊Ｗ充填にならべたときに、数十
μｍから数ｎｔｍのシリコン粒（ベレット）３の粒径が
およそ２／３埋まる程度である。
次いで、シリコン粒（ベレット）３を塗Ｉｔｊ型酸化膜
２上にばらまき焼成させる。焼成後、余分に投入したシ
リコン較（ベレ・ソト）３を取り除くと、第１ 図（ｅ
）に示すように、はぼシリコン較（・ぐし１・）３が
最密充填されろ７１次いで、第１図（ｄ ）に示す、Ｌ
うに、シリコン粒（ぺＬ・ツト）３が露出している部分
にアルミペースト４を塗’ｌｆｉ ｔ、 、さらに金属
電極５（アルミなどの板状金属）をのせ、焼成させる。
２上にばらまき焼成させる。焼成後、余分に投入したシ
リコン較（ベレ・ソト）３を取り除くと、第１ 図（ｅ
）に示すように、はぼシリコン較（・ぐし１・）３が
最密充填されろ７１次いで、第１図（ｄ ）に示す、Ｌ
うに、シリコン粒（ぺＬ・ツト）３が露出している部分
にアルミペースト４を塗’ｌｆｉ ｔ、 、さらに金属
電極５（アルミなどの板状金属）をのせ、焼成させる。
最後に、第１図（０）に示ずｔうに、グラファイト製支
持７Ｍ１を取り除き、塗布型酸化膜２およびシリコン較
（べし・ソト）３をラッピングし、シリコン較（べし・
ソト）３の端部を露出させることによって太陽電池用基
板が形成されろ１゜第２図は、第１図の太陽電池用基板
を用いて形成した太陽ｉ４池の断面図である１、この太
陽電池は、第１図（ｅ）の状態のラッピングを行った面
に熱拡散もしくはイオン注入によってシリコＪ粒（ベレ
ット）３と逆タイプの不純物をドーピングし、逆タイプ
ドーピング層６を形成する。これにより、ｐｎ接合が形
成されろ。次に、逆タイプドピング層６上に、スパッタ
もしくは蒸着によって透明電極層７を形成し、さらに蒸
着もしくはスクリーン印刷によって集電極層８を形成し
、太陽電池（セル）が完成する。
持７Ｍ１を取り除き、塗布型酸化膜２およびシリコン較
（べし・ソト）３をラッピングし、シリコン較（べし・
ソト）３の端部を露出させることによって太陽電池用基
板が形成されろ１゜第２図は、第１図の太陽電池用基板
を用いて形成した太陽ｉ４池の断面図である１、この太
陽電池は、第１図（ｅ）の状態のラッピングを行った面
に熱拡散もしくはイオン注入によってシリコＪ粒（ベレ
ット）３と逆タイプの不純物をドーピングし、逆タイプ
ドーピング層６を形成する。これにより、ｐｎ接合が形
成されろ。次に、逆タイプドピング層６上に、スパッタ
もしくは蒸着によって透明電極層７を形成し、さらに蒸
着もしくはスクリーン印刷によって集電極層８を形成し
、太陽電池（セル）が完成する。
第３図は、第１図の太陽Ｗｉ池川用板を用いて形成した
太陽電池の他の実施例を示す断面図である。
太陽電池の他の実施例を示す断面図である。
この太陽電池は、第１図（ｅ）の状態のう・ソビングを
行った面にプラズマＣＶＩ）により、シリコン粒（ベレ
ット）３と逆タイプの微結晶層９を形成することにより
ｐｎ接ａが形成される。次に逆タイプの微結晶層９上に
スパッタもしくは蒸着によって透明電極層７を形成し、
さらにｆ／Ａ着もしくはスクリーン印刷によって集電極
層８を形成し、太陽ｔＳ池（セル）が完成ずろ。
行った面にプラズマＣＶＩ）により、シリコン粒（ベレ
ット）３と逆タイプの微結晶層９を形成することにより
ｐｎ接ａが形成される。次に逆タイプの微結晶層９上に
スパッタもしくは蒸着によって透明電極層７を形成し、
さらにｆ／Ａ着もしくはスクリーン印刷によって集電極
層８を形成し、太陽ｔＳ池（セル）が完成ずろ。
なお、上記実施例では、第１図（ｅ）の基板状態にずろ
のにグラファイト製支持台１上で形成したが、グラファ
イト基板を用いずに、基板状態を得る方法を第４図につ
いて説明する。
のにグラファイト製支持台１上で形成したが、グラファ
イト基板を用いずに、基板状態を得る方法を第４図につ
いて説明する。
まず、第４図に（ａ）に示すように、金属電極５上に均
一にアルミペースト４を塗４ｊする。このとき塗布膜厚
は、第４図（ｂ）でシリコン粒（べＬ・ツト）３を２次
元方向へ最密充填にならべｔコときに、数十μｍから数
ｍｍのシリコン粒径のおよそ１／３が埋まる程度である
。その後、シリコン較（ベレット）３をアルミペースト
４にばらまき焼成させろ。焼成後、余分に投入したシリ
コン粒（べしツト）３を取り除くと、第４図（ｅ）に示
すように、はぼシリコン較（ベレット）３が最密充填さ
れる。次いで、第４図（（量）に示ず１うに、シリコン
粒（べＬ・ツト）３が露出している部分に塗布型酸化膜
２を塗布し焼成させる。最後に塗布型酸化膜２およびシ
リコン粒（ベレット）３をう・ソピンゲし、シリコン粒
（ベレット）３の端部を露出させることによって太陽電
池用基板が形成される。
一にアルミペースト４を塗４ｊする。このとき塗布膜厚
は、第４図（ｂ）でシリコン粒（べＬ・ツト）３を２次
元方向へ最密充填にならべｔコときに、数十μｍから数
ｍｍのシリコン粒径のおよそ１／３が埋まる程度である
。その後、シリコン較（ベレット）３をアルミペースト
４にばらまき焼成させろ。焼成後、余分に投入したシリ
コン粒（べしツト）３を取り除くと、第４図（ｅ）に示
すように、はぼシリコン較（ベレット）３が最密充填さ
れる。次いで、第４図（（量）に示ず１うに、シリコン
粒（べＬ・ツト）３が露出している部分に塗布型酸化膜
２を塗布し焼成させる。最後に塗布型酸化膜２およびシ
リコン粒（ベレット）３をう・ソピンゲし、シリコン粒
（ベレット）３の端部を露出させることによって太陽電
池用基板が形成される。
なお、ｎ型のシリコン粒３を用い、塗布型酸化膜２とし
て、リンガドープされたアルミペーストを用いることが
できる。
て、リンガドープされたアルミペーストを用いることが
できる。
以上説明したように、平面方向に並び上下に重ならない
よう最密充填された粒径のそろったシリコン較と、これ
らのシリコン較の底部から粒径の２／３程度までの部分
の空隙を埋めシリコン粒を結合せしめる塗布型酸化膜と
、シリコン粒の塗布型酸化膜が形成されていない露出し
た部分の空隙を埋め焼成されたアルミベース）・からな
ろので、これまで必要であったシリコン較の溶融からイ
ンゴ・ソトの形成およびスライスの工程を全て省くこと
ができる。したがって、安価に、かつ短時間に高性能な
太陽電池基板を得る乙とが可能になるばかりでなく、従
来の方法では投入したシリコン粒の半分程度しか基板に
する乙とができなかっｋものを、この発明によれば、投
入したシリコン粒（ベレ・フト）のほとんどの材料を有
効に用いることかｉｊＪ能となり、材料面からもコスト
をドげろことができる効果が得られる。
よう最密充填された粒径のそろったシリコン較と、これ
らのシリコン較の底部から粒径の２／３程度までの部分
の空隙を埋めシリコン粒を結合せしめる塗布型酸化膜と
、シリコン粒の塗布型酸化膜が形成されていない露出し
た部分の空隙を埋め焼成されたアルミベース）・からな
ろので、これまで必要であったシリコン較の溶融からイ
ンゴ・ソトの形成およびスライスの工程を全て省くこと
ができる。したがって、安価に、かつ短時間に高性能な
太陽電池基板を得る乙とが可能になるばかりでなく、従
来の方法では投入したシリコン粒の半分程度しか基板に
する乙とができなかっｋものを、この発明によれば、投
入したシリコン粒（ベレ・フト）のほとんどの材料を有
効に用いることかｉｊＪ能となり、材料面からもコスト
をドげろことができる効果が得られる。
第１図は乙の発明の太陽電池用基板の一実施例を示す図
で、その形成、［程を示す断面図、第２図。 第３図は、第１図の太陽電池用基板を用いた太陽電池を
示す断面図、第４図はこの発明の太陽電池用基板の他の
実施例を示す図で、その形成工程を示す断面図、第５図
は従来の基板を形成する途中の工程で形成されろｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ （ンゴットの斜視図、第６図はｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ イノゴ・ントをスライスし、板状ｃｌ）ｐｏｌｙ−
Ｓｉ基板にしｔコ状態の斜視図、第７図は、第６図のρ
ｏｌｙ−Ｓ−基板を用いて形成した従来の太陽電池の断
面図である。 図にわいて、１はグラファイト製支持台、２は塗布型酸
化膜、３はｎ型またはｐ型のシリコン粒（ベレット）
４はアルミペースト、５は金属電極、６は逆タイゴドー
ビノグ層、７は透明電極層、８は集電極層、９は逆タイ
プ微結晶層、１０は＾能動ドーピング層、１１は反射防
止膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
で、その形成、［程を示す断面図、第２図。 第３図は、第１図の太陽電池用基板を用いた太陽電池を
示す断面図、第４図はこの発明の太陽電池用基板の他の
実施例を示す図で、その形成工程を示す断面図、第５図
は従来の基板を形成する途中の工程で形成されろｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ （ンゴットの斜視図、第６図はｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ イノゴ・ントをスライスし、板状ｃｌ）ｐｏｌｙ−
Ｓｉ基板にしｔコ状態の斜視図、第７図は、第６図のρ
ｏｌｙ−Ｓ−基板を用いて形成した従来の太陽電池の断
面図である。 図にわいて、１はグラファイト製支持台、２は塗布型酸
化膜、３はｎ型またはｐ型のシリコン粒（ベレット）
４はアルミペースト、５は金属電極、６は逆タイゴドー
ビノグ層、７は透明電極層、８は集電極層、９は逆タイ
プ微結晶層、１０は＾能動ドーピング層、１１は反射防
止膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 平面方向に並び上下に重ならないよう最密充填された粒
径のそろったシリコン粒と、これらのシリコン粒の底部
から粒径の２／３程度までの部分の空隙を埋め前記シリ
コン粒を結合せしめる塗布型酸化膜と、前記シリコン粒
の前記塗布型酸化膜が形成されていない露出した部分の
空隙を埋め焼成されたアルミペーストからなることを特
徴とする太陽電池用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024607A JPH03228379A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 太陽電池用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024607A JPH03228379A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 太陽電池用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228379A true JPH03228379A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12142837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024607A Pending JPH03228379A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 太陽電池用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03228379A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217427A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| US6437234B1 (en) * | 2000-07-27 | 2002-08-20 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| WO2002037576A3 (de) * | 2000-10-25 | 2002-10-03 | Steffen Jaeger | Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| US6620996B2 (en) * | 2000-05-29 | 2003-09-16 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device |
| US7402747B2 (en) | 2003-02-18 | 2008-07-22 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the device |
| DE102008040147A1 (de) * | 2008-07-03 | 2010-01-28 | Crystalsol Og | Verfahren zur Herstellung einer Monokornmembran für eine Solarzelle sowie Monokornmembran nebst Solarzelle |
| US8049103B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2024607A patent/JPH03228379A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620996B2 (en) * | 2000-05-29 | 2003-09-16 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device |
| US6437234B1 (en) * | 2000-07-27 | 2002-08-20 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| WO2002037576A3 (de) * | 2000-10-25 | 2002-10-03 | Steffen Jaeger | Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| JP2002217427A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| US7402747B2 (en) | 2003-02-18 | 2008-07-22 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the device |
| US8049103B2 (en) | 2006-01-18 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US8729386B2 (en) | 2006-01-18 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| DE102008040147A1 (de) * | 2008-07-03 | 2010-01-28 | Crystalsol Og | Verfahren zur Herstellung einer Monokornmembran für eine Solarzelle sowie Monokornmembran nebst Solarzelle |
| US8802480B2 (en) | 2008-07-03 | 2014-08-12 | Crystalsol Gmbh | Method for the prodcution of a monograin membrane for a solar cell, monograin membrane, and solar cell |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3585088A (en) | Methods of producing single crystals on supporting substrates | |
| US6692981B2 (en) | Method of manufacturing a solar cell | |
| US20040118337A1 (en) | Method for growing silicon film, method for manufacturing solar cell, semiconductor substrate, and solar cell | |
| US4338481A (en) | Very thin silicon wafer base solar cell | |
| US3664874A (en) | Tungsten contacts on silicon substrates | |
| US3746587A (en) | Method of making semiconductor diodes | |
| JP2002211996A (ja) | 活性粒界の比率が低い多結晶性ケイ素 | |
| JP2546986B2 (ja) | 半導体ウエ−ハ及びその製造方法 | |
| Naomoto et al. | Characterization of thin-film silicon formed by high-speed zone-melting recrystallization process | |
| JP2001127317A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH1140832A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| US5504015A (en) | Process for preparing photovoltaic modules based on crystalline silicon | |
| US3471924A (en) | Process for manufacturing inexpensive semiconductor devices | |
| US3279963A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| JPH0376273A (ja) | 太陽電池用の半導体基板 | |
| JPH1012907A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
| JPH05251481A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0834177B2 (ja) | 半導体多結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH0362031B2 (ja) | ||
| JPS57197848A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JP3465765B2 (ja) | Ｉｇｂｔ用半導体基板の作製方法 | |
| JPH05167090A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH04229664A (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPS5875838A (ja) | シリコン基板の加工方法 | |
| JPS6213815B2 (ja) |